Про внесення змін у додаток 1 до Порядку здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів подвійного використання

----------------------------------------------------------------------

Розділ 1. ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371а-14 ),

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

1. ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ

1.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

1.A.1. Компоненти, наведені нижче, вироблені із

[1A001] сполук, що містять фтор:

1.A.1.a. Ущільнення, прокладки, ущільнювальні 3919 90 90 00

матеріали або еластичні паливні баки,

спеціально призначені для "літальних

апаратів" чи для використання в

аерокосмічній техніці та виготовлені більше

ніж на 50 вагових відсотків з матеріалу,

зазначеного в позиціях 1.C.9.b або 1.C.9.c

Примітки. 1. Коди товарів згідно з УКТЗЕД

( 2371а-14, 2371б-14, 2371в-14, 2371г-14 ) наводяться у

списку довідково. Основною ознакою для прийняття

рішення є відповідність заявленого до митного

оформлення товару найменуванню та опису відповідного

товару, наведеному в цьому Списку.

2. У позиції 1.A.1 та далі за текстом у графі "номер

позиції" (у квадратних дужках) наводяться коди товарів

згідно із системою їх класифікації державами - учасницями

Європейського Союзу.

1.A.1.b. П'єзоелектричні полімери та сополімери, 3921 90 90 00

вироблені із матеріалів на основі

вініліденфториду, зазначених у позиції

1.C.9.a:

1) у вигляді плівки або листа;

та

2) завтовшки понад 200 мкм

1.A.1.c. Ущільнення, прокладки, гнізда клапанів, 3919 90 90 00

еластичні паливні баки або діафрагми,

виготовлені із фтороластомірів, які містять

щонайменше одну вінілефірну групу як

складову ланку і спеціально призначені для

"літальних апаратів" чи для використання в

аерокосмічній або ракетній техніці

1.A.2. "Композиційні матеріали" або ламінати

[1A002] (шаруваті матеріали), які містять будь-що з

наведеного нижче:

1.A.2.a. Органічну "матрицю" і вироблені з 3926 90 10 00

матеріалів, що підлягають контролю згідно з

позиціями 1.C.10.c, 1.C.10.d чи 1.C.10.e

або

Примітка. Згідно з позицією 1.A.2.a контролю не підлягають закінчені

вироби або напівфабрикати, спеціально призначені тільки для

наведеного нижче цивільного використання:

a) у спортивних товарах;

b) в автомобільній промисловості;

c) у верстатобудівній промисловості;

d) у медичних цілях.

1.A.2.b. Металеву або вуглецеву "матрицю" і

виготовлені з:

1) вуглецевих волокнистих або ниткоподібних з 3801

матеріалів з:

a) питомим модулем пружності понад 3926 90 10 00

10,15 х 10(в ступ.6) м; та

b) питомою межею міцності при розтягові з 6903 10 00

понад 17,7 х 10(в ступ.4) м; або

2) матеріалів, що підлягають контролю за 3926 90 10 00

позицією 1.C.10.c 8101 92 00 00

8108 90 30 00

8108 90 70 00

Примітка. Згідно з позицією 1.A.2.b контролю не підлягають закінчені

вироби або напівфабрикати, спеціально призначені тільки для

наведеного нижче цивільного використання:

a) у спортивних товарах;

b) в автомобільній промисловості;

c) у верстатобудівній промисловості;

d) у медичних цілях.

Технічні 1. Питомий модуль пружності - модуль Юнга, виражений у Па

примітки або в Н/кв. м, поділений на питому вагу в Н/куб. м,

виміряний при температурі (296 +(-)2) K [(23 +(-)2)

град. C] та відносній вологості (50 +(-)5) відсотків.

2. Питома межа міцності при розтягові - найбільша межа

міцності до розриву, виражена в Па або в Н/кв. м,

поділена на питому вагу в Н/куб. м, виміряна при

температурі (296 +(-)2) K [(23 +(-)2) град. C] та

відносній вологості (50 +(-)5) відсотків.

Примітка. Згідно з позицією 1.A.2 контролю не підлягають композиційні

структури або шаруваті матеріали, виготовлені з епоксидної

смоли, імпрегнованої "волокнистими чи ниткоподібними

матеріалами" для ремонту авіаційних конструкцій, або

шаруваті матеріали, якщо їх розмір не перевищує 1 кв. м.

1.A.3. Вироби з нефторованих полімерних речовин, 3919 90 90 00

[1A003] що підлягають контролю згідно з позицією 3920 99 90 00

1.C.8.a.3, які мають форму плівки, листа,

стрічки або смужки:

1.A.3.a. Завтовшки понад 0,254 мм; або

1.A.3.b. Покриті чи ламіновані вуглецем, графітом,

металами або магнітними речовинами

Примітка. Згідно з позицією 1.A.3 контролю не підлягають вироби,

покриті або ламіновані міддю і призначені для виробництва

електронних печатних плат.

1.A.4. Обладнання для захисту і виявлення та їх

[1A004] частини, наведені нижче, спеціально не

призначені для військового використання:

1.A.4.a. Газові маски, коробки протигазів з 9020 00 90 00

фільтрами та обладнання для знезараження та 9033 00 00 00

їх частини, призначені або модифіковані для

захисту від біологічних факторів чи

радіоактивних матеріалів, "пристосованих

для військового використання", або від

бойових хімічних речовин, а також

призначені для них "компоненти"

1.A.4.b. Захисні костюми, рукавиці та взуття, 6210 20 00 00

спеціально призначені або модифіковані для 6210 30 00 00

захисту від біологічних факторів чи з 6405 90

радіоактивних матеріалів, "пристосованих

для військового використання", або від

бойових хімічних речовин

1.A.4.c. Ядерні, біологічні та хімічні системи з 9027

виявлення та їх частини, спеціально 9030 10 90 00

призначені або модифіковані для виявлення 9033 00 00 00

або ідентифікації біологічних факторів чи 9027 10 10 00

радіоактивних матеріалів, "пристосованих 9027 10 90 00

для військового використання", або бойових 9027 90 90 00

хімічних речовин

Примітка. Згідно з позицією 1.A.4 контролю не підлягають:

a) персональні радіаційні моніторингові дозиметри;

b) обладнання, яке за конструкцією або функціями призначене

тільки для захисту від токсичних речовин, специфічних для

цивільної промисловості, зокрема для гірничої справи, робіт

в кар'єрах, сільськогосподарської, фармацевтичної, медичної,

ветеринарної діяльності, харчової промисловості, а також для

робіт, пов'язаних із захистом навколишнього природного

середовища та переробкою відходів;

c) дихальні апарати, призначені для використання при

пожежах, для роботи в трюмах на суднах, відповідно до пункту

10 правила 10 частини C глави II-2, пункту 4.3 правила 13

частини С глави II-2, пункту 3.4 правила 13 частини C глави

II-2 Міжнародної конвенції з охорони людського життя на морі

1974 року ( 995_251 ) із змінами і доповненнями ( 995_689 )

(International Convention for the Safety of the Life at Sea,

1974 as amended) та Кодексу по системам протипожежної

безпеки 2004 (Fire Safety System Code, 2004).

1.A.5. Бронежилети і спеціально призначені 6204 29 90 00

[1A005] для них "компоненти", виготовлені не за

військовими стандартами або специфікаціями

і не рівноцінні їм у виконанні

Особлива Щодо контролю за "волокнистими або ниткоподібними

примітка. матеріалами", що використовуються у виготовленні засобів

захисту тіла (бронежилетів) див. позицію 1.C.10.

Примітки. 1. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають

бронежилети або захисний одяг, якщо вони знаходяться у

своїх користувачів з метою їх власного захисту.

2. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають

бронежилети, призначені тільки для забезпечення

фронтального захисту як від уламків, так і від вибуху

невійськових вибухових пристроїв.

1.A.6.*, Спеціальні засоби та вироби, які за своїми

**, *** властивостями можуть бути використані у

терористичних цілях:

1.A.6.a. Електричні та неелектричні засоби 3603 00 1000

ініціювання промислових вибухових 3603 00 9000

речовин, промислові підривні заряди та 9306 90 9000

пристрої (у тому числі перфоратори,

спеціально призначені для каротажу

нафтових та інших свердловин), детонуючі

та вогнепровідні шнури і комплектуючі до

них.

1.A.6.b. Піротехнічні вироби у зборі 3604 90 0000

Примітка. Згідно з позицією 1.A.6.b. контролю не підлягають:

a) піротехнічні вироби (візуальні сигнальні засоби), які в

обов'язковому порядку повинні бути на морському судні

відповідно до пункту 3 правила 6 розділу I глави III,

правила 18 розділу I частини B глави III Конвенції з охорони

людського життя на морі 1974 р. ( 995_251 ) із змінами і

доповненнями ( 995_689 ) (International Convention for the

Safety of the Life at Sea, 1974 as amended), глави III,

пункту 4.4.8 глави IV, пункту 7.1 глави VII Міжнародного

кодексу по рятувальним засобам 1996 р. (International

Life-saving Appliance Code 1996) та частини D Міжнародної

Конвенції про Міжнародні правила запобігання зіткнення суден

на морі 1972 року із змінами і доповненнями (Convention on

the International Regulations for Preventing Collisions at

Sea, 1972 (COLREGs) as amended);

b) піротехнічні вироби побутового призначення,

загальнодоступні для громадкості шляхом продажу без обмежень

у пунктах роздрібної торгівлі (включаючи хлопавки,

бенгальскі вогні, феєрверки).

1.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І

ВИРОБНИЦТВА

1.B.1. Обладнання для виробництва волокон,

[1B001] препрегів, преформ чи "композиційних"

матеріалів або виробів, що підлягають

контролю згідно з позиціями 1.A.2 або

1.C.10, наведене нижче, і спеціально

призначені "компоненти" до нього та

допоміжні пристрої:

1.B.1.a. Машини для намотування волокон, у яких 8446 30 00 00

переміщення, пов'язані з позиціюванням, з 8448

обволіканням і намотуванням волокон,

координуються та програмуються за трьома

або більше осями, спеціально призначені для

виробництва "композиційних матеріалів" або

ламінатів з "волокнистих або ниткоподібних

матеріалів"

1.B.1.b. Машини для укладання стрічки або троса, в 8446 30 00 00

яких переміщення, пов'язані з позиціюванням з 8448

і укладанням стрічки, тросів або листів,

координуються та програмуються за двома або

більше осями, спеціально призначені для

виробництва елементів корпусів бойових

ракет або каркаса літаків з "композиційних

матеріалів"

1.B.1.c. Ткацькі машини або машини для плетіння, що 8446 21 00 00

діють у різних вимірах і напрямках, з 8448

уключаючи адаптери та пристрої для зміни

функцій машин, призначених для ткацтва або

переплетення волокон з метою виготовлення

"композиційних матеріалів"

Технічна Зазначена в позиції 1.B.1.c техніка плетіння включає

примітка. в'язання.

Примітка. Згідно з позицією 1.B.1.c контролю не підлягають текстильні

машини, не модифіковані для зазначеного кінцевого

використання.

1.B.1.d. Обладнання, наведене нижче, спеціально

призначене або пристосоване для виробництва

зміцнених волокон:

1) обладнання для перетворення полімерних з 8456, 8466,

волокон (таких як поліакрилонітрил, 8515 80 91 00

віскоза, пек або полікарбоксилан) у 8515 80 99 00

вуглецеві або карбідокремнієві волокна, 8515 90 00 00

уключаючи спеціальне обладнання для розтягу

волокон у процесі нагрівання;

2) обладнання для осадження парів хімічних 8417 80 20 00

елементів або складних речовин на нагріту з 8417 90

ниткоподібну підкладку з метою виробництва 8417 80 80 00

карбідокремнієвих волокон;

3) обладнання для виробництва термостійкої 8445 90 00 00

кераміки методом вологого намотування

(такої, як оксид алюмінію);

4) обладнання для перетворення шляхом з 8451 80,

термооброблення волокон алюмініємістких 8451 90 00 00

прекурсорів у волокна, які містять глинозем

(оксид алюмінію)

1.B.1.e. Обладнання для виробництва препрегів з 8451,

методом гарячого плавлення, які підлягають з 8477 59

контролю згідно з позицією 1.C.10.e

1.B.1.f. Обладнання для неруйнівного контролю, 9022 12 00 00

здатне виявляти дефекти в трьох вимірах із 9022 13 00 00

застосуванням методів ультразвукової або 9022 14 00 00

рентгенівської томографії, спеціально 9022 19 00 00

створене для "композиційних матеріалів" 9022 29 00 00

9022 90 90 00

9031 80 39 10

9031 80 99 00

9031 90 90 00

1.B.2. Обладнання для виробництва металевих

[1B002] сплавів, порошкоподібних металевих сплавів

або матеріалів на основі сплавів,

спеціально призначене для уникнення

забруднення та для використання в одному з

процесів, уключених до позиції 1.C.2.c.2

1.B.3. Робочі інструменти, прес-форми, форми або 8207 30 10 10

[1B003] пристрої для "надпластичного формування" чи 8207 30 10 90

"дифузійного зварювання" титану або

алюмінію чи їх сплавів, спеціально

призначені для виробництва:

a) каркасів літаків або аерокосмічних

конструкцій;

b) двигунів "літальних апаратів" чи

аерокосмічних апаратів; або

c) компонентів, спеціально призначених

для таких конструкцій або двигунів

1.B.4.*** Обладнання, спеціально призначене для з 7309, 7310,

виробництва товарів, що підлягають контролю 8419, 8462,

за позицією 1.A.6, а також промислових 8464, 8465,

вибухових речовин та їх компонентів, 8474, 8477

зазначених у позиції 1.C.13.a

Примітка. Компоненти промислової вибухової речовини - хімічні сполуки,

їх суміші, які входять до складу рецептури промислової

вибухової речовини, а також хімічні сполуки, їх суміші, з

яких утворюється промислова вибухова речовина на останньому

етапі виготовлення (синтезу), в тому числі безпосередньо

перед її використанням.

1.C. МАТЕРІАЛИ

Технічна Метали і сплави.

примітка.

Метали і сплави включають наведені нижче необроблені та

напівфабрикатні форми:

Необроблені форми:

Аноди, кулі, стрічки (уключаючи рублені та дротяні стрічки),

металеві заготовки, блоки, сталеві болванки, брикети,

бруски, катоди, кристали, куби, стакани, зерна, гранули,

зливки, брили, котуни, чушки, порошок, кільця, дріб, сляби,

шматки металу неправильної форми, губка, прутки.

Напівфабрикатні форми (незалежно від того, облицьовані,

анодовані, просвердлені або перфоровані вони чи ні):

a) ковані форми або оброблені матеріали, виготовлені шляхом

прокату, волочіння, гарячої штамповки, кування, імпульсної

штамповки, пресування, дроблення, розпилення та

розмелювання, а саме: кутики, швелери, кільця, диски, пил,

пластівці, фольга та лист, поковки, плити, порошок, вироби,

оброблені пресуванням або штампуванням, стрічки, фланці,

прути (уключаючи зварні брускові прутки, дротяні прути та

прокатаний дріт), профілі, форми, листи, смужки, труби і

трубки (уключаючи трубні кільця, трубні прямокутники та

пустотілі трубки), витягнений або екструдований дріт;

b) ливарний матеріал, виготовлений шляхом лиття в

пісковоглинисті форми, кокіль, металеві, пластикові або інші

види прес-форм, уключаючи лиття під високим тиском,

оболонкові форми та форми, виготовлені методом порошкової

металургії.

Примітка. Мета контролю не повинна порушуватися під час експорту

форм як закінчених виробів, не зазначених у цьому Списку,

але які фактично є необробленими або напівфабрикатними

формами, що підлягають контролю.

1.C.1. Матеріали, наведені нижче, спеціально

[1C001] призначені для поглинання електромагнітних

хвиль, або полімери з власною

електропровідністю:

1.C.1.a. Матеріали для поглинання хвиль на частотах 3815 19 10 00

понад 2 х 10(в ступ.8) Гц, але менше ніж з 3910 00 00

3 х 10(в ступ.12) Гц

Приміт- Згідно з позицією 1.C.1.a контролю не підлягають:

ка 1.

a) абсорбери волосяного типу, виготовлені з натуральних або

синтетичних волокон, з немагнітним наповненням для

абсорбції;

b) абсорбери, що не мають магнітних втрат, робоча поверхня

яких не є плоскою, уключаючи піраміди, конуси, клини та

спіралеподібні поверхні;

c) плоскі абсорбери, які мають усі наведені нижче

характеристики:

1) виготовлені з будь-якого наведеного нижче матеріалу:

a) пінопластичних матеріалів (гнучких або негнучких) з

вуглецевим наповненням або органічних матеріалів,

уключаючи в'язкі домішки, які забезпечують понад

5 відсотків відбиття, порівняно з металом уздовж ширини

смуги, що перевищує +(-)15 відсотків середньої частоти

падаючої енергії, та не здатні протистояти температурам

понад 450 K (177 град. C);

b) керамічних матеріалів, які забезпечують понад

20 відсотків відбиття, порівняно з металом уздовж

ширини смуги, що перевищує +(-)15 відсотків середньої

частоти падаючої енергії, та не здатних протистояти

температурам понад 800 K (527 град. C).

Технічна Зразки для проведення випробувань на поглинання згідно

примітка. з приміткою 1.c.1 до позиції 1.C.1.a повинні мати

форму квадрата із стороною не менше ніж п'ять довжин хвиль

середньої частоти і розміщуватися в дальній зоні

випромінювального елемента.

2) з міцністю при розтягові менше ніж

7 х 10(в ступ.6) Н/кв. м; та

3) з міцністю на стиснення менше ніж

14 х 10(в ступ.6) Н/кв. м

d) плоскі абсорбери, вироблені із спеченого фериту, що

мають:

1) питому вагу понад 4,4; та

2) максимальну робочу температуру 548 K (275 град. C).

Приміт- Примітка 1 не звільняє з-під контролю магнітні

ка 2. матеріали, що забезпечують поглинання хвиль, коли вони

містяться у фарбах.

1.C.1.b. Матеріали для поглинання хвиль на частотах 3815 19 10 00

понад 1,5 х 10(в ступ.14) Гц, але менше ніж 3910 00 00 10

3,7 х 10(в ступ.14) Гц і непрозорі для 3910 00 00 30

видимого світла 3910 00 00 50

1.C.1.c. Електропровідні полімерні матеріали з

об'ємною електропровідністю понад

10 000 сіменс/м або поверхневим питомим

опором менше ніж 100 Ом/кв. м, вироблені на

основі одного з наведених нижче полімерів:

1) поліанілін; 3909 30 00 00

2) поліпірол; 3911 90 91 00

3) політіофен; 3911 90 93 00

4) поліфенілен-вінілен; або 3911 90 99 00

5) політіенілен-вінілен 3919 90 90 00

Технічна Об'ємна електропровідність та поверхневий питомий опір

примітка. визначаються відповідно до стандартної методики ASTM D-257

або її національного еквівалента.

1.C.2. Металеві сплави, порошки металевих сплавів

[1C002] та сплавлені матеріали, наведені нижче:

Примітка. Згідно з позицією 1.C.2 контролю не підлягають

металеві сплави, порошки металевих сплавів або сплавлені

матеріали, призначені для ґрунтувальних покриттів.

Технічна 1. Металеві сплави, зазначені у позиції 1.C.2, мають

примітка. назву тих металів, ваговий відсоток яких більший, ніж

інших елементів, що входять до складу сплаву.

2. Строк експлуатації до руйнування (межу тривалої міцності)

потрібно визначати відповідно до стандартної методики

ASTM E-139 або її національного еквівалента.

3. Показник циклової втоми необхідно визначати відповідно до

стандартної методики ASTM E-606 "Рекомендація з

тестування на циклову втому при постійній

амплітуді" або її національного еквівалента.

Тестування потрібно проводити за напрямком осі при

середньому значенні показника напруги, що дорівнює

одиниці, та коефіцієнті концентрації напруги (Kt), що

дорівнює одиниці. Середня напруга дорівнює різниці

максимальної та мінімальної напруги, поділеній на

максимальну напругу.

1.C.2.a. Алюмініди, наведені нижче: 7502 20 00 00

1) нікелеві алюмініди, що містять

мінімально 15 вагових відсотків,

максимально 38 вагових відсотків алюмінію

та принаймні один додатковий легуючий

елемент;

2) титанові алюмініди, що містять 10 або 8108 10 10 00

більше вагових відсотків алюмінію та

принаймні один додатковий легуючий елемент

1.C.2.b. Металеві сплави, наведені нижче, вироблені

з матеріалів, які підлягають контролю

згідно з позицією 1.C.2.c:

1) нікелеві сплави із: 7502 20 00 00

a) строком експлуатації до руйнування

10 000 годин або більше з навантаженням

676 МПа при температурі 923 K

(650 град. C); або

b) низьким показником циклової втоми

10 000 циклів випробувань або більше з

навантаженням 1095 МПа при температурі

823 K (550 град. C);

2) ніобієві сплави із: 8112 91 31 00

8112 99 30 00

а) строком експлуатації до руйнування

10 000 годин або більше з навантаженням

400 МПа при температурі 1073 K

(800 град. C); або

b) низьким показником циклової втоми

10 000 циклів випробувань або більше з

навантаженням 700 МПа при температурі

973 K (700 град. C);

3) титанові сплави із: 8108 10 10 00

а) строком експлуатації до руйнування

10 000 годин або більше з навантаженням

200 МПа при температурі 723 K

(450 град. C); або

b) низьким показником циклової втоми

10 000 циклів випробувань або більше з

навантаженням 400 МПа при температурі

723 K (450 град. C);

4) алюмінієві сплави з межею міцності при з 7601 20

розтягові: 7604 29 10 00

7608 20 91 00

a) 240 МПа або більше при температурі 7608 20 99 00

473 K (200 град. C); чи

b) 415 МПа або більше при температурі

298 K (25 град. C);

5) магнієві сплави з: з 8104

a) межею міцності при розтягові 345 МПа

або більше; та

b) швидкістю корозії менше ніж 1 мм на

рік у 3-відсотковому водному розчині

хлориду натрію, виміряної відповідно до

стандартної методики ASTM G-31 або її

національного еквівалента

1.C.2.c. Порошки металевих сплавів або частинки

матеріалів, які мають усі наведені нижче

характеристики:

1) виготовлені з будь-якої наведеної нижче

композиції:

Технічна X відповідає одному або більше легуючим елементам, що

примітка. входять до складу сплаву.

а) нікелеві сплави (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 7504 00 00 00

призначені для використання у складі

частин чи "компонентів" газотурбінних

двигунів, тобто менше ніж з трьома

неметалевими частками (введеними у

процесі виготовлення), більшими ніж

100 мкм в 10(в ступ.9) частках сплаву;

b) ніобієві сплави (Nb-Al-X або Nb-X-Al, 8112 91 31 00

Nb-Si-X або Nb-X-Si, Nb-Ti-X або 8112 99 30 00

Nb-X-Ti);

c) титанові сплави (Ti-Al-X або Ti-X-Al); 8108 10 10 00

d) алюмінієві сплави (Al-Mg-X або з 7603

Al-X-Mg, Al-Zn-X або Al-X-Zn, Al-Fe-X або

Al-X-Fe); або

e) магнієві сплави (Mg-Al-X або Mg-X-Al); 8104 30 00 00

та

2) виготовлені у контрольованому середовищі

за допомогою будь-якого з наведених нижче

процесів:

a) "вакуумне розпилення";

b) "газове розпилення";

c) "відцентрове розпилення";

d) "охолодження розбризкуванням";

e) "прядіння з розплаву" та

"здрібнювання";

f) "витягнення з розплаву" та

"подрібнення";

g) "механічне легування";

3) придатні до формування матеріалів, що

підлягають контролю згідно з позиціями

1.C.2.a або 1.C.2.b

1.C.2.d. Сплавлені матеріали, які мають усі наведені 7504 00 00 00

нижче характеристики: 7505 12 00 00

7603 20 00 00

1) виготовлені з будь-яких композиційних 7604 29 10 00

систем, зазначених у позиції 1.C.2.c.1; з 8104,

8108, 8112

2) у вигляді не подрібнених гранул, стружки

або тонких стрижнів; та

3) виготовлені у контрольованому середовищі

одним з наведених нижче методів:

a) "охолодження розбризкуванням";

b) "прядіння з розплаву";

c) "витягання з розплаву"

1.C.3. Магнітні метали всіх типів та будь-якої

[1C003] форми, що мають будь-яку з наведених нижче

характеристик:

1.C.3.a. Початкова відносна магнітна проникність 8505 11 00 00

120 000 або більше і завтовшки 0,05 мм або 8505 19

менше 8505 19 10 00

8505 19 90 00

Технічна Вимірювання початкової відносної магнітної проникності

примітка. повинне здійснюватися на повністю відпалених матеріалах.

1.C.3.b. Магнітострикційні сплави, які мають 7206 90 00 00

будь-яку з наведених нижче характеристик:

1) магнітострикційне насичення більше ніж

5 х 10(в ступ.(-4);

2) коефіцієнт магнітомеханічного зчеплення

більше ніж 0,8

1.C.3.c. Аморфна або нанокристалічна стружка сплаву, з 7206

яка має усі наведені нижче характеристики: 7504 00 00 00

з 8105

1) склад мінімум 75 вагових відсотків

заліза, кобальту або нікелю;

2) магнітну індукцію насичення (Bs) - 1,6 Т

або більше; та

3) одну з наведених нижче характеристик:

a) товщину стружки 0,02 мм або менше;

або

b) питомий електричний опір

2 х 10(в ступ.(-4) Ом/см або більше

Технічна Нанокристалічні матеріали, зазначені у позиції

примітка. 1.C.3.c, - це матеріали, що мають кристалічні зерна розміром

50 нм або менше і визначаються дифракцією X-променів.

1.C.4. Ураново-титанові сплави або вольфрамові 2844 10 10 00

[1C004] сплави з "матрицею" на основі заліза, 8108 10 10 00

нікелю або міді, які мають усі наведені 8101 99 00 00

нижче характеристики:

a) густину більше ніж 17,5 г/куб. см;

b) межу пружності більше ніж 880 МПа;

c) межу міцності на розрив більше ніж

1270 МПа;

d) відносне подовження понад 8 відсотків

1.C.5. Провідники з "надпровідних" "композиційних

[1C005] матеріалів" завдовжки понад 100 м або масою

більше ніж 100 г, наведені нижче:

1.C.5.a. Багатожильні провідники "надпровідних" 8112 99 30 00

"композиційних матеріалів", що містять одну 8544 19 90 00

або більше ніобієво-титанових ниток:

1) укладені у "матрицю", іншу, ніж мідні

матриці або комбіновані "матриці" з мідною

основою; або

2) мають площу поперечного перерізу меншу

ніж 0,28 х 10(в ступ.(-4)) кв. мм (6 мкм у

діаметрі з круглим перерізом нитки)

1.C.5.b. Провідники з "надпровідних" "композиційних 8544 19 90 00

матеріалів", які містять одну або більше

"надпровідних" ниток не з ніобій-титану і

мають усі наведені нижче характеристики:

1) "критична температура" при нульовій

магнітній індукції понад 9,85 K

(-263,31 град. C), але менше ніж 24 K

(249,16 град. C);

2) площа поперечного перерізу менше ніж

0,28 х 10(в ступ.(-4) кв. мм;

3) залишаються у "надпровідному" стані при

температурі 4,2 K (-268,96 град. C) у разі

перебування в магнітному полі з магнітною

індукцією 12 Т

1.C.6. Рідини та мастильні матеріали, наведені

[1C006] нижче:

1.C.6.a. Гідравлічні рідини, що містять як основні

складові компоненти будь-які з наведених

нижче речовин або матеріалів:

1) синтетичні кремнієво-вуглеводні мастила, 3819 00 00 00

що мають усі наведені нижче характеристики: 2909 19 00 10

з 3910 00 00

Технічна Для матеріалів, зазначених у позиції 1.C.6.a.1,

примітка. кремнієво-вуглеводні мастила містять виключно кремній,

водень та вуглець.

a) температура займання понад 477 K

(204 град. C);

b) температура застигання 239 K

(-34 град. C) або менше;

c) коефіцієнт в'язкості 75 або більше; та

d) термостабільність при 616 K

(343 град. C); або

2) хлорфторвуглецеві матеріали, які мають 3824 71 00 00

усі наведені нижче характеристики: 3819 00 00 00

з 2812, 2826

Технічна Для матеріалів, зазначених у позиції 1.C.6.a.2,

примітка. хлорфторвуглеці містять виключно хлор, фтор і вуглець.

a) без температури займання;

b) температура самозаймання понад 977 K

(704 град. C);

c) температура застигання 219 K

(-54 град. C) або менше;

d) коефіцієнт в'язкості 80 або більше;

e) температура кипіння 473 K

(200 град. C) або вище

1.C.6.b. Мастильні матеріали, що містять як свої

основні складові будь-яку з наведених нижче

речовин або матеріалів:

1) феніленові або алкілфеніленові ефіри, 2909 30 90 00

тіоефіри або їх суміші, які містять більше 2930 90 30 00

ніж дві ефірні або тіоефірні функції або їх

суміші;

2) фторовані рідини, що містять кремній і з 3910 00 00

мають кінематичну в'язкість меншу ніж

5000 кв. мм/с (5000 сантистоксів) при

температурі 298 K (25 град. C)

1.C.6.c. Зволожувальні або флотувальні рідини з

показником чистоти понад 99,8 відсотка, які

містять менше ніж 25 частинок розміром

200 мкм і більше на 100 мл об'єму і

виготовлені принаймні на 85 відсотків з

будь-яких наведених нижче речовин або

матеріалів:

1) дібромтетрафторетан; 2903 46 90 00

2) поліхлортрифторетилен (лише маслянисті 3904 69 10 00

та воскоподібні модифікації); або 3904 69 90 00

3) полібромтрифторетилен 3904 69 10 00

3904 69 90 00

1.C.6.d. Фторвуглецеві охолодні рідини для 3824 90 75 00

електроніки, що мають усі наведені нижче

характеристики:

1) містять 85 вагових відсотків або більше

однієї з наведених нижче речовин чи суміші

з них:

a) мономерні форми

перфторполіалкілефіртриазинів або

перфтораліфатичних ефірів;

b) перфторалкіламіни;

c) перфторциклоалкани;

d) перфторалкани;

2) густина 1,5 г/мл або більше при 298 K

(25 град. C);

3) рідкий стан при 273 K (0 град. C);

4) мають 60 вагових відсотків або більше

фтору

Технічна Для матеріалів, наведених у позиції 1.C.6:

примітка.

a) температура займання визначається з використанням методу

Клівлендської відкритої чаші, описаного у стандартній

методиці ASTM D-92 або в її національному еквіваленті;

b) температура застигання визначається з використанням

методу, описаного у стандартній методиці ASTM D-97, або в її

національному еквіваленті;

c) коефіцієнт в'язкості визначається з використанням методу,

описаного у стандартній методиці ASTM D-2270, або в її

національному еквіваленті;

d) термостабільність визначається за наведеною нижче

методикою випробувань або в її національному еквіваленті:

20 мл випробуваної рідини заливають у камеру об'ємом 46 мл

з нержавіючої сталі марки 317, що містить шари

номінального діаметра 12,5 мм з інструментальної сталі

марки M-10, сталі марки 52100 та корабельної бронзи

(60 відсотків Cu, 39 відсотків Zn, 0,75 відсотків Sn);

камера, продута азотом, загерметизована під тиском, що

дорівнює атмосферному, при температурі, підвищеній

до 644 +(-)6 K (371 +(-)6 град. C) і витриманій на цьому

рівні 6 годин;

зразок вважається термостабільним, якщо після закінчення

зазначеної процедури виконуються усі наведені нижче умови:

1) втрата ваги кожного шару менше ніж 10 мг/кв. мм його

поверхні;

2) зміна початкової в'язкості, визначеної при 311 K

(38 град. C), менше ніж 25 відсотків;

3) загальне число кислотності або основності менше ніж

0,40;

e) температура самозаймання визначається методом, описаним у

стандартній методиці ASTM E-659 або в її національному

еквіваленті.

1.C.7. Матеріали на керамічній основі,

[1C007] керамічні не-"композиційні матеріали",

матеріали типу "композит" з керамічною

"матрицею", а також прекурсори, наведені

нижче:

1.C.7.a. Основні матеріали з простих або складних 2850 00 90 00

боридів титану, які містять металеві

домішки, крім навмисних домішок, на рівні

менше ніж 5000 частинок на мільйон при

середньому розмірі частинки, що дорівнює

або менше ніж 5 мкм, при цьому не більше

ніж 10 відсотків частинок розміром понад

10 мкм

1.C.7.b. Керамічні не-"композиційні матеріали" у 2850 00 90 00

необробленій формі або у формі

напівфабрикатів на основі боридів титану з

густиною 98 відсотків або більше

теоретичної густини

Примітка. Згідно з позицією 1.C.7.b контролю не підлягають абразиви.

1.C.7.c. "Композиційні матеріали" типу кераміка- з 2849,

кераміка із скляною або оксидною "матрицею" з 2850 00,

та армовані волокнами, які мають усі 8803 90 10 00

наведені нижче характеристики:

1) виготовлені з будь-якого наведеного з 9306 90

нижче матеріалу:

a) Si-N;

b) Si-C;

c) Si-Al-O-N; або

d) Si-O-N; та

2) мають питому межу міцності при розтягові

понад 12,7 х 10(в ступ.3) м

1.C.7.d. "Композиційні матеріали" типу кераміка- 8803 90 10 00

кераміка з однорідної металевої фази або з 9306 90

без неї, що включає частинки, вуса

(ниткоподібні монокристали) або волокна, в

яких "матриця" сформована з карбідів або

нітридів кремнію, цирконію або бору

1.C.7.e. Прекурсори (тобто полімерні або з 3910 00 00

металоорганічні спеціального призначення)

для виробництва будь-якої фази або фаз

матеріалів, що підлягають контролю за

позицією 1.C.7.c, наведені нижче:

1) полідіорганосилани (для виробництва

карбіду кремнію);

2) полісилазани (для виробництва нітриду

кремнію);

3) полікарбосилазани (для виробництва

кераміки з кремнієвими, вуглецевими та

азотними компонентами)

1.C.7.f. "Композиційні матеріали" кераміка- з 6903,

кераміка з оксидною або скляною "матрицею", 6914 90 90 00

армованою однорідними волокнами будь-якої з

наведених нижче систем:

1) Al(2)O(3); або

2) Si-C-N

Примітка. Згідно з позицією 1.C.7.f контролю не підлягають

"композиційні матеріали", що мають волокна з цих систем з

межею міцності при розтягові менше ніж 700 МПа при 1273 K

(1000 град. C) або опору повзучості розриву волокон понад

1 відсоток напруги повзучості при навантаженні 100 МПа та

1273 K (1000 град. C) протягом 100 годин.

1.C.8. Нефторовані полімерні речовини,

[1C008] наведені нижче:

1.C.8.a. 1) бісмалеіміди; 2925 19 30 00

2) ароматичні поліамідіміди; 2925 19 80 00

3) ароматичні полііміди; 3908 90 00 00

4) ароматичні поліефіріміди, які мають 3909 30 00 00

температуру переходу в склоподібний стан 3907 20 91 00

(Tg) понад 513 K (240 град. C) 3907 91 90 00

Примітка. Згідно з позицією 1.C.8.a контролю не підлягають неплавкі

порошки для формоутворення під тиском або фасонних форм.

1.C.8.b. Термопластичні рідкокристалічні сополімери, 3907 91 90 00

які мають температуру теплової деформації

понад 523 K (250 град. C), виміряну

відповідно до стандартної методики

ISO 75-3 (2004) або її національного

еквівалента під час навантаження

1,82 Н/кв. мм, і утворені сполученням:

1) будь-яким з наведених нижче:

a) фенілену, біфенілену або нафталену;

або

b) метилу, третинного бутилу або феніл-

заміщеного фенілену, біфенілену або

нафталену; та

2) будь-якою з наведених нижче кислот:

a) терефтальовою;

b) 6-гідрокси-2 нафтіоновою; або

c) 4-гідроксибензойною

1.C.8.с. Поліариленові ефірні кетони, наведені

нижче:

1) поліефіроефірокетон (PEEK); 3907 91 90 00

2) поліефірокетон-кетон (PEEK); 3907 91 90 00

3) поліефірокетон (PEK); 3907 91 90 00

4) поліефірокетон ефірокетон-кетон 3907 91 90 00

(PEKEKK)

1.C.8.d. Поліариленові кетони з 3907 99

1.C.8.e. Поліариленові сульфіди, де ариленова група з 3911 90

є біфеніленом, трифеніленом, або їх

комбінації

1.C.8.f. Полібіфеніленефірсульфон, який має з 3911 90

температуру переходу до склоподібного стану

(Tg) понад 513 К (240 град. C)

Технічна Температура переходу до склоподібного стану (Tg) для

примітка. матеріалів, зазначених у позиції 1.C.8, визначається з

використанням методу, описаного в стандарті ISO 11357-2

(1999) або його національному еквіваленті.

1.C.9. Необроблені сполуки, що містять фтор,

[1C009] наведені нижче:

1.C.9.a. Сополімери вініліденфториду, які 3904 69 10 00

містять 75 відсотків або більше 3904 60 90 00

бета-кристалічної структури, одержаної без

витягування

1.C.9.b. Фтористі поліаміди, які містять 10 вагових 3904 69 10 00

відсотків або більше "зв'язаного" фтору 3904 60 90 00

1.C.9.c. Фтористі фосфазинові еластомери, які 3904 69 10 00

містять 30 вагових відсотків або більше 3904 60 90 00

"зв'язаного" фтору

1.C.10 "Волокнисті або ниткоподібні матеріали", що

[1C010] можуть бути використані в органічних

"матрицях", металевих "матрицях" або

вуглецевих "матрицях", "композиційних" або

багатошарових структурах:

1.C.10.a. Органічні "волокнисті або ниткоподібні 3926 90 10 00

матеріали", що мають усі наведені нижче

властивості:

1) питомий модуль пружності понад

12,7 х 10(в ступ.6) м;

2) питома межа міцності при розтягові

понад 23,5 х 10(в ступ.4) м

Примітка. Згідно з позицією 1.C.10.a контролю не підлягає поліетилен.

1.C.10.b. Вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні з 3801,

матеріали", які мають усі наведені нижче 3926 90 10 00

характеристики:

1) питомий модуль пружності понад 5402 10 10 00

12,7 х 10(в ступ.6) м; 5404 90 90 00

2) питома межа міцності при розтягові 6815 10 10 00

понад 23,5 х 10(в ступ.4) м 6903 10 00 00

Технічна Властивості матеріалів, описаних у позиції 1.C.10.b,

примітка. повинні визначатися за методами SRM 12-17, рекомендованими

Асоціацією постачальників перспективних "композиційних

матеріалів" (SACMA) або їх національними еквівалентами

випробувань на розтяг, наприклад японський промисловий

стандарт JIS-R-7601, параграф 6.6.2, які ґрунтуються на

середній якості партії.

Примітка. Згідно з позицією 1.C.10.b контролю не підлягають тканини,

виготовлені з "волокнистих або ниткоподібних матеріалів" для

відновлення авіаційних або багатошарових матеріалів, розмір

окремих листів яких не перевищує 50 х 90 см.

1.C.10.c. Неорганічні "волокнисті або ниткоподібні 3926 90 10 00

матеріали", які мають усі наведені нижче 8101 92 00 00

характеристики: 8108 90 30 00

8108 90 70 00

1) питомий модуль пружності понад

2,54 х 10(в ступ.6) м;

2) температура плавлення, розм'якшування,

розкладу або сублімації понад 1922 K

(1649 град. C) в інертному середовищі

Примітка. Згідно з позицією 1.C.10.c контролю не підлягають:

1) неоднорідні, багатофазні, полікристалічні волокна оксиду

алюмінію у вигляді переривного волокна або в довільній

сплутаній формі, що мають 3 або більше вагові відсотки

діоксиду кремнію з питомим модулем пружності менше ніж

10 х 10(в ступ.6) м;

2) волокна молібденові або з молібденових сплавів;

3) волокна на основі бору;

4) неоднорідні керамічні волокна з температурами плавлення,

розм'якшення, розкладу та сублімації нижче 2043 K

(1770 град. C) в інертному середовищі.

1.C.10.d. "Волокнисті або ниткоподібні 5402 49 99 00

матеріали": 5501 90 10 00

5501 90 90 00

1) які мають будь-яку з наведених нижче 5503 90 90 00

складових:

a) поліефіріміди, що підлягають контролю

згідно з позицією 1.C.8.a;

b) матеріали, що підлягають контролю

згідно з позиціями 1.C.8.b - 1.C.8.f; або

2) які виготовляються з матеріалів, що

підлягають контролю згідно з позиціями

1.C.10.d.1.a або 1.C.10.d.1.b та "сплутані"

з іншими волокнами, що підлягають контролю

згідно з позиціями 1.C.10.a, 1.C.10.b або

1.C.10.c

1.C.10.e. Волокна, насичені смолою або пеком 6815 10 10 00

(препреги), металеві або покриті вуглецем 6815 99 90 00

волокна ("преформи") або "преформи 6903 10 00 00

вуглецевого волокна", наведені нижче: з 7019 11 00

з 7019 10

1) виготовлені з "волокнистих або з 7019 20

ниткоподібних матеріалів", що підлягають

контролю згідно з позиціями 1.C.10.a,

1.C.10.b або 1.C.10.c;

2) виготовлені з органічних або вуглецевих

"волокнистих або ниткоподібних матеріалів":

a) з питомою межею міцності при розтягові

понад 17,7 х 10(в ступ.4) м;

b) з питомим модулем пружності понад

10,15 х 10(в ступ.6) м;

c) які не підлягають контролю згідно з

позиціями 1.C.10.a або 1.C.10.b;

d) які насичені матеріалами, що

підлягають контролю згідно з позиціями

1.C.8 або 1.C.9.b, і мають температуру

переходу до склоподібного стану (Tg)

понад 383 K (110 град. C), або з

фенольною чи епоксидною смолами, які

мають Tg, що дорівнює або перевищує 418 K

(145 град. C)

Примітки. Згідно з позицією 1.C.10.e контролю не підлягають:

1) вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні матеріали",

імпрегновані у "матрицю" з епоксидної смоли (препреги) для

відновлення авіаційних або багатошарових матеріалів, у яких

розмір окремих листів препрега не перевищує 50 х 90 см;

2) препреги, насичені фенольною або епоксидною смолами, які

мають Tg нижче 433 K (160 град. C) та температуру переходу

до склоподібного стану нижче Tg.

Технічна Температура переходу до склоподібного стану (Tg) для

примітка. матеріалів, що підлягають контролю згідно з позицією

1.C.10.e, визначається методом, описаним в ASTM D 3418, із

застосуванням сухого методу. Tg для фенольних та епоксидних

смол визначається за допомогою методу, описаного

в ASTM D 4065, при частоті 1 Гц та швидкості нагрівання 2 K

(град. C) за хвилину із застосуванням сухого методу.

Технічні 1. Питомий модуль пружності: модуль Юнга в Па або в

примітки. Н/кв. м, поділений на питому вагу в Н/куб. м, виміряний

при температурі (296 +(-)2) K [(+23 +(-)2) град. C] та

відносній вологості (50 +(-)5) відсотків.

2. Питома межа міцності при розтягові: найбільша межа

міцності до розриву, виражена в Па або в Н/кв. м,

поділена на питому вагу в Н/куб. м, виміряна при

температурі (296 +(-)2) K [(+23 +(-)2) град. C] та

відносній вологості (50 +(-)5) відсотків.

1.C.11. Метали та сполуки, наведені нижче:

[1C011]

1.C.11.a. Метали з розміром частинок менше ніж 8104 30 00 00

60 мкм, які мають сферичну, розпилену, 8109 10 10 00

сфероїдальну, розшаровану або молоту форму,

виготовлені з матеріалу, що на 99 відсотків

або більше складається з цирконію, магнію

або сплавів з них

Технічна Природний вміст гафнію в цирконії (типово від 2 до 7

примітка. відсотків) підраховується з цирконієм.

Примітка. Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.a, підлягають

контролю згідно з цією позицією незалежно від того, вміщені

ці метали або сплави в капсули алюмінію, магнію, цирконію

або берилію чи ні.

1.C.11.b. Бор або карбід бору чистотою 85 відсотків 2804 50 10 00

або вище та розміром частинок 60 мкм або 2849 90 10 00

менше

Примітка. Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.b, підлягають

контролю згідно з цією позицією незалежно від того, чи ці

метали або сплави інкапсульовані в алюміній, магній,

цирконій або берилій чи ні.

1.C.11.c. Нітрат гуанідину 2904 20 90 00

1.C.11.d. Нітрогуанідин (NQ) (CAS 556-88-7)

1.C.12. * Матеріали, наведені нижче:

[1C012]

Технічна Ці матеріали типово використовуються для ядерних джерел

примітка. теплоти.

1.C.12.a. Плутоній у будь-якому вигляді із вмістом 2844 20 51 00

ізотопу плутонію-238,більшим ніж 50 вагових 2844 20 59 00

відсотків 2844 20 81 00

2844 20 89 00

Примітка. Згідно з позицією 1.C.12.a контролю не підлягають:

1) передача одного грама або менше плутонію;

2) передача трьох або менше "ефективних грамів", що

використовуються як чутливі елементи в приладах.

1.C.12.b. "Попередньо розподілений" нептуній-237 з 2844 40

у будь-якому вигляді

Примітка. Згідно з позицією 1.C.12.b контролю не підлягає передача

одного грама або менше нептунію-237.

1.C.13.*, Матеріали, які за своїми властивостями

*** можуть бути використані у терористичних

цілях:

1.C.13.a. Промислові вибухові речовини та їх

** компоненти, у тому числі:

1) азиди металів, а також вибухові 2850 00 50 00

речовини або капсульні композиції, що

містять азиди або комплекси азидів;

2) азотна кислота з концентрацією вище 2808 00 00 00

ніж 95 відсотків;

3) гексанітродифеніламін; 2921 44 00 00

4) діетилдифенілсечовина, 2924 10 00 00

диметилдифенілсечовина,

метилетилдифенілсечовина (централіти);

5) діоктилмалеат; 2917 19 90 00

6) димний (чорний) порох; 3601 00 00 00

7) динітропропанол; 2905 50 10 90

8) дифторамін; 2826 19 00 00

9) етилендіаміндинітрат (EDDN); 2921 21 00 00

10) етил-N,N-дифенілсечовина 2924 10 00 00

(несиметрична етилдифенілсечовина);

11) емульсійні вибухові речовини, 3602 00 00 00

виготовлені з водних розчинів нітратів

лужних металів, емульсованих в

мінеральних оліях;

12) мисливські та інші порохи, що мають 3601 00 00 00

сталу швидкість горіння понад 38 мм/с за

нормальних умов (тиск 6,89 МПа,

температура 294 K), включаючи

нітроцелюлозні порохи, в тому числі

двоосновні;

13) метил-N,N-дифенілсечовина 2924 10 00 00

(несиметрична етилдифенілсечовина);

14) нітрат калію; 2834 21 00 00

15) нітрогліцерин (або гліцеринтринітрат, 2905 50 99 00

тринітрогліцерин);

16) нітрокрохмаль; 3505 10 90 00

17) нітроцелюлоза; 3912 20 19 00

18) пентаеритриттетранітрат (PETN); 2920 90 85 00

19) пероксид водню з концентрацією вище 2805 30 10 00

ніж 85 відсотків;

20) перхлорати та хлорати металів (без з 2829

амонію);

21) пікрат амонію; 2908 90 00 00

22) пікрат калію; 2908 90 00 00

23) N-піролідинон; 1-метил-2-піролідинон; 2933 90 95 00

24) N,N - дифенілсечовина (несиметрична 2924 10 00 00

метилдифенілсечовина);

25) стифнати металів; 2908 90 00 00

26) тетранітронафталін; 2904 20 90 00

27) триетилалюміній (TEA), 2931 00 95 30

триметилалюміній (TMA) та інші пірофорні 2931 00 95 30

алкілові та арилові похідні літію,

натрію, магнію, цинку і бору;

28) триетиленглікольдинітрат (TEGDN); 2909 19 00 90

29) тринітроанізол; 2904 20 90 00

30) тринітроксилол; 2904 20 90 00

31) тринітронафталін; 2904 20 90 00

32) тринітрофенол (пікринова кислота); 2908 90 00 00

33) 2,4,6-тринітрорезорцин (стифнінова 2908 90 00 00

кислота);

34) 2,4,6-тринітротолуол (TNT); 2904 20 10 00

35) 2-нітродифеніламін (2-NDPA); 2921 44 00 00

36) 4-нітродифеніламін (4-NDPA); 2921 44 00 00

37) хлортрифторид; 2812 90 00 00

1.C.13.b. Токсичні хімічні речовини та сполуки:

1) акролеїн (альдегід акрилової 2912 29 00 00

кислоти) (CAS 107-02-8);

2) арсин (миш'яковистий водень) 2850 00 10 00

(CAS 7784-42-1);

3) бромацетофенон (CAS 70-11-1); 2914 70 90 00

4) бромацетон (CAS 598-31-2); 2914 70 90 00

5) бромціан (CAS 506-68-3); 2851 00 80 00

6) бензилбромід (CAS 100-39-0); 2903 69 90 90

7) бензилйодид (CAS 620-05-3); 2903 69 90 90

8) брометилетилкетон (CAS 816-40-0); 2914 70 90 00

9) бутилтрифторсилан; 3910 00 00 50

10) дигідрофенарсазинхлорид (адамсит) 2931 00 95 90

(CAS 578-94-8);

11) дифенілхлорарсин (CAS 712-48-1); 2931 00 95 90

12) дифенілціанарсин; 2931 00 95 90

13) етилбромацетат (CAS 105-36-2); 2915 90 80 90

14) етилйодацетат (CAS 623-48-3); 2915 90 80 90

15) йодацетон (CAS 3019-04-3); 2914 70 90 00

16) Ксилілбромід (CAS 89-92-9; 2903 69 90 90

620-13-3; 104-81-4);

17) кротоновий альдегід (CAS 123-73-9); 2912 29 00 00

18) пропилтрифторсилан; 3910 00 00 50

19) трихлортриетиламін (CAS 817-09-4); 2921 19 80 00

20) трихлорметилхлорформіат (дифосген) 2915 90 20 00

(CAS 503-38-8);

21) хлор (CAS 7782-50-5); 2801 10 00 00

22) хлорангідрид метансульфокислоти 2904 90 20 00

(CAS 124-63-0);

23) хлорангідрид бензойної кислоти 2916 39 00 90

(CAS 98-88-4);

24) хлорангідрид 2-фуранової кислоти 2932 99 90 00

(CAS 527-69-5);

25) хлорацетон (CAS 78-95-5); 2914 70 90 00

26) хлорацетофенон (CAS 532-27-4); 2914 70 90 00

27) фосфін (фосфористий водень) 2850 00 10 00

(CAS 7803-51-2);

28) 2-бромбензилціанід (CAS 19472-74-3); 2929 90 00 00

29) 3-бромбензилціанід (CAS 31938-07-5); 2929 90 00 00

30) 4-бромбензилціанід (CAS 16532-79-9); 2929 90 00 00

31) 8-метил-N-ванілін-6-ноненамід 2913 00 00 00

(капсацин) (CAS 404-86-4);

1.C.13.c Будь-які окремі чи у складі інших з 2844, 2845

виробів джерела іонізуючого випромінювання

з періодом напіврозпаду більше ніж 5 років,

які мають активність більше ніж

3,7 х 10(в ступ.12) Бк

Примітка. Імпорт та тимчасове ввезення товарів, які визначені в

позиції 1.C.13.c, здійснюються за дозволами

Держекспортконтролю, які надаються за наявності позитивних

висновків Держатомрегулювання щодо дотримання імпортером

вимог, передбачених для ввезення заявлених товарів на

територію України. Вимоги визначаються Держатомрегулювання в

установленому порядку.

1.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

1.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально

[1D001] призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання, що підлягає

контролю за позицією 1.B

1.D.2. "Програмне забезпечення" для "розроблення"

[1D002] "композиційних" або багатошарових структур

з органічною "матрицею", металевою

"матрицею" або вуглецевою "матрицею"

1.D.3.*** "Програмне забезпечення", спеціально

призначене для "розроблення", "виробництва"

або "використання" промислових вибухових

речовин та їх компонентів, зазначених у

позиції 1.C.13.a

1.E. ТЕХНОЛОГІЯ

1.E.1. * "Технологія" відповідно до позиції 3 з 3705,

[1E001] загальних приміток для "розроблення" або з 3706, 8524,

"виробництва" обладнання або матеріалів, 4901 99 00 00

які підлягають контролю згідно з позиціями 4906 00 00 00

1.A.1.b, 1.A.1.c, 1.A.2-1.A.6, 1.B або

1.C

1.E.2. Інші "технології", наведені нижче:

[1E002]

1.E.2.a. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" полібензотіазолів або

полібензоксазолів

1.E.2.b. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" сполук фтореластомерів, що

містять принаймні один мономер вінілефіру

1.E.2.c. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" наведених нижче матеріалів

для основ або не-"композиційних

матеріалів":

1) матеріали основи, що мають усі наведені

нижче характеристики:

a) будь-яка з наведених нижче композицій:

1) простих або комплексних оксидів

цирконію і комплексних оксидів кремнію

або алюмінію;

2) простих нітридів бору (з кубічними

формами кристалів);

3) простих або комплексних карбідів

кремнію або бору;

4) простих або комплексних нітридів

кремнію;

b) сумарний вміст металевих домішок за

винятком тих, які вносяться навмисно:

1) менше ніж 1000 частинок на мільйон

для простих оксидів або карбідів; або

2) менше ніж 5000 частинок на мільйон

для комплексних сполук або простих

нітридів; та

c) будь-що з наведеного нижче:

1) цирконій із середнім розміром

часток, що дорівнює або менше ніж

1 мкм, при цьому не більше ніж

10 відсотків частинок розмірами понад

5 мкм;

2) інші матеріали основи із середнім

розміром частинок, що дорівнює або

менше ніж 5 мкм, при цьому не більше

ніж 10 відсотків частинок розміром

понад 10 мкм; або

3) які мають будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a) пластинки з відношенням довжини до

товщини, що перевищує 5;

b) ниткоподібні монокристали з

відношенням довжини до діаметра, що

для діаметрів менше ніж 2 мкм

перевищує 10; та

c) непереривчасті або дискретні

волокна з діаметром менше ніж 10 мкм;

2) керамічні не-"композиційні" матеріали",

що складаються з матеріалів, описаних у

позиції 1.E.2.c.1

Примітка. Згідно з позицією 1.E.2.c.2 контролю не підлягає технологія

розроблення або виробництва абразивів.

1.E.2.d. "Технологія" для "виробництва" ароматичних

поліамідних волокон

1.E.2.e. "Технологія" для складання, обслуговування

та відновлення матеріалів, що підлягають

контролю згідно з позицією 1.C.1

1.E.2.f. "Технологія" для відновлення

"композиційних", багатошарових структур або

матеріалів, які підлягають контролю згідно

з позиціями 1.A.2, 1.C.7.c або 1.C.7.d

Примітка. Згідно з позицією 1.E.2.f контролю не підлягає "технологія"

ремонту матеріалів для "цивільних літальних апаратів", під

час якого використовуються вуглецеві "волокнисті або

ниткоподібні матеріали" та епоксидні смоли, описані в

посібниках виробників авіатехніки.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371а-14 ),

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ

2.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

Особлива Підшипники плавного ходу визначені у позиції ML9

примітка. Списку товарів військового призначення, міжнародні передачі

яких підлягають державному контролю, затвердженого

постановою Кабінету Міністрів України від 20 листопада

2003 р. N 1807.

2.A.1. Антифрикційні підшипники, системи

[2A001] підшипників та їх "компоненти", наведені

нижче:

Примітка. Згідно з позицією 2.A.1 контролю не підлягають кулькові

підшипники з допусками на кульки, встановленими виробниками

відповідно до міжнародного стандарту ISO 3290, класу 5 або

нижче.

2.A.1.a. Кулькові та твердороликові підшипники, які 8482 10 90 00

мають допуски, що встановлюються виробником 8482 50 00 00

відповідно до міжнародного стандарту

ISO492 класу допуску 4

(або ANSI/ABMA Std 20 класу допуску

ABEC-7 чи RBEC-7, інших національних

еквівалентів) або вище, і мають кільця,

шарики або ролики, виготовлені з мідно-

нікелевого сплаву чи берилію

Примітка. Згідно з позицією 2.A.1.a контролю не підлягають конічні

роликові підшипники.

2.A.1.b. Інші кулькові та твердороликові підшипники, 8482 80 00 00

які мають допуски, установлені виробником

відповідно до міжнародного стандарту ISO492

класу допуску 2 (або ANSI/ABMA Std 20 класу

допуску ABEC-9 чи RBEC-9, інших

національних еквівалентів) або вище

Примітка. Згідно з позицією 2.A.1.b контролю не підлягають конічні

роликові підшипники.

2.A.1.c. Активні магнітні підшипникові системи, які 8483 30 10 00,

мають одну із зазначених нижче складових: 8483 30 90 00

1) матеріали з магнітною індукцією 2 Т або

більше і межею плинності понад 414 МПа;

2) електромагнітний пристрій для приводу з

тримірним уніполярним високочастотним

підмагнічуванням;

3) високотемпературні (450 K (177 град. C)

і більше) позиційні датчики

2.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І

ВИРОБНИЦТВА

Технічні 1. Вторинні паралельні контурні осі (осі оброблення)

примітки. (наприклад, W-осьова фреза горизонтальної розточки або

вторинна вісь обертання, центрова лінія якої паралельна

головній осі обертання) не включені у загальну кількість

контурних осей. Осі обертання не обов'язково передбачають

поворот на кут, більший ніж 360 град. Вісь обертання може

мати привід лінійного переміщення (наприклад, гвинтом або

зубчастою шестернею).

2. У позиції 2B кількість осей, які можуть бути одночасно

скоординовані для "контурного керування", означає

кількість осей, вздовж або навколо яких під час

оброблення заготовки здійснюється одночасний та

взаємопов'язний відносний рух заготовки та інструменту.

Ця кількість не включає будь-які додаткові осі, вздовж

або навкруг яких здійснюється інший відносний рух у

верстаті. Такі осі включають:

a) системи правки круга в шліфувальних верстатах;

b) паралельні осі обертання, призначені для кріплення

окремих заготовок;

c) колінеарні осі обертання, призначені для маніпулювання

тією ж заготовкою за рахунок утримання її в патроні з

різних кінців.

3. Номенклатура осі визначається відповідно до міжнародного

стандарту ISO 841: "Верстати з числовим керуванням -

номенклатура осей і різновидів рухів".

4. Для цього розділу "нахильні шпинделі" розглядаються як

осі обертання.

5. Замість індивідуальних протоколів випробувань для кожної

моделі верстата можуть бути застосовані гарантовані рівні

точності позиціювання, одержані шляхом вимірювання,

зроблених відповідно до міжнародного стандарту ISO230/2

(1997) або його національних еквівалентів. Гарантована

точність позиціювання означає величину точності, яку

представляють національним ліцензійним органам, як міру

точності для моделі верстата.

Визначення гарантованих величин:

a) виберіть 5 верстатів окремої моделі, що повинна бути

оцінена;

b) проведіть вимірювання величин точності для лінійних осей

відповідно до міжнародного стандарту ISO230/2 (1997);

c) визначте величину A для кожної осі окремого верстата.

Метод обчислення величини A описано у стандарті ISO;

d) визначте гарантовану величину для кожної осі для окремої

моделі (A(x), A(y...);

e) оскільки в розділі 2 Списку робиться посилання на кожну

лінійну вісь, у ньому повинно бути стільки гарантованих

величин точності, скільки є лінійних осей;

f) якщо будь-яка з осей моделі верстата, що не підлягає

контролю згідно з позиціями 2.B.1.a-2.B.1.c, має гарантовану

величину точності A, що дорівнює 5 мкм для шліфувальних

верстатів і 6,5 мкм для фрезерних та токарних верстатів або

менше, виробник повинен підтверджувати повторно рівень

точності кожні вісімнадцять місяців.

2.B.1. Верстати та будь-які їх комбінації

[2B001] для видалення (або різання) металів,

кераміки і "композиційних матеріалів", які

відповідно до технічних специфікацій

виробника можуть бути оснащені електронними

пристроями для "числового керування", та

"спеціально прізначені компоненти", як

наведено нижче:

Примітки. 1. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають верстати

спеціального призначення, застосування яких обмежено

виготовленням шестерень. Для таких верстатів

застосовується позиція 2.B.3.

2. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають верстати

спеціального призначення, застосування яких обмежено

виготовленням будь-яких з наведених нижче частин:

a) колінчасті вали або кулачкові вали;

b) інструменти або різці;

c) черв'яки екструдерів;

d) гравійовані або із скошеними поверхнями деталі

ювелірних виробів.

3) Верстати, що мають щонайменше дві з трьох функціональних

можливостей - токарна обробка, фрезерування або

шліфування (наприклад, токарний верстат, що має функцію

фрезерування), повинні оцінюватись згідно з кожною

відповідною позицією 2.B.1.a, 2.B.1.b або 2.B.1.c.

2.B.1.a. Токарні верстати, що мають усі наведені з 8458,

нижче характеристики: з 8464 90,

8465 99 10 00

1) точність позиціювання вздовж будь-якої

лінійної осі з "усіма доступними

компенсаціями" дорівнює або менше (краще)

ніж 4,5 мкм відповідно до ISO230/2 (1997)

або його національного еквівалента;

2) дві або більше осі, які можуть бути

одночасно скоординовані для "контурного

керування"

Примітка. Згідно з позицією 2.B.1.a контролю не підлягають токарні

верстати, спеціально прізначені для виробництва контактних

лінз.

2.B.1.b. Фрезерні верстати, що мають будь-яку із 8459 31 00 00,

зазначених нижче характеристик: 8459 39 00 00,

8459 51 00 00,

1) мають усі зазначені нижче 8459 61,

характеристики: 8459 69,

8464,

a) точність позиціювання вздовж будь-якої 8465 92 00 00

лінійної осі з "усіма доступними

компенсаціями" дорівнює або менше (краще)

ніж 4,5 мкм відповідно до ISO230/2 (1997)

або його національного еквівалента;

b) три лінійні осі плюс одна вісь

обертання, які можуть бути одночасно

скоординовані для "контурного керування";

або

2) п'ять або більше осей, які можуть бути

одночасно скоординовані для "контурного

керування"; або

3) точність позиціювання для

копіювально-розточувальних верстатів уздовж

будь-якої лінійної осі з "усіма доступними

компенсаціями" менше (краще) ніж 3 мкм

відповідно до ISO230/2 (1997) або його

національного еквівалента;

4) верстати для різання матеріалу, що

безперервно переміщується, які мають усі із

зазначених нижче характеристик:

a) "радіальне биття" і "кулачковий ефект"

шпинделя менше (краще) ніж 0,0004 мм TIR;

та

b) кутове відхилення руху ковзання

(рискання, перекіс у повздовжньому

напрямку і гойдання) менше (краще) ніж

2 секунди дуги, TIR, уздовж шляху

переміщення завдовжки 300 мм

2.B.1.c. Шліфувальні верстати, що мають будь-яку із 8460 11 00 00,

зазначених нижче характеристик: 8460 19 00 00,

8460 21,

1) мають усі зазначені нижче 8460 29,

характеристики: 8464 20 05 00,

8464 20 20 00,

a) точність позиціювання вздовж будь-якої 8464 20 80 00,

лінійної осі з "усіма доступними 8465 93 00 00

компенсаціями" дорівнює або менше (краще)

ніж 3 мкм відповідно до ISO230/2 (1997)

або його національного еквівалента; та

b) три або більше осі, які можуть бути

одночасно скоординовані для "контурного

керування"; або

2) п'ять або більше осей, які можуть бути

одночасно скоординовані для "контурного

керування"

Примітка. Згідно з позицією 2.B.1.c контролю не підлягають:

1) шліфувальні верстати для оброблення зовнішніх

циліндричних, внутрішніх поверхонь, а також комбіновані

верстати (для шліфування внутрішніх та зовнішніх поверхонь),

які мають усі наведені нижче характеристики:

a) обмежені циліндричним шліфуванням; та

b) обмежені максимальним зовнішнім діаметром або довжиною

заготовки 150 мм;

2) верстати, спеціально спроектовані для шліфування за

шаблоном, які не мають z - осі або w - осі, точність

позиціонування яких з "усіма доступними компенсаціями" менше

(краще) ніж 3 мкм відповідно до ISO230/2 (1997) або його

національного еквівалента;

3) плоскошліфувальні верстати.

2.B.1.d. Верстати для електроіскрового оброблення з 845630

(EDM) без подачі дроту, що мають дві або

більше осей обертання, які можуть одночасно

бути скоординовані для "контурного

керування"

2.B.1.e. Верстати для видалення металів, кераміки з 8424 30,

або "композиційних матеріалів", які з 8456 10,

мають усі наведені нижче характеристики: 8456 91 00 00,

з 8456 99

1) видалення матеріалу за допомогою:

a) водяних або інших рідинних струменів,

включаючи струмені з абразивними

добавками;

b) електронного променя; або

c) променя лазера; та

2) які мають дві або більше осей обертання,

що:

a) можуть бути одночасно позиційовані для

"контурного керування"; та

b) мають точність позиціювання менше

(краще) ніж 0,003 град.

2.B.1.f. Верстати для свердління глибоких отворів і з 8458,

токарні верстати, модифіковані для 8459 21 00 00

свердління глибоких отворів та забезпечують

максимальну глибину їх свердління понад

5000 мм, а також "спеціально призначені

компоненти" для них

2.B.2. Верстати з числовим програмним керуванням,

в яких використовується технологічний

процес магнітореологічного чистового

оброблення (MRF-процес)

Технічна Для цілей позиції 2.B.2. MRF-процес - технологічний процес

примітка. видалення матеріалу з використанням абразивної магнітної

рідини, в'язкість якої керується магнітним полем.

2.B.3. Верстати з "числовим керуванням" або з 8461 40 71 00,

[2B003] ручним керуванням і спеціально розроблені 8461 40 79 00

для них "компоненти", обладнання для

контролю та оснащення, спеціально

розроблені для шевінгування, фінішного

оброблення, шліфування або хонінгування

загартованих (Rc = 40 або більше)

прямозубих циліндричних, одно- або

двозаходових черв'ячних (гвинтових)

шестерень з діаметром понад 1250 мм та

шириною поверхні зуба, що дорівнює

15 відсоткам діаметра або більше, з якістю

фінішного оброблення AGMA 14 або краще

(відповідно до міжнародного стандарту

ISO1328 за класом 3)

2.B.4. "Ізостатичні преси" для гарячого з 8462 99

[2B004] пресування, що мають усі наведені нижче

складові, та "спеціально призначені

компоненти" для них і допоміжні пристрої:

2.B.4.a. Камери з контрольованими тепловими умовами

всередині замкненої порожнини з внутрішнім

діаметром 406 мм або більше

2.B.4.b. Будь-яку наведену нижче характеристику:

1) максимальний робочий тиск понад 207 МПа;

2) контрольовані температурні умови понад

1773 K (1500 град. C);

3) обладнання для насичення вуглеводнем і

виведення газоподібних продуктів розкладу

Технічна Внутрішній розмір камери - це робочі розміри камери,

примітка. яка забезпечує робочий тиск і температуру; до розміру камери

не включається розмір затискних пристроїв. Зазначений розмір

визначається меншим з двох розмірів: внутрішнього діаметра

камери високого тиску або внутрішнього діаметра ізольованої

камери печі залежно від того, яка з цих камер знаходиться в

іншій.

Особлива Щодо спеціально розроблених штампів, форм та

примітка. інструментів див. позиції 1.B.3, 9.B.9 і ML18 Списку товарів

військового призначення, міжнародні передачі яких підлягають

державному контролю, затвердженого постановою Кабінету

Міністрів України від 20 листопада 2003 р. N 1807

( 1807-2003-п ).

2.B.5. Обладнання, спеціально призначене для

[2B005] осадження, оброблення та контролю у процесі

нанесення неорганічних захисних шарів,

покриттів і поверхневих модифікацій,

наведених нижче, наприклад, для

неелектронних підкладок за допомогою

процесів, зазначених у таблиці та

примітках до позиції 2.E.3.f, а також

"компоненти", спеціально призначені для

автоматизованого регулювання, позиціювання,

маніпулювання та управління:

2.B.5.a. Виробниче обладнання для хімічного 8424 20 00 00,

осадження з парової фази (CVD), що має усі 8456 91 00 00,

зазначені нижче характеристики: 8456 99

1) процес, модифікований для будь-якого

зазначеного нижче методу:

a) пульсуючого хімічного осадження з

парової фази (CVD);

b) термічного осадження з керованим

зародкоутворенням (CNTD); або

c) стимульованого плазмою або за

допомогою плазми CVD;

2) використовує будь-що наведене нижче:

a) високий вакуум (дорівнює або менший

ніж 0,01 Па) для ущільнення при

обертанні; або

b) засоби контролю товщини шару покриття

безпосередньо у процесі осадження

2.B.5.b. Виробниче обладнання для іонної 8456 10 10 00,

імплантації із силою іонного струму 5 мА 8456 10 90 00

або більше

2.B.5.c. Виробниче обладнання для 8456 10 10 00,

електронно-променевого вакуумного нанесення 8456 10 90 00

покриттів методом фізичного осадження з

парової фази електронним променем

(EB-PVD), яке має систему електроживлення з

розрахунковою потужністю понад 80 кВт та

будь-які наведені нижче складові:

1) "лазерна" система керування за рівнем

випаровувальної ванни, яка точно регулює

швидкість подавання матеріалів (злитків)

у зону випаровування; або

2) керований комп'ютером покажчик

швидкості випаровування (монітор), який

працює за принципом фотолюмінесценції

іонізованих атомів у потоці пари,

необхідний для визначення швидкості

осадження складових покриття, що містить

два або більше елементів

2.B.5.d. Виробниче обладнання для нанесення покриття 8456 91 00 00,

методом плазмового напилення, яке має 8456 99

будь-яку зазначену нижче характеристику:

1) працює при зниженому тиску

контрольованої атмосфери (дорівнює або

менше ніж 10 кПа, вимірюваного вище або

всередині 300 мм вихідного перерізу сопла

плазмового пальника) у вакуумній камері, що

здатна забезпечити зниження тиску до

0,01 Па перед початком процесу нанесення;

2) має у своєму складі засоби контролю

товщини шару покриття у процесі нанесення

2.B.5.e. Виробниче обладнання для металізації 8456 91 00 00,

розпиленням, що здатне забезпечити густоту 8456 99

струму 0,1 мА/кв. мм або більше з

продуктивністю напилення 15 мкм/год або

більше

2.B.5.f. Виробниче обладнання для катодно-дугового 8515 80 91 00,

напилення, із системою електромагнітів для 8515 80 99 00

керування плямою дуги на катоді

2.B.5.g. Виробниче обладнання для іонного нанесення 8456 10 10 00,

покриття, здатне в процесі нанесення 8456 10 90 00

вимірювати будь-що з наведеного нижче:

1) товщину покриття на підкладці та

величину продуктивності;

2) оптичні характеристики

Примітка. Згідно з позиціями 2.B.5.a, 2.B.5.b, 2.B.5.e, 2.B.5.f,

2.B.5.g контролю не підлягає обладнання для нанесення

покриття методом хімічного осадження з парової фази,

катодно-дугового напилення та нанесення методом розпилення,

іонного нанесення або іонної імплантації, спеціально

призначене для різальних та обробних інструментів.

2.B.6. Системи або обладнання, наведені нижче, для

[2B006] вимірювання або контролю за розмірами:

2.B.6.a. Контрольно-вимірювальне обладнання, 9031 80 31 10,

кероване комп'ютером або з "числовим 9031 80 31 90

керуванням", яке має тривимірну (об'ємну)

систему з "похибкою вимірювання", що

дорівнює або менша (краща) ніж

(1,7 + L/1000) мкм (де L - довжина, яка

вимірюється в міліметрах), та тестується

відповідно до міжнародного стандарту

ISO10360-2 (2001)

2.B.6.b. Вимірювальні пристрої для лінійних або

кутових переміщень, наведені нижче:

1) вимірювальні пристрої для лінійних 9031 41 00 00,

переміщень, які мають будь-яку зазначену 9031 49 10 00,

нижче складову: 9031 49 90 00

Технічна Для цілей позиції 2.B.6.b.1 "лінійне переміщення" означає

примітка. відстань між контактною вимірювальною головкою та об'єктом

вимірювання.

a) вимірювальні системи безконтактного

типу з "розподільною здатністю", що

дорівнює або менше (краще) ніж 0,2 мкм,

при діапазоні вимірювань до 0,2 мм;

b) системи з лінійним регульованим

диференційним перетворювачем напруги з

усіма зазначеними нижче характеристиками:

1) "лінійністю", що дорівнює або менше

(краще) ніж 0,1 відсотка, в діапазоні

вимірювань до 5 мм;

2) відхиленням, що дорівнює або менше

(краще) ніж 0,1 відсотка на день, за

стандартних умов з коливанням

навколишньої температури +(-)1 K; або

c) вимірювальні системи, що мають усе

наведене нижче:

1) які містять "лазер";

2) які експлуатуються безперервно

(принаймні 12 годин при стандартних

температурі та тиску з коливанням

навколишньої температури +(-)1 K) і

мають усі наведені нижче

характеристики:

a) "розподільна здатність" на їх

повній шкалі становить 0,1 мкм або

менше (краще);

b) "невизначеність вимірювання"

дорівнює або менше (краще) ніж

(0,2 + L/2000) мкм (де L - довжина,

що вимірюється в міліметрах);

Примітка. Згідно з позицією 2.B.6.b.1 контролю не підлягають

вимірювальні інтерферометричні системи без зворотного

зв'язку із замкненим або відкритим контуром, що містять

"лазер" для вимірювання помилок переміщення рухомих частин

верстатів, засобів контролю за розмірами або подібного

обладнання.

2) кутові вимірювальні прилади з "кутовою 9031 41 00 00,

девіацією", що дорівнює або менше (краще) 9031 49 10 00,

ніж 0,00025 град. 9031 49 90 00,

з 9031 80 31,

9031 80 91 00

Примітка. Згідно з позицією 2.B.6.b.2 контролю не підлягають оптичні

прилади такі, як автоколіматори, що використовують

колімоване світло (наприклад, лазерний промінь) для фіксації

кутового відхилення дзеркала.

2.B.6.c. Обладнання для вимірювання нерівностей 9031 41 00 00,

поверхні з використанням оптичного 9031 49 10 00,

розсіювання як функції кута з чутливістю 9031 49 90 00

0,5 нм або менше (краще)

Примітка. Верстати, що можуть бути використані як вимірювальні машини,

підлягають контролю, якщо їх параметри відповідають або

перевищують критерії, встановлені для функцій верстатів або

вимірювальних машин.

2.B.7. "Роботи", що мають будь-яку із зазначених 8479 50 00 00,

[2B007] нижче характеристик, і спеціально 8537 10 10 00,

спроектовані контролери та "робочі органи" 8537 10 91 00,

до них: 8537 10 99 00

2.B.7.a. Здатні в реальному масштабі часу повністю

обробляти тривимірне зображення або

трьохвимірний об'єкт для генерації чи

модифікації "програм", або для генерації чи

модифікації цифрових даних програми

Технічна Обмеження аналізу об'єкту не включають апроксимацію третього

примітка. виміру шляхом розгляду під заданим кутом або інтерпретації

сірої шкали для сприйняття глибини або текстури при

виконанні санкціонованих завдань (2 1 / 2 D).

2.B.7.b. Спеціально розроблені відповідно до

національних стандартів безпеки, здатні

виробляти вибухівку або вибухові пристрої

2.B.7.c. Спеціально призначені або нормовані як

радіаційностійкі, що витримують більше ніж

5 х 10(в ступ.3) рад (Si) без погіршення

робочих характеристик; або

2.B.7.d. Спеціально призначені для операцій на

висоті понад 30 000 м

2.B.8. Вузли або блоки, наведені нижче, спеціально

[2B008] призначені для верстатів або систем і

обладнання для перевірки розмірів або

вимірювання:

2.B.8.a. Блоки оцінки лінійного положення із з 8466

зворотним зв'язком (наприклад, прилади

індуктивного типу, калібровані шкали,

інфрачервоні системи або "лазерні"

системи), які мають повну "точність"

менше (краще) ніж

[800 + (600 х L х 10(в ступ.(-3)] нм

(L - ефективна довжина, яка вимірюється в

міліметрах)

Особлива Для "лазерних" систем застосовується також примітка

примітка. до позиції 2.B.6.b.1.

2.B.8.b. Блоки оцінки положення обертання із з 8466

зворотним зв'язком (наприклад, прилади

індуктивного типу, калібровані шкали,

інфрачервоні системи або "лазерні"

системи), які мають "точність" менше

(краще) ніж 0,00025 град.

Особлива Для "лазерних" систем застосовується також примітка до

примітка. позиції 2.B.6.b.1.

2.B.8.c. "Комбіновані обертові столи" або з 8466

"інструментальні шпинделі, що нахиляються",

використання яких за специфікацією

виробника може модифікувати верстати до

рівня, зазначеного у позиції 2.B або вище

2.B.9. Обкатні вальцювальні та згинальні верстати, 8462 29 10 00,

[2B009] які відповідно до технічної специфікації 8463 90 00 00

виробника можуть бути обладнані блоками

"числового керування" або комп'ютерного

керування та мають усі наведені нижче

характеристики:

2.B.9.a. З двома або більше осями керування, дві з

яких здатні одночасно координуватися для

"контурного керування"; та

2.B.9.b. З зусіллям на обкатному інструменті понад

60 кН

Технічна Верстати, у яких поєднані функції обкатних

примітка. вальцювальних та згинальних верстатів, розглядаються для

цілей позиції 2.B.9 як такі, що належать до обкатних

вальцювальних верстатів.

2.C. МАТЕРІАЛИ

Відсутні

2.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

2.D.1. "Програмне забезпечення", інше, ніж те, що з 8524

[2D001] підлягає контролю згідно з позицією 2.D.2,

спеціально призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання, зазначеного в

позиціях 2.A або 2.B

2.D.2. "Програмне забезпечення" для електронних з 8524

[2D002] пристроїв, навіть якщо воно вмонтоване в

електронний пристрій або систему, яке надає

можливість таким пристроям або системам

функціонувати як блок "числового

керування", здатний одночасно координувати

більше ніж 4 осі для "контурного керування"

Примітка 1. Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає "програмне

забезпечення", спеціально розроблене або модифіковане для

верстатів, які не підлягають контролю згідно з позиціями

розділу 2.

Примітка 2. Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає "програмне

забезпечення" для виробів, що контролюються згідно з

позицією 2.B.2. Щодо контролю за "програмним

забезпеченням" для виробів, які контролюються згідно з

позицією 2.B.2., див. позицію 2.D.1.

2.E. ТЕХНОЛОГІЯ

2.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,

[2E001] загальних приміток для "розроблення" 3706, 8524,

обладнання або "програмного забезпечення", 4901 99 00 00,

які підлягають контролю згідно з позиціями 4906 00 00 00

2.A, 2.B або 2.D

2.E.2. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,

[2E002] загальних приміток для "виробництва" 3706, 8524,

обладнання, яке підлягає контролю згідно з 4901 99 00 00,

позиціями 2.A або 2.B 4906 00 00 00

2.E.3. Інші "технології", наведені нижче: з 3705,

[2E003] 3706, 8524,

2.E.3.a. "Технологія" для "розроблення" 4901 99 00 00,

інтерактивної графіки як вбудованої частини 4906 00 00 00

блоків "числового керування" для підготовки

або модифікації елементів "програм"

2.E.3.b. "Технологія", наведена нижче, для

виробничих процесів металооброблення:

1) "технологія" проектування верстатів

(інструментів), прес-форм або затискних

пристроїв, спеціально призначених для

будь-якого наведеного нижче процесу:

a) "надпластичного формування";

b) "дифузійного зварювання";

c) "безпосереднього гідравлічного

пресування";

2) технічні дані, що включають методи або

параметри реалізації процесу, наведені

нижче, які використовуються для керування:

a) "надпластичним формуванням"

алюмінієвих, титанових сплавів або

"суперсплавів", включаючи:

1) підготовку поверхні;

2) швидкість відносної деформації;

3) температуру;

4) тиск;

b) "дифузійним зварюванням"

"суперсплавів" або титанових сплавів,

включаючи:

1) підготовку поверхні;

2) температуру;

3) тиск;

c) "безпосереднім гідравлічним

пресуванням" алюмінієвих або титанових

сплавів, включаючи:

1) тиск;

2) час циклу;

d) "гарячим ізостатичним модифікуванням"

алюмінієвих і титанових сплавів або

"суперсплавів", включаючи:

1) температуру;

2) тиск;

3) час циклу

2.E.3.c. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" гідравлічних витяжних

формувальних машин і відповідних форм для

виготовлення корпусних конструкцій літака

2.E.3.d. "Технологія" для "розроблення" генераторів

машинних команд (наприклад "програм"

оброблення деталей) з проектних даних, які

розміщуються всередині блоків "числового

керування"

2.E.3.e. "Технологія" для "розроблення" загального

"програмного забезпечення" для об'єднаних

експертних систем, які збільшують у

заводських умовах операційні можливості

блоків "числового керування"

2.E.3.f. "Технологія" використання неорганічного

покриття або неорганічного покриття з

модифікацією поверхні (зазначених у третій

графі "Результуюче покриття" таблиці до

цієї позиції) на неелектронних підкладках

(зазначених у другій графі "Підкладки"

таблиці до цієї позиції), процесів

(зазначених у першій графі "Найменування

процесу нанесення покриття" таблиці до цієї

позиції та визначених у технічній

примітці до таблиці)

Особлива Таблицю до позиції 2.E.3.f слід використовувати для

примітка. контролю технології конкретного процесу нанесення покриття

тільки у разі, коли "результуюче покриття" у третій графі

зазначено безпосередньо проти відповідної "підкладки" у

другій графі. Наприклад, технічні дані процесу осадження для

хімічного осадження з парової фази (CVD) контролюються при

використанні "силіцидів" на "підкладках", виготовлених

"композиційних матеріалів" з вуглець-вуглецевою, керамічною

або металевою "матрицею", але не контролюються при

використанні "силіцидів" на підкладках, виготовлених з

"цементованого карбіду вольфраму" (16) та "карбіду кремнію".

У другому випадку "результуюче покриття" не зазначено у

цьому параграфі у третій графі безпосередньо напроти

параграфа у другій графі, де перелічено "цементований карбід

вольфраму" (16) та "карбід кремнію" (18).

----------------------------------------------------------------------

Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ

----------------------------------------------------------------------

Таблиця до позиції 2.E.3.f. Технічні методи осадження покриття

----------------------------------------------------------------------

1. Найменування | 2. Підкладки | 3. Результуюче

процесу нанесення | | покриття

покриття (1)* | |

----------------------------------------------------------------------

A. Хімічне осадження суперсплави алюмініди для

з парової фази внутрішніх каналів

(CVD)

кераміка (19)* та силіциди

скло з малим карбіди

коефіцієнтом шари діелектриків (15)

термічного розширення алмази

(14) алмазоподібний вуглець

(17)

вуглець-вуглець силіциди

"Композиційні карбіди

матеріали" (композити) тугоплавкі метали

з керамічною та суміші зазначених

металевою "матрицею" матеріалів (4)

шари діелектриків (15)

алюмініди

леговані алюмініди (2)

нітрид бору

цементований карбід карбіди

вольфраму (16) вольфрам

карбід кремнію (18) суміші зазначених

матеріалів (4)

шари діелектриків (15)

молібден та його шари діелектриків (15)

сплави

берилій та його шари діелектриків (15)

сплави алмази

алмазоподібні вуглеці

(17)

матеріали вікон шари діелектриків (15)

датчиків (9) алмази

алмазоподібні вуглеці

(17)

B. Фізичне осадження

з парової фази

термовипаро-

вуванням

(TE-PVD)

B.1. Фізичне суперсплави леговані силіциди

осадження леговані алюмініди (2)

з парової фази MCrAlX (5)

(PVD) з модифіковані види

випаровуванням діоксиду цирконію (12)

електронним силіциди

променем (EB-PVD) алюмініди

суміші зазначених

матеріалів (4)

кераміка (19) та скло шари діелектриків (15)

з малим коефіцієнтом

термічного розширення

(14)

корозійностійка сталь MCrAlX (5)

(криця) (7) модифіковані види

діоксиду цирконію (12)

суміші зазначених

матеріалів (4)

вуглець-вуглець силіциди

"Композиційні карбіди

матеріали" з тугоплавкі метали

керамічною та суміші зазначених

металевою "матрицею" матеріалів (4)

шари діелектриків (15)

нітрид бору

цементований карбід карбіди

вольфраму (16) вольфрам

карбід кремнію (18) суміші зазначених

матеріалів (4)

шари діелектриків (15)

молібден та його шари діелектриків (15)

сплави

берилій та його шари діелектриків (15)

сплави бориди

берилій

матеріали вікон шари діелектриків (15)

датчиків (9)

титанові сплави (13) бориди

нітриди

B.2. Фізичне кераміка (19) та скло шари діелектриків (15)

осадження з з малим коефіцієнтом алмазоподібні вуглеці

парової фази термічного розширення (17)

шляхом (14)

резистивного

нагрівання (іонне

осадження)

вуглець-вуглець шари діелектриків (15)

"Композиційні"

матеріали з

керамічною та

металевою "матрицею"

цементований карбід шари діелектриків (15)

вольфраму (16)

карбід кремнію

молібден та його шари діелектриків (15)

сплави

берилій та його шари діелектриків (15)

сплави

матеріали вікон шари діелектриків (15)

датчиків (9) алмазоподібні вуглеці

(17)

B.3. Фізичне кераміка (19) та скло силіциди

осадження з з малим коефіцієнтом шари діелектриків (15)

парової фази термічного розширення алмазоподібні вуглеці

шляхом (14) (17)

випаровування

"лазерним"

променем

вуглець-вуглець шари діелектриків (15)

"Композиційні"

матеріали з

керамічною та

металевою "матрицею"

цементований карбід шари діелектриків (15)

вольфраму (16)

карбід кремнію

молібден та його шари діелектриків (15)

сплави

берилій та його шари діелектриків (15)

сплави

матеріали вікон шари діелектриків (15)

датчиків (9) алмазоподібний вуглець

(17)

B.4. Фізичне суперсплави леговані силіциди

осадження з леговані алюмініди (2),

парової фази MCrAlX (5)

(PVD): катодний

дуговий розряд

полімери (11) та бориди

"Композиційні" карбіди

матеріали з нітриди

органічною алмазоподібні вуглеці

"матрицею" (17)

C. Пакова цементація вуглець-вуглець силіциди

(10) (твердофазне "Композиційні карбіди

насичення) матеріали" з суміші зазначених

(див. "A") керамічною та матеріалів (4)

металевою "матрицею"

сплави титану (13) силіциди

алюмініди

леговані алюмініди (2)

тугоплавкі метали та силіциди

сплави (8) оксиди

D. Плазмове суперсплави MCrAlX (5)

напилення модифікований діоксид

цирконію (12)

суміші зазначених

матеріалів (4)

ерозійностійкий нікель-

графіт

ерозійностійкий нікель-

хром-алюміній-бентоніт

ерозійностійкий

алюміній-кремній-

поліестр

леговані алюмініди (2)

сплави алюмінію (6) MCrAlX (5)

модифікований діоксид

цирконію (12)

силіциди

суміші зазначених

матеріалів (4)

тугоплавкі метали та алюмініди

сплави (8) силіциди

карбіди

корозійностійкі сталі MCrAlX (5)

(7) модифікований діоксид

цирконію (12)

суміші зазначених

матеріалів (4)

титанові сплави (13) карбіди

алюмініди

силіциди

леговані алюмініди (2)

ерозійностійкий нікель-

графіт

ерозійностійкий нікель-

хром-алюміній-бентоніт

діоксиду цирконію

ерозійностійкий

алюміній-кремній-

поліестр

E. Шлікерні тугоплавкі метали та плавлені силіциди

суспензійні сплави (8) плавлені алюмініди

покриття (крім матеріалів для

(осадження) нагрівних елементів)

вуглець-вуглець силіциди

"Композиційні" карбіди

матеріали з суміші зазначених

керамічною та матеріалів (4)

металевою "матрицею"

F. Нанесення суперсплави леговані силіциди

покриттів леговані алюмініди (2)

розпиленням алюмініди модифіковані

благородними металами

(3)

MCrAlX (5)

види модифікованого

діоксиду цирконію (12)

платина

суміші зазначених

матеріалів (4)

кераміка та скло з силіциди

малим коефіцієнтом платина

розширення (14) суміші зазначених

матеріалів (4)

шари діелектриків (15)

алмазоподібний вуглець

(17)

титанові сплави (13) бориди

нітриди

оксиди

силіциди

алюмініди

леговані алюмініди (2)

карбіди

вуглець-вуглець силіциди

"Композиційні" карбіди

матеріали з тугоплавкі метали

керамічною та суміші зазначених

металевою "матрицею" матеріалів (4)

шари діелектриків (15)

нітрид бору

цементований карбід карбіди

вольфраму (16) вольфрам

карбід кремнію (18) суміші зазначених

матеріалів (4)

шари діелектриків (15)

нітрид бору

молібден та його шари діелектриків (15)

сплави

берилій та його бориди

сплави шари діелектриків (15)

берилій

матеріали вікон шари діелектриків (15)

датчиків (9) алмазоподібний вуглець

(17)

тугоплавкі метали та алюмініди

сплави (8) силіциди

оксиди

карбіди

G. Іонна термостійкі поверхневе легування

імплантація шарикопідшипникові хромом, танталом або

сталі ніобієм (коламбієм)

титанові сплави (13) бориди

нітриди

берилій та його бориди

сплави

цементований карбід карбіди

вольфраму (16) нітриди

Примітки до таблиці: Технічні методи осадження покриття

1. Процес покриття включає як нанесення нового покриття, так і ремонт

та поновлення існуючого.

2. Покриття легованими алюмінідами включає одностадійний або

багатостадійний процес нанесення покриття, під час якого елемент

або елементи осаджуються до або під час отримання алюмінідного

покриття, навіть якщо ці елементи додаються за допомогою іншого

процесу. Але він не включає багаторазове використання

одноступеневих процесів пакової цементації для отримання покриття

на основі легованих алюмінідів.

3. Покриття алюмінідами модифікованими благородними металами включає

багатоступеневе нанесення покриття, в якому благородний метал або

благородні метали були нанесені раніше будь-яким іншим способом до

отримання покриття легованими алюмінідами.

4. Суміші включають інфільтруючий матеріал, градієнтні композиції,

присадки та багатошарові матеріали, які використовуються під час

одного або кількох процесів отримання покриття, зазначеного у

таблиці.

5. "MCrAlX" відповідає складному сплаву покриття, де "M" означає

кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X" означає гафній,

ітрій, кремній, тантал у будь-якій кількості, або інші спеціальні

домішки у кількості понад 0,01 вагового відсотка у різноманітних

пропорціях та комбінаціях, крім:

a) CoCrAlY - покриття, яке має менше ніж 22 вагових відсотки

хрому, менше ніж 7 вагових відсотків алюмінію та менше

ніж 2 вагових відсотки ітрію;

b) CoCrAlY - покриття, яке має 22-24 вагових відсотки хрому,

10-12 вагових відсотків алюмінію та 0,5-0,7 вагового відсотка

ітрію;

c) NiCrAlY - покриття, яке має 21-23 вагових відсотки хрому,

10-12 вагових відсотків алюмінію та 0,9-1,1 вагового відсотка

ітрію.

6. Сплави алюмінію - сплави з граничним значенням міцності на розрив

190 МПа або більше, які визначено при температурі 293 K

(20 град. C).

7. Корозійностійка сталь означає сталь, яка задовольняє вимогам

стандарту серії 300 (AISI) Американського інституту заліза та

сталі або вимогам відповідних національних стандартів.

8. Тугоплавкі метали та сплави включають такі метали та їх сплави:

ніобій (коламбій в США), молібден, вольфрам і тантал.

9. Матеріали вікон датчиків - це оксид алюмінію, кремній, германій,

сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію, алмаз, фосфід галію,

сапфір та такі галогеніди металів: фторид цирконію і фторид

гафнію - для вікон датчиків, які мають діаметр понад 40 мм.

10. На "технологію" для одноступеневих процесів пакової цементації

суцільних лопаток турбін не поширюються обмеження згідно з

розділом 2.

11. Полімери включають поліімід, поліестр, полісульфід, полікарбонати

та поліуретани.

12. Модифікований діоксид цирконію - це діоксид цирконію з додаванням

оксидів інших металів (таких, як оксиди кальцію, магнію, ітрію,

гафнію, рідкоземельних металів) для стабілізації відповідних

кристалографічних фаз та фаз зміщення. Термозахисне покриття

діоксидом цирконію, модифіковане оксидом кальцію або оксидом

магнію шляхом змішування або розплаву, контролю не підлягає.

13. Титанові сплави -це тільки аерокосмічні сплави з граничним

значенням міцності на розрив 900 МПа або більше, визначеним при

температурі 293 K (20 град. C).

14. Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення визначається як

скло, що має коефіцієнт температурного розширення

1 х 10(в ступ.(-7)) K(в ступ.(-1)) або менше, визначений при

температурі 293 K (20 град. C).

15. Діелектричні шарові покриття належать до багатошарових ізоляційних

матеріалів, у яких комбінація інтерференційних властивостей

матеріалів з різноманітними коефіцієнтами рефракції

використовується для відбиття, передачі або поглинання хвиль

різноманітних діапазонів. До діелектричних шарових покриттів

належать ті, що складаються з чотирьох або більше шарів

діелектрика або шарових "композицій" діелектрик-метал.

16. Цементований карбід вольфраму не включає інструментальні

матеріали, які застосовуються для різання та механічної обробки і

складаються з карбіду вольфраму/(кобальт-нікель), карбіду

титану/(кобальт-нікель), карбіду хрому/нікель-хром і карбіду

хрому/нікель.

17. "Технологія", спеціально розроблена для осадження алмазоподібного

вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не підлягає контролю, а

саме: накопичувачі на магнітних дисках і магнітні головки,

обладнання для виробництва разової тари, клапанів для кранів,

акустичні діафрагми для гучномовців, деталі двигунів для

автомобілів, різальний інструмент, матриці для пресування та

вирубні штампи, офісне автоматизоване обладнання, мікрофони,

медичні пристрої або пресформери для литва або формування

пластмаси, виготовлені із сплавів з вмістом берилію менше 5%.

18. Карбід кремнію не включає матеріали для виготовлення різального

або формувального інструменту.

19. Керамічні підкладки в цій позиції не включають керамічні

матеріали, що містять 5 відсотків за вагою або більше глини чи

цементу, незалежно від того, чи є вони окремим складовим

"компонентом", чи входять у керамічні матеріали, в їх комбінації.

Технічні примітки до таблиці: Технічні методи осадження покриття

Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення

покриття", визначаються таким способом:

a. Хімічне осадження з парової фази (CVD) - це процес нанесення

зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що

покривається, де метал, сплав, "композиційний" матеріал,

діелектрик або кераміка наносяться на нагріту підкладку

(основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються на

поверхні виробу, внаслідок чого на ній утворюються потрібні

елементи, сплави або хімічні сполуки. Енергія для такого

розпаду або хімічної реакції може бути забезпечена нагріванням

підкладки плазмовим розрядом або променем "лазера".

Особливі 1. Хімічне осадження з парової фази (CVD) включає

примітки. такі процеси: безпакетне нанесення покриття прямим

газовим струменем, газоциркуляційне хімічне осадження,

кероване зародження центрів конденсації при термічному

осадженні (CNTD) або хімічне осадження з парової фази

(CVD) з використанням плазми.

2. Пакет означає підкладку (основу), занурену в порошкову

суміш.

3. Газоподібні реагенти, що використовуються у безпакетному

процесі, отримуються за такими ж базовими реакціями та

параметрами, як і цементація, за винятком випадку, коли

підкладка, на яку наноситься покриття, не має контакту із

сумішшю порошків.

b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням (TE-PVD) -

це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі під тиском

менше ніж 0,1 Па, коли джерело теплової енергії

використовується для перетворення на пару матеріалу, що

наноситься, внаслідок чого частки матеріалу, що випаровується,

конденсуються або осаджуються на відповідно розташовану

підкладку.

Напускання газів у вакуумну камеру в процесі осадження для

створення складного покриття є звичайною модифікацією процесу.

Використання іонних або електронних променів або плазми

для активації або сприяння нанесенню покриття є також звичайною

модифікацією цієї технології. Використання моніторів для

забезпечення вимірювання оптичних характеристик або товщини

покриття під час процесу може бути характерною особливістю цих

процесів.

Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного

нагрівання полягає у тому, що:

1) при EB-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу, який

формує покриття на поверхні виробу, використовується

електронний промінь;

2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне забезпечити

контрольований та рівномірний (однорідний) потік пари матеріалу

покриття, використовується електричний опір;

3) при випаровуванні "лазером" для випаровування матеріалу, що

формує покриття, використовується імпульсний або безперервний

"лазерний" промінь;

4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги

використовується витрачуваний катод з матеріалу, що формує

покриття та створює розряд дуги на поверхні катода після

миттєвого контакту із заземленим пусковим пристроєм (тригером).

Контрольований рух дуги призводить до ерозії поверхні катода та

виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та

розташовуватися по периферії катода через ізолятор або сама

камера може бути анодом. Для нанесення покриття на підкладку,

що розташована не на лінії, використовується зміщення напруги;

Особлива Зазначений у підпункті 4 процес не стосується

примітка. нанесення покриття довільною катодною дугою без зміщення

напруги.

5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD

процесу, у якому плазмове або іонне джерело використовується

для іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне

зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє

осадженню складових матеріалів покриття з плазми. Введення

активних реагентів, випаровування твердих матеріалів в камері,

а також використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у

процесі нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини

покриття, є звичайними модифікаціями процесу.

c. Порошкове цементування - це модифікація методу нанесення

покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього

покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), яка

складається з:

1) металевих порошків, які входять до складу покриття

(звичайно алюміній, хром, кремній або їх комбінація);

2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та

3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію).

Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти,

яка нагрівається від 1030 K (+757 град. C) до 1375 K

(+1102 град. C) на час, який достатній для нанесення

покриття.

d. Плазмове напилення - це процес нанесення зовнішнього покриття,

коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій утворюється і

керується плазма, використовує порошок або дріт з матеріалу

покриття, розплавляє їх та спрямовує на підкладки, де

формується інтегрально зв'язане покриття. Плазмове напилення

може ґрунтуватися на напиленні плазмою низького тиску або

високошвидкісною плазмою.

Особливі 1. Низький тиск - це тиск нижче атмосферного.

примітки.

2. Високошвидкісна плазма визначається швидкістю газу на

зрізі сопла понад 750 м/с, розрахованої при

температурі 293 K (20 град. C) та тиску 0,1 МПа.

e. Осадження із суспензії - це процес нанесення покриття з

модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або

керамічний порошок з органічною сполучною речовиною

суспензовано в рідині та наноситься на підкладку за

допомогою напилення, занурення або фарбування з наступним

повітряним або пічним сушінням та термічною обробкою для

отримання необхідних властивостей покриття.

f. Осадження розпиленням - це процес нанесення зовнішнього

покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості

руху, коли позитивні іони прискорюються в електричному полі

в напрямку до поверхні мішені (підкладки виробу, що

покривається). Кінетична енергія ударів іонів достатня для

визволення атомів на поверхні мішені та їх осадження на

відповідно розташовану підкладку.

Особливі 1. У таблиці наведені відомості тільки щодо

примітки. тріодного, магнетронного або реактивного осадження

розпиленням, які застосовуються для збільшення

адгезії матеріалу покриття та швидкості його

нанесення, а також щодо радіочастотного підсилення

напилення, яке використовується під час нанесення

пароутворювальних неметалевих матеріалів для

покриття.

2. Низькоенергетичні іонні промені (менше ніж 5 KeB)

можуть бути використані для прискорення (активації)

процесу нанесення покриття.

g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з

модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент

іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу

та імплантується на поверхню підкладки. До процесів з

іонною імплантацією належать і процеси, де іонна

імплантація здійснюється одночасно під час

електронно-променевого осадження або осадження

розпилюванням.

----------------------------------------------------------------------

Технічна термінологія, що використовується

в таблиці технічних засобів осадження покриття

----------------------------------------------------------------------

Технічна інформація стосовно таблиці технічних засобів осадження

покриття використовується у разі потреби.

1. Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях" для

попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці:

a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні,

наведені нижче:

1) склад розчину у ванні:

a) для усунення старого та пошкодженого покриття, продуктів

корозії або сторонніх відкладень;

b) для приготування чистих підкладок;

2) час оброблення у ванні;

3) температура у ванні;

4) кількість та послідовність циклів миття;

b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення ступеня

очищення або повноти очисної дози;

c) параметри циклів термічного оброблення, наведені нижче:

1) атмосферні параметри:

a) склад атмосфери;

b) атмосферний тиск;

2) температура термічної обробки;

3) тривалість термічної обробки;

d) параметри підготовки підкладок, наведені нижче:

1) параметри піскоструминного очищення:

a) склад часток;

b) розмір та форма часток;

c) швидкість подачі часток;

2) час та послідовність циклів очищення після піскоструминного

очищення;

3) параметри кінцевого оброблення поверхні;

4) використання зв'язувальних для посилення адгезії;

e) технічні параметри маскування, наведені нижче:

1) матеріал маски;

2) розміщення маски.

2. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", які

забезпечують якість покриття для засобів, зазначених у таблиці:

a) атмосферні параметри, наведені нижче:

1) склад атмосфери;

2) атмосферний тиск;

b) часові параметри;

c) температурні параметри;

d) параметри товщини;

e) коефіцієнт параметрів заломлення;

f) контроль складу покриття.

3. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", які

використовуються після нанесення покриття на підкладку, зазначену

в таблиці:

a) параметри дробоструминної обробки, наведені нижче:

1) склад дробу;

2) розмір дробу;

3) швидкість подавання дробу;

b) параметри очищення після обробки дробом;

c) параметри циклу термічної обробки, наведені нижче:

1) атмосферні параметри:

a) склад атмосфери;

b) атмосферний тиск;

2) температурно-часові цикли;

d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання покритих

підкладок.

4. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" для

визначення технічних засобів, які гарантують якість покриття

підкладок, зазначених у таблиці:

a) критерії статистичного відбіркового контролю;

b) мікроскопічні критерії для:

1) збільшення покриття;

2) рівномірності товщини покриття;

3) цілісності покриття;

4) складу покриття;

5) зчеплення покриття та підкладки;

6) мікроструктури однорідності;

c) критерії для проведення оцінки оптичних властивостей

(вимірювані як функція довжини хвилі):

1) відбивна властивість;

2) прозорість;

3) поглинання;

4) розсіювання.

5. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" та

параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з процесами

видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці:

a) для хімічного осадження з парової фази (CVD):

1) склад та формування джерела покриття;

2) склад несучого газу;

3) температура підкладки;

4) температурно-часові цикли та цикли тиску;

5) контроль газу та маніпулювання деталями;

b) для термічного випарювання - фізичного осадження з парової фази

(PVD):

1) склад зливка або джерела матеріалу покриття;

2) температура підкладки;

3) склад активного газу;

4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування

матеріалу;

5) температурно-часові цикли та цикли тиску;

6) маніпуляція променем та деталлю;

7) параметри "лазера", наведені нижче:

a) довжина хвилі;

b) щільність потужності;

c) тривалість імпульсу;

d) періодичність імпульсів;

e) джерело;

c) для твердофазного осадження:

1) склад обмазки та формування;

2) склад несучого газу;

3) температурно-часові цикли та цикли тиску;

d) для плазмового напилення:

1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів;

2) склад та параметри газу, що подається;

3) температура підкладки;

4) параметри потужності плазмової гармати;

5) дистанція напилення;

6) кут напилення;

7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку;

8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями;

e) для осадження розпиленням:

1) склад та спосіб виробництва мішені;

2) геометричне регулювання положення деталей та мішені;

3) склад хімічно активного газу;

4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення);

5) температурно-часові цикли та цикли тиску;

6) потужність тріода;

7) маніпулювання деталлю;

f) для іонної імплантації:

1) контроль променя та маніпулювання деталлю;

2) елементи конструкції джерела іонів;

3) техніка контролю за іонним променем та параметрами швидкості

осадження;

4) температурно-часові цикли та цикли тиску;

g) для іонного покриття:

1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю;

2) елементи конструкції джерела іонів;

3) техніка контролю за іонним променем та параметрами швидкості

осадження;

4) температурно-часові цикли та цикли тиску;

5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість

випаровування;

6) температура підкладки;

7) параметри електричного зміщення підкладки.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371а-14 ),

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

3. ЕЛЕКТРОНІКА

3.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

Примітки. 1. Контрольний статус обладнання та "компонентів",

зазначеними в позиції 3.А, інші аніж описані у позиціях

3.A.1.a.3-3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, які спеціально

призначені або мають такі функціональні характеристики,

як і інше обладнання, визначається контрольним статусом

іншого обладнання.

2. Контрольний статус інтегральних схем, зазначених в

позиціях 3.A.1.a.3-3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12, програми

яких не можуть бути змінені або які призначені для

виконання конкретних функцій для іншого обладнання,

визначається контрольним статусом іншого обладнання.

3. Контрольний статус обладнання та "компонентів",

зазначеними в розділі 3, які спеціально розроблені або

безпосередньо можуть бути використані для виконання

функцій "захисту інформації", визначається з урахуванням

критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5 (Захист

інформації).

Особлива Якщо виробник або заявник не може визначити статус

примітка. контролю за іншим обладнанням, то цей статус визначається

статусом контролю за інтегральними схемами, зазначеними в

позиціях 3.A.1.a.3-3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12.

Якщо ця інтегральна схема є "мікросхемою мікрокомп'ютера" на

кремнієвій основі або мікросхемою мікроконтролера,

зазначеними в позиції 3.A.1.a.3, і має довжину слова

операнда 8 біт або менше, то тоді її статус контролю

визначається відповідно до позиції 3.A.1.a.3.

3.A.1. Електронні "компоненти", наведені нижче:

[3A001]

3.A.1.a. Інтегральні мікросхеми загального

призначення, наведені нижче:

Примітки. 1. Контрольний статус готових пластин або напівфабрикатів,

на яких відтворена конкретна функція, визначається

параметрами, зазначеними у позиції 3.A.1.a.

2. Інтегральні схеми включають такі типи:

"монолітні інтегральні схеми";

"гібридні інтегральні схеми";

"багатокристалічні інтегральні схеми";

"плівкові інтегральні схеми", включаючи інтегральні схеми

типу кремній на сапфірі;

"оптичні інтегральні схеми".

1) інтегральні схеми, спроектовані або з 8542

класифіковані виробником як радіаційно

стійкі для того, щоб витримати будь-що з

наведеного нижче:

a) загальну дозу - 5 х 10(в ступ.5) рад

(кремній) або вище;

b) межу потужності дози - 5 х 10(в ступ.8)

рад (кремній)/секунда або вище;

c) флюенс (інтегральна густота потоку)

нейтронів (еквівалент 1 Me-B)

5 x 10(в ступ.13) нейтронів/куб. см або

вище на кремнії, або його еквівалент для

інших матеріалів

Примітка. Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до структур

метал-діелектрик-напівпровідник (MIS).

2) "мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми з 8542

мікрокомп'ютера", мікросхеми

мікроконтролера, інтегральні схеми пам'яті,

виготовлені із складного напівпровідника,

перетворювачі з аналогової форми у цифрову,

перетворювачі з цифрової форми в аналогову,

електрооптичні або "оптичні інтегральні

схеми", призначені для "оброблення

сигналів", логічні пристрої з

експлуатаційним програмуванням, інтегральні

схеми нейронної мережі, інтегральні схеми

на замовлення, для яких не відома або

функція або стан контролю обладнання, у

якому буде використана інтегральна схема,

процесори швидкого перетворення Фур'є

(FFT), програмована постійна пам'ять із

стиранням електричним струмом (EEPROMs),

імпульсна пам'ять або статична пам'ять з

довільною вибіркою (SRAMs), які мають

будь-яку з наведених нижче характеристик:

a) працездатні при температурі

навколишнього середовища понад 398 K

(+125 град. C);

b) працездатні при температурі

навколишнього середовища нижче 218 K

(-55 град. C);

c) працездатні за межами діапазону

температур навколишнього середовища від

218 K (-55 град. C) до 398 K

(+125 град. C);

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.a.2 контролю не підлягають

інтегральні схеми, що використовуються в цивільних

автомобілях або залізничних поїздах.

3) "мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми

мікрокомп'ютера" і мікросхеми

мікроконтролерів, які мають одну з

наведених нижче характеристик:

Примітка. У позиції 3.A.1.a.3 зазначено процесори цифрових сигналів,

цифрові матричні процесори і цифрові співпроцесори.

a) "сукупну теоретичну продуктивність" з 8542

("CTP") 6500 млн. теоретичних операцій за

секунду (Мегатопсів) або більше та

арифметично-логічні пристрої з шириною

доступу 32 біта або більше;

b) виготовлені з напівпровідникових з 8542

з'єднянь та працюють з тактовою

частотою понад 40 МГц;

c) більше ніж три шини даних або команд, з 8542

або послідовних комунікаційних портів,

кожен з яких забезпечує безпосередній

зовнішній зв'язок між паралельними

"мікросхемами мікропроцесорів" із

швидкістю передачі понад 1000 Мбайт/с або

більше;

4) інтегральні схеми пам'яті, виготовлені

на основі напівпровідникових з'єднань;

5) інтегральні схеми аналого-цифрових та з 8542

цифро-аналогових перетворювачів, наведені

нижче:

a) аналого-цифрові перетворювачі, які

мають одну з таких ознак:

1) роздільна здатність 8 біт або

більше, але менше ніж 10 біт при

швидкості виведення даних більше ніж

500 млн. слів за секунду;

2) роздільна здатність 10 біт або

більше, але не менше ніж 12 біт при

швидкості виведення даних більше ніж

200 млн. слів за секунду;

3) роздільна здатність понад 12 біт при

швидкості виведення даних більше ніж

50 млн. слів за секунду;

4) роздільна здатність більше ніж

12 біт, але дорівнює або менше 14 біт,

при швидкості виведення даних більше

ніж 5 млн. слів за секунду;

5) роздільна здатність більше ніж

14 біт при швидкості виведення даних

більше ніж 1 млн. слів за секунду;

b) цифро-аналогові перетворювачі з

роздільною здатністю 12 біт або більше та

"часом установлювання" менше ніж 10 нс;

Технічні 1. Роздільна здатність розміром n біт відповідає 2(в ступ.n)

примітки. рівням квантування.

2. Кількість біт у виведеному слові дорівнює роздільній

здатності аналого-цифрового перетворювача.

3. Швидкість виведення даних є максимальною швидкістю

виведення даних перетворювача незалежно від архітектури

або надлишкової дискретизації (вибірки). Постачальники

можуть також посилатись на швидкість виведення даних як

на частоту дискретизації, швидкість перетворення або

пропускну здатність. Вона часто визначається у мегагерцах

(МГц) або мегавибірках за секунду (MSPS).

4. Для цілей вимірювання швидкості виведення даних, одне

виведене слово за секунду є еквівалентом одного Герца або

однієї вибірки за секунду.

6) електронно-оптичні або "оптичні

інтегральні схеми" для "оброблення

сигналів", які мають усі наведені нижче

характеристики:

a) один внутрішній "лазерний" діод або з 85421

більше;

b) один внутрішній світлочутливий елемент

або більше;

c) оптичні хвильоводи;

7) програмовані в користувача логічні з 8542

пристрої, які мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) еквівалентна кількість придатних до

використання вентилів понад 30 000 (в

переліку на двовходові);

b) типовий "час затримки поширення

базового логічного елемента" менше ніж

0,4 нс;

c) тактова частота понад 133 МГц;

Примітка. Позиція 3.A.1.a.7 включає:

прості програмовані логічні пристрої (SPLD);

складні програмовані логічні пристрої (CPLD);

вентильні матриці з можливістю програмування користувачем

(FPGA);

логічні матриці з можливістю програмування користувачем

(FPLA);

схеми з'єднань з можливістю програмування користувачем

(FPIC).

Особлива Логічні пристрої з можливістю програмування користувачем,

примітка. відомі також як вентильні або логічні матриці з можливістю

програмування користувачем.

8) позицію виключено;

9) інтегральні схеми для нейронних мереж; з 8542

10) інтегральні схеми на замовлення, з 8542 30

функція яких не відома, або контрольний

статус обладнання, у якому будуть

використовуватися зазначені інтегральні

схеми, не відомі виробнику, що мають одну з

наведених нижче характеристик:

a) кількість виводів понад 1000;

b) типовий "час затримки розповсюдження

базового логічного елемента" менше ніж

0,1 нс; або

c) робоча частота понад 3 ГГц;

11) цифрові інтегральні схеми, що 8542 13 99 00,

відрізняються від зазначених у позиціях 8542 14 99 00,

3.A.1.a.3-3.A.1.a.10 та 3.A.1.a.12, які 8542 19 98 00,

створені на основі будь-якого складного 8542 12 00 00

напівпровідника і мають одну з наведених

нижче характеристик:

a) еквівалентна кількість вентилів понад

3000 (у перерахунку на двовходові);

b) частота перемикання понад 1,2 ГГц;

12) процесори швидкісного перетворення з 8542, 8543

Фур'є (FFT), які мають номінальний час

виконання для N-позначкового комплексного

швидкісного перетворення Фур'є менше ніж

(N log(2))/20480 мкс, де N - кількість

позначок

Технічна Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у позиції 3.A.1.a.12

примітка. визначає час виконання 500 мкс.

3.A.1.b. Прилади мікрохвильового та міліметрового

діапазону, наведені нижче:

1) електронні вакуумні лампи та катоди,

наведені нижче:

Примітка 1. Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають лампи,

призначені або нормовані для роботи у будь-якому діапазоні

частот, яка відповідає всім наведеним нижче

характеристикам:

a) максимальна робоча частота якого не перевищує 31,8 ГГц;

b) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку" (ITU)

для надання послуг радіозв'язку, але не для

радіовизначення.

Примітка 2. Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають не

"придатні для використання в космосі" лампи, які

відповідають всім наведеним нижче характеристикам:

a) середня вихідна потужність дорівнює або менше ніж

50 Вт;

b) призначені або класифіковані для роботи в будь-якому

діапазоні частот, який відповідає всім наведеним нижче

характеристикам:

1) вище 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц;

2) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку" (ITU)

для надання послуг радіозв'язку, але не для

радіовизначення.

a) лампи біжучої хвилі імпульсної або 8540 79 00 00

безперервної дії, наведені нижче:

1) з робочою частотою понад 31,8 ГГц;

2) які мають елемент підігрівання

катода з часом від моменту включення до

виходу лампи на номінальну

радіочастотну потужність менше ніж 3 с;

3) із сполученими резонаторами або їх

модифікаціями з "відносною шириною

смуги частот" понад 7 відсотків або з

піковою потужністю понад 2,5 кВт;

4) спіральні лампи або її модифікації,

які мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) "миттєва ширина смуги частот"

становить понад 1 октаву і добуток

номінальної середньої вихідної

потужності (у кВт) на максимальну

робочу частоту (у ГГц) становить

понад 0,5;

b) "миттєва ширина смуги частот"

дорівнює 1 октаві або менше і добуток

номінальної середньої вихідної

потужності (у кВт) на максимальну

робочу частоту (у ГГц) становить

понад 1;

c) "придатні для використання в

космосі";

b) лампи - підсилювачі магнетронного типу 8540 71 00 00

з коефіцієнтом підсилення понад 17 дБ;

c) інтегровані катоди для електронних 8540 79 00 00

ламп, які виробляють густину струму при

безперервній емісії, за штатних умов

експлуатації, понад 5 А/кв. см;

2) підсилювачі потужності на монолітних 8542

інтегральних схемах мікрохвильового

діапазону (MMIC), що мають будь-яку з

наведених нижче характеристик:

a) що працюють на частотах понад 3,2 ГГц

до 6 ГГц включно з середньою вихідною

потужністю більше ніж 4 Вт (36 дБм) і

"відносною шириною смуги частот" більше

ніж 15%;

b) що працюють на частотах понад 6 ГГц до

16 ГГц включно з середнбою вихідною

потужністю більше ніж 1 Вт (30 дБм) і

"відносною шириною смуги частот" більше

ніж 10%;

c) що працюють на частотах понад 16 ГГц

до 31,8 ГГц включно з середньою вихідною

потужністю більше ніж 0,8 Вт (29 дБм) і

"відносною шириною смуги частот" більше

ніж 10%;

d) що працюють на частотах понад 31,8 ГГц

до 37,5 ГГц включно;

e) що працюють для роботи на частотах

понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно з

середньою вихідною потужністю більше ніж

0,25 Вт (24 дБм) і "відносною шириною

смуги частот" більше ніж 10%; або

f) що працюють на частотах понад 43,5 ГГц

Примітки. 1. Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не підлягає

обладнання радіомовних супутників, призначене або

нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до

42,5 ГГц.

2. Контрольний статус MMIC, робоча частота яких перекриває

більше одного частотного діапазону, зазначеного у позиції

3.A.1.b.2, визначається найнижчим контрольним порогом для

середньої вихідної потужності.

3. Примітки 1 та 2 в заголовку розділу 3 означають, що

згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не підлягають MMIC,

якщо вони спеціально призначені для інших застосувань,

наприклад, у телекомунікаційному зв'язку, РЛС,

автомобілях.

3.A.1.b. 3) мікрохвильові транзистори, які мають 8541

будь-яку з наведених нижче характеристик:

a) що працюють на частотах понад 3,2 ГГц

до 6 ГГц включно і мають середню вихідну

потужність більше ніж 60 Вт (47,8 дБм);

b) що працюють на частотах понад 6 ГГц до

31,8 ГГц включно і мають середню вихідну

потужність більше ніж 20 Вт (43 дБм);

c) що працюють на частотах понад 31,8 ГГц

до 37,5 ГГц включно і мають середню

вихідну потужність більше ніж 0,5 Вт

(27 дБм);

d) що працюють на частотах понад 37,5 ГГц

до 43,5 ГГц включно і мають середню

вихідну потужність більше ніж 1 Вт

(30 дБм); або

e) що працюють на частотах понад

43,5 ГГц;

Примітка. Контрольний статус виробу, робоча частота якого перекриває

більше ніж один частотний діапазон, зазначений у позиції

3.A.1.b.3, визначений за найнижчим контрольним порогом для

середньої вихідної потужності.

4) мікрохвильові твердотільні підсилювачі 8543

та мікрохвильові складання/модулі, які

містять мікрохвильові підсилювачі, що мають

будь-яку з наведених нижче характеристик:

a) що працюють на частотах понад 3,2 ГГц

до 6 ГГц включно з середньою вихідною

потужністю більше ніж 60 Вт (47,8 дБм) і

"відносною шириною смуги частот" більше

ніж 15%;

b) що працюють на частотах понад 6 ГГц до

31,8 ГГц включно з середньою вихідною

потужністю більше ніж 15 Вт (42 дБм) і

"відносною шириною смуги частот" більше

ніж 10%;

c) що працюють на частотах понад 31,8 ГГц

до 37,5 ГГц включно;

d) що працюють на частотах понад 37,5 ГГц

до 43,5 ГГц включно з середньою вихідною

потужністю більше ніж 1 Вт (30 дБм) і

"відносною шириною смуги частот" більше

ніж 10%;

e) що працюють на частотах понад

43,5 ГГц; або

f) що працюють на частотах вище 3 ГГц і

мають усі наведені нижче характеристики:

1) середню вихідну потужність (у

ватах) більше 150, поділених на

максимальну робочу частоту

(у герцах) у квадраті

[P > 150 Вт x кв. ГГц / f ];

кв. ГГц

2) відносну ширину смуги частот 5%

або більше; та

3) будь-які дві сторони

перпендикулярні одна одній з довжиною

d (в сантиметрах) дорівнює або менше

15 поділених на найменшу робочу

частоту (у гігагерцах)

[d <(=) 15 см x ГГц / f ];

ГГц

Особлива Контрольний статус підсилювачів потужності на MMIC слід

примітка. оцінювати за критеріями, зазначеними у позиції 3.A.1.b.2.

Примітки. 1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не підлягає

обладнання радіомовних супутників, призначене або

нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до

42,5 ГГц.

2. Контрольний статус виробу, робоча частота якого

перекриває більше ніж один частотний діапазон, зазначений

у позиції 3.A.1.b.4, визначений за найнижчим порогом для

середньої вихідної потужності.

5) смугові або загороджувальні фільтри 8529

з електронним або магнітним налагодженням,

які мають понад 5 налагоджувальних

резонаторів, що забезпечують налагодження в

смузі частот, з відношенням максимальної та

мінімальної частот 1,5:1 менше ніж за

10 мкс і мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) смуга частот пропускання становить

понад 0,5 відсотка резонансної частоти;

b) смуга загородження становить менше ніж

0,5 відсотка резонансної частоти;

6) виключено; 8529

7) змішувачі та перетворювачі, призначені

для розширення частотного діапазону

обладнання, зазначеного в позиціях 3.A.2.c,

3.A.2.e або 3.A.2.f;

8) мікрохвильові підсилювачі потужності,

які містять лампи, що підлягають контролю

згідно з позицією 3.A.1.b, і мають усі

наведені нижче характеристики:

a) робочі частоти понад 3 ГГц;

b) середня густота вихідної потужності

понад 80 Вт/кг; та

c) об'єм менше ніж 400 куб. см

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не підлягає обладнання,

призначене або нормоване для роботи у будь-якій смузі, що є

"виділеною Міжнародним союзом електрозв'язку (ITU)" для

надання послуг радіозв'язку, але не для радіовизначення.

3.A.1.c. Прилади на акустичних хвилях, наведені

нижче, та "спеціально призначені

компоненти" для них:

1) прилади на поверхневих акустичних хвилях 8541 60 00 00

і акустичних хвилях у тонкій підкладці

(тобто прилади для "оброблення сигналів",

що використовують пружні хвилі в

матеріалі), які мають одну з наведених

нижче характеристик:

a) несуча частота понад 2,5 ГГц;

b) несуча частота понад 1 ГГц, але не

більше 2,5 ГГц, і мають будь-яку з

наведених нижче характеристик:

1) частотне заглушення бокових

пелюстків діаграми направленості понад

55 дБ;

2) добуток максимального часу затримки

(у мкс) і "миттєвої ширини смуги

частот" (у МГц) понад 100;

3) "миттєва ширина смуги частот" понад

250 МГц;

4) затримка розсіювання понад 10 мкс;

c) несуча частота, яка дорівнює 1 ГГц або

менше і має одну з наведених нижче

характеристик:

1) добуток максимального часу затримки

(у мкс) і "миттєвої ширини смуги

частот" (у МГц) понад 100;

2) затримка розсіювання понад 10 мкс;

3) частотне заглушення бокових

пелюстків діаграми направленості понад

55 дБ та ширина смуги частот понад

50 МГц;

2) прилади на об'ємних акустичних хвилях 8541 60 00 00

(тобто прилади для "оброблення сигналів",

які використовують пружні хвилі в

матеріалі), що забезпечують безпосереднє

"оброблення сигналів" на частотах понад

1 ГГц;

3) акустооптичні прилади "оброблення 8541 60 00 00

сигналів", які використовують взаємодію між

акустичними хвилями (об'ємними чи

поверхневими) і світловими хвилями, що

забезпечує безпосереднє "оброблення

сигналів" або зображення, включаючи аналіз

спектра, кореляцію або згортку

3.A.1.d. Електронні прилади або схеми, які містять 8542 50 00 00

елементи, виготовлені з "надпровідних"

матеріалів, спеціально спроектовані для

роботи при температурах нижчих від

"критичної температури" хоча б для однієї з

"надпровідних" складових, і мають одну з

наведених нижче характеристик:

1) наявність струмових перемикачів для

цифрових схем, які використовують

"надпровідні" вентилі, де добуток часу

затримки на вентиль (у секундах) і

розсіювання потужності на вентиль

(у ватах) нижче ніж 10(в ступ.(-14) Дж;

2) забезпечення селекції частоти на всіх

діапазонах частот з використанням

резонансних контурів з добротністю понад

10 000

3.A.1.e. Прилади високої енергії, наведені нижче:

1) батареї та фотоелектричні батареї,

наведені нижче:

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.1 контролю не підлягають батареї

об'ємом 27 куб. см або менше (наприклад, стандартні вугільні

елементи або батареї R14).

a) первинні елементи і батареї із з 8506 60,

щільністю енергії понад 480 Вт x год/кг, 8506 80,

які за технічними умовами придатні для 8540 10 10 00

роботи в діапазоні температур нижчих від

243 K (-30 град. C) і вищих від 343 K

(+70 град. C);

b) підзаряджувальні елементи і батареї із з 8506 60,

щільністю енергії понад 150 Вт x год/кг 8506 80,

після 75 циклів заряду-розряду при струмі 8540 10 10 00

розряду, що дорівнює C/5 год (де C -

номінальна ємність в а x год), під час

роботи в діапазоні температур нижчих від

253 K (-20 град. C) і вищих від 333 K

(+60 град. C);

Технічна Щільність енергії розраховується множенням середньої

примітка. потужності у ватах (добуток середньої напруги у вольтах і

середнього струму в амперах) на тривалість циклу розрядження

в годинах, за якого напруга на розімкнутих клемах падає до

75 відсотків номіналу, і діленням цього добутку на загальну

масу елемента (або батареї) в кілограмах.

c) батареї, за технічними умовами з 8506 60,

"придатні для використання в космосі" та 8506 80,

радіаційно стійкі батареї на 8540 10 10 00

фотоелектричних елементах з питомою

потужністю понад 160 Вт/кв. м при робочій

температурі 301 K (+28 град. C) і

вольфрамовому джерелі, яке нагріте до

2800 K (+2527 град. C) і створює

енергетичну освітленість 1 кВт/кв. м;

2) накопичувачі великої енергії, наведені

нижче:

a) накопичувачі енергії з частотою з 8506 60,

повторення менше ніж 10 Гц (одноразові 8506 80,

накопичувачі), що мають усі наведені 8540 10 10 00

нижче характеристики:

1) номінальну напругу не менше ніж

5 кВ;

2) густину енергії не менше ніж

250 Дж/кг; та

3) загальну енергію не менше ніж

25 кДж;

b) накопичувачі енергії з частотою з 8506 60,

повторення 10 Гц і більше (багаторазові 8506 80,

накопичувачі), які мають усі наведені 8540 10 10 00

нижче характеристики:

1) номінальну напругу не менше ніж з 8507 80

5 кВ;

2) густоту енергії не менше ніж

50 Дж/кг;

3) загальну енергію не менше ніж

100 Дж; та

4) кількість циклів заряду-розряду не

менше ніж 10 000;

3) "надпровідні" електромагніти та 8505 19 90 00

соленоїди, спеціально спроектовані на

повне зарядження або розрядження менше

ніж за 1 секунду, які мають усі наведені

нижче характеристики:

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не підлягають

"надпровідні" електромагніти або соленоїди, спеціально

спроектовані для медичної апаратури магніторезонансної

томографії (MRI).

a) максимальну енергію під час розряду

понад 10 кДж за першу секунду;

b) внутрішній діаметр струмопровідних

обмоток понад 250 мм; та

c) номінальну магнітну індукцію понад 8 Т

або "сумарну густину струму" в обмотці

понад 300 А/кв. мм

3.A.1.f. Обертові перетворювачі абсолютного кутового 9031 80 31 10,

положення вала в код, які мають будь-яку з 9031 80 31 90,

наведених нижче характеристик: 8502 40

1) роздільна здатність краще 1/265000 від

повного діапазону (18 біт);

2) точність краще ніж +(-)2,5 кутових

секунд

3.A.2. Електронна апаратура загального

[3A002] призначення, наведена нижче:

3.A.2.a. Записуюча апаратура, наведена нижче, і 8520 32 99 00

спеціально призначена для неї вимірювальна

стрічка:

1) накопичувачі на магнітній плівці для

аналогової апаратури, включаючи

накопичувачі з можливістю запису цифрових

сигналів (тобто, що використовують модуль

цифрового запису високої щільності (HDDR),

які мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) смуга частот понад 4 МГц на

електронний канал або доріжку;

b) смуга частот понад 2 МГц на

електронний канал або доріжку при

кількості доріжок понад 42; або

c) помилка непогодження змінної шкали,

виміряна із застосуванням документів

Асоціації електронної промисловості (EIA)

або IRIG, менше ніж +(-)0,1 мкс;

Примітка. Аналогові магнітофони, спеціально створені для цілей

цивільного відео, не вважаються накопичувачами на плівці.

2) цифрові відеомагнітофони, які мають з 8521 10,

максимальну роздільну здатність цифрового 8521 90 00 00

інтерфейсу понад 360 Мбіт/с;

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не підлягають цифрові

стрічкові відеомагнітофони, спеціально спроектовані для

телевізійного запису з використанням форми сигналу, що може

включати форму стисненого сигналу за стандартами або

рекомендаціями Міжнародного союзу електрозв'язку (ITU),

Міжнародної електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно- та

телевізійних інженерів (SMPTE), Європейського союзу

радіомовлення (EBU), Європейського інституту стандартів

зв'язку (ETSI) або Інституту інженерів - спеціалістів у

галузі електротехніки та електроніки (IEEE), для цивільного

телебачення.

3) накопичувачі на магнітній плівці для з 8521 10

цифрової апаратури, що використовує методи

спірального сканування або фіксованих

магнітних головок, які мають одну з

наведених нижче характеристик:

a) максимальна пропускна здатність

цифрового інтерфейсу понад 175 Мбіт/с;

b) за технічними умовами "придатні для

використання в космосі";

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не підлягають аналогові

накопичувачі на магнітній плівці, оснащені електронікою для

перетворення в цифровий запис високої щільності (HDDR) та

призначені для запису тільки цифрових даних.

4) апаратура з максимальною пропускною 8521 90 00 00

здатністю цифрового інтерфейсу понад

175 Мбіт/с, призначена для перетворення

цифрових відеомагнітофонів у пристрої

запису даних цифрової апаратури;

5) цифрові перетворювачі форми хвилі та з 8543

перехідні реєстратори, які мають усі

наведені нижче характеристики:

a) швидкість цифрового перетворення, що

дорівнює або більше ніж 200 млн. операцій

за секунду при розрядільній здатності

10 біт або більше;

b) безперервну пропускну здатність

2 Гбіт/с і більше

Технічна Для цих приладів з паралельною шиною швидкість безперервної

примітка. пропускної здатності є добуток найбільшого обсягу слів на

кількість біт у слові.

Безперервна пропускна здатність - це найвища швидкість, з

якою прилад може виводити дані в накопичувач без втрати

інформації та водночас підтримувати швидкість вимірювання та

функцію аналого-цифрового перетворення.

6) накопичувачі для цифрової апаратури, що

використовують методи накопичення на

магнітних дисках, які мають усі з наведених

нижче характеристик:

a) швидкість цифрового перетворення, що

дорівнює або більше ніж 100 млн. операцій

за секунду та роздільну здатність 8 біт

або більше;

b) безперервна пропускна здатність

1 Гбіт/с або більше;

3.A.2.b. "Електронні збірки" "синтезаторів частоти", з 8543,

які мають "час перемикання частоти" 8570 10 90 00

з однієї на іншу менше ніж 1 мс

3.A.2.c. "Аналізатори сигналів" радіочастоти, з 8543,

наведені нижче: 8570 10 90 00

1) "аналізатори сигналів", які здатні

аналізувати частоти понад 31,8 ГГц, але не

більше ніж 37,5 ГГц, та мають ширину смуги

частот з роздільною здатністю 3 дБ (RBW),

що перевищує 10 МГц;

2) "аналізатори сигналів" здатні

аналізувати частоти понад 43,5 ГГц;

3) "динамічні аналізатори сигналів" із

"шириною смуги частот у реальному масштабі

часу" понад 500 кГц

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не підлягають

"динамічні аналізатори сигналів", які використовують тільки

фільтри із смугою пропускання фіксованих частот (відомі

також під назвою октавних або фракційних октавних фільтрів).

3.A.2.d. Генератори сигналів синтезаторів частот, 8543 20 00 00

які формують вихідні частоти з керуванням

за параметрами точності, короткочасної та

довгочасної стабільності, на основі або за

допомогою внутрішньої еталонної частоти і

мають одну з наведених нижче характеристик:

1) максимальна синтезована частота понад

31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц та нормована

для генерації імпульсів тривалістю менше

ніж 100 нс;

2) максимальна синтезована частота понад

43,5 ГГц;

3) "час перемикання частоти" з однієї

заданої частоти на іншу менше ніж 1 мс;

4) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB)

краще - (126 + 20 log(10) F - 20 log(10) f)

в одиницях дБ/Гц, де F - відхилення робочої

частоти в Гц, а f - робоча частота в МГц

Технічна "Тривалість імпульсу" для позиції 3.A.2.d.1 визначається як

примітка. проміжок часу між переднім фронтом імпульсу, який досягає

90% максимуму, і заднім фронтом імпульсу, який досягає 10%

максимуму.

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не підлягає обладнання, у

якому вихідна частота створюється шляхом додавання або

віднімання частот двох або більше частот кварцового

генератора чи шляхом додавання або віднімання з наступним

множенням результуючої частоти.

3.A.2.e. Мережеві аналізатори з максимальною робочою з 8543,

частотою понад 43,5 ГГц 8470 10 90 00

3.A.2.f. Приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, 8527 90 98 00

які мають усі наведені нижче

характеристики:

1) максимальну робочу частоту понад 40 ГГц;

2) здатні одночасно вимірювати амплітуду та

фазу

3.A.2.g. Атомні еталони частоти, які мають одну 8543 20 00 00

з наведених нижче характеристик:

1) довготривала стабільність (старіння)

менше (краще) 1 х 10(в ступ.(-11)/місяць;

2) за технічними умовами "придатні для

використання в космосі"

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають рубідієві

еталони, не "придатні для використання в космосі".

3.A.3 Системи терморегулювання з охолодженням

шляхом розбризкуванням, що використовують

обладнання з замкнутим контуром для

маніпулювання рідиною та її регенерації в

герметичній оболонці, в якій діелектрична

рідина розбризкується на електронні

"компоненти" з використанням спеціально

призначених розпилювачів, спректовані таким

чином, щоб підтримувати температуру

електронних "компонентів" у межах їх

робочого температурного діапазону, а також

"спеціально призначені компоненти" для них.

3.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І

ВИРОБНИЦТВА

3.B.1. Обладнання для виробництва

[3B001] напівпровідникових приладів або матеріалів,

наведене нижче, і спеціально створені

"компоненти" та оснащення для них:

3.B.1.a. Обладнання для епітаксійного вирощування,

наведене нижче:

1) обладнання, здатне виробляти будь-що з з 8419 89

наведеного нижче:

a) шар кремнію з відхиленням товщини не

більше ніж 2,5% протягом 200 мм або

більше;

b) шар будь-якого матеріалу, крім

кремнію, з відхиленням товщини не більше

ніж 2,5% протягом 75 мм або більше;

2) обладнання хімічного осадження з з 8419 89

металоорганічної парової фази (MOCVD),

спеціально розроблене для вирощування

кристалів складних напівпровідників за

допомогою хімічних реакцій між матеріалами,

зазначених у позиціях 3.C.3 або 3.C.4;

3) молекулярно-променеве обладнання 8417 80 10 00

епітаксійного вирощування, у якому

застосовані газові або твердотільні джерела

3.B.1.b. Обладнання для іонної імплантації, яке має 8456 10 10 00,

одну з наведених нижче характеристик: 8456 10 90 00

1) енергія пучка (прискорювальна напруга)

понад 1 МеВ;

2) спеціально спроектоване та оптимізоване

для функціонування при енергії пучка

(прискорювальній напрузі) менше ніж 2 кеВ;

3) здатне до безпосереднього запису;

4) призначене для високоенергетичної

імплантації кисню в нагріту "підкладку"

напівпровідникового матеріалу з енергією

пучка 65 кеВ або більше і струмом пучка

45 мА або більше

3.B.1.c. Обладнання, наведене нижче, для сухого з 8456 99,

травлення анізотропною плазмою: 8456 91 00 00

1) з покасетним обробленням пластин та

завантаженням їх через завантажувальні

шлюзи, яке має одну з наведених нижче

характеристик:

a) призначене або оптимізоване для

створення критичних розмірів 180 нм або

менше з точністю +(-)5% (3 сигма);

b) призначене для генерації менше ніж

0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром

частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі;

2) обладнання, спеціально спроектоване для

обладнання, яке підлягає контролю за

позицією 3.B.1.e та має одну з наведених

нижче характеристик:

a) призначене або оптимізоване для

створення критичних розмірів 180 нм або

менше з точністю +(-)5% (3 сигма);

b) призначене для генерації менше ніж

0,04 частки/кв. см з вимірюваним розміром

частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі

3.B.1.d. Обладнання для хімічного осадження з 8456 99,

з парової фази (CVD) та плазмової 8456 91 00 00

стимуляції, наведене нижче:

1) обладнання з покасетним обробленням

пластин і подачею їх через завантажувальні

шлюзи, спроектоване відповідно до технічних

умов виробника або оптимізоване для

використання у виробництві

напівпровідникових приладів з критичними

розмірами 180 нм або менше;

2) обладнання, спеціально спроектоване для

апаратури, яке підлягає контролю згідно з

позицією 3.B.1.e, і спроектоване відповідно

до технічних умов виробника або

оптимізоване для використання у виробництві

напівпровідникових приладів з критичними

розмірами 180 нм або менше

3.B.1.e. Багатокамерні системи з центральним 8456 10 10 00,

автоматичним завантаженням 8456 10 90 00,

напівпровідникових пластин, що мають усі з з 8456 99,

наведені нижче характеристики: 8456 91 00 00

1) інтерфейси для завантаження та

вивантаження пластин, до яких повинні

приєднуватісь більше ніж дві одиниці

обладнання для оброблення напівпровідників;

2) призначений для комплексної системи

послідовного багатопозиційного оброблення

пластин у вакуумі

Примітка. Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають автоматичні

робототехнічні системи завантаження пластин, не призначених

для роботи у вакуумі.

3.B.1.f. Обладнання літографії, наведене нижче: 9009 22 90 00

1) обладнання багаторазового суміщення та

експонування (безпосередньо на "підкладці")

або обладнання із крокового сканування для

оброблення пластин методами фотооптичної

або рентгенівської літографії, яке має

будь-яку з наведених нижче характеристик:

a) наявність джерела освітлення з

довжиною хвилі коротшою ніж 245 нм;

b) спроможність виробляти зразки з

мінімальним визначеним типовим розміром

180 нм або менше;

Технічна Мінімальний визначений типовий розмір можна розрахувати за

примітка. формулою:

(довжина хвилі випромінювання світла в нм) х (К фактор)

MRF = -------------------------------------------------------,

цифрова апертура

де К фактор = 0,45, а MRF - мінімальний визначений типовий розмір.

2) обладнання, спеціально призначене для 8456 10 10 00,

виробництва шаблонів або оброблення 8456 10 90 00

напівпровідникових приладів з використанням

сфокусованого електронного пучка, що

відхиляється, іонного пучка або "лазерного"

пучка, які мають будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a) розмір плями менше ніж 0,2 мкм;

b) здатність виробляти малюнок з

мінімальними дозволеними проектними

нормами менше ніж 1 мкм;

c) точність суміщення краще +(-)0,2 мкм

(3 сигма)

3.B.1.g. Шаблони (маски) або фотошаблони для 9010 90 10 00,

інтегральних схем, що підлягають контролю 9010 90 90 00

згідно з позицією 3.A.1

3.B.1.h. Багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним 9010 90 10 00,

шаром. 9010 90 90 00

Примітка. Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не підлягають

багатошарові маски з фазозсувним шаром, призначені для

виробництва запам'ятовуючих пристроїв, які не контролюються

згідно з позицією 3.A.1.

3.B.2. Обладнання для випробувань, спеціально 9031 80 39 10,

[3B002] призначене для випробувань готових 9031 80 39 90

або напівфабрикатних напівпровідникових

приладів, наведене нижче, і спеціально

створені "компоненти" та аксесуари до

нього:

3.B.2.a. Для вимірювання S-параметрів транзисторних

приладів на частотах понад 31,8 ГГц

3.B.2.b. Виключено

3.B.2.c. Для випробувань мікрохвильових інтегральних

схем, що контролюються згідно з позицією

3.A.1.b.2.

3.C. МАТЕРІАЛИ

3.C.1. Гетероепітаксійні матеріали, які 3818 00 90 00

[3C001] складаються з підкладки та кількох

послідовно нанесених епітаксійних шарів,

які мають будь-яку з наведених нижче

складових:

a) кремній;

b) германій;

c) карбід кремнію;

d) сполуки III/V на основі галію або

індію.

Технічна Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні або

примітка. складні монокристалічні продукти, складені з елементів

IIIA (A3) та VA (B5) груп періодичної системи елементів

Менделєєва (наприклад, арсенід галію, арсенід

галію-алюмінію, фосфід індію тощо).

3.C.2. Матеріали резистів і підкладки, наведені

[3C002] нижче, покриті резистами, що підлягають

контролю:

3.C.2.a. Позитивні резисти, призначені для 8541 40 99 00

напівпровідникової літографії, спеціально

пристосовані для використання при довжині

хвилі менше ніж 350 нм

3.C.2.b. Усі резисти, призначені для використання 8541 40 99 00

при експонуванні електронними та іонними

пучками, з чутливістю 0,01 мкКл/кв. мм або

краще

3.C.2.c. Усі резисти, призначені для використання 8541 40 99 00

при експонуванні рентгенівськими променями,

з чутливістю 2,5 мДж/кв. мм або краще

3.C.2.d. Усі резисти, оптимізовані під технології 8541 40 99 00

формування малюнка, уключаючи силіційовані

резисти

Технічна Методи силіціювання - це процеси, які включають

примітка. оксидування поверхні резисту для підвищення якості мокрого

та сухого проявлення.

3.C.3. Органо-неорганічні сполуки, наведені нижче:

[3C003]

3.C.3.a. Металоорганічні сполуки на основі алюмінію, з 2931 00 95,

галію або індію, які мають чистоту 2931 00 95 00

металевої основи понад 99,999 відсотка

3.C.3.b. Органо-миш'яковисті, органо-сурм'янисті та з 2931 00 95

органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту

основи неорганічного елемента понад

99,999 відсотка

Примітка. Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки ті сполуки,

металеві, частково металеві або неметалеві елементи яких

безпосередньо пов'язані з вуглецем органічної частки

молекули.

3.C.4. Гідриди фосфору, миш'яку або сурми, які 2848 00 00 00,

[3C004] мають чистоту понад 99,999 відсотка навіть 2850 00 10 00

після розведення інертними газами або

воднем

Примітка. Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають гідриди, що

містять 20 відсотків або більше молей інертних газів чи

водню.

3.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

3.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[3D001] створене для "розроблення" або

"виробництва" обладнання, що підлягає

контролю згідно з позиціями 3.A.1.b-3.A.1.g

або 3.B

3.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[3D002] прфзначене для "використання" будь-якого з

наведеного ніжче обладнання:

a) обладнання, що підлягає контролю згідно

з позиціями 3.B.1.a-3.B.1.f; або

b) обладнання, що підлягає контролю згідно

з позицією 3.B.2

3.D.3. "Програмне забезпечення" для заснованого на з 8524

[3D003] фізичних процесах моделювання, спеціально

призначене для "розроблення" процесів

літографії, травлення або осадження з

метою втілення маскувальних шаблонів у

конкретні топологічні малюнки провідників,

діелектриків або напівпровідникових

матеріалів

Технічна Термін "заснований на фізичних процесах" в позиції 3.D.3.

примітка. означає використання розрахунків з метою визначення

послідовності причин ти наслідків фізичного характеру, які

визначаються фізичними властивостями (наприклад,

температурою, тиском, коефіцієнтами дифузії і властивостями

напівпровідникових матеріалів).

Примітка. Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для

проектування напівпровідникових приладів або інтегральних

схем розглядаються як "технологія".

3.D.4. Програмне забезпечення, спеціально

призначене для "розроблення" обладнання, що

підлягає контролю згідно з позицією 3.A.3.

3.E. ТЕХНОЛОГІЯ

3.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,

[3E001] загальних приміток для "розроблення" або 3706, 8524,

"виробництва" обладнання чи матеріалів, що 4901 99 00 00,

підлягають контролю згідно з позиціями 3.A, 4906 00 00 00

3.B або 3.C

Примітка. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає "технологія"

для "виробництва" обладнання або "компонентів", які

контролюються згідно з позицією 3.A.3.

3.E.2. "Технологія" відповідно до пункту 3

[3E002] загальних приміток інша, ніж та, що

контролюється згідно з позицією 3.E.1 для

"розроблення" або "виробництва" "мікросхем

мікропроцесорів", "мікросхем

мікрокомп'ютерів" та мікросхем

мікроконтролерів, що мають "сукупну

теоретичну продуктивність" ("CTP"), яка

дорівнює 530 млн. теоретичних операцій за

секунду (мегатопсів) або більше, а також

арифметично-логічний пристрій з шириною

доступу 32 біта або більше

Примітка. Згідно з позиціями 3.E.1 та 3.E.2 контролю не підлягає

"технологія" для "розроблення" або "виробництва"

інтегральних схем, що підлягають контролю згідно з позиціями

3.A.1.a.3-3.A.1.a.12 і мають усі наведені нижче

характеристики:

1) використовують "технології" 0,5 мкм або вище;

2) не містять багатошарові структури.

Технічна Термін "багатошарові структури" у підпункті 2 примітки не

примітка. включає прилади, які містять максимум два шари металу та два

шари полікремнію.

3.E.3. Інші "технології" для "розроблення" або з 3705,

[3E003] "виробництва": 3706, 8524,

4901 99 00 00,

4906 00 00 00

3.E.3.a. Вакуумних мікроелектронних приладів

3.E.3.b. Напівпровідникових приладів на

гетероструктурах таких, як транзистори з

високою рухливістю електронів (НЕМТ),

біполярні транзистори на гетероструктурі

(НВТ), приладів з квантовими ямами або

приладів на надрешітках

Примітка. Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не підлягає технологія

для транзисторів з високою рухливістю електронів (HEMT), які

працюють на частотах нижче ніж 31,8 ГГц, та біополярних

транзисторів на гетероструктурі (HBT), які працюють на

частотах нижче 31,8 ГГц.

3.E.3.c. "Надпровідних" електронних приладів

3.E.3.d. Підкладок із плівок алмазу для електронних

"компонентів"

3.E.3.e. Підкладок, що мають структуру типу

"кремній-на-діелектрику" (SOI) для

інтегральних схем, у яких ізолятором є

двоокис кремнію

3.E.3.f. Кремній-вуглецевих підкладок для

"компонентів" електронних схем

3.E.3.g. Електронних вакуумних ламп, які працюють на

частоті 31,8 ГГц або вище.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371а-14 ),

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

4. КОМП'ЮТЕРИ

Примітки. 1. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне

забезпечення", що використовуються в мережах зв'язку або

в "локальних мережах", підлягають контролю з урахуванням

критеріїв, зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок).

2. Блоки управління, які безпосередньо з'єднуються між собою

шини або канали центральних процесорів, "оперативну

пам'ять" або контролери накопичувачів на дисках, не

розглядаються як телекомунікаційне обладнання, писане в

частині 1 розділу 5 (Зв'язок).

Особлива Щодо контрольного статусу "програмного забезпечення",

примітка. спеціально призначеного для комутації пакетів, див. позицію

5.D.1 частини 1 розділу 5 (Зв'язок).

3. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне

забезпечення", що виконують функції криптографії,

криптоаналізу, забезпечення сертифікованого або

підлягаючого сертифікації "багаторівневого захисту" або

ізолювання користувача, або такі, що обмежують

електромагнітну сумісність (ЕМС), підлягають контролю з

урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5

(Захист інформації).

4.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ

4.A.1. Електронні комп'ютери і "супутнє з 8471

[4A001] обладнання", наведені нижче, та

"електронні збірки" і спеціально призначені

"компоненти":

4.A.1.a. Спеціально призначені і мають будь-яку з

наведених нижче характеристик:

1) розраховані для функціонування при

температурі навколишнього середовища нижче

228 K (-45 град. C) або понад 358 K

(+85 град. C);

Примітка. Контролю за позицією 4.A.1.a.1 не підлягають комп'ютери,

спеціально призначені для використання в цивільних

автомобілях або залізничних поїздах.

2) стійкі до радіації з параметрами, вищими

ніж будь-який з наведених нижче:

a) загальна доза - 5 х 10(в ступ.5) рад

(Si);

b) доза випромінювання, що викликає

збій, - 5 х 10(в ступ.8) рад (Si)/c;

c) одиничний збій - 1 х 10(в ступ.(-7)

похибка/біт/день

4.A.1.b. Мають характеристики або виконують функції,

*, ** які перевищують межі, зазначені у частині 2

розділу 5 (Захист інформації)

Примітка. Згідно з позицією 4.A.1.b*, ** контролю не підлягають

електронні комп'ютери та пов'язане з ними обладнання,

якщо вони перевозяться у супроводі їх користувача для

використання ним особисто.

4.A.2. Виключено 8471 10 10 00

[4A002]

4.A.3. "Цифрові комп'ютери", "електронні збірки" і

[4A003] "супутнє обладнання" до них, наведене

нижче, та "спеціально призначені

компоненти" для них:

Примітки. 1. Позиція 4.A.3 включає наведене нижче:

a) векторні процесори;

b) матричні процесори;

c) процесори цифрових сигналів;

d) логічні процесори;

e) обладнання для "поліпшення якості зображення";

f) обладнання для "оброблення сигналу".

2. Контрольний статус "цифрових комп'ютерів" та супутнього

обладнання до них, описаних у позиції 4.A.3, визначається

контрольним статусом інших систем або обладнанням, якщо:

a) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до них

мають істотне значення для роботи іншого обладнання або

систем;

b) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до

них, яке не є "основним елементом" інших систем або

обладнання; та

Особливі 1. Статус контролю за обладнанням, спеціально

примітки. призначеним для "оброблення сигналу" або "поліпшення

якості зображення", або для іншого обладнання з

функціями, обмеженими функціональним призначенням іншого

обладнання, визначається статусом контролю іншого

обладнання, навіть якщо воно перевищує критерій

"основного елемента".

2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" або супутнього

обладнання для телекомунікаційних систем визначається з

урахуванням критеріїв, зазначених у частині 1 розділу 5

(Зв'язок).

c) "технологія" для "цифрових комп'ютерів" та

супутнього обладнання, що належить до них, регулюється

позицією 4.E.

4.A.3.a. Призначені або модифіковані для з 8471 30,

забезпечення "відмовостійкості" 8471 41 10 00

Примітка. Стосовно позиції 4.A.3.a, "цифрові комп'ютери" та "супутнє

обладнання" до них не вважаються призначеними або

модифікованими для забезпечення "відмовостійкості", якщо в

них використовується будь-що з наведеного нижче:

1) алгоритми виявлення або виправлення помилок, які

зберігаються в "оперативній пам'яті";

2) взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів" такий, що у

разі відмови активного центрального процесора очікувальний

процесор (який одночасно стежить за діями центрального

процесора) може забезпечити продовження функціонування

системи;

3) взаємозв'язок двох центральних процесорів через канали

передачі даних або з використанням спільної пам'яті

такий, що забезпечує можливість одному з них виконувати

іншу роботу, поки другий не відмовить, тоді перший

центральний процесор бере його роботу на себе, щоб

продовжити функціонування системи;

4) синхронізація двох центральних процесорів, виконана

через "програмне забезпечення" таким чином, що перший

центральний процесор розпізнає, коли відмовляє другий

центральний процесор, і бере на себе виконання його

завдання.

4.A.3.b. "Цифрові комп'ютери", які мають "сукупну з 8471 30,

теоретичну продуктивність" ("CTП") понад 8471 41 10 00

190 000 мегатопсів

4.A.3.c. "Електронні збірки", спеціально призначені з 8471 30

або модифіковані для підвищення

продуктивності "обчислювальних елементів"

шляхом об'єднання "обчислювальних

елементів" таким чином, що "сукупна

теоретична продуктивність" перевищує межу,

зазначену в позиції 4.A.3.b

Примітки. 1. Контролю за позицією 4.A.3.c підлягають лише "електронні

збірки" та запрограмовані взаємозв'язки, які не

перевищують межу, зазначену у позиції 4.A.3.b, у разі

постачання їх у вигляді необ'єднаних "електронних

збірок". Контролю не підлягають "електронні збірки", які

за своєю конструкцією придатні тільки для використання як

"супутнє обладнання", яке підлягає контролю згідно з

позицією 4.A.3.e.

2. Контролю за позицією 4.A.3.c не підлягають "електронні

збірки", спеціально призначені для виробу або цілого ряду

виробів, які у своїй максимальній конфігурації не

перевищують межу, зазначену в позиції 4.A.3.b.

4.A.3.d. Виключено

4.A.3.e. Обладнання, що здійснює аналого-цифрові з 8542

перетворення, які перевищують межі,

зазначені в позиції 3.A.1.a.5

4.A.3.f. Позицію виключено

4.A.3.g. Обладнання, спеціально призначене для 8525 20 91 00,

забезпечення зовнішнього міжсистемного 8525 20 99 00,

зв'язку "цифрових комп'ютерів" або 8543 85 95 00

супутнього обладнання, що дає змогу

здійснити зв'язок із швидкістю передачі

даних понад 1,25 Гбайт/с.

Примітка. Згідно з позицією 4.A.3.g контролю не підлягає обладнання

внутрішнього з'єднання (наприклад, плати, шини тощо),

обладнання пасивного з'єднання, "контролери доступу до

мережі" або "контролери каналів зв'язку".

4.A.4. Комп'ютери, наведені нижче, і спеціально з 8471

[4A004] призначене "супутнє обладнання" до них,

"електронні збірки" та "компоненти" для

них:

4.A.4.a. "Комп'ютери із систолічною матрицею"

4.A.4.b. "Нейронні комп'ютери"

4.A.4.c. "Оптичні комп'ютери"

4.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І

ВИРОБНИЦТВА

Відсутнє

4.C. МАТЕРІАЛИ

Відсутні

4.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

Примітка. Статус контролю за "програмним забезпеченням" для

"розроблення", "виробництва" або "використання" обладнання,

описаного в інших розділах, визначається відповідним

розділом.

Контрольний статус "програмного забезпечення" для

обладнання, описаного в цьому розділі, пов'язаний з

наведеним нижче.

4.D.1.a. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[4D001] призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання або "програмного

забезпечення", зазначеного в позиціях 4.A

або 4.D

4.D.1.b. "Програмне забезпечення", інше ніж те, що

підлягає контролю згідно з позицією 4.D.1.a,

спеціально призначене або модифіковане для

"розроблення" або "виробництва":

1) "цифрових комп'ютерів", які мають

"сукупну теоретичну продуктивність" ("СТП")

понад 75 000 мегатопсів; або

2) "електронних збірок", спеціально

призначених або модифікованих для підвищення

продуктивності шляхом агрегування

"обчислювальних елементів", в результаті

якого "СТП" об'єднаних збірок перевищує

межу, зазначену в позиції 4.D.1.b.1

4.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[4D002] призначене або модифіковане для підтримки

"технології", зазначеної в позиції 4.E

4.D.3. Спеціальне "програмне забезпечення", з 8524

[4D003] наведене нижче:

4.D.3.a. "Програмне забезпечення" операційної

системи, інструментарій для розроблення

"програмного забезпечення", а також

компілятори, спеціально призначені для

обладнання "багатопотокового оброблення

даних" у "початкових кодах"

4.D.3.b. Позицію виключено

4.D.3.c. "Програмне забезпечення", яке має

характеристики або виконує функції, які

перевищують межі, установлені в частині 2

розділу 5 (Захист інформації)

Примітка. Згідно з позицією 4.D.3.c контролю не підлягає "програмне

забезпечення", коли воно супроводжує свого користувача для

персонального використання користувачем.

4.D.3.d. Виключено

4.E. ТЕХНОЛОГІЯ

4.E.1. a) "технологія" відповідно до пункту 3 з 3705, 3706,

[4E001] загальних приміток для "розроблення", з 8524,

"виробництва" або "використання" обладнання 4901 99 00 00,

або "програмного забезпечення", що 4906 00 00 00

підлягають контролю згідно з позиціями 4.A

або 4.D

Примітка. Код технології згідно з УКТЗЕД

( 2371а-14, 2371б-14, 2371в-14, 2371г-14 ) визначається

кодом носія, на якому вона передається.

b) "технологія", інша ніж та, що підлягає

контролю згідно з позицією 4.E.1.a,

спеціально призначена або модифікована для

"розроблення" або "виробництва":

1) "цифрових комп'ютерів", які мають

"СТП" понад 17 000 Мегатопсів; або

2) "електронних збірок", спеціально

призначених або модифікованих для

підвищення продуктивності шляхом

об'єднання "обчислювальних елементів", в

результаті якого "СТП" об'єднаних збірок

перевищує межу, зазначену в позиції

4.D.1.b.1.

Технічна примітка щодо обчислення "сукупної теоретичної

продуктивності"

Скорочення, що вживаються в цій технічній примітці:

"ОЕ" - "обчислювальний елемент" (типовий арифметично-логічний

пристрій);

ПК - плаваюча кома;

ФК - фіксована кома;

t - час виконання операції;

XOR - операція заперечення еквівалентності;

ЦП - центральний процесор;

ТП - теоретична продуктивність (одного "ОЕ");

"СТП" - "сукупна теоретична продуктивність" (усіх "обчислювальних

елементів");

R - ефективна швидкість обчислень;

ДС - довжина слова (кількість бітів);

L - коригування довжини слова (біта);

АЛП - арифметично-логічний пристрій;

х - знак множення.

Час вирішення "t" вимірюється в мікросекундах, ТП і "СТП" - у

мільйонах теоретичних операцій за секунду (мегатопсах), ДС - у бітах.

Основний метод обчислення "СТП"

"СТП" - це вимір обчислювальної продуктивності в мегатопсах. Для

обчислення "СТП" конфігурації "обчислювальних елементів" необхідно:

1) визначити ефективну швидкість обчислень (R) "обчислювальних

елементів";

2) виконати коригування на довжину слова (L) для цієї швидкості (R)

і в результаті отримати теоретичну продуктивність (ТП) для кожного

"ОЕ";

3) об'єднати ТП і одержати сумарну "СТП" для даної конфігурації, що

має понад один "ОЕ".

Докладний опис цих процедур наведено нижче.

Примітки. 1. Для об'єднання в підсистеми "обчислювальних елементів",

що мають загальну пам'ять та пам'ять кожної підсистеми,

обчислення "СТП" проводиться в два етапи: спочатку

"обчислювальні елементи" із загальною пам'яттю

об'єднуються в групи, а потім, використовуючи

запропонований метод, обчислюється "СТП" груп для всіх

"обчислювальних елементів", що не мають загальної

пам'яті.

2. "Обчислювальні елементи", швидкість дії яких обмежена

швидкістю роботи пристрою введення та виведення даних і

периферійних функціональних блоків (наприклад,

дисководу, контролерів системи передачі та дисплея), не

об'єднуються під час обчислення "СТП".

У таблиці демонструється метод обчислення R для кожного "ОЕ":

Етап 1: Ефективна швидкість обчислень

Для "обчислювальних

елементів", що

реалізують: Ефективна швидкість обчислень, R

Примітка. Кожний "ОЕ"

повинен

оцінюватися

самостійно.

Лише ФК 1

---------------------,

3 х t(ФК додавання)

якщо операції додавання немає, то через

множення:

1

---------------------,

t(ФК множення)

(R(ФК)) якщо немає ні операції додавання, ні

операції множення, R(ФК) обчислюється через

найшвидшу арифметичну операцію, якою є:

1

-------------,

3 х t(ФК)

(див. примітки X та Z)

Лише ПК 1 1

max ---------------, --------------

t(ПК додавання) t(ПК множення)

(R(ПК)) (див. примітки X та Y)

ФК та ПК (R) обчислюється як R(ФК), так і R(ПК)

1

------------,

3 х t(log)

Для простих логічних де t(log) - час виконання "операції

процесорів, що не заперечення еквівалентності", а якщо її

виконують зазначені немає, враховується найшвидша проста

арифметичні операції логічна операція.

(див. примітки X та Z)

Для спеціалізованих R = R" х ДС/64,

логічних процесорів, що де R" - кількість результатів за секунду,

не виконують зазначені ДС - число бітів, над якими виконується

арифметичні та логічні логічна операція, а 64 - коефіцієнт, що

операції нормалізує під 64-розрядну операцію

Приміт- Після повного виконання конвеєрного оброблення даних у

ка W. кожному машинному циклі може бути визначена швидкість

оброблення "ОЕ", здатного виконувати одну арифметичну або

логічну операцію. Для таких "обчислювальних елементів" у

разі використання конвеєрного оброблення даних ефективна

швидкість обчислень (R) вища, ніж без її використання.

Приміт- Для "ОЕ", який виконує багаторазові арифметичні

ка X. операції за один цикл (наприклад, два додавання за цикл або

дві ідентичні логічні операції за цикл), час обчислення t

визначається за формулою:

час циклу

t = ----------------------------------------------.

кількість арифметичних операцій у циклі

"Обчислювальні елементи", що виконують різні типи

арифметично-логічних операцій в одному машинному циклі,

повинні розглядатися як множина роздільних "обчислювальних

елементів", що працюють одночасно (наприклад, "ОЕ", що

виконує в одному циклі операції додавання та множення,

повинен розглядатися як два "обчислювальних елементи", один

з яких виконує додавання за один цикл, а другий - множення

за один цикл).

Якщо в одному "ОЕ" реалізуються як скалярні, так і векторні

функції, то використовують значення найкоротшого часу

виконання.

Приміт- Якщо в "ОЕ" не реалізується ні додавання ПК, ні

ка Y. множення ПК, а виконується ділення ПК, то

1

R(ПК) = ---------------.

t(ПК ділення)

Якщо в "ОЕ" реалізується обернена величина "ОЕ", але не

додавання ПК, не множення ПК або не ділення ПК, тоді

1

R(ПК) = ------------------------.

t(ПК оберненої величини)

Якщо немає і ділення, то виконується еквівалентна операція.

Якщо жодна із зазначених команд не використовується, то

R(ПК) = 0.

Приміт- Проста логічна операція - операція, у якій в одній

ка Z. команді виконується одна логічна дія не більше ніж над двома

операндами заданої довжини.

Складна логічна операція - операція, у якій в одній команді

виконуються багаторазові логічні дії над двома або більше

операндами та видається один або кілька результатів.

Швидкість обчислень розраховується для всіх апаратно

підтримуваних довжин операндів, при цьому розглядаються

обидві послідовні операції (якщо підтримуються) та

непослідовні операції, що використовують найкоротші операції

для кожної довжини операнда, з урахуванням:

1) послідовних операцій або операції регістр-регістр.

Виключаються надзвичайно короткі операції, що генеруються

для операції на заздалегідь визначеному операнді або

операндах (наприклад, множення на 0 або 1). Якщо операцій

типу регістр-регістр немає, то слід керуватися пунктом 2;

2) найшвидшої операції регістр-пам'ять або

пам'ять-регістр. Якщо немає і таких, то слід керуватися

пунктом 3;

3) операції пам'ять-пам'ять.

У будь-якому випадку використовуйте найкоротші операції,

зазначені виробником у паспортних даних.

Етап 2: ТП для кожної довжини операнда ДС, що підтримується.

Перерахуйте ефективну швидкість обчислень R (або R") з

урахуванням коригування довжини слова L, як наведено нижче:

ТП = R х L,

де L = (1/3 + ДС/96)

Примітка. Довжина слова (ДС), що використовується в цих розрахунках, -

це довжина операнда в бітах. (Якщо в операції задіяні

операнди різної довжини, то користуйтеся максимальною ДС).

Комбінація мантиси АЛП та експоненти АЛП у процесорі з

плаваючою крапкою або функціональному пристрої вважається

одним "ОЕ" з ДС, що дорівнює кількості бітів у представленні

даних (32 або 64 розряди) під час обчислення "СТП".

Це перелічення не застосовується до спеціалізованих логічних

процесорів, у яких "операція заперечення еквівалентності" не

використовується. У цьому випадку ТП = R.

Вибір максимального результуючого значення ТП для кожного:

"ОЕ", що використовує лише ФК (R(ФК));

"ОЕ", що використовує лише ПК (R(ПК));

"ОЕ", що використовує комбінацію ПК та ФК ОЕ (R);

простого логічного процесора, що не виконує жодної із зазначених

арифметичних операцій, та

спеціального логічного процесора, що не виконує жодної із

зазначених арифметичних або логічних операцій.

Етап 3: Розрахунок "СТП" для конфігурацій "обчислювальних елементів",

включаючи ЦП.

Для ЦП з одним "ОЕ" - "СТП" = ТП (для "обчислювальних елементів",

що виконують операції як з ФК, так і з ПК, ТП = max (ТП(ФК), ТП(ПК)).

Для конфігурацій усіх "обчислювальних елементів", що працюють

одночасно, "СТП" обчислюється так:

Примітки. 1. Для конфігурацій, у яких усі "обчислювальні елементи"

одночасно не працюють, з можливих конфігурацій

"обчислювальних елементів" обирається конфігурація з

найбільшою "СТП". Значення ТП для кожного "ОЕ" можливої

конфігурації, що використовується для підрахунку "СТП",

обирається як максимально можливе теоретичне значення.

Особлива Можливі конфігурації, у яких "обчислювальні елементи"

примітка. працюють одночасно, визначаються за результатами роботи всіх

"обчислювальних елементів", починаючи із найповільнішого

"ОЕ" (він потребує більшої кількості циклів для завершення

операцій) та закінчуючи найшвидшим "ОЕ". Конфігурація

"обчислювальних, елементів", яка встановлюється протягом

обчислювального циклу, є можливою конфігурацією.

Під час визначення результату повинні братися до уваги всі

технічні засоби та (або) схема обмеження цілісності

операцій, що перекриваються.

2. Один кристал інтегральної схеми або одна друкована плата

може вміщувати множину "обчислювальних елементів".

3. Виробник обчислювальної системи в інструкції або брошурі

з експлуатації цієї системи оголошує про наявність

суміщених, паралельних або одночасних операцій або дій.

4. Значення "СТП" не додається для конфігурацій "ОЕ",

взаємно пов'язаних у "локальні мережі", обчислювальні

мережі, об'єднані пристроями та контролерами

введення-виведення та будь-якими іншими взаємопов'язаними

системами передачі, реалізованими програмними засобами.

5. Значення "СТП" повинні додаватися для множин

"обчислювальних елементів", спеціально призначених для

підвищення їх характеристик за рахунок об'єднання

"обчислювальних елементів", їх одночасної роботи із

загальною або колективною пам'яттю, у разі об'єднання

"обчислювальних елементів" в єдину конфігурацію шляхом

використання спеціально призначених технічних засобів.

Це не стосується "електронних збірок", описаних у позиції

4.A.3.c

"СТП" = ТП(1) + C(2) х ТП(2) + ... + C(n) х ТП(n),

де ТП(i) - теоретична продуктивність "обчислювальних

елементів, упорядкована відповідно до їх значень, починаючи

з ТП(1), що має найбільше значення, далі ТП(2) і, нарешті,

ТП(n), що має найменше значення; i = 1, ..., n.

C(i) - коефіцієнт, що визначається силою взаємозв'язків між

"обчислювальними елементами"; i = 2, ..., n.

У разі множини "обчислювальних елементів", що працюють одночасно

та мають загальну пам'ять:

C(2) = C(3) = C(4) = ... = C(n) = 0,75

Примітки. 1. Якщо "СТП" обчислена зазначеним методом і значення її не

перевищує 194 Мегатопсів, то C(i) може бути визначено

так:

0,75

C(i) = ----------, (i = 2, ..., n),

Кк(m)

Кк - корінь квадратний

де m - кількість "обчислювальних елементів" або груп

"обчислювальних елементів" загального доступу.

Умови:

1) ТП(i) кожного "ОЕ" або групи "обчислювальних елементів"

не перевищує 30 Мегатопсів;

2) загальний доступ "обчислювальних елементів" або групи

"обчислювальних елементів" до основної пам'яті (виключаючи

кеш-пам'ять) здійснюється загальним каналом; та

3) лише один "ОЕ" або група "обчислювальних елементів"

може використовувати канал у будь-який заданий час.

Особлива Зазначене вище не стосується товарів, що підлягають контролю

примітка. згідно з розділом 3.

2. Вважається, що "обчислювальні елементи" мають загальну

пам'ять, якщо вони адресуються до загального блоку

твердотільної пам'яті. Ця пам'ять може включати

кеш-пам'ять, оперативну пам'ять або іншу внутрішню

пам'ять. Зовнішня пам'ять типу дисководів,

стрічкопротягувачів або дисків з довільним доступом сюди

не належить.

Для складних "обчислювальних елементів" або груп "обчислювальних

елементів", що не мають загальної пам'яті і пов'язані одним або більше

каналами передачі даних:

C(i) = 0,75 х k(i), якщо i = 2, ..., 32 (див. примітку нижче)

C(i) = 0,60 х k(i), якщо i = 33, ..., 64

C(i) = 0,45 х k(i), якщо i = 65, ..., 256

C(i) = 0,30 х k(i), якщо i більше 256),

де k(i) - min (S(i)/K(r), 1);

K(r) - нормалізуючий фактор, що дорівнює 20 Мбайт/с;

S(i) - сума максимальних швидкостей передавання даних (у Мбайт/с)

для всіх інформаційних каналів, які пов'язують "ітий" "ОЕ" або групу

"обчислювальних елементів", що мають загальну пам'ять.

Рівень C(i) базується на номері "ОЕ", але не на номері вузла.

Якщо обчислюється C(i) для групи "обчислювальних елементів", то

номер першого "ОЕ" в групі визначає власну межу для C(i). Наприклад, у

конфігурації груп, що складаються з трьох "обчислювальних елементів",

кожна 22-га група буде містити "ОЕ"(64), "ОЕ"(65), "ОЕ"(66). Власна

межа для C(i) для цих груп дорівнює 0,60.

Конфігурація "обчислювальних елементів" або груп "обчислювальних

елементів" може бути визначена від найшвидшого до найповільнішого,

тобто:

ТП(1) >(=) ТП(2) >(=) ..... >(=) ТП(n) та коли ТП(i) = ТП(i+1),

то від найбільшого до найменшого, тобто:

C(i) >(=) C(i+1)

Примітка. k(i)-фактор не стосується "обчислювальних елементів" від 2

до 12, якщо ТП(i), СЕ або групи "обчислювальних елементів"

понад 50 Мегатопсів, тобто C(i) для "обчислювальних

елементів" від 2 до 12 дорівнює 0,75.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 1. ЗВ'ЯЗОК

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371а-14 ),

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

5. ЗВ'ЯЗОК

Примітки. 1. У цьому розділі визначається контрольний статус

"компонентів", "лазерів", випробувального та

"виробничого" обладнання, "програмного забезпечення",

спеціально призначених для використання в системах та

обладнанні зв'язку.

2. "Цифрові комп'ютери", "супутнє обладнання" до нього або

"програмне забезпечення", яке є суттєвим для використання

і підтримки засобів зв'язку, зазначених у цьому розділі,

розглядаються як "спеціально призначені компоненти" за

умови, що вони є стандартними моделями, які звичайно

постачаються виробником. Це включає розроблення,

адміністрування, технічне обслуговування, проектування

або рекламу комп'ютерних засобів або систем.

3. Контрольний статус обладнання та "компонентів",

зазначених в цій частині, що містять у своєму складі

засоби, які спеціально призначені або безпосередньо

можуть бути використані для виконання функцій "захисту

інформації", визначається з урахуванням критеріїв,

зазначених у частині 2 цього розділу (Захист інформації).

5.A.1. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

5.A.1.a. Обладнання зв'язку будь-якого типу, що має з 8517

[5A001] будь-яку з наведених нижче характеристик, з 8525

властивостей або функцій: з 8527

з 8543

1) спеціально призначене для захисту від

тимчасового електронного ефекту або

електромагнітного імпульсу, що виникають

під час ядерного вибуху;

2) спеціально розроблене з підвищеною

стійкістю до гама-, нейтронного або

іонного випромінювання;

3) спеціально призначені для функціонування

за межами інтервалу температур від 218 K

(-55 град. C) до 397 K (124 град. C)

Примітки. 1. Згідно з позицією 5.A.1.a.3 підлягає контролю лише

електронне обладнання.

2. Згідно з позиціями 5.A.1.a.2 та 5.A.1.a.3 контролю не

підлягає обладнання, призначене або модифіковане для

використання на супутниках зв'язку.

5.A.1.b. Передавальні системи та обладнання зв'язку з 8517

і "спеціально призначені компоненти" та з 8525

"супутнє обладнання", що мають будь-яку з з 8527

наведених нижче характеристик, функцій або з 8543

особливостей:

1) системи підводного зв'язку, які мають

будь-яку з наведених нижче характеристик:

a) акустична несуча частота перебуває за 8518 50 90 00

межами діапазону від 20 кГц до 60 кГц;

b) з використанням електромагнітної 8525 20 91 00,

несучої частоти менше ніж 30 кГц; 8525 20 99 00

c) з використанням пристроїв керування 8525 20 91 00,

електронним випромінюванням; 8525 20 99 00

2) радіоапаратура, яка функціонує в 8525 20 91 00,

діапазоні частот від 1,5 МГц до 87,5 МГц і 8525 20 99 00,

має будь-яку з наведених нижче з 8543 89,

характеристик: 8470 10 90 00

a) наявність адаптивних пристроїв, що

забезпечують приглушення сигналу перешкод

більше ніж на 15 дБ;

b) має все, наведене нижче:

1) автоматичне прогнозування та вибір

значення частоти, а також "загальної

швидкості цифрової передачі" на канал

для її оптимізації;

2) наявність лінійного підсилювача 8525 10 90 00,

потужності, здатного одночасно 8525 20 91 00,

підтримувати множину сигналів з 8525 20 99 00

вихідною потужністю 1 кВт або більше в

частотному діапазоні від 1,5 МГц до

30 МГц або 250 Вт або більше в

частотному діапазоні від 30 МГц до

87,5 МГц, при "пропусканні миттєвої

ширин смуги частот" одна октава або

більше і з вмістом гармонік та

спотворювань на виході краще ніж

-80 дБ;

5.A.1.b. 3) радіоапаратура, яка використовує методи

"розширення спектра" (шумоподібні сигнали)

або методи "стрибкоподібного

переналагодження частоти" (стрибкоподібної

перебудови частоти) і має будь-що з

наведеного нижче:

a) наявність кодів розширення, що мають 8525 20 91 00,

можливість програмування користувачем; 8525 20 99 00

b) загальна ширина смуги частот передачі, 8525 20 91 00,

яка в 100 і більше разів перевищує смугу 8525 20 99 00

частот одного інформаційного каналу і

становить понад 50 кГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.b.3.b контролю не підлягає

радіообладнання, спеціально призначене для цивільних

стільникових систем радіозв'язку.

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.b.3 контролю не підлягає обладнання,

призначене для експлуатації при вихідній потужності 1 Вт або

менше.

5.A.1.b. 4) радіообладнання, в якому

використовується метод "надширокосмугової

часової модуляції" з кодами ущільнення

каналів або скремблірування, що мають

можливість програмування користувачем;

5) радіоприймачі з цифровим керуванням, які з 8527

мають усі наведені нижче характеристики:

a) кількість каналів понад 1000;

b) мають "час перемикання частоти" менше

ніж 1 мс;

c) здійснюють автоматичний пошук або

сканують частину електромагнітного

спектра;

d) ідентифікують прийнятий сигнал або тип

передавача; або

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.b.4 контролю не підлягає

радіообладнання, спеціально призначене для використання

разом із цивільними стільниковими системами радіозв'язку.

6) виконують функції цифрового "оброблення 8525 20 91 00,

сигналів", які забезпечують цифрове 8525 20 99 00,

кодування мови із швидкістю менше ніж з 8543 89

2400 біт/с

Технічна Для кодування мови із змінною швидкістю позиція 5.A.1.b.6

примітка. застосовується до виведення даних кодування мови, що

відповідають зв'язній мові.

5.A.1.c. Волоконно-оптичні кабелі зв'язку, оптичні 8544 70 00 10,

волокна і "спеціально призначені 8544 70 00 90,

компоненти" для них та допоміжне 9001 10 10 00,

обладнання, наведене нижче: 9001 10 90 00,

9001 90 90 00

1) оптичні волокна завдовжки понад 500 м,

що мають міцність на розрив

2 х 10(в ступ.9) Н/кв. м або більше, яка

гарантована виробником;

Технічна Контрольні випробування: перевірка на стадіях

примітка. виготовлення або після виготовлення полягає у прикладанні

заданої напруги до волокна завдовжки від 0,5 до 3 м на

швидкості ходу від 2 до 5 м/с під час проходження волокон

між провідними валами приблизно 150 мм у діаметрі. При цьому

зовнішня навколишня температура становить 293 K

(20 град. C), відносна вологість - 40 відсотків.

Для виконання контрольних випробувань можуть застосовуватися

еквівалентні національні стандарти.

2) волоконно-оптичні кабелі та допоміжне

обладнання, призначені для використання під

водою

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.c.2 контролю не підлягають

стандартні телекомунікаційні кабелі та аксесуари для

громадського зв'язку.

Особливі 1. Для підводних складених кабелів, а також з'єднувачів до

примітки. них див. позицію 8.A.2.a.3.

2. Для волоконно-оптичних корпусних роз'ємів і з'єднувачів

див. позицію 8.A.2.c.

5.A.1.d. "Фазовані антенні гратки з електронним з 8529 10

керуванням діаграми направленості", які

працюють у діапазоні частот понад 31,8 ГГц

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.d контролю не підлягають "фазовані

антенні ґратки з електронним керуванням діаграми

направленості" для систем посадки, оснащених обладнанням та

приладами, що відповідають вимогам стандартів Міжнародної

організації цивільної авіації (ICAO) для мікрохвильових

систем посадки (MLS).

5.A.1.e. Радіопеленгаторне обладнання, яке працює на 8527 90 98 00

частотах понад 30 МГц, має усі з наведених з 8529 90

нижче характеристик і "спеціально 8470 10 90 00

призначені компоненти" для нього: 8543 40 00 00

з 8543 89

1) "пропускання миттєвої ширини смуги

частот", що дорівнює 1 МГц або більше;

2) паралельне оброблення понад

100 частотних каналів;

3) швидкість оброблення понад

1000 результатів пеленгації за секунду на

частотний канал

5.B.1. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І

ВИРОБНИЦТВА

5.B.1.a. Обладнання і "спеціально призначені з 8543 89

[5B001] компоненти" або аксесуари до нього, з 9026 80

спеціально призначені для "розроблення", з 9030 39

"виробництва" або "використання" з 9030 89

обладнання, функцій або ознак, що з 9031 80

підлягають контролю згідно з цією частиною

Примітка. Згідно з позицією 5.B.1.a контролю не підлягає обладнання

для визначення параметрів оптичних волокон, у якому не

використовуються напівпровідникові "лазери".

5.B.1.b. Обладнання і "спеціально призначені

компоненти" та аксесуари для нього,

спеціально призначені для "розроблення"

будь-якого з наведеного нижче обладнання

телекомунікаційної передачі або

комутаційного обладнання:

1) обладнання, яке використовує цифрову

техніку, призначене для роботи із

"загальною швидкістю цифрової передачі"

понад 15 Гбіт/с;

Технічна Для комутаційного обладнання "загальна швидкість цифрової

примітка. передачі" вимірюється на порту або лінії, що мають найвищу

швидкість передачі.

2) обладнання, яке використовує "лазер" і

має будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a) довжину хвилі передачі понад 1750 нм;

b) здійснює "оптичне підсилення";

c) використовує когерентну оптичну

передачу або когерентну оптичну

детекторну техніку (так звані оптичні

гетеродини або гомодинну техніку);

d) використовує аналогову техніку і має

смугу пропускання понад 2,5 ГГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.B.1.b.2.d контролю не підлягає

обладнання, спеціально призначене для "розроблення" систем

комерційного телебачення.

3) обладнання, у якому використовується

"оптична комутація";

4) радіообладнання, яке застосовує техніку

квадратурно-амплітудної модуляції (QAM) з

рівнем вище 256;

5) обладнання з використанням "передачі

сигналів через спільний канал", які

працюють в непов'язаному режимі.

5.C.1. МАТЕРІАЛИ

Відсутні

5.D.1. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

5.D.1.a. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[5D001] призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання, функцій або

ознак, зазначених у цій частині

5.D.1.b. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

розроблене або модифіковане для підтримки

"технологій", зазначених у позиції 5.E.1

5.D.1.c. Спеціальне "програмне забезпечення", з 8524

наведене нижче:

1) "програмне забезпечення", спеціально

призначене або модифіковане для

забезпечення характеристик, функцій або

ознак обладнання, яке підлягає контролю

згідно з позиціями 5.A.1 або 5.B.1;

2) підпозицію виключено;

3) "програмне забезпечення" інше, ніж в

машинних кодах, спеціально призначене для

"динамічної адаптивної маршрутизації"

5.D.1.d. "Програмне забезпечення", спеціально

призначене або модифіковане для

"розроблення" будь-якого з наведеного нижче

обладнання телекомунікаційної передачі або

комутаційного обладнання:

1) обладнання, яке використовує цифрову

техніку, призначене для роботи із

"загальною швидкістю цифрової передачі"

понад 15 Гбіт/с;

Технічна Для комутаційного обладнання "загальна швидкість цифрової

примітка. передачі" вимірюється на порту або лінії, що мають найвищу

швидкість передачі.

2) обладнання, яке використовує "лазер" і

має будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a) довжину хвилі передачі понад 1750 нм;

або

b) використовує аналогову техніку і має

смугу пропускання понад 2,5 ГГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.D.1.d.2.b не контролюється "програмне

забезпечення", спеціально призначене або модифіковане для

"розроблення" систем комерційного телебачення.

3) обладнання, у якому використовується

"оптична комутація";

4) радіообладнання, яке застосовує техніку

квадратурно-амплітудної модуляції (QAM) з

рівнем вище 256

5.E.1. ТЕХНОЛОГІЯ

5.E.1.a. "Технологія" відповідно до загальних з 3705,

[5E001] приміток для "розроблення", "виробництва" з 3706,

або "використання" (за винятком з 8524,

експлуатації) обладнання, функцій, ознак 4901 99 00 00,

або "програмного забезпечення", зазначеного 4906 00 00 00

у цій частині

5.E.1.b. Спеціальні "технології", наведені нижче: з 3705,

з 3706,

1) "технологія", "необхідна" для з 8524,

"розроблення" або "виробництва" обладнання 4901 99 00 00

зв'язку, спеціально призначеного для

використання на борту супутників;

2) "технологія" для "розроблення" або 4906 00 00 00

"використання" комплектів апаратури

"лазерного" зв'язку з можливістю

автоматичного захвату і супроводження

сигналу та підтримки зв'язку через

екзосферу або заглиблене (водне)

середовище;

3) "технологія" "розроблення" цифрових

стільникових систем радіозв'язку;

4) "технологія" для "розроблення"

апаратури, яка використовує методи

"розширення спектра", уключаючи методи

"стрибкоподібного переналагодження частоти"

5.E.1.c. "Технологія", відповідно до загальних

приміток, для "розроблення" або

"виробництва" будь-якого з наведеного нижче

обладнання телекомунікаційної передачі або

комутаційного обладнання:

1) обладнання, яке використовує цифрову

техніку, із "загальною швидкістю цифрової

передачі" понад 15 Гбіт/с;

Технічна Для комутаційного обладнання "загальна швидкість цифрової

примітка. передачі" вимірюється на порту або лінії, що мають найвищу

швидкість передачі.

2) обладнання, яке використовує "лазер" і

має одну з наведених нижче характеристик:

a) довжину хвилі передачі понад 1750 нм;

b) здійснює "оптичне підсилення" з

використанням фторолегованих

волоконно-оптичних підсилювачів (PDFFA);

c) використовує когерентну оптичну

передачу або когерентну оптичну

детекторну техніку (так звані оптичні

геретодини або гомодинну техніку);

d) використовує техніку мультиплексного

розподілу спектрального діапазону

(довжини хвилі) не менше ніж на

8 оптичних несучих частот в одному

оптичному вікні;

e) використовує аналогову техніку і має

смугу пропускання понад 2,5 ГГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.E.1.c.2.e не контролюється "технологія"

для "розроблення" або "виробництва" систем комерційного

телебачення.

3) обладнання, у якому використовується

"оптична комутація";

4) радіообладнання, яке має такі

характеристики:

a) застосовує техніку

квадратурно-амплітудної модуляції (QAM) з

рівнем вище 256; або

b) працює з вхідними або вихідними

частотами понад 31,8 ГГц; або

Примітка. Згідно з позицією 5.E.1.c.4.b не контролюється "технологія"

для "розроблення" або "виробництва" обладнання, призначеного

або модифікованого для роботи в будь-якому діапазоні частот,

"виділеному ITU" для надання послуг радіозв'язку, але не для

радіовизначення.

5) обладнання з використанням "передачі

сигналів через спільний канал", які

працюють в непов'язаному режимі.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 2. ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371а-14 ),

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

5. ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ

Примітки. 1. Статус контролю за обладнанням, "програмним

забезпеченням", системами, "електронними збірками"

спеціального призначення, модулями, інтегральними

схемами, складовими частинами чи функціями "захисту

інформації" визначається у цій частині, навіть у разі,

коли вони є "компонентами" або "електронними збірками"

іншого обладнання.

2. Не підлягають контролю вироби, зазначені у позиціях цієї

частини, коли вони перевозяться у супроводі їх

користувача для використання ним особисто.

3. Криптографічна примітка

Згідно з позиціями 5.A.2 і 5.D.2 не підлягають контролю

вироби, які відповідають усім таким умовам:

a) загальнодоступність для громадськості шляхом продажу

без обмежень у пунктах роздрібної торгівлі, призначених

для будь-чого з наведеного нижче:

1) торговельних операцій у роздріб;

2) торговельних операцій за поштовими замовленнями;

3) електронних торговельних операцій; або

4) торговельних операцій за замовленнями по телефону;

b) користувачі самостійно не можуть легко змінити

криптографічну функціональність;

c) розроблені для інсталяції користувачем без подальшої

значної допомоги з боку постачальника;

d) виключено;

e) у разі необхідності детальна інформація щодо

зазначених виробів буде доступною і за вимогою її може

бути надано до відповідного повноважного органу в країні

експортера з метою перевірки на відповідність умовам,

зазначеним у пунктах a - c.

4. Рішення щодо відповідності товарів умовам криптографічної

примітки 3, приміток до позицій 5.A.2 і 5.D.2 приймається

Держекспортконтролем на підставі висновку Департаменту

спеціальних телекомунікаційних систем та захисту

інформації СБУ.

Технічна В цій частині при визначенні довжини ключа контрольні

примітка. біти не враховуються.

5.A.2.*, СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

**

5.A.2.a. Системи, обладнання, "електронні збірки" з 8471,

[5A002] спеціального призначення, модулі та з 8542,

інтегральні схеми для "захисту інформації", 8543 89 95 00,

наведені нижче, та інші спеціально з 8543 90

розроблені "компоненти" для цього:

Особлива Статус контролю за приймальним обладнанням глобальних

примітка. навігаційних супутникових систем, що містять або

використовують пристрої дешифрування, а саме, глобальною

системою місцевизначення (GPS) або глобальною навігаційною

супутниковою системою (GLONASS), визначається з урахуванням

критеріїв, зазначених у позиції 7.A.5.

1) розроблені або модифіковані для

використання "криптографії" із

застосуванням цифрової техніки, що

виконують будь-які криптографічні функції,

відмінні від автентифікації або цифрового

підпису і мають одне з наведеного нижче:

Технічні 1. До функцій автентифікації та цифрового підпису

примітки. належить також функція управління відповідним ключем.

2. Автентифікація включає в себе всі аспекти контролю

доступу, де немає шифрування файлів або тексту, за

винятком шифрування, що безпосередньо пов'язане із

захистом паролів, персональних ідентифікаційних номерів

(PINs) або подібних даних для запобігання

несанкціонованому доступу.

3. До "криптографії" не належить "фіксована" компресія даних

або методи кодування.

Примітка. Позиція 5.A.2.a.1 включає обладнання, розроблене або

модифіковане для використання "криптографії" із

застосуванням аналогових принципів, реалізованих на цифровій

техніці.

a) "симетричний алгоритм" з довжиною

ключа більше ніж 56 біт; або

b) "асиметричний алгоритм", в якому

алгоритм захисту базується на будь-чому

з наведеного нижче:

1) факторизації (розкладанні на

множники) цілих чисел розрядністю

більше ніж 512 біт (наприклад, RSA);

2) обчисленні дискретних логарифмів в

мультиплікативній групі кінцевого поля

розрядністю більше ніж 512 біт

(наприклад, Diffie-Hellman по Z/pZ);

або

3) дискретному логарифмі, який

належить до групи, не зазначеної у

позиції 5.A.2.a.1.b.2, з розрядністю

групи більше ніж 112 біт (наприклад,

Diffie-Hellman по еліптичній кривій);

2) розроблені або модифіковані для

виконання криптоаналітичних функцій;

3) виключено;

4) спеціально розроблені або модифіковані з

метою зменшення небажаного витоку

інформаційних сигналів, крім того, що

необхідно для безпеки здоров'я, довкілля

або для приведення у відповідність з

вимогами стандартів на електромагнітні

перешкоди;

5) розроблені або модифіковані з метою

використання "криптографічних" методів

генерації розширювального коду для систем

"розширення спектра", у тому числі

псевдовипадковий код для систем

"псевдовипадкової перебудови частоти";

6) розроблені або модифіковані для

використання методу криптографії, в якому

здійснюється генерація кодів ущільненя

каналів або скремблірування для систем

"надширокосмугової часової модуляції";

7) підпозицію виключено; з 8544

8) кабельні системи зв'язку, спроектовані

або модифіковані з використанням

механічних, електричних або електронних

засобів для виявлення таємного проникнення.

Примітка. Згідно з позицією 5.A.2 контролю не підлягають:

a) "персоніфіковані інтелектуальні картки", у яких

криптографічні можливості обмежені для використання в

обладнанні або системах, за винятком таких, які

контролюються відповідно до пунктів від b до f цієї

примітки. У разі коли "персоніфіковані інтелектуальні

картки" багатофункціональні, статус контролю за кожною

функцією визначається окремо;

b) приймальне обладнання для радіомовлення, комерційного

телебачення або подібних видів мовлення для обмеженої

аудиторії споживачів без цифрового шифрування, крім

випадків, коли воно використовується виключно для обміну

інформацією з відповідними провайдерами мовлення стосовно

рахунків або програм;

c) обладнання, у якому криптографічні можливості не доступні

користувачеві і яке було спеціально розроблене та обмежене

можливістю здійснювати одне з наведеного нижче:

1) виконувати програмне забезпечення із захистом від

копіювання;

2) доступ до будь-чого з:

a) захищеного від копіювання змісту, що зберігається на

доступному тільки для читання носії інформації; або

b) інформації, що зберігається в зашифрованій формі на

носії (наприклад, пов'язана з захистом прав

інтелектуальної власності), коли такий носій

пропонується для вільного продажу покупцям в ідентичних

комплектах; або

3) одноразове копіювання аудіо/відеоінформації, захищеної

авторським правом;

d) криптографічне обладнання, спеціально розроблене та

обмежене можливістю використання для розрахункових

банківських або грошових операцій;

Технічна До "грошових операцій", зазначених у пункті d цієї

примітка. примітки, належать збори та виплати платежів або операції з

кредитними картками.

e) портативні або мобільні радіотелефони для цивільного

використання (наприклад, для використання у комерційних

цивільних стільникових системах радіозв'язку), які не можуть

здійснювати абонентське (наскрізне) шифрування;

f) обладнання бездротового телефонного зв'язку, яке не може

здійснювати абонентське (наскрізне) шифрування і має згідно

з інструкцією виробника максимальний радіус дії без

додаткового посилення (тобто однопролітний, без

ретрансляції, сигнальний імпульс, що надсилається між

терміналом і домашнім базовим блоком) менше ніж 400 м.

5.B.2.*, ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І

** ВИРОБНИЦТВА

5.B.2.a. Обладнання, спеціально розроблене для: з 8471,

[5B002] 8543

1) "розроблення" обладнання або функцій, що

підлягають контролю відповідно до цієї

частини, включаючи обладнання для

вимірювання або випробування;

2) "виробництва" обладнання або функцій, що

підлягають контролю відповідно до цієї

частини, включаючи обладнання для

вимірювання, випробування, ремонту або

виробництва

5.B.2.b. Вимірювальне обладнання, спеціально з 8471

розроблене для оцінки або підтвердження з 8543

функцій "захисту інформації", що підлягають

контролю згідно з позиціями 5.A.2 або 5.D.2

5.C.2. МАТЕРІАЛИ

Відсутні

5.D.2.*, ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

**

5.D.2.a. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[5D002] розроблене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" чи

"використання" обладнання або "програмного

забезпечення", що підлягають контролю

згідно з цією частиною

5.D.2.b. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

розроблене або модифіковане для підтримки

"технологій", що підлягають контролю згідно

з позицією 5.E.2

5.D.2.c. Спеціальне "програмне забезпечення", з 8524

наведене нижче:

1) "програмне забезпечення", яке має

характеристики або може виконувати чи

відтворювати функції обладнання, що

підлягає контролю відповідно до позицій

5.A.2 або 5.B.2;

2) "програмне забезпечення" для

сертифікації "програмного забезпечення",

що підлягає контролю згідно з позицією

5.D.2.c.1

Примітка. Згідно з позицією 5.D.2 контролю не підлягає:

a) "програмне забезпечення", що необхідне для "використання"

в обладнанні, яке не підлягає контролю згідно з приміткою до

позиції 5.A.2;

b) "програмне забезпечення", що виконує будь-які функції

обладнання, яке не підлягає контролю згідно з приміткою до

позиції 5.A.2.

5.E.2.*, ТЕХНОЛОГІЯ

**

5.E.2.a. "Технологія" відповідно до пункту 3

[5E002] загальних приміток для "розроблення",

"виробництва" або "використання" обладнання

чи "програмного забезпечення", яке підлягає

контролю згідно з цією частиною.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 3. СПЕЦІАЛЬНІ ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

5.A.3.*, ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ ТА ПРИСТРОЇ ДЛЯ ЗНЯТТЯ

*** ІНФОРМАЦІЇ З КАНАЛІВ ЗВ'ЯЗКУ ТА ІНШІ

ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ НЕГЛАСНОГО ОДЕРЖАННЯ

ІНФОРМАЦІЇ

5.A.3.a. Оптико-електронна техніка:

1) мініатюрні фотокамери, замасковані під з 9006

різні предмети;

2) об'єктиви, обладнані винесеною вхідною з 9002

зіницею типу "Pinhole";

3) мініатюрні теле-, відеокамери: з 8521, 8525

a) обладнані об'єктивом з винесеною

вхідною зіницею типу "Pinhole";

b) замасковані під різні предмети;

c) з чутливістю 0,01 лк і вище;

4) прилади нічного бачення з можливістю з 9005

реєстрації зображення;

5) технічні жорсткі та гнучкі ендоскопи з з 9013

каналом освітлення і діаметром, меншим ніж

10 мм

5.A.3.b. Переносні лазерні системи для вимірювання з 9013

малих переміщень та вібрації твердих

поверхонь

5.A.3.c. Мікрофони направленої дії, у тому числі ті, з 8518

що замасковані під різні предмети

5.A.3.d. Малогабаритні технічні засоби або пристрої:

1) радіомікрофони, замасковані під різні з 8525

предмети;

2) засоби зняття інформації з мереж та з 8518, 8520,

систем телекомунікацій, обладнані 8525, 8527,

спеціальними пристроями фіксації, 8543

збереження чи передачі отриманої

інформації, у тому числі з пристроями

дистанційного керування;

3) вібродатчики з пристроями підсилення та з 9031

передачі інформації по радіоканалу

5.A.3.e. Спеціальні засоби відмикання замикаючих

пристроїв для негласного проникнення у

приміщення, сховища, транспортні засоби

тощо:

1) механічні; 8301 70 00 00

2) електронні, у тому числі типу "Linklock" з 8471

5.A.3.f. Переносні рентгенівські системи з 9022

5.A.3.g. Оповіщувачі охоронної сигналізації, з 8531

оснащені вбудованою телекамерою та/або

мікрофоном

5.B.3.*, ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І

*** ВИРОБНИЦТВА

5.B.3.a. Обладнання, спеціально призначене для: з 8471,

[5B002] 8543

1) "розроблення" обладнання або функцій, що

підлягають контролю відповідно до цієї

частини, включаючи вимірювальне або

випробувальне обладнання;

2) "виробництва" обладнання або функцій, що

підлягають контролю відповідно до цієї

частини, включаючи вимірювальне,

випробувальне, ремонтне або виробниче

обладнання

5.B.3.b. Вимірювальне обладнання, спеціально з 8471

призначене для оцінки або підтвердження з 8543

функцій, що підлягають контролю згідно з

позицією 5.A.3

5.C.3. МАТЕРІАЛИ

Відсутні

5.D.3.*, ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

***

5.D.3.a. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання чи "програмного

забезпечення", що підлягають контролю

згідно з цією частиною

5.D.3.b. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

призначене або модифіковане для підтримки

"технологій", що підлягають контролю згідно

з позицією 5.E.3

5.D.3.c. Спеціальне "програмне забезпечення", яке з 8524

має характеристики або може виконувати чи

відтворювати функції обладнання, що

підлягає контролю відповідно до позиції

5.A.3

5.E.3.*, ТЕХНОЛОГІЯ

***

5.E.3.a. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,

загальних приміток для "розроблення", з 8524,

"виробництва" або "використання" обладнання 4901 99 00 00,

чи "програмного забезпечення", яке підлягає 4906 00 00 00

контролю згідно з цією частиною

----------------------------------------------------------------------

Розділ 6. ОПТИКА І "ЛАЗЕРИ"

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТЗЕД

| | ( 2371б-14 ),

| | ( 2371в-14 ),

| | ( 2371г-14 )

----------------------------------------------------------------------

6. ОПТИКА І "ЛАЗЕРИ"

6.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

6.A.1. АКУСТИКА

[6A001]

6.A.1.a. Морські акустичні системи, обладнання,

наведені нижче, і "спеціально призначені

компоненти" для них:

1) активні (що передають або передають та

приймають) системи, обладнання і

"спеціально призначені компоненти для

цього, наведені нижче:

Примітка. Згідно з позицією 6.A.1.a.1 контролю не підлягають:

a) гідролокатори глибини вертикальної дії без функції

сканування променя понад +(-)20 град., які мають обмежене

використання для вимірювання глибини, відстані до занурених

або заглиблених об'єктів або косяків риби;

b) акустичні буї, наведені нижче:

1) аварійні акустичні буї;

2) імпульсні акустичні буї з дистанційним керуванням,

спеціально призначені для переміщення або повернення їх у

підводне положення.

a) широкооглядові системи вимірювання 9015 80 91 00,

глибини, призначені для картографування 9015 90 00 00

морського дна, які мають усі наведені

нижче характеристики:

1) призначені для вимірювання при кутах

відхилення променя від вертикалі понад

20 град.;

2) призначені для вимірювання глибин

понад 600 м від поверхні води;

3) призначені для забезпечення

будь-якої з наведених нижче

характеристик:

a) об'єднання кількох променів,

вужчих ніж 1,9 град.;

b) точності вимірів глибини поперек

смуги огляду, одержаної шляхом

усереднення окремих вимірів в межах

смуги огляду, кращої ніж

0,3 відсотка;

b) системи виявлення або визначення 9015 80 91 00,

місцезнаходження об'єкта, які мають 9015 90 00 00

будь-яку з наведених нижче характеристик:

1) частоту передачі нижче ніж 10 кГц;

2) рівень звукового тиску понад 224 дБ

(1 мкПа на 1 м) для обладнання з

робочою частотою у діапазоні від 10 кГц

до 24 кГц включно;

3) рівень звукового тиску понад 235 дБ

(1 мкПа на 1 м) для обладнання з

робочою частотою у діапазоні між 24 кГц

та 30 кГц;

4) формування променів, вужчих ніж

1 град. на будь-якій осі та з робочою

частотою, нижчою ніж 100 кГц;

5) призначені для функціонування на

відстані однозначного виявлення цілі

понад 5120 м;

6) призначені витримувати тиск під час

нормального функціонування на глибинах

понад 1000 м та мають датчики з

будь-якою з наведених нижче

характеристик:

a) динамічна компенсація тиску;

b) мають інший перетворювальний

елемент, відмінний від

цирконату-титанату свинцю;

c) акустичні випромінювачі, включаючи 9015 80 91 00,

перетворювачі, що мають п'єзоелектричні, 9015 90 00 00

магнітострикційні, електрострикційні,

електродинамічні або гідравлічні

елементи, які функціонують окремо або в

конструктивно заданій сукупності і мають

одну з наведених нижче характеристик:

Примітки. 1. Контрольний статус акустичних випромінювачів, включаючи

перетворювачі, спеціально призначені для іншого обладнання,

визначається контрольним статусом іншого обладнання.

2. Згідно з позицією 6.A.1.a.1.c контролю не підлягають

електронні джерела, які здійснюють тільки вертикальне

зондування, або механічні (наприклад, пневмогармата або

пароударна гармата), або хімічні (наприклад, вибухові)

джерела.

1) густота миттєвої випромінюваної

акустичної потужності понад

0,01 мВт/кв. мм/Гц для приладів, які

працюють на частотах нижче 10 кГц;

2) щільність безперервної

випромінюваної акустичної потужності

понад 0,001 мВт/кв. мм/Гц для приладів,

які працюють на частотах нижче 10 кГц;

Технічна Щільність акустичної потужності визначається діленням

примітка. вихідної акустичної потужності на добуток площі

випромінювальної поверхні та робочої частоти.

3) здатність заглушення бокових

пелюсток понад 22 дБ;

d) акустичні системи, обладнання і 9015 80 11 00,

"спеціально призначені компоненти" для 9015 90 00 00

визначення положення надводних суден і

підводних апаратів, призначені для

функціонування на дистанції понад 1000 м

з точністю позиціонування менше ніж 10 м

(середньоквадратичне відхилення) під час

вимірювання на відстані 1000 м;

Примітка. Позиція 6.A.1.a.1.d включає:

a) обладнання, яке використовує когерентне "оброблення

сигналів" між двома або більше буями і гідрофонним блоком,

що транспортується надводним судном або підводним апаратом;

b) обладнання, здатне здійснювати автоматичну корекцію

помилок швидкості поширення звуку для обчислення

місцезнаходження.

2) пасивні (приймають у штатному режимі

незалежно від зв'язку з активною

апаратурою) акустичні системи, апаратура і

"спеціально призначені компоненти" для них,

наведені нижче:

a) гідрофони, які мають будь-яку 9015 80 93 00

з наведених нижче характеристик: 9015 90 00 00

Примітка. Контрольний статус гідрофонів, спеціально призначених для

іншого обладнання, визначається контрольним статусом

зазначеного іншого обладнання.

1) містять безперервні гнучкі датчики

(чутливі елементи):

2) містять збірки дискретних датчиків з

діаметром або завдовжки менше ніж 20 мм

та відстанню між елементами менше ніж

20 мм;

3) мають будь-який з наведених нижче

чутливих елементів:

a) оптоволоконні;

b) п'єзоелектричні полімерні плівки

інші, ніж полівініліденфторид (PVFD)

та його співполімери {P(VDF-TrFE) та

P(VDF-TFE)}; або

c) гнучкі п'єзоелектричні композиційні

матеріали;

4) чутливість гідрофону, краще ніж

-180 дБ на будь-якій глибині без

компенсації прискорення;

5) призначені для роботи на глибинах

понад 35 м, та мають компенсацію

прискорення;

6) призначені для роботи на глибинах

понад 1000 м;

Технічні 1. Датчики з "п'єзоелектричної полімерної плівки"

примітки. складаються з поляризованої полімерної плівки, яка натягнута

на опорну раму або оправку та прикріплена до неї.

2. Датчики з "гнучких п'єзоелектричних композитних

матеріалів" складаються з частинок або волокон

п'єзоелектричної кераміки, об'єднаних з електроізолюючим та

акустично прозорим каучуковим, полімерним або епоксидним

компаундом, при цьому компаунд є невід'ємною частиною

датчиків.

3. Чутливість гідрофону визначається як двадцятикратний