- Правова система ipLex360
- Законодавство
- Постанова
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 17 жовтня 2007 р. N 1240
Київ
Про внесення змін у додаток 1
до Порядку здійснення державного контролю
за міжнародними передачами товарів
подвійного використання
Кабінет Міністрів України п о с т а н о в л я є:
Внести у додаток 1 до Порядку здійснення державного контролю
за міжнародними передачами товарів подвійного використання,
затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 28 січня
2004 р. N 86
( 86-2004-п ) (Офіційний вісник України, 2004 р.,
N 4, ст. 167; 2006 р., N 10, ст. 611, N 22, ст. 1609, N 50,
ст. 3324), зміни, виклавши його у редакції, що додається.
Прем'єр-міністр України В.ЯНУКОВИЧ
Інд. 21
Додаток 1
(у редакції постанови Кабінету Міністрів України
від 17 жовтня 2007 р. N 1240)
СПИСОК
товарів подвійного використання,
що можуть бути використані
у створенні звичайних видів озброєнь,
військової чи спеціальної техніки
------------------------------------------------------------------
| Номер позиції | Найменування та опис товарів | Код товару |
| | за відповідними групами | згідно з |
| | | УКТЗЕД |
| | | ( 2371а-14, |
| | | 2371б-14, |
| | | 2371в-14, |
| | | 2371г-14 ) |
|----------------------------------------------------------------|
| Розділ 1. ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ |
|----------------------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з цим Списком контролю підлягають|
| |міжнародні передачі товарів подвійного|
| |використання, як вони визначені у статті 1|
| |Закону України "Про державний контроль за|
| |міжнародними передачами товарів військового|
| |призначення та подвійного використання"|
| |2. Міжнародні передачі "послуг та робіт",|
| |пов'язаних з "розробленням", "виробництвом",|
| |"використанням", складанням, випробуванням,|
| |модифікацією та модернізацією виробів,|
| |обладнання, матеріалів, програмного|
| |забезпечення і технологій, підлягають|
| |експортному контролю у тому самому обсязі, що|
| |і міжнародні передачі виробів, обладнання,|
| |матеріалів, програмного забезпечення і|
| |технологій, зазначених у цьому Списку.|
| |"Послуги та роботи", що підлягають контролю,|
| |визначені в розділах 2 - 9. |
| |3. Коди товарів згідно з УКТЗЕД ( 2371а-14, |
| | 2371б-14, 2371в-14, 2371г-14 ), наводяться у|
| |цьому Списку довідково. Основною ознакою для|
| |прийняття рішення є відповідність заявленого|
| |до митного оформлення товару найменуванню та|
| |опису відповідного товару, наведеному в цьому|
| |Списку. |
| |4. У позиції 1.A.1 та далі за текстом у графі|
| |"номер позиції" (у квадратних дужках)|
| |наводяться коди товарів згідно із системою їх|
| |класифікації державами - учасницями|
| |Європейського Союзу. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Терміни, що використовуються у цьому Списку у|
| |лапках, мають значення, що наведені у пункті|
| |1 розділу "Загальні примітки", розміщеного|
| |наприкінці Списку. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |5. "Технологія", що підлягає контролю,|
| |визначена в кожному розділі. |
| |Експорт "технології", "необхідної" для|
| |"розроблення", "виробництва" або|
| |"використання" виробів, зазначених у цьому|
| |Списку, контролюється відповідно до умов,|
| |згаданих у кожному розділі. Ця "технологія"|
| |підлягає контролю навіть тоді, коли вона|
| |використовується для розроблення будь-якого|
| |виробу, не внесеного до цього Списку. |
| |Контроль не застосовується до такої|
| |"технології", яка є мінімально необхідною для|
| |установлення, експлуатації, технічного|
| |обслуговування (перевірки) та ремонту|
| |виробів, що не підлягають контролю або|
| |експорт яких було дозволено. |
| |---------------------------------------------|
| |Особлива Це не стосується "технології", яка|
| |примітка. підлягає контролю згідно з|
| | позиціями I.E.2.e, 1.E.2.f, 8.E.2.a|
| | і 8.E.2.b. |
| |---------------------------------------------|
| |Контроль не застосовується до "технологій",|
| |що є "загальнодоступними", "фундаментальних|
| |наукових досліджень" або мінімальної|
| |інформації, необхідної для подання заявки на|
| |патент. |
| |---------------------------------------------|
| |6. За цим Списком контролю не підлягає|
| |"програмне забезпечення", загальнодоступне|
| |громадськості шляхом: |
| |a) продажу без обмежень у пунктах роздрібної|
| |торгівлі, призначене для: |
| |1) торговельних операцій у роздріб; |
| |2) торговельних операцій за поштовими|
| |замовленнями; або |
| |3) торговельних операцій за замовленнями по|
| |телефону; та |
| |b) розроблене для інсталяції користувачем без|
| |подальшої допомоги з боку постачальника або є|
| |"загальнодоступним". |
| |---------------------------------------------|
| |Особлива Це не стосується "програмного|
| |примітка. забезпечення", яке підлягає|
| | контролю відповідно до частини|
| | другої розділу 5. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1. |ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.1. |Компоненти, наведені нижче,| |
|[1A001] |вироблені із сполук, що| |
| |містять фтор: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.1.a. |Ущільнення, прокладки,|3923 30 90 00 |
| |ущільнювальні матеріали або|3925 10 00 00 |
| |еластичні паливні баки,|3926 90 10 00 |
| |спеціально призначені для|3926 90 99 90 |
| |"літальних апаратів" чи для| |
| |використання в аерокосмічній| |
| |техніці та виготовлені більше| |
| |ніж на 50 вагових відсотків з| |
| |матеріалу, зазначеного в| |
| |позиціях 1.C.9.b або 1.C.9.c | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.1.b. |П'єзоелектричні полімери та|3920 99 51 00 |
| |сополімери, вироблені із|3921 90 60 00 |
| |матеріалів на основі|3921 90 90 00 |
| |вініліденфториду, зазначених у| |
| |позиції 1.C.9.a: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) у вигляді плівки або листа;| |
| |та | |
| |2) завтовшки понад 200 мкм | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.1.c. |Ущільнення, прокладки, гнізда|3919 90 90 00 |
| |клапанів, еластичні паливні|3923 30 90 00 |
| |баки або діафрагми,|3925 10 00 00 |
| |виготовлені із|3926 90 10 00 |
| |фтороластомірів, які містять|3926 90 99 90 |
| |щонайменше одну вінілефірну| |
| |групу як складову ланку і| |
| |спеціально призначені для| |
| |"літальних апаратів" чи для| |
| |використання в аерокосмічній| |
| |або ракетній техніці | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.2. |"Композиційні матеріали" або| |
|[1A002] |ламінати (шаруваті матеріали),| |
| |які містять будь-що з| |
| |наведеного нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.2.a. |Органічну "матрицю" і|з 3921 |
| |вироблені з матеріалів, що|3926 90 10 00 |
| |підлягають контролю згідно з|3926 90 99 90 |
| |позиціями 1.C.10.c, 1.C.10.d| |
| |чи 1.C.10.e або | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.2.a контролю не|
| |підлягають закінчені вироби або|
| |напівфабрикати, спеціально призначені тільки|
| |для наведеного нижче цивільного використання:|
| |a) у спортивних товарах; |
| |b) в автомобільній промисловості; |
| |c) у верстатобудівній промисловості; |
| |d) у медичних цілях. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.A.2.b. |Металеву або вуглецеву| |
| |"матрицю" і виготовлені з: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) вуглецевих волокнистих або|з 3801 |
| |ниткоподібних матеріалів з: |з 6815 |
| |------------------------------+--------------|
| |a) питомим модулем пружності|з 6815 |
| | 6 | |
| |понад 10,15 x 10 м; та | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) питомою межею міцності при|з 6815 |
| | 4 | |
| |розтягу понад 17,7 x 10 м;| |
| |або | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) матеріалів, що підлягають|8101 92 00 00 |
| |контролю за позицією 1.C.10.c |8108 90 30 00 |
| | |8108 90 70 00 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.2.b контролю не|
| |підлягають закінчені вироби або|
| |напівфабрикати, спеціально призначені тільки|
| |для наведеного нижче цивільного використання:|
| |a) у спортивних товарах; |
| |b) в автомобільній промисловості; |
| |c) у верстатобудівній промисловості; |
| |d) у медичних цілях. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічні примітки.|1. Питомий модуль пружності - модуль Юнга,|
| |виражений у Па або в Н/кв.м, поділений на|
| |питому вагу в Н/куб.м, виміряний при|
| |температурі (296 +- 2) К [(23 +- 2) град. C]|
| |та відносній вологості (50 +- 5) відсотків. |
| |2. Питома межа міцності при розтягу -|
| |найбільша межа міцності до розриву, виражена|
| |в Па або в Н/кв.м, поділена на питому вагу в|
| |Н/куб.м, виміряна при температурі (296 +- 2)|
| |К [(23 +- 2) град. C] та відносній вологості|
| |(50 +- 5) відсотків. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.2 контролю не|
| |підлягають композиційні структури або|
| |шаруваті матеріали, виготовлені з епоксидної|
| |смоли, імпрегнованої "волокнистими чи|
| |ниткоподібними матеріалами" для ремонту|
| |авіаційних конструкцій, або шаруваті|
| |матеріали, якщо їх розмір не перевищує|
| |1 кв.м. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.A.3. |Вироби з нефторованих|з 3919 |
|[1A003] |полімерних речовин, що|з 3920 |
| |підлягають контролю згідно з|з 3921 |
| |позицією 1.C.8.a.3, які мають| |
| |форму плівки, листа, стрічки| |
| |або смужки: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.3.a. |Завтовшки понад 0,254 мм; або | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.3.b. |Покриті чи ламіновані|з 3921 |
| |вуглецем, графітом, металами| |
| |або магнітними речовинами | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.3 контролю не|
| |підлягають вироби, покриті або ламіновані|
| |міддю і призначені для виробництва|
| |електронних друкованих плат. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.A.4. |Обладнання для захисту і| |
|[1A004] |виявлення та їх частини,| |
| |наведені нижче, спеціально не| |
| |призначені для військового| |
| |використання: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.4.a. |Газові маски, коробки|9020 00 90 00 |
| |протигазів з фільтрами та|9033 00 00 00 |
| |обладнання для знезараження та| |
| |їх частини, призначені або| |
| |модифіковані для захисту від| |
| |біологічних факторів чи| |
| |радіоактивних матеріалів,| |
| |"пристосованих для військового| |
| |використання", або від бойових| |
| |хімічних речовин, а також| |
| |спеціально призначені для них| |
| |"компоненти" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.4.b. |Захисні костюми, рукавиці та|6210 20 00 00 |
| |взуття, спеціально призначені|6210 30 00 00 |
| |або модифіковані для захисту|з 6405 90 |
| |від біологічних факторів чи| |
| |радіоактивних матеріалів,| |
| |"пристосованих для військового| |
| |використання", або від бойових| |
| |хімічних речовин | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.4.c. |Ядерні, біологічні та хімічні|з 9027 |
| |системи виявлення та їх|9030 10 90 00 |
| |частини, спеціально призначені|9033 00 00 00 |
| |або модифіковані для виявлення|9027 10 10 00 |
| |або ідентифікації біологічних|9027 10 90 00 |
| |факторів чи радіоактивних|9027 90 80 00 |
| |матеріалів, "пристосованих для| |
| |військового використання", або| |
| |бойових хімічних речовин | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.4 контролю не|
| |підлягають: |
| |a) персональні радіаційні моніторингові|
| |дозиметри; |
| |b) обладнання, яке за конструкцією або|
| |функціями призначене тільки для захисту від|
| |токсичних речовин, специфічних для цивільної|
| |промисловості, зокрема для гірничої справи,|
| |робіт в кар'єрах, сільськогосподарської,|
| |фармацевтичної, медичної, ветеринарної|
| |діяльності, харчової промисловості, а також|
| |для робіт, пов'язаних із захистом|
| |навколишнього природного середовища та|
| |переробкою відходів; |
| |c) дихальні апарати, призначені для|
| |використання при пожежах, для роботи в трюмах|
| |на суднах, відповідно до пункту 10 правила 10|
| |частини C глави II-2, пункту 4.3 правила 13|
| |частини C глави II-2, пункту 3.4 правила 13|
| |частини C глави II-2 Міжнародної конвенції з|
| |охорони людського життя на морі 1974 року|
| |(International Convention for the Safety of|
| |the Life at Sea, 1974 as amended) та Кодексу|
| |по системам протипожежної безпеки 2004 року|
| |(Fire Safety System Code, 2004). |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.A.5. |Бронежилети і спеціально|6204 29 90 00 |
|[1A005] |призначені для них| |
| |"компоненти", виготовлені не| |
| |за військовими стандартами або| |
| |специфікаціями і не рівноцінні| |
| |їм у виконанні | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Щодо контролю за "волокнистими або|
| |ниткоподібними матеріалами", що|
| |використовуються у виготовленні засобів|
| |захисту тіла (бронежилетів), див. позицію|
| |1.C.10. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не|
| |підлягають бронежилети або захисний одяг,|
| |якщо вони знаходяться у своїх користувачів з|
| |метою їх власного захисту. |
| |2. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не|
| |підлягають бронежилети, призначені тільки для|
| |забезпечення фронтального захисту як від|
| |уламків, так і від вибуху невійськових|
| |вибухових пристроїв. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.A.6.*,**,*** |Спеціальні засоби та вироби,| |
| |які за своїми властивостями| |
| |можуть бути використані у| |
| |терористичних цілях: | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт (тимчасове|
|ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Мінпромполітики. |
|*** Товар, за міжнародними передачами якого здійснюється|
|національний контроль. |
|----------------------------------------------------------------|
|1.A.6.a. |Електричні та неелектричні|3603 00 1000 |
| |засоби ініціювання промислових|3603 00 9000 |
| |вибухових речовин, промислові|9306 90 9000 |
| |підривні заряди та пристрої (у| |
| |тому числі перфоратори,| |
| |спеціально призначені для| |
| |каротажу нафтових та інших| |
| |свердловин), детонуючі та| |
| |вогнепровідні шнури і| |
| |комплектуючі до них | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.A.6.b. |Піротехнічні вироби у зборі |3604 90 0000 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.6.b контролю не|
| |підлягають: |
| |a) піротехнічні вироби (візуальні сигнальні|
| |засоби), які в обов'язковому порядку повинні|
| |бути на морському судні відповідно до пункту|
| |3 правила 6 розділу I глави III, правила 18|
| |розділу I частини B глави III Конвенції з|
| |охорони людського життя на морі 1974 року|
| |(International Convention for the Safety of|
| |the Life at Sea, 1974 as amended), глави III,|
| |пункту 4.4.8 глави IV, пункту 7.1 глави VII|
| |Міжнародного кодексу по рятувальним засобам|
| |1996 року (International Life-saving|
| |Appliance Code 1996) та частини D Міжнародної|
| |Конвенції про Міжнародні правила запобігання|
| |із змінами і доповненнями (Convention on the|
| |International Regulations for Preventing|
| |Collisions at Sea, 1972 (COLREGs) as|
| |amended); |
| |b) піротехнічні вироби побутового призначення|
| |(I, II, III класів небезпеки згідно з ДСТУ|
| |4105-2002, загальнодоступні для |
| |громадськості шляхом продажу без обмежень у|
| |пунктах роздрібної торгівлі (код товару|
|------------------+---------------------------------------------|
|1.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.1. |Обладнання для виробництва| |
|[1B001] |волокон, препрегів, преформ чи| |
| |"композиційних" матеріалів або| |
| |виробів, що підлягають| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |1.A.2 або 1.C.10, і спеціально| |
| |призначені "компоненти" до| |
| |нього та допоміжні пристрої| |
| |наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.1.a. |Машини для намотування|8446 30 00 00 |
| |волокон, у яких переміщення,|з 8448 |
| |пов'язані з позиціюванням,| |
| |обволіканням і намотуванням| |
| |волокон, координуються та| |
| |програмуються за трьома або| |
| |більше осями, спеціально| |
| |призначені для виробництва| |
| |"композиційних матеріалів" або| |
| |ламінатів з "волокнистих або| |
| |ниткоподібних матеріалів" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.1.b. |Машини для укладання стрічки|8446 30 00 00 |
| |або троса, в яких переміщення,|з 8448 |
| |пов'язані з позиціюванням і| |
| |укладанням стрічки, тросів або| |
| |листів, координуються та| |
| |програмуються за двома або| |
| |більше осями, спеціально| |
| |призначені для виробництва| |
| |елементів корпусів бойових| |
| |ракет або каркаса літаків з| |
| |"композиційних матеріалів" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.1.c. |Ткацькі машини або машини для|8446 21 00 00 |
| |плетіння, що діють у різних|з 8448 |
| |вимірах і напрямках, включаючи| |
| |адаптери та пристрої для зміни| |
| |функцій машин, призначених для| |
| |ткацтва або переплетення| |
| |волокон з метою виготовлення| |
| |"композиційних матеріалів" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Зазначена в позиції 1.B.1.c техніка плетіння|
| |включає в'язання. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.B.1.c контролю не|
| |підлягають текстильні машини, не модифіковані|
| |для зазначеного кінцевого використання. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.B.1.d. |Обладнання, наведене нижче,| |
| |спеціально призначене або| |
| |пристосоване для виробництва| |
| |зміцнених волокон: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) обладнання для перетворення|з 8456, 8466, |
| |полімерних волокон (таких, як|8515 80 91 00 |
| |поліакрилонітрил, віскоза, пек|8515 80 99 00 |
| |або полікарбоксилан) у|8515 90 00 00 |
| |вуглецеві або карбідокремнієві| |
| |волокна, включаючи спеціальне| |
| |обладнання для розтягу волокон| |
| |у процесі нагрівання; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) обладнання для осадження|8417 80 20 00 |
| |парів хімічних елементів або|з 8417 90 00 |
| |складних речовин на нагріту|8417 80 80 00 |
| |ниткоподібну підкладку з метою| |
| |виробництва карбідокремнієвих| |
| |волокон; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) обладнання для виробництва|8445 90 00 00 |
| |термостійкої кераміки методом| |
| |вологого намотування (такої,| |
| |як оксид алюмінію); | |
| |------------------------------+--------------|
| |4) обладнання для перетворення|з 8451 80, |
| |шляхом термооброблення волокон|8451 90 00 00 |
| |алюмініємістких прекурсорів у| |
| |волокна, які містять глинозем| |
| |(оксид алюмінію) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.1.e. |Обладнання для виробництва|з 8451, |
| |препрегів методом гарячого|з 8477 59 |
| |плавлення, які підлягають| |
| |контролю згідно з позицією| |
| |1.C.10.e | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.1.f. |Обладнання для неруйнівного|9022 12 00 00 |
| |контролю, здатне виявляти|9022 13 00 00 |
| |дефекти в трьох вимірах із|9022 14 00 00 |
| |застосуванням методів|9022 19 00 00 |
| |ультразвукової або|9022 29 00 00 |
| |рентгенівської томографії,|9022 90 90 00 |
| |спеціально створене для|9031 80 39 10 |
| |"композиційних матеріалів" |9031 80 99 00 |
| | |9031 90 90 90 |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.2. |Обладнання для виробництва| |
|[1B002] |металевих сплавів,| |
| |порошкоподібних металевих| |
| |сплавів або матеріалів на| |
| |основі сплавів, спеціально| |
| |призначене для уникнення| |
| |забруднення та для| |
| |використання в одному з| |
| |процесів, включених до позиції| |
| |1.C.2.c.2 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.3. |Робочі інструменти, прес-форми|8207 30 10 10 |
|[1B003] |форми або пристрої для|8207 30 10 90 |
| |"надпластичного формування" чи| |
| |"дифузійного зварювання"| |
| |титану або алюмінію чи їх| |
| |сплавів, спеціально призначені| |
| |для виробництва: | |
| |a) каркасів літаків або| |
| |аерокосмічних конструкцій; | |
| |b) двигунів "літальних| |
| |апаратів" чи аерокосмічних| |
| |апаратів; або | |
| |c) "компонентів", спеціально| |
| |призначених для таких| |
| |конструкцій або двигунів | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.B.4.*** |Обладнання, спеціально|з 7309, 00, |
| |призначене для виробництва|7310, 8419, |
| |товарів, що підлягають|8462, 8464, |
| |контролю за позицією 1.A.6, а|8465, 8474, |
| |також промислових вибухових|8477 |
| |речовин та їх компонентів,| |
| |зазначених у позиції 1.C.13.a | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|*** Товар, за міжнародними передачами якого здійснюється|
|національний контроль. |
|----------------------------------------------------------------|
|Примітка. |Компоненти промислової вибухової речовини -|
| |хімічні сполуки, їх суміші, які входять до|
| |складу рецептури промислової вибухової|
| |речовини, а також хімічні сполуки, їх суміші,|
| |з яких утворюється промислова вибухова|
| |речовина на останньому етапі виготовлення|
| |(синтезу), в тому числі безпосередньо перед|
| |її використанням. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Метали і сплави. |
| |Метали і сплави включають наведені нижче|
| |необроблені та напівфабрикатні форми: |
| |Необроблені форми: |
| |Аноди, кулі, стрічки (включаючи рублені та|
| |дротяні смуги), металеві заготовки, блоки,|
| |сталеві болванки, брикети, бруски, катоди,|
| |кристали, куби, стакани, зерна, гранули,|
| |зливки, брили, котуни, чушки, порошок,|
| |кільця, дріб, сляби, шматки металу|
| |неправильної форми, губки, прутки. |
| |Напівфабрикатні форми (незалежно від того,|
| |облицьовані, анодовані, просвердлені або|
| |перфоровані вони, чи ні): |
| |a) ковані форми або оброблені матеріали,|
| |виготовлені шляхом прокату, волочіння,|
| |гарячого штампування, кування, імпульсного|
| |штампування, пресування, дроблення,|
| |розпилення та розмелювання, а саме: кутики,|
| |швелери, кільця, диски, пил, пластівці,|
| |фольга та лист, поковки, плити, порошок,|
| |вироби, оброблені пресуванням або|
| |штампуванням, стрічки, фланці, прути|
| |(включаючи зварні брускові прутки, дротяні|
| |прути та прокатаний дріт), профілі, форми,|
| |листи, смужки, труби і трубки (включаючи|
| |трубні кільця, трубні прямокутники та|
| |пустотілі трубки), витягнений або|
| |екструдований дріт; |
| |b) ливарний матеріал, виготовлений шляхом|
| |лиття в піщано-глинисті форми, кокіль,|
| |металеві, пластикові або інші види прес-форм,|
| |включаючи лиття під високим тиском,|
| |оболонкові форми та форми, виготовлені|
| |методом порошкової металургії. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Мета контролю не повинна порушуватися під час|
| |експорту форм як закінчених виробів, не|
| |зазначених у цьому Списку, але які фактично є|
| |необробленими або напівфабрикатними формами,|
| |що підлягають контролю. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.1. |Матеріали, наведені нижче,| |
|[1C001] |спеціально призначені для| |
| |поглинання електромагнітних| |
| |хвиль, або полімери з власною| |
| |електропровідністю: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.1.a. |Матеріали для поглинання хвиль|з 3910 00 00 |
| | 8 |з 3920 |
| |на частотах понад 2 x 10 Гц,|з 3921 |
| | 12 | |
| |але менше ніж 3 x 10 Гц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 1.C.1.a контролю не|
| |підлягають: |
| |a) абсорбери волосяного типу, виготовлені з|
| |натуральних або синтетичних волокон, з|
| |немагнітним наповненням для абсорбції; |
| |b) абсорбери, що не мають магнітних втрат,|
| |робоча поверхня яких не є плоскою, включаючи|
| |піраміди, конуси, клини та спіралеподібні|
| |поверхні; |
| |c) плоскі абсорбери, які мають усі наведені|
| |нижче характеристики: |
| |1) виготовлені з будь-якого наведеного нижче|
| |матеріалу: |
| |a) пінопластичних матеріалів (гнучких або|
| |негнучких) з вуглецевим наповненням або|
| |органічних матеріалів, включаючи в'язкі|
| |домішки, які забезпечують понад 5 відсотків|
| |відбиття порівняно з металом уздовж ширини|
| |смуги, що перевищує +- 15 відсотків середньої|
| |частоти падаючої енергії, та не здатні|
| |протистояти температурі понад 450 К|
| |(177 град. C); |
| |b) керамічних матеріалів, які забезпечують|
| |понад 20 відсотків відбиття порівняно з|
| |металом уздовж ширини смуги, що перевищує|
| |+- 15 відсотків середньої частоти падаючої|
| |енергії, та не здатні протистояти температурі|
| |понад 800 К (527 град. C). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Зразки для проведення випробувань на|
| |поглинання згідно з приміткою 1.c.1 до|
| |позиції 1.C.1.a повинні мати форму квадрата|
| |із стороною не менше ніж п'ять довжин хвиль|
| |середньої частоти і розміщуватися в дальній|
| |зоні випромінювального елемента. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) з міцністю при розтягу менше ніж|
| | 6 |
| |7 x 10 Н/кв.м; та |
| |3) з міцністю на стиснення менше ніж|
| | 6 |
| |14 x 10 Н/кв.м |
| |d) плоскі абсорбери, вироблені із спеченого|
| |фериту, що мають: |
| |1) питому вагу понад 4,4; та |
| |2) максимальну робочу температуру 548 К|
| |(275 град. C). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 2. |Примітка 1 не звільняє з-під контролю|
| |магнітні матеріали, що забезпечують|
| |поглинання хвиль, коли вони містяться у|
| |фарбах. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.1.b. |Матеріали для поглинання хвиль|з 3920 |
| |на частотах понад| |
| | 14 |з 3921 |
| |1,5 x 10 Гц, але менше ніж|з 3910 00 00 |
| | 14 | |
| |3,7 x 10 Гц і непрозорі для| |
| |видимого світла | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.1.c. |Електропровідні полімерні| |
| |матеріали з об'ємною| |
| |електропровідністю понад 10000| |
| |сіменс/м або поверхневим| |
| |питомим опором менше ніж 100| |
| |Ом/кв.м, вироблені на основі| |
| |одного з наведених нижче| |
| |полімерів: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) поліанілін; |3909 30 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |2) поліпірол; |3911 90 91 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |3) політіофен; |3911 90 93 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |4) поліфенілен-вінілен; або |3911 90 99 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |5) політіенілен-вінілен |3919 90 90 90 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Об'ємна електропровідність та поверхневий|
| |питомий опір визначаються відповідно до|
| |стандартної методики ASTM D-257 або її|
| |національного еквівалента. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.2. |Металеві сплави, порошки| |
|[1C002] |металевих сплавів та сплавлені| |
| |матеріали, наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.2 контролю не|
| |підлягають металеві сплави, порошки металевих|
| |сплавів або сплавлені матеріали, призначені|
| |для ґрунтувальних покриттів. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|1. Металеві сплави, зазначені у позиції|
| |1.C.2, мають назву тих металів, ваговий|
| |відсоток яких більший, ніж інших елементів,|
| |що входять до складу сплаву. |
| |2. Строк експлуатації до руйнування (межу|
| |тривалої міцності) потрібно визначати|
| |відповідно до стандартної методики ASTM E-139|
| |або її національного еквівалента. |
| |3. Показник циклової втоми необхідно|
| |визначати відповідно до стандартної методики|
| |ASTM E-606 "Рекомендація з тестування на|
| |циклову втому при постійній амплітуді" або її|
| |національного еквівалента. Тестування|
| |потрібно проводити за напрямком осі при|
| |середньому значенні показника напруги, що|
| |дорівнює одиниці, та коефіцієнті концентрації|
| |напруги (Kt), що дорівнює одиниці. Середня|
| |напруга дорівнює різниці максимальної та|
| |мінімальної напруги, поділеній на максимальну|
| |напругу. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.2.a. |Алюмініди, наведені нижче: |7502 20 00 00 |
| |1) нікелеві алюмініди, що| |
| |містять мінімально 15 вагових| |
| |відсотків, максимально 38| |
| |вагових відсотків алюмінію та| |
| |принаймні один додатковий| |
| |легуючий елемент; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) титанові алюмініди, що|8108 10 10 90 |
| |містять 10 або більше вагових| |
| |відсотків алюмінію та| |
| |принаймні один додатковий| |
| |легуючий елемент | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.2.b. |Металеві сплави, наведені| |
| |нижче, вироблені з матеріалів,| |
| |які підлягають контролю згідно| |
| |з позицією 1.C.2.c: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) нікелеві сплави із: |7502 20 00 00 |
| |a) строком експлуатації до| |
| |руйнування 10000 годин або| |
| |більше з навантаженням 676 МПа| |
| |при температурі 923 К (650| |
| |град. C); або | |
| |b) низьким показником циклової| |
| |втоми 10000 циклів випробувань| |
| |або більше з навантаженням| |
| |1095 МПа при температурі 823 К| |
| |(550 град. C); | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) ніобієві сплави із: |8112 91 31 00 |
| |a) строком експлуатації до|8112 99 30 00 |
| |руйнування 10000 годин або| |
| |більше з навантаженням 400 МПа| |
| |при температурі 1073 К (800| |
| |град. C); або | |
| |b) низьким показником циклової| |
| |втоми 10000 циклів випробувань| |
| |або більше з навантаженням 700| |
| |МПа при температурі 973 К| |
| |(700 град. C); | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) титанові сплави із: |8108 10 10 90 |
| |a) строком експлуатації до| |
| |руйнування 10000 годин або| |
| |більше з навантаженням 200 МПа| |
| |при температурі 723 К (450| |
| |град. C); або | |
| |b) низьким показником циклової| |
| |втоми 10000 циклів випробувань| |
| |або більше з навантаженням 400| |
| |МПа при температурі 723 К| |
| |(450 град. C); | |
| |------------------------------+--------------|
| |4) алюмінієві сплави з межею|з 7601 20 |
| |міцності при розтягу: |7604 29 10 00 |
| |a) 240 МПа або більше при|7608 20 91 00 |
| |температурі 473 К (200 град.|7608 20 99 00 |
| |C); чи | |
| |b) 415 МПа або більше при| |
| |температурі 298 К (25 град.| |
| |C); | |
| |------------------------------+--------------|
| |5) магнієві сплави з: |з 8104 |
| |a) межею міцності при розтягу| |
| |345 МПа або більше; та | |
| |b) швидкістю корозії менше ніж| |
| |1 мм на рік у 3-відсотковому| |
| |водному розчині хлориду натрію| |
| |виміряної відповідно до| |
| |стандартної методики ASTM G-31| |
| |або її національного| |
| |еквівалента | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.2.c. |Порошки металевих сплавів або| |
| |частинки матеріалів, які мають| |
| |усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |1) виготовлені з будь-якої| |
| |наведеної нижче композиції: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|X відповідає одному або більше легуючим|
| |елементам, що входять до складу сплаву. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) нікелеві сплави (Ni-Al-X,|7504 00 00 00 |
| |Ni-X-Al), призначені для| |
| |використання у складі частин| |
| |чи "компонентів" газотурбінних| |
| |двигунів, тобто менше ніж з| |
| |трьома неметалевими частками| |
| |(введеними у процесі| |
| |виготовлення), більшими ніж| |
| | 9 | |
| |100 мкм в 10 частках сплаву; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) ніобієві сплави (Nb-Al-X|8112 91 31 00 |
| |або Nb-X-Al, Nb-Si-X або|8112 99 30 00 |
| |Nb-X-Si, Nb-Ti-X або Nb-X-Ti);| |
| |------------------------------+--------------|
| |c) титанові сплави (Ti-Al-X|8108 10 10 20 |
| |або Ti-X-Al); | |
| |------------------------------+--------------|
| |d) алюмінієві сплави (Al-Mg-X|з 7603 |
| |або Al-X-Mg, A1-Zn-X або| |
| |Al-X-Zn, Al-Fe-X або Al-X-Fe);| |
| |або | |
| |------------------------------+--------------|
| |e) магнієві сплави (Mg-Al-X|8104 30 00 00 |
| |або Mg-X-Al); та | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) виготовлені у| |
| |контрольованому середовищі за| |
| |допомогою будь-якого з| |
| |наведених нижче процесів: | |
| |a) "вакуумне розпилення"; | |
| |b) "газове розпилення"; | |
| |c) "відцентрове розпилення"; | |
| |d) "охолодження| |
| |розбризкуванням"; | |
| |e) "прядіння з розплаву" та| |
| |"здрібнювання"; | |
| |f) "витягання з розплаву" та| |
| |"подрібнення"; | |
| |g) "механічне легування"; | |
| |3) придатні до формування| |
| |матеріалів, що підлягають| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |1.C.2.a або 1.C.2.b | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.2.d. |Сплавлені матеріали, які мають|7504 00 00 00 |
| |усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) виготовлені з будь-яких|7505 12 00 00 |
| |композиційних систем,|7603 20 00 00 |
| |зазначених у позиції| |
| |1.C.2.c.1; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) у вигляді неподрібнених|7604 29 10 00 |
| |гранул, стружки або тонких| |
| |стрижнів; та | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) виготовлені у| з 8104, |
| |контрольованому середовищі| 8108, 8112 |
| |одним з наведених нижче| |
| |методів: | |
| |a) "охолодження| |
| |розбризкуванням"; | |
| |b) "прядіння з розплаву"; | |
| |c) "витягання з розплаву" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.3. |Магнітні метали всіх типів та| |
|[1C003] |будь-якої форми, що мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.3.a. |Початкова відносна магнітна|8505 11 00 00 |
| |проникність 120000 або більше|8505 19 |
| |і завтовшки 0,05 мм або менше |8505 19 10 00 |
| | |8505 19 90 00 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Вимірювання початкової відносної магнітної|
| |проникності повинне здійснюватися на повністю|
| |відпалених матеріалах. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.3.b. |Магнітострикційні сплави, які|7206 90 00 00 |
| |мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |1) магнітострикційне насичення| |
| | -4 | |
| |більше ніж 5 x 10 ; | |
| |2) коефіцієнт| |
| |магнітомеханічного зчеплення| |
| |більше ніж 0,8 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.3.c. |Аморфна або нанокристалічна|з 7206 |
| |стружка сплаву, яка має усі|7504 00 00 00 |
| |наведені нижче характеристики:|з 8105 |
| |1) склад мінімум 75 вагових| |
| |відсотків заліза, кобальту або| |
| |нікелю; | |
| |2) магнітну індукцію насичення| |
| |(Bs) - 1,6 Т або більше; та | |
| |3) одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) товщину стружки 0,02 мм або| |
| |менше; або | |
| |b) питомий електричний опір| |
| | -4 | |
| |2 x 10 Ом/см або більше | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Нанокристалічні матеріали, зазначені у|
| |позиції 1.C.3.c, - це матеріали, що мають|
| |кристалічні зерна розміром 50 нм або менше і|
| |визначаються дифракцією X-променів. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.4. |Ураново-титанові сплави або|з 2844 10 |
|[1C004] |вольфрамові сплави з|з 2844 20 |
| |"матрицею" на основі заліза,|з 2844 30 |
| |нікелю або міді, які мають усі|з 2844 40 |
| |наведені нижче характеристики:|8108 10 10 90 |
| |------------------------------+--------------|
| |a) густину більше ніж| |
| |17,5 г/куб.см; | |
| |b) межу пружності більше ніж| |
| |880 МПа; | |
| |c) межу міцності на розрив| |
| |більше ніж 1270 МПа; | |
| |d) відносне подовження понад 8| |
| |відсотків | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.5. |Провідники з "надпровідних"| |
|[1C005] |"композиційних матеріалів"| |
| |завдовжки понад 100 м або| |
| |масою більше ніж 100 г,| |
| |наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.5.a. |Багатожильні провідники з|8112 99 30 00 |
| |"надпровідних" "композиційних|8544 19 90 00 |
| |матеріалів", що містять одну| |
| |або більше ніобієво-титанових| |
| |ниток: | |
| |1) укладені у "матрицю", іншу,| |
| |ніж мідні матриці або| |
| |комбіновані "матриці" з мідною| |
| |основою; або | |
| |2) мають площу поперечного| |
| | -4| |
| |перерізу меншу ніж 0,28 x 10 | |
| |кв.мм (6 мкм у діаметрі з| |
| |круглим перерізом нитки) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.5.b. |Провідники з "надпровідних"|8544 19 90 00 |
| |"композиційних матеріалів",| |
| |які містять одну або більше| |
| |"надпровідних" ниток не з| |
| |ніобій-титану і мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |1) "критична температура" при| |
| |нульовій магнітній індукції| |
| |понад 9,85 К (-263,31 град.| |
| |C), але менше ніж 24 К| |
| |(-249,16 град. C); | |
| |2) площа поперечного перерізу| |
| | -4 | |
| |менше ніж 0,28 x 10 кв.мм;| |
| |та | |
| |3) залишаються у| |
| |"надпровідному" стані при| |
| |температурі 4,2 К (-268,96| |
| |град. C) у разі перебування в| |
| |магнітному полі з магнітною| |
| |індукцією 12 Т | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.6. |Рідини та мастильні матеріали,| |
|[1C006] |наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.6.a. |Гідравлічні рідини, що містять| |
| |як основні складові компоненти| |
| |будь-які з наведених нижче| |
| |речовин або матеріалів: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) синтетичні|з 3404 |
| |кремнієво-вуглеводні мастила,|3819 00 00 |
| |що мають усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для матеріалів, зазначених у позиції|
| |1.C.6.a.1, кремнієво-вуглеводні мастила|
| |містять виключно кремній, водень та вуглець. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) температура займання понад| |
| |477 К (204 град. C); | |
| |b) температура застигання 239 | |
| |К (-34 град. C) або менше; | |
| |c) коефіцієнт в'язкості 75 або| |
| |більше; та | |
| |d) термостабільність при 616 К| |
| |(343 град. C); або | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) хлорфторвуглецеві|з 2812 |
| |матеріали, які мають усі|з 2826 |
| |наведені нижче характеристики:|3824 71 00 00 |
| | |3824 90 95 00 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для матеріалів, зазначених у позиції|
| |1.C.6.a.2, хлорфторвуглеці містять виключно|
| |хлор, фтор і вуглець. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) без температури займання; | |
| |b) температура самозаймання| |
| |понад 977 К (704 град. C); | |
| |c) температура застигання 219| |
| |К (-54 град. C) або менше; | |
| |d) коефіцієнт в'язкості 80 або| |
| |більше; | |
| |e) температура кипіння 473 К| |
| |(200 град. C) або вище | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.6.b. |Мастильні матеріали, що|з 3403 |
| |містять як свої основні| |
| |складові будь-яку з наведених| |
| |нижче речовин або матеріалів: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) феніленові або|2909 30 90 00 |
| |алкілфеніленові ефіри,|2930 90 30 00 |
| |тіоефіри або їх суміші, які|3824 90 95 00 |
| |містять більше ніж дві ефірні| |
| |або тіоефірні функції або їх| |
| |суміші; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) фторовані рідини, що|3824 90 95 00 |
| |містять кремній і мають|з 3910 00 00 |
| |кінематичну в'язкість меншу| |
| |ніж 5000 кв.мм/с (5000| |
| |сантистоксів) при температурі| |
| |298 К (25 град. C) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.6.c. |Зволожувальні або флотаційні| |
| |рідини з показником чистоти| |
| |понад 99,8 відсотка, які| |
| |містять менше ніж 25 частинок| |
| |розміром 200 мкм і більше на| |
| |100 мл об'єму і виготовлені| |
| |принаймні на 85 відсотків з| |
| |будь-яких наведених нижче| |
| |речовин або матеріалів: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) дібромтетрафторетан; |2903 46 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |2) поліхлортрифторетилен (лише|3904 69 10 00 |
| |маслянисті та воскоподібні|3904 69 90 00 |
| |модифікації); або | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) полібромтрифторетилен |3904 69 10 00 |
| | |3904 69 90 00 |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.6.d. |Фторвуглецеві охолодні рідини|3824 90 95 00 |
| |для електроніки, що мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |------------------------------+--------------|
| |1) містять 85 вагових|з 2909 |
| |відсотків або більше однієї з| |
| |наведених нижче речовин чи| |
| |суміші з них: | |
| |a) мономерні форми| |
| |перфторполіалкілефір-тріазинів| |
| |або перфтораліфатичних ефірів;| |
| |b) перфторалкіламіни; | |
| |c) перфторциклоалкани; | |
| |d) перфторалкани; | |
| |2) густина 1,5 г/мл або більше| |
| |при температурі 298 К (25| |
| |град. C); | |
| |3) рідкий стан при температурі| |
| |273 К (0 град. C); | |
| |4) мають 60 вагових відсотків | |
| |або більше фтору | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для матеріалів, наведених у позиції 1.C.6: |
| |a) температура займання визначається з|
| |використанням методу Клівлендської відкритої|
| |чаші, описаного у стандартній методиці ASTM|
| |D-92 або в її національному еквіваленті; |
| |b) температура застигання визначається з|
| |використанням методу, описаного у стандартній|
| |методиці ASTM D-97, або в її національному|
| |еквіваленті; |
| |c) коефіцієнт в'язкості визначається з|
| |використанням методу, описаного у стандартній|
| |методиці ASTM D-2270, або в її національному|
| |еквіваленті; |
| |d) термостабільність визначається за|
| |наведеною нижче методикою випробувань або в|
| |її національному еквіваленті: |
| |20 мл випробуваної рідини заливають у камеру|
| |об'ємом 46 мл з нержавіючої сталі марки 317,|
| |що містить шари номінального діаметра 12,5 мм|
| |з інструментальної сталі марки М-10, сталі|
| |марки 52100 та корабельної бронзи (60|
| |відсотків Cu, 39 відсотків Zn, 0,75 відсотка|
| |Sn); |
| |камера, продута азотом, загерметизована під|
| |тиском, що дорівнює атмосферному, при|
| |температурі, підвищеній до 644 +- 6 К (371 +-|
| |6 град. C) і витриманій на цьому рівні 6|
| |годин; |
| |зразок вважається термостабільним, якщо після|
| |закінчення зазначеної процедури виконуються|
| |усі наведені нижче умови: |
| |1) втрата ваги кожного шару менше ніж 10|
| |мг/кв.мм його поверхні; |
| |2) зміна початкової в'язкості, визначеної при|
| |311 К (38 град. C), менше ніж 25 відсотків; |
| |3) загальне число кислотності або основності|
| |менше ніж 0,40; |
| |e) температура самозаймання визначається|
| |методом, описаним у стандартній методиці ASTM|
| |E-659 або в її національному еквіваленті. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.7. |Матеріали на керамічній| |
|[1C007] |основі, керамічні| |
| |некомпозиційні матеріали,| |
| |матеріали типу "композит" з| |
| |керамічною "матрицею", а також| |
| |прекурсори наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.7.a. |Основні матеріали з простих|2850 00 90 00 |
| |або складних боридів титану,| |
| |які містять металеві домішки,| |
| |крім навмисних домішок, на| |
| |рівні менше ніж 5000 частинок| |
| |на мільйон при середньому| |
| |розмірі частинки, що дорівнює| |
| |або менше ніж 5 мкм, при цьому| |
| |не більше ніж 10 відсотків| |
| |частинок розміром понад 10 мкм| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.7.b. |Керамічні некомпозиційні|2850 00 90 00 |
| |матеріали у необробленій формі| |
| |або у формі напівфабрикатів на| |
| |основі боридів титану з| |
| |густиною 98 відсотків або| |
| |більше теоретичної густини | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.7.b контролю не|
| |підлягають абразиви. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.7.c. |"Композиційні матеріали" типу|з 2849, |
| |кераміка-кераміка із скляною|з 2850 00, |
| |або оксидною "матрицею" та|8803 90 10 00 |
| |армовані волокнами, які мають| |
| |усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) виготовлені з будь-якого|з 9306 90 |
| |наведеного нижче матеріалу: | |
| |a) Si-N; | |
| |b) Si-C; | |
| |c) Si-Al-O-N; або | |
| |d) Si-O-N; та | |
| |2) мають питому межу міцності| |
| | 3 | |
| |при розтягу понад 12,7 x 10 м| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.7.d. |"Композиційні матеріали" типу|8803 90 10 00 |
| |кераміка-кераміка з однорідної|з 9306 90 |
| |металевої фази або без неї, що| |
| |включає частинки, вуса| |
| |(ниткоподібні монокристали)| |
| |або волокна, в яких "матриця"| |
| |сформована з карбідів або| |
| |нітридів кремнію, цирконію або| |
| |бору | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.7.e. |Прекурсори (тобто полімерні|з 3910 00 00 |
| |або металоорганічні| |
| |спеціального призначення) для| |
| |виробництва будь-якої фази або| |
| |фаз матеріалів, що підлягають| |
| |контролю за позицією 1.C.7.c,| |
| |наведені нижче: | |
| |1) полідіорганосилани (для| |
| |виробництва карбіду кремнію); | |
| |2) полісилазани (для| |
| |виробництва нітриду кремнію); | |
| |3) полікарбосилазани (для| |
| |виробництва кераміки з| |
| |кремнієвими, вуглецевими та| |
| |азотними компонентами) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.7.f. |"Композиційні матеріали" типу|з 6903, |
| |кераміка-кераміка з оксидною|6914 90 90 00 |
| |або скляною "матрицею",| |
| |армованою однорідними| |
| |волокнами будь-якої з| |
| |наведених нижче систем: | |
| |1) Al O ; або | |
| | 2 3 | |
| |2) Si-C-N | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією l.C.7.f контролю не|
| |підлягають "композиційні матеріали", що мають|
| |волокна з цих систем з межею міцності при|
| |розтягу менше ніж 700 МПа при 1273 К (1000|
| |град. C) або опору повзучості розриву волокон|
| |понад 1 відсоток напруги повзучості при|
| |навантаженні 100 МПа та 1273 К (1000 град. C)|
| |протягом 100 годин. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.8. |Нефторовані полімерні речовини| |
|[1C008] |наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.8.a. |1) бісмалеіміди; |2925 19 30 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |2) ароматичні поліамідіміди; |2925 19 80 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |3) ароматичні полііміди; |3908 90 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |4) ароматичні поліефіріміди,|3909 30 00 00 |
| |які мають температуру|3907 20 91 00 |
| |переходу в склоподібний стан|3907 91 90 00 |
| |(Tg) понад 513 К (240 град. C)| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.8.a контролю не|
| |підлягають неплавкі порошки для|
| |формоутворення під тиском або фасонних форм. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.8.b. |Термопластичні |3907 91 90 00 |
| |рідкокристалічні сополімери,| |
| |які мають температуру теплової| |
| |деформації понад 523 К (250| |
| |град. C), виміряну відповідно| |
| |до стандартної методики ISO| |
| |75-3 (2004) або її| |
| |національного еквівалента під| |
| |час навантаження 1,82 Н/кв.мм,| |
| |і утворені сполученням: | |
| |1) будь-яким з наведених| |
| |нижче: | |
| |a) фенілену, біфенілену або| |
| |нафталену; або | |
| |b) метилу, третинного бутилу| |
| |або феніл-заміщеного фенілену,| |
| |біфенілену або нафталену; та | |
| |2) будь-якою з наведених нижче| |
| |кислот: | |
| |a) терефталевою; | |
| |b) 6-гідрокси-2 нафтіоновою; | |
| |або | |
| |c) 4-гідроксибензойною | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.8.c. |Поліариленові ефірні кетони,| |
| |наведені нижче: | |
| |1) виключено; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) поліефірокетон-кетон|3907 91 90 00 |
| |(РЕЕК); | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) поліефірокетон (РЕК); |3907 91 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |4) поліефірокетон|3907 91 90 00 |
| |ефірокетон-кетон (РЕКЕКК) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.8.d. |Поліариленові кетони |з 3907 99 |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.8.e. |Поліариленові сульфіди, де|з 3911 90 |
| |ариленова група є біфеніленом,| |
| |трифеніленом, або їх| |
| |комбінацією | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.8.f. |Полібіфеніленефірсульфон, який|з 3911 90 |
| |має температуру переходу до| |
| |склоподібного стану (Tg) понад| |
| |513 К (240 град. C) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Температура переходу до склоподібного стану|
| |(Tg) для матеріалів, зазначених у позиції|
| |1.C.8, визначається з використанням методу,|
| |описаного в стандарті ISO 11357-2 (1999) або|
| |його національному еквіваленті. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.9. |Необроблені сполуки, що| |
|[1C009] |містять фтор, наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.9.a. |Сополімери вініліденфториду,|3904 69 10 00 |
| |які містять 75 відсотків або|3904 60 90 00 |
| |більше бета-кристалічної| |
| |структури, одержаної без| |
| |витягування | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.9.b. |Фтористі поліаміди, які|3904 69 10 00 |
| |містять 10 вагових відсотків|3904 60 90 00 |
| |або більше "зв'язаного" фтору | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.9.c. |Фтористі фосфазинові|3904 69 10 00 |
| |еластоміри, які містять 30|3904 60 90 00 |
| |вагових відсотків або більше| |
| |зв'язаного фтору | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.10. |"Волокнисті або ниткоподібні| |
|[1C010] |матеріали", що можуть бути| |
| |використані в органічних| |
| |"матрицях", металевих| |
| |"матрицях" або вуглецевих| |
| |"матрицях", "композиційних"| |
| |або багатошарових структурах: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.10.a. |Органічні "волокнисті або|з 3916 |
| |ниткоподібні матеріали", що|з 3926 |
| |мають усі наведені нижче|6815 10 10 00 |
| |властивості: | |
| |1) питомий модуль пружності| |
| | 6 | |
| |понад 12,7 x 10 ; та | |
| |2) питома межа міцності при| |
| | 4 | |
| |розтягу понад 23,5 x 10 м | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.a контролю не|
| |підлягає поліетилен. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.10.b. |Вуглецеві "волокнисті або|з 3801 |
| |ниткоподібні матеріали", які|з 3916 |
| |мають усі наведені нижче|з 3926 |
| |характеристики: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) питомий модуль пружності|6815 10 10 00 |
| | 6 | |
| |понад 12,7 x 10 м; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) питома межа міцності при|6903 10 00 00 |
| | 4 | |
| |розтягу понад 23,5 x 10 м | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Властивості матеріалів, описаних у позиції|
| |1.C.10.b, повинні визначатися за методами SRM|
| |12-17, рекомендованими Асоціацією|
| |постачальників перспективних "композиційних|
| |матеріалів" (SACMA) або їх національними|
| |еквівалентами випробувань на розтяг,|
| |наприклад японський промисловий стандарт|
| |JIS-R-7601, параграф 6.6.2, які грунтуються|
| |на середній якості партії. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.b контролю не|
| |підлягають тканини, виготовлені з|
| |"волокнистих або ниткоподібних матеріалів"|
| |для відновлення авіаційних або багатошарових|
| |матеріалів, розмір окремих листів яких не|
| |перевищує 50 x 90 см. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.10.c. |Неорганічні "волокнисті або|з 3926 |
| |ниткоподібні матеріали", які|6815 10 10 00 |
| |мають усі наведені нижче|8101 92 00 00 |
| |характеристики: |8108 90 30 00 |
| |1) питомий модуль пружності|8108 90 70 00 |
| | 6 | |
| |понад 2,54 x 10 м; | |
| |2) температура плавлення,| |
| |розм'якшування, розкладу або| |
| |сублімації понад 1922 К (1649| |
| |град. C) в інертному| |
| |середовищі | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.c контролю не|
| |підлягають: |
| |1) дискретні, багатофазні, полікристалічні|
| |волокна оксиду алюмінію у вигляді переривного|
| |волокна або в довільній сплутаній формі, що|
| |мають 3 або більше вагових відсотки діоксиду|
| |кремнію з питомим модулем пружності менше ніж|
| | 6 |
| |10 x 10 м; |
| |2) волокна молібденові або з молібденових|
| |сплавів; |
| |3) волокна на основі бору; |
| |4) дискретні керамічні волокна з|
| |температурами плавлення, розм'якшення,|
| |розкладу та сублімації нижче 2043 К (1770|
| |град. C) в інертному середовищі. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.10.d. |"Волокнисті або ниткоподібні|з 3926 |
| |матеріали": |5402 49 99 00 |
| |1) які мають будь-яку з|5501 90 10 00 |
| |наведених нижче складових: |5501 90 90 00 |
| |a) поліефіріміди, що|5503 90 90 00 |
| |підлягають контролю згідно з|6815 10 10 00 |
| |позицією 1.C.8.a; | |
| |b) матеріали, що підлягають| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |1.C.8.b - 1.C.8.f; або | |
| |2) які складаються з| |
| |матеріалів, що підлягають| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |1.C.10.d.1.a або 1.C.10.d.1.b| |
| |та "сплутані" з іншими| |
| |волокнами, що підлягають| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |1.C.10.a, 1.C.10.b або| |
| |1.C.10.c | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.10.e. |Волокна, насичені смолою або|6815 10 10 00 |
| |пеком (препреги), металеві або|6815 99 90 00 |
| |покриті вуглецем волокна|6903 10 00 00 |
| |("преформи") або "преформи|з 7019 11 00 |
| |вуглецевого волокна", наведені|з 7019 10 |
| |нижче: |з 7019 20 |
| |1) виготовлені з "волокнистих| |
| |або ниткоподібних матеріалів",| |
| |що підлягають контролю згідно| |
| |з позиціями 1.C.10.a, 1.C.10.b| |
| |або 1.C.10.c; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) виготовлені з органічних|з 3916 |
| |або вуглецевих "волокнистих|6815 10 10 00 |
| |або ниткоподібних матеріалів":| |
| |a) з питомою межею міцності| |
| |при розтягу понад| |
| | 4 | |
| |17,7 x 10 м; | |
| |b) з питомим модулем пружності| |
| | 6 | |
| |понад 10,15 x 10 м; | |
| |c) які не підлягають контролю| |
| |згідно з позиціями 1.C.10.a| |
| |або 1.C.10.b; та | |
| |d) які насичені матеріалами,| |
| |що підлягають контролю згідно| |
| |з позиціями 1.C.8 або 1.C.9.b,| |
| |і мають температуру переходу| |
| |до склоподібного стану (Tg)| |
| |понад 383 К (110 град. C), або| |
| |з фенольною чи епоксидною| |
| |смолами, які мають Tg, що| |
| |дорівнює або перевищує 418 К| |
| |(145 град. C) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |Згідно з позицією 1.C.10.e контролю не|
| |підлягають: |
| |1) вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні|
| |матеріали", імпрегновані у "матрицю" з|
| |епоксидної смоли (препреги) для відновлення|
| |авіаційних або багатошарових матеріалів, у|
| |яких розмір окремих листів препрега не|
| |перевищує 50 x 90 см; |
| |2) препреги, насичені фенольною або|
| |епоксидною смолами, які мають Tg нижче 433 К|
| |(160 град. C) та температуру переходу до|
| |склоподібного стану нижче Tg. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Температура переходу до склоподібного стану|
| |(Tg) для матеріалів, що підлягають контролю|
| |згідно з позицією 1.C.10.e, визначається|
| |методом, описаним в ASTM D 3418, із|
| |застосуванням сухого методу. Tg для фенольних|
| |та епоксидних смол визначається за допомогою|
| |методу, описаного в ASTM D 4065, при частоті|
| |1 Гц та швидкості нагрівання 2 К (град. C) за|
| |хвилину із застосуванням сухого методу. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічні примітки.|1. Питомий модуль пружності: модуль Юнга в Па|
| |або в Н/кв.м, поділений на питому вагу в|
| |Н/куб.м, виміряний при температурі (296 +- 2)|
| |К [(+23 +- 2)град. C] та відносній вологості|
| |(50 +- 5) відсотків. |
| |2. Питома межа міцності при розтягу:|
| |найбільша межа міцності до розриву, виражена|
| |в Па або в Н/кв.м поділена на питому вагу в|
| |Н/куб.м, виміряна при температурі (296 +- 2)|
| |К [(+23 +- 2)град. C] та відносній вологості|
| |(50 +- 5) відсотків. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.11. |Метали та сполуки, наведені| |
|[1C011] |нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.11.a. |Метали з розміром частинок|8104 30 00 00 |
| |менше ніж 60 мкм, які мають|8109 10 10 00 |
| |сферичну, розпилену,| |
| |сфероїдальну, розшаровану або| |
| |молоту форму, виготовлені з| |
| |матеріалу, що на 99 відсотків| |
| |або більше складається з| |
| |цирконію, магнію або сплавів з| |
| |них | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Природний вміст гафнію в цирконії (типово від|
| |2 до 7 відсотків) підраховується з цирконієм.|
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Метали або сплави, зазначені в позиції|
| |1.C.11.a, підлягають контролю згідно з цією|
| |позицією незалежно від того, вміщені ці|
| |метали або сплави в капсули алюмінію, магнію,|
| |цирконію або берилію, чи ні. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.11.b. |Бор або карбід бору чистотою|2804 50 10 00 |
| |85 відсотків або вище та|2849 90 10 00 |
| |розміром частинок 60 мкм або| |
| |менше | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Метали або сплави, зазначені в позиції|
| |1.C.11.b, підлягають контролю згідно з цією|
| |позицією незалежно від того, чи ці метали або|
| |сплави інкапсульовані в алюміній, магній,|
| |цирконій або берилій, чи ні. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.11.c. |Нітрат гуанідину (CAS|2925 20 00 00 |
| |506-93-4) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.11.d. |Нітрогуанідин (NG) (CAS|2929 90 00 00 |
| |556-88-7) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.12.* |Матеріали, наведені нижче: | |
|[1C012] | | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|----------------------------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Ці матеріали типово використовуються для|
| |ядерних джерел теплоти. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.12.a. |Плутоній у будь-якому вигляді|2844 20 51 00 |
| |з вмістом ізотопу|2844 20 59 00 |
| |плутонію-238, більшим ніж 50|2844 20 81 00 |
| |вагових відсотків |2844 20 89 00 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.12.a контролю не|
| |підлягають: |
| |1) передача одного грама або менше плутонію; |
| |2) передача трьох або менше "ефективних|
| |грамів", що використовуються як чутливі|
| |елементи в приладах. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.12.b. |"Попередньо розподілений"|з 2844 40 |
| |нептуній-237 у будь-якому| |
| |вигляді | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.12.b контролю не|
| |підлягає передача одного грама або менше|
| |нептунію-237. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.C.13.*,*** |Матеріали, які за своїми| |
| |властивостями можуть бути| |
| |використані у терористичних| |
| |цілях: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.13.a.** |Промислові вибухові речовини| |
| |та їх компоненти, у тому| |
| |числі: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) азиди металів, а також|2850 00 50 00 |
| |вибухові речовини або|3602 00 00 00 |
| |капсульні композиції, що|3603 00 10 00 |
| |містять азиди чи комплекси|3603 00 90 00 |
| |азидів; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) азотна кислота з|2808 00 00 00 |
| |концентрацією вище ніж 95| |
| |відсотків; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) гексанітродифеніламін; |2921 44 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |4) діетилдифенілсечовина, |2924 10 00 00 |
| |диметилдифенілсечовина, | |
| |метилетилдифенілсечовина | |
| |(централіти); | |
| |------------------------------+--------------|
| |5) діоктилмалеат; |2917 19 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |6) димний (чорний) порох; |3601 00 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |7) динітропропанол; |2905 50 10 90 |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|** Товар, для отримання дозводу (висновку) на імпорт (тимчасове|
|ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Мінпромполітики. |
|*** Товар, за міжнародними передачами якого здійснюється|
|національний контроль. |
|----------------------------------------------------------------|
| |8) дифторамін; |2826 19 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |9) етилендіаміндинітрат|2921 21 00 00 |
| |(EDDN); | |
| |------------------------------+--------------|
| |10) етил-N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 |
| |(несиметрична | |
| |етилдифенілсечовина); | |
| |------------------------------+--------------|
| |11) емульсійні вибухові|3602 00 00 00 |
| |речовини, виготовлені з водних| |
| |розчинів нітратів лужних| |
| |металів, емульсованих у| |
| |мінеральних оліях; | |
| |------------------------------+--------------|
| |12) мисливські та інші порохи,|3601 00 00 00 |
| |що мають сталу швидкість| |
| |горіння понад 38 мм/с за| |
| |нормальних умов (тиск 6,89 МПа| |
| |температура 294 К (21 град.| |
| |C), включаючи нітроцелюлозні| |
| |порохи, в тому числі| |
| |двоосновні; | |
| |------------------------------+--------------|
| |13) метил-N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 |
| |(несиметрична | |
| |етилдифенілсечовина); | |
| |------------------------------+--------------|
| |14) нітрат калію; |2834 21 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |15) нітрогліцерин (або|2905 50 99 00 |
| |гліцеринтринітрат, | |
| |тринітрогліцерин); | |
| |------------------------------+--------------|
| |16) нітрокрохмаль; |3505 10 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |17) нітроцелюлоза; |3912 20 19 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |18) пентаеритриттетранітрат|2920 90 85 00 |
| |(PETN); | |
| |------------------------------+--------------|
| |19) пероксид водню з|2847 00 00 00 |
| |концентрацією вище ніж 85| |
| |відсотків; | |
| |------------------------------+--------------|
| |20) перхлорати та хлорати|з 2829 |
| |металів (без амонію); | |
| |------------------------------+--------------|
| |21) пікрат амонію; |2908 90 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |22) пікрат калію; |2908 90 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |23) N-піролідинон;|2933 90 95 00 |
| |1-метил-2-піролідинон; | |
| |------------------------------+--------------|
| |24) N,N - дифенілсечовина|2924 10 00 00 |
| |(несиметрична | |
| |метилдифенілсечовина); | |
| |------------------------------+--------------|
| |25) стифнати металів; |2908 90 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |26) тетранітронафталін; |2904 20 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |27) триетилалюміній (TEA),|2931 00 95 30 |
| |триметилалюміній (TMA) та інші|2931 00 95 90 |
| |пірофорні алкілові та арилові|з 3606 90 |
| |похідні літію, натрію, магнію,| |
| |цинку і бору; | |
| |------------------------------+--------------|
| |28) триетиленглікольдинітрат|2909 19 00 90 |
| |(TEGDN); | |
| |------------------------------+--------------|
| |29) тринітроанізол; |2904 20 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |30) тринітроксилол; |2904 20 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |31) тринітронафталін; |2904 20 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |32) тринітрофенол (пікринова|2908 90 00 00 |
| |кислота); | |
| |------------------------------+--------------|
| |33) 2,4,6-тринітрорезорцин|2908 90 00 00 |
| |(стифнінова кислота); | |
| |------------------------------+--------------|
| |34) 2,4,6-тринітротолуол|2904 20 10 00 |
| |(TNT); | |
| |------------------------------+--------------|
| |35) 2-нітродифеніламін|2921 44 00 00 |
| |(2-NDPA); | |
| |------------------------------+--------------|
| |36) 4-нітродифеніламін|2921 44 00 00 |
| |(4-NDPA); | |
| |------------------------------+--------------|
| |37) хлортрифторид |2812 90 00 00 |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.13.b. |Токсичні хімічні речовини та| |
| |сполуки: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) акролеїн (альдегід|2912 19 00 00 |
| |акрилової кислоти) (CAS| |
| |107-02-8); | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) арсин (миш'яковистий|2850 00 10 00 |
| |водень) (CAS 7784-42-1); | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) бромацетофенон (CAS|2914 70 90 00 |
| |70-11-1); | |
| |------------------------------+--------------|
| |4) бромацетон (CAS 598-31-2); |2914 70 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |5) бромціан (CAS 506-68-3); |2851 00 80 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |6) бензилбромід (CAS|2903 69 90 90 |
| |100-39-0); | |
| |------------------------------+--------------|
| |7) бензилйодид (CAS 620-05-3);|2903 69 90 90 |
| |------------------------------+--------------|
| |8) брометилетилкетон (CAS|2914 70 90 00 |
| |816-40-0); | |
| |------------------------------+--------------|
| |9) бутилтрифторсилан; |2931 00 95 90 |
| |------------------------------+--------------|
| |10) дигідрофенарсазинхлорид|2931 00 95 90 |
| |(адамсит) (CAS 578-94-8); | |
| |------------------------------+--------------|
| |11) дифенілхлорарсин (CAS|2931 00 95 90 |
| |712-48-1); | |
| |------------------------------+--------------|
| |12) дифенілціанарсин; |2931 00 95 90 |
| |------------------------------+--------------|
| |13) етилбромацетат (CAS|2915 90 80 90 |
| |105-36-2); | |
| |------------------------------+--------------|
| |14) етилйодацетат (CAS|2915 90 80 90 |
| |623-48-3); | |
| |------------------------------+--------------|
| |15) йодацетон (CAS 3019-04-3);|2914 70 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |16) ксилілбромід (CAS 89-92-9;|2903 69 90 90 |
| |620-13-3; 104-81-4); | |
| |------------------------------+--------------|
| |17) кротоновий альдегід (CAS|2912 29 00 00 |
| |123-73-9); | |
| |------------------------------+--------------|
| |18) пропілтрифторсилан; |2931 00 95 90 |
| |------------------------------+--------------|
| |19) трихлортриетиламін (CAS|2921 19 80 00 |
| |817-09-4); | |
| |------------------------------+--------------|
| |20) трихлорметилхлорформіат|2915 90 20 00 |
| |(дифосген) (CAS 503-38-8); | |
| |------------------------------+--------------|
| |21) хлор (CAS 7782-50-5); |2801 10 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |22) хлорангідрид|2904 90 20 00 |
| |метансульфокислоти (CAS| |
| |124-63-0); | |
| |------------------------------+--------------|
| |23) хлорангідрид бензойної|2916 39 00 90 |
| |кислоти (CAS 98-88-4); | |
| |------------------------------+--------------|
| |24) хлорангідрид 2-фуранової|2932 99 90 00 |
| |кислоти (CAS 527-69-5); | |
| |------------------------------+--------------|
| |25) хлорацетон (CAS 78-95-5); |2914 70 90 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |26) хлорацетофенон (CAS|2914 70 90 00 |
| |532-27-4); | |
| |------------------------------+--------------|
| |27) фосфін (фосфористий|2850 00 10 00 |
| |водень) (CAS 7803-51-2); | |
| |------------------------------+--------------|
| |28) 2-бромбензилціанід (CAS|2929 90 99 90 |
| |19472-74-3); | |
| |------------------------------+--------------|
| |29) 3-бромбензилціанід (CAS|2929 90 99 90 |
| |31938-07-5); | |
| |------------------------------+--------------|
| |30) 4-бромбензилціанід (CAS|2929 90 99 90 |
| |16532-79-9); | |
| |------------------------------+--------------|
| |31) |2939 90 90 00 |
| |8-метил-N-ванілін-6-ноненамід | |
| |(капсацин) (CAS 404-86-4) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.C.13.c. |Будь-які окремі чи у складі|з 2844, 2845 |
| |інших виробів джерела| |
| |іонізуючого випромінювання з| |
| |періодом напіврозпаду більше| |
| |ніж 5 років, які мають| |
| |активність більше ніж| |
| | 12 | |
| |3,7 x 10 Бк | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Імпорт та тимчасове ввезення товарів, які|
| |визначені в позиції 1.C.13.c, здійснюються за|
| |дозволами Держекспортконтролю, які надаються|
| |за наявності позитивних висновків|
| |Держатомрегулювання щодо дотримання|
| |імпортером вимог, передбачених для ввезення|
| |заявлених товарів на територію України.|
| |Вимоги визначаються Держатомрегулювання в|
| |установленому порядку. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.D.1. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
|[1D001] |спеціально призначене або|з 8471 70 |
| |модифіковане для "розроблення"| |
| |"виробництва" або| |
| |"використання" обладнання, що| |
| |підлягає контролю за позицією| |
| |1.B | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.D.2. |"Програмне забезпечення" для|з 8524 |
|[1D002] |"розроблення" "композиційних"|з 8471 70 |
| |або багатошарових структур з| |
| |органічною "матрицею",| |
| |металевою "матрицею" або| |
| |вуглецевою "матрицею" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.D.3.* |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |спеціально призначене для|з 8471 70 |
| |"розроблення", "виробництва"| |
| |або "використання" промислових| |
| |вибухових речовин та їх| |
| |компонентів, зазначених у| |
| |позиції 1.C.13.a | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.E. |ТЕХНОЛОГІЯ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.E.1.** |"Технологія" відповідно до|з 3705, |
|[1E001] |позиції 3 загальних приміток|з 3706, 8524, |
| |для "розроблення" або|4901 99 00 00 |
| |"виробництва" обладнання чи|4906 00 00 00 |
| |матеріалів, які підлягають| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |1.A.1.b, 1.A.1.c, 1.A.2 -| |
| |1.A.6, 1.B або 1.C | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, за міжнародними передачами якого здійснюється|
|національний контроль. |
|** Імпорт "технології" відповідно до пункту 3 загальних приміток|
|для "розроблення" або "виробництва" матеріалів, які підлягають|
|контролю згідно з позиціями 1.C.4 (крім вольфрамових сплавів) та|
|1.C.12, здійснюється за дозволом Держекспортконтролю. |
|----------------------------------------------------------------|
|1.E.2. |Інші "технології", наведені|з 3705, |
|[1E002] |нижче: |з 3706, 8524, |
| | |з 8471 70 |
| | |4901 99 00 00 |
| | |4906 00 00 00 |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.E.2.a. |"Технологія" для "розроблення"| |
| |або "виробництва"| |
| |полібензотіазолів чи| |
| |полібензоксазолів | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.E.2.b. |"Технологія" для "розроблення"| |
| |або "виробництва" сполук| |
| |фтореластомірів, що містять| |
| |принаймні один мономер| |
| |вінілефіру | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.E.2.c. |"Технологія" для "розроблення"| |
| |або "виробництва" наведених| |
| |нижче матеріалів для основ або| |
| |керамічних не-"композиційних| |
| |матеріалів": | |
| |1) матеріали основи, що мають| |
| |усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |a) будь-яка з наведених нижче| |
| |композицій: | |
| |1) простих або комплексних| |
| |оксидів цирконію і комплексних| |
| |оксидів кремнію або алюмінію; | |
| |2) простих нітридів бору (з| |
| |кубічними формами кристалів); | |
| |3) простих або комплексних| |
| |карбідів кремнію або бору; | |
| |4) простих або комплексних| |
| |нітридів кремнію; | |
| |b) сумарний вміст металевих| |
| |домішок за винятком тих, які| |
| |вносяться навмисно: | |
| |1) менше ніж 1000 частинок на| |
| |мільйон для простих оксидів| |
| |або карбідів; або | |
| |2) менше ніж 5000 частинок на| |
| |мільйон для комплексних сполук| |
| |або простих нітридів; та | |
| |c) будь-що з наведеного нижче:| |
| |1) цирконій із середнім| |
| |розміром часток, що дорівнює| |
| |або менше ніж 1 мкм, при цьому| |
| |не більше ніж 10 відсотків| |
| |частинок розмірами понад| |
| |5 мкм; | |
| |2) інші матеріали основи із| |
| |середнім розміром частинок, що| |
| |дорівнює або менше ніж 5 мкм,| |
| |при цьому не більше ніж 10| |
| |відсотків частинок розміром| |
| |понад 10 мкм; або | |
| |3) які мають будь-яку з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) пластинки з відношенням| |
| |довжини до товщини, що| |
| |перевищує 5; | |
| |b) ниткоподібні монокристали з| |
| |відношенням довжини до| |
| |діаметра, що для діаметрів| |
| |менше ніж 2 мкм перевищує 10;| |
| |та | |
| |c) непереривчасті або| |
| |дискретні волокна діаметром| |
| |менше ніж 10 мкм; | |
| |2) керамічні некомпозиційні| |
| |матеріали, що складаються з| |
| |матеріалів, описаних у позиції| |
| |1.E.2.c.1 | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.E.2.c.2 контролю не|
| |підлягає технологія розроблення або|
| |виробництва абразивів. |
|------------------+---------------------------------------------|
|1.E.2.d. |"Технологія" для "виробництва"| |
| |ароматичних поліамідних| |
| |волокон | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.E.2.e. |"Технологія" для складання,| |
| |обслуговування та відновлення| |
| |матеріалів, що підлягають| |
| |контролю згідно з позицією| |
| |1.C.1 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|1.E.2.f. |"Технологія" для відновлення| |
| |"композиційних", багатошарових| |
| |структур або матеріалів, які| |
| |підлягають контролю згідно з| |
| |позиціями 1.A.2, 1.C.7.c або| |
| |1.C.7.d | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.E.2.f контролю не|
| |підлягає "технологія" ремонту матеріалів для|
| |"цивільних літальних апаратів", під час якого|
| |використовуються вуглецеві "волокнисті або|
| |ниткоподібні матеріали" та епоксидні смоли,|
| |описані в посібниках виробників авіатехніки. |
------------------------------------------------------------------
| Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ |
|----------------------------------------------------------------|
|2 |ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Підшипники плавного ходу визначені у позиції|
| |ML9 Списку товарів військового призначення,|
| |міжнародні передачі яких підлягають|
| |державному контролю, затвердженого постановою|
| |Кабінету Міністрів України від 20 листопада|
|------------------+---------------------------------------------|
|2.A.1. |Антифрикційні підшипники,| |
|[2A001] |системи підшипників та їх| |
| |"компоненти", наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1 контролю не|
| |підлягають кулькові підшипники з допусками на|
| |кульки, встановленими виробниками відповідно|
| |до міжнародного стандарту ISO 3290, класу 5|
| |або нижче. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.A.1.a. |Кулькові та твердороликові|8482 10 90 00 |
| |підшипники, які мають допуски,|8482 50 00 00 |
| |що встановлюються виробником| |
| |відповідно до міжнародного| |
| |стандарту IS0492 класу допуску| |
| |4 (або ANSI/ABMA Std 20 класу| |
| |допуску ABEC-7 чи RBEC-7,| |
| |інших національних| |
| |еквівалентів) або вище, і| |
| |мають кільця, шарики або| |
| |ролики, виготовлені з| |
| |мідно-нікелевого сплаву чи| |
| |берилію | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1.a контролю не|
| |підлягають конічні роликові підшипники. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.A.1.b. |Інші кулькові та|8482 80 00 00 |
| |твердороликові підшипники, які| |
| |мають допуски, установлені| |
| |виробником відповідно до| |
| |міжнародного стандарту IS0492| |
| |класу допуску 2 (або ANSI/ABMA| |
| |Std 20 класу допуску ABEC-9 чи| |
| |RBEC-9. інших національних| |
| |еквівалентів) або вище | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1.b контролю не|
| |підлягають конічні роликові підшипники. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.A.1.c. |Активні магнітні підшипникові|8483 30 10 00,|
| |системи, які мають одну із|8483 30 90 00 |
| |зазначених нижче складових: | |
| |1) матеріали з магнітною| |
| |індукцією 2 Т або більше і| |
| |межею плинності понад 414 МПа;| |
| |2) електромагнітний пристрій| |
| |для приводу з тримірним| |
| |уніполярним високочастотним| |
| |підмагнічуванням; | |
| |3) високотемпературні (450 К| |
| |(177 град. C) і більше)| |
| |позиційні датчики | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічні примітки.|1. Вторинні паралельні контурні осі (осі|
| |оброблення) (наприклад, W-осьова фреза|
| |горизонтальної розточки або вторинна вісь|
| |обертання, центрова лінія якої паралельна|
| |головній осі обертання) не включені у|
| |загальну кількість контурних осей. Осі|
| |обертання не обов'язково передбачають поворот|
| |на кут, більший ніж 360 град. Вісь обертання|
| |може мати привід лінійного переміщення|
| |(наприклад, гвинтом або зубчастою шестірнею).|
| |2. У позиції 2В кількість осей, які можуть|
| |бути одночасно скоординовані для "контурного|
| |керування", означає кількість осей, вздовж|
| |або навколо яких під час оброблення заготовки|
| |здійснюється одночасний та взаємопов'язаний|
| |відносний рух заготовки та інструменту. Ця|
| |кількість не включає будь-які додаткові осі,|
| |вздовж або навколо яких здійснюється інший|
| |відносний рух у верстаті. Такі осі включають:|
| |a) системи правки круга в шліфувальних|
| |верстатах; |
| |b) паралельні осі обертання, призначені для|
| |кріплення окремих заготовок; |
| |c) колінеарні осі обертання, призначені для|
| |маніпулювання тією ж заготовкою за рахунок|
| |утримання її в патроні з різних кінців. |
| |3. Номенклатура осі визначається відповідно|
| |до міжнародного стандарту ISO 841: "Верстати|
| |з числовим керуванням - номенклатура осей і|
| |різновидів рухів". |
| |4. Для цього розділу "нахилені шпинделі"|
| |розглядаються як осі обертання. |
| |5. Замість індивідуальних протоколів|
| |випробувань для кожної моделі верстата можуть|
| |бути застосовані гарантовані рівні точності|
| |позиціювання, одержані шляхом вимірювань,|
| |зроблених відповідно до міжнародного|
| |стандарту ISO 230/2 (1997) або його|
| |національних еквівалентів. Гарантована|
| |точність позиціювання означає величину|
| |точності, яку представляють національним|
| |ліцензійним органам як міру точності для|
| |моделі верстата. |
| |Визначення гарантованих величин: |
| |a) виберіть 5 верстатів окремої моделі, що|
| |повинна бути оцінена; |
| |b) проведіть вимірювання величин точності для|
| |лінійних осей відповідно до міжнародного|
| |стандарту ISO 230/2 (1997); |
| |c) визначте величину А для кожної осі|
| |окремого верстата. Метод обчислення величини|
| |А описано у стандарті ISO; |
| |d) визначте гарантовану величину для кожної|
| |осі для окремої моделі (A , A ); |
| | x, y); |
| |e) оскільки в розділі 2 Списку робиться|
| |посилання на кожну лінійну вісь, у ньому|
| |повинно бути стільки гарантованих величин|
| |точності, скільки є лінійних осей; |
| |f) якщо будь-яка з осей моделі верстата, що|
| |не підлягає контролю згідно з позиціями|
| |2.B.1.a - 2.B.1.c, має гарантовану величину|
| |точності A, що дорівнює 5 мкм для|
| |шліфувальних верстатів і 6,5 мкм для|
| |фрезерних та токарних верстатів або менше,|
| |виробник повинен підтверджувати повторно|
| |рівень точності кожні вісімнадцять місяців. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.1. |Верстати та будь-які їх| |
|[2B001] |комбінації для видалення (або| |
| |різання) металів, кераміки і| |
| |"композиційних матеріалів",| |
| |які відповідно до технічних| |
| |специфікацій виробника можуть| |
| |бути оснащені електронними| |
| |пристроями для "числового| |
| |керування", та "спеціально| |
| |призначені компоненти",| |
| |наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не|
| |підлягають верстати спеціального призначення,|
| |застосування яких обмежено виготовленням|
| |шестерень. Для таких верстатів застосовується|
| |позиція 2.B.3. |
| |2. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не|
| |підлягають верстати спеціального призначення,|
| |застосування яких обмежено виготовленням|
| |будь-яких з наведених нижче частин: |
| |a) колінчасті вали або кулачкові вали; |
| |b) інструменти або різці; |
| |c) черв'яки екструдерів; |
| |d) гравійовані або із скошеними поверхнями|
| |деталі ювелірних виробів. |
| |3. Верстати, що мають щонайменше дві з трьох|
| |функціональних можливостей - токарна обробка,|
| |фрезерування або шліфування (наприклад,|
| |токарний верстат, що має функцію|
| |фрезерування), повинні оцінюватися згідно з|
| |кожною відповідною позицією 2.B.1.a, 2.B.1.b|
| |або 2.B.1.c. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.1.a. |Токарні верстати, що мають усі|з 8458, |
| |наведені нижче характеристики:|з 8464 90, |
| |1) точність позиціювання|8465 99 10 00 |
| |вздовж будь-якої лінійної осі| |
| |з "усіма доступними| |
| |компенсаціями" дорівнює або| |
| |менше (краще) ніж 4,5 мкм| |
| |відповідно до ISO 230/2 (1997)| |
| |або його національного| |
| |еквівалента; | |
| |2) дві або більше осі, які| |
| |можуть бути одночасно| |
| |скоординовані для "контурного| |
| |керування" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.1.a контролю не|
| |підлягають токарні верстати, спеціально|
| |призначені для виробництва контактних лінз. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.1.b. |Фрезерні верстати, що мають|8459 31 00 00,|
| |будь-яку із зазначених нижче|8459 39 00 00,|
| |характеристик: |8459 51 00 00,|
| |1) мають усі зазначені нижче|8459 61, |
| |характеристики: |8459 69, |
| |a) точність позиціювання|8464, |
| |вздовж будь-якої лінійної осі|8465 92 00 00 |
| |з "усіма доступними| |
| |компенсаціями" дорівнює або| |
| |менше (краще) ніж 4,5 мкм| |
| |відповідно до ISO 230/2 (1997)| |
| |або його національного| |
| |еквівалента; | |
| |b) три лінійні осі плюс одна| |
| |вісь обертання, які можуть| |
| |бути одночасно скоординовані| |
| |для "контурного керування";| |
| |або | |
| |2) п'ять або більше осей, які| |
| |можуть бути одночасно| |
| |скоординовані для "контурного| |
| |керування"; | |
| |3) точність позиціювання для| |
| |копіювально-розточувальних | |
| |верстатів уздовж будь-якої| |
| |лінійної осі з "усіма| |
| |доступними компенсаціями"| |
| |менше (краще) ніж 3 мкм| |
| |відповідно до ISO 230/2 (1997)| |
| |або його національного| |
| |еквівалента; або | |
| |4) верстати для різання| |
| |матеріалу, що безперервно| |
| |переміщується, які мають усі| |
| |із зазначених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) "радіальне биття" і| |
| |"кулачковий ефект" шпинделя| |
| |менше (краще) ніж 0,0004 мм| |
| |TIR; та | |
| |b) кутове відхилення руху| |
| |ковзання (рискання, перекіс у| |
| |повздовжньому напрямку і| |
| |гойдання) менше (краще) ніж 2| |
| |секунди дуги TIR, уздовж шляху| |
| |переміщення завдовжки 300 мм | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.1.c. |Шліфувальні верстати, що мають|8460 11 00 00,|
| |будь-яку із зазначених нижче|8460 19 00 00,|
| |характеристик: |8460 21, |
| |1) мають усі зазначені нижче|8460 29, |
| |характеристики: |8464 20 05 00,|
| |a) точність позиціювання|8464 20 20 00,|
| |вздовж будь-якої лінійної осі|8464 20 95 00,|
| |з "усіма доступними|8465 93 00 00 |
| |компенсаціями" дорівнює або| |
| |менше (краще) ніж 3 мкм| |
| |відповідно до ISO 230/2 (1997)| |
| |або його національного| |
| |еквівалента; та | |
| |b) три або більше осі, які| |
| |можуть бути одночасно| |
| |скоординовані для "контурного| |
| |керування"; або | |
| |2) п'ять або більше осей, які| |
| |можуть бути одночасно| |
| |скоординовані для "контурного| |
| |керування" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.1.c контролю не|
| |підлягають: |
| |1) шліфувальні верстати для оброблення|
| |зовнішніх циліндричних, внутрішніх поверхонь,|
| |а також комбіновані верстати (для шліфування|
| |внутрішніх та зовнішніх поверхонь), які мають|
| |усі наведені нижче характеристики: |
| |a) обмежені циліндричним шліфуванням; та |
| |b) обмежені максимальним зовнішнім діаметром|
| |або довжиною заготовки 150 мм; |
| |2) верстати, спеціально спроектовані для|
| |шліфування за шаблоном, які не мають z - осі|
| |або w - осі, точність позиціонування яких з|
| |"усіма доступними компенсаціями" менше|
| |(краще) ніж 3 мкм відповідно до ISO 230/2|
| |(1997) або його національного еквівалента; |
| |3) плоскошліфувальні верстати. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.1.d. |Верстати для електроіскрового|з 845630 |
| |оброблення (EDM) без подачі| |
| |дроту, що мають дві або більше| |
| |осей обертання, які можуть| |
| |одночасно бути скоординовані| |
| |для "контурного керування" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.1.e. |Верстати для видалення|з 8424 30, |
| |металів, кераміки або|з 8456 10, |
| |"композиційних матеріалів",|8456 91 00 00,|
| |які мають усі наведені нижче|з 8456 99 |
| |характеристики: | |
| |1) видалення матеріалу за| |
| |допомогою: | |
| |a) водяних або інших рідинних| |
| |струменів, включаючи струмені| |
| |з абразивними добавками; | |
| |b) електронного променя; або | |
| |c) променя лазера; та | |
| |2) які мають дві або більше| |
| |осей обертання, що: | |
| |a) можуть бути одночасно| |
| |скоординовані для "контурного| |
| |керування"; та | |
| |b) мають точність позиціювання| |
| |менше (краще) ніж 0,003 град. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.1.f. |Верстати для свердління|з 8458, |
| |глибоких отворів і токарні|8459 21 00 00 |
| |верстати, які модифіковані для| |
| |свердління глибоких отворів та| |
| |забезпечують максимальну| |
| |глибину їх свердління понад| |
| |5000 мм, а також "спеціально| |
| |призначені компоненти" для них| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.2. |Верстати з числовим програмним| |
| |керуванням, в яких| |
| |використовується технологічний| |
| |процес магнітореологічного| |
| |чистового оброблення| |
| |(MRF-процес), обладнані для| |
| |виробництва несферичних| |
| |поверхонь, що мають будь-яку з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) фінішне оброблення форми| |
| |менше (краще) 1 мкм; або | |
| |b) фінішне оброблення до| |
| |шорсткості менше (краще) 100| |
| |нм (середньоквадратичне| |
| |значення) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для цілей позиції 2.B.2. MRF-процес -|
| |технологічний процес видалення матеріалу з|
| |використанням абразивної магнітної рідини,|
| |в'язкість якої керується магнітним полем. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.3. |Верстати з "числовим|8461 40 71 00,|
|[2B003] |керуванням" або з ручним|8461 40 79 00 |
| |керуванням і спеціально| |
| |розроблені для них| |
| |"компоненти", обладнання для| |
| |контролю та оснащення,| |
| |спеціально розроблені для| |
| |шевінгування, фінішного| |
| |оброблення, шліфування або| |
| |хонінгування загартованих (Rc| |
| |= 40 або більше) прямозубих| |
| |циліндричних, одно- або| |
| |двозаходових черв'ячних| |
| |(гвинтових) шестерень з| |
| |діаметром понад 1250 мм та| |
| |шириною поверхні зуба, що| |
| |дорівнює 15 відсоткам діаметра| |
| |або більше, з якістю фінішного| |
| |оброблення AGMA 14 або краще| |
| |(відповідно до міжнародного| |
| |стандарту ISO 1328 за класом| |
| |3) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.4. |"Ізостатичні преси" для|з 8462 99 |
|[2B004] |гарячого пресування, що мають| |
| |усі наведені нижче складові,| |
| |та "спеціально призначені| |
| |компоненти" для них і| |
| |допоміжні пристрої: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.4.a. |Камери з контрольованими| |
| |тепловими умовами всередині| |
| |замкненої порожнини з| |
| |внутрішнім діаметром 406 мм| |
| |або більше | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.4.b. |Будь-яку наведену нижче| |
| |характеристику: | |
| |1) максимальний робочий тиск| |
| |понад 207 МПа; | |
| |2) контрольовані температурні| |
| |умови понад 1773 К (1500 град.| |
| |C); | |
| |3) обладнання для насичення| |
| |вуглеводнем і виведення| |
| |газоподібних продуктів| |
| |розкладу | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна |Внутрішній розмір камери - це робочі розміри|
|примітка. |камери, яка забезпечує робочий тиск і|
| |температуру; до розміру камери не включається|
| |розмір затискних пристроїв. Зазначений розмір|
| |визначається меншим з двох розмірів: |
| |внутрішнього діаметра камери високого тиску|
| |або внутрішнього діаметра ізольованої камери|
| |печі залежно від того, яка з цих камер|
| |знаходиться в іншій. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива |Щодо спеціально розроблених штампів, форм та|
|примітка. |інструментів див. позиції 1.B.3, 9.B.9 і ML18|
| |Списку товарів військового призначення,|
| |міжнародні передачі яких підлягають|
| |державному контролю, затвердженого постановою|
| |Кабінету Міністрів України від 20 листопада|
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.5. |Обладнання, спеціально| |
|[2B005] |призначене для осадження,| |
| |оброблення та контролю у| |
| |процесі нанесення неорганічних| |
| |захисних шарів, покриттів і| |
| |поверхневих модифікацій,| |
| |наведених нижче, для| |
| |неелектронних підкладок за| |
| |допомогою процесів, зазначених| |
| |у таблиці та примітках до| |
| |позиції 2.E.3.f, а також| |
| |"компоненти", спеціально| |
| |призначені для| |
| |автоматизованого регулювання,| |
| |позиціювання, маніпулювання та| |
| |управління: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.5.a. |Виробниче обладнання для|8424 20 00 90,|
| |хімічного осадження з парової|8456 91 00 00,|
| |фази (CVD), що має усі|8456 99 |
| |зазначені нижче| |
| |характеристики: | |
| |1) процес, модифікований для| |
| |будь-якого зазначеного нижче| |
| |методу: | |
| |a) пульсуючого хімічного| |
| |осадження з парової фази| |
| |(CVD); | |
| |b) термічного осадження з| |
| |керованим зародкоутворенням| |
| |(CNTD); або | |
| |c) стимульованого плазмою або| |
| |за допомогою плазми CVD; та | |
| |2) використовує будь-що| |
| |наведене нижче: | |
| |a) високий вакуум (дорівнює| |
| |або менше ніж 0,01 Па) для| |
| |ущільнення при обертанні; або | |
| |b) засоби контролю товщини| |
| |шару покриття безпосередньо у| |
| |процесі осадження | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.5.b. |Виробниче обладнання для|8456 10 10 00,|
| |іонної імплантації із силою|8456 10 90 00 |
| |іонного струму 5 мА або більше| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.5.c. |Виробниче обладнання для|8456 10 10 00,|
| |електронно-променевого |8456 10 90 00 |
| |вакуумного нанесення покриттів| |
| |методом фізичного осадження з| |
| |парової фази електронним| |
| |променем (EB-PVD), яке має| |
| |систему електроживлення з| |
| |розрахунковою потужністю понад| |
| |80 кВт та будь-які наведені| |
| |нижче складові: | |
| |1) "лазерна" система керування| |
| |за рівнем випаровувальної| |
| |ванни, яка точно регулює| |
| |швидкість подавання матеріалів| |
| |(злитків) у зону| |
| |випаровування; або | |
| |2) керований комп'ютером| |
| |покажчик швидкості| |
| |випаровування (монітор), який| |
| |працює за принципом| |
| |фотолюмінесценції іонізованих| |
| |атомів у потоці пари,| |
| |необхідний для контролю| |
| |швидкості осадження складових| |
| |покриття, що містить два або| |
| |більше елементів | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.5.d. |Виробниче обладнання для|8456 91 00 00,|
| |нанесення покриття методом|8456 99 |
| |плазмового напилення, яке має| |
| |будь-яку зазначену нижче| |
| |характеристику: | |
| |1) працює за зниженого тиску| |
| |контрольованої атмосфери| |
| |(дорівнює або менше ніж 10| |
| |кПа, вимірюваного вище або| |
| |всередині 300 мм вихідного| |
| |перерізу сопла плазмового| |
| |пальника) у вакуумній камері,| |
| |що здатна забезпечити зниження| |
| |тиску до 0,01 Па перед| |
| |початком процесу нанесення; | |
| |2) має у своєму складі засоби| |
| |контролю товщини шару покриття| |
| |у процесі нанесення | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.5.e. |Виробниче обладнання для|8456 91 00 00,|
| |металізації розпиленням, що|8456 99 |
| |здатне забезпечити густину| |
| |струму 0,1 мА/кв.мм або більше| |
| |з продуктивністю напилення 15| |
| |мкм/год або більше | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.5.f. |Виробниче обладнання для|8515 80 91 00,|
| |катодно-дугового напилення із|8515 80 99 00 |
| |системою електромагнітів для| |
| |керування активною плямою дуги| |
| |на катоді | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.5.g. |Виробниче обладнання для|8456 10 10 00,|
| |іонного нанесення покриття|8456 10 90 00 |
| |здатне в процесі нанесення| |
| |вимірювати будь-що з| |
| |наведеного нижче: | |
| |1) товщину покриття на| |
| |підкладці та величину| |
| |продуктивності; | |
| |2) оптичні характеристики | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позиціями 2.B.5.a, 2.B.5.b, 2.B.5.e,|
| |2.B.5.f, 2.B.5.g контролю не підлягає|
| |обладнання для нанесення покриття методом|
| |хімічного осадження з парової фази,|
| |катодно-дугового напилення та нанесення|
| |методом розпилення, іонного нанесення або|
| |іонної імплантації, спеціально призначене для|
| |різальних та обробних інструментів. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.6. |Системи або обладнання та| |
|[2B006] |"електронні збірки", наведені| |
| |нижче, для вимірювання або| |
| |контролю за розмірами: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.6.a. |Контрольно-вимірювальне |9031 80 31 10,|
| |обладнання, кероване|9031 80 31 90 |
| |комп'ютером або з "числовим| |
| |керуванням", яке має| |
| |тривимірну (об'ємну) систему з| |
| |"похибкою вимірювання", що| |
| |дорівнює або менше (краще) ніж| |
| |(1,7 + L/1000) мкм (де L -| |
| |довжина, яка вимірюється в| |
| |міліметрах), та тестується| |
| |відповідно до міжнародного| |
| |стандарту ISO 10360-2 (2001) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.6.b. |Вимірювальні пристрої для|9031 41 00 00,|
| |лінійних або кутових|9031 49 10 00,|
| |переміщень наведені нижче: |9031 49 90 00 |
| |1) вимірювальні пристрої для| |
| |лінійних переміщень, які мають| |
| |будь-яку зазначену нижче| |
| |складову: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна |Для цілей позиції 2.B.6.b.1 "лінійне|
|примітка. |переміщення" означає відстань між контактною|
| |вимірювальною головкою та об'єктом|
| |вимірювання. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) вимірювальні системи| |
| |безконтактного типу з| |
| |"роздільною здатністю", що| |
| |дорівнює або менше (краще) ніж| |
| |0,2 мкм, при діапазоні| |
| |вимірювань до 0,2 мм; | |
| |b) системи з лінійним| |
| |регульованим диференційним| |
| |перетворювачем напруги з усіма| |
| |зазначеними нижче| |
| |характеристиками: | |
| |1) "лінійністю", що дорівнює| |
| |або менше (краще) ніж 0,1| |
| |відсотка, в діапазоні| |
| |вимірювань до 5 мм; | |
| |2) відхиленням, що дорівнює| |
| |або менше (краще) ніж 0,1| |
| |відсотка на день, за| |
| |стандартних умов з коливанням| |
| |навколишньої температури| |
| |+- 1 К; або | |
| |c) вимірювальні системи, що| |
| |мають усе наведене нижче: | |
| |1) які містять "лазер"; | |
| |2) які експлуатуються| |
| |безперервно (принаймні 12| |
| |годин при стандартних| |
| |температурі та тиску з| |
| |коливанням навколишньої| |
| |температури +- 1 К) і мають| |
| |усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |a) "роздільна здатність" на їх| |
| |повній шкалі становить 0,1 мкм| |
| |або менше (краще); | |
| |b) "невизначеність| |
| |вимірювання" дорівнює або| |
| |менше (краще) ніж (0,2 +| |
| |L/2000) мкм (де L - довжина,| |
| |що вимірюється в міліметрах); | |
| |d) "електронні збірки",| |
| |спеціально призначені для| |
| |забезпечення функції| |
| |зворотного зв'язку в системах,| |
| |що підлягають контролю згідно| |
| |з позицією 2.B.6.b.1.c. | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.6.b.1 контролю не|
| |підлягають вимірювальні інтерферометричні|
| |системи, обладнані системою автоматичного|
| |керування, у якій не передбачено використання|
| |техніки зворотного зв'язку, що містять|
| |"лазер" для вимірювання помилок переміщення|
| |рухомих частин верстатів, засобів контролю за|
| |розмірами або подібного обладнання. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) кутові вимірювальні прилади|9031 41 00 00,|
| |з "кутовою девіацією", що|9031 49 10 00,|
| |дорівнює або менше (краще) ніж|9031 49 90 00,|
| |0,00025 град. |з 9031 80 31, |
| | |9031 80 91 00 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.6.b.2 контролю не|
| |підлягають оптичні прилади, такі як|
| |автоколіматори, що використовують колімоване|
| |світло (наприклад, лазерний промінь) для|
| |фіксації кутового відхилення дзеркала. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.6.c. |Обладнання для вимірювання|9031 41 00 00,|
| |нерівностей поверхні з|9031 49 10 00,|
| |використанням оптичного|9031 49 90 00 |
| |розсіювання як функції кута з| |
| |чутливістю 0,5 нм або менше| |
| |(краще) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Верстати, що можуть бути використані як|
| |вимірювальні машини, підлягають контролю,|
| |якщо їх параметри відповідають або|
| |перевищують критерії, встановлені для функцій|
| |верстатів або вимірювальних машин. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.7. |"Роботи", що мають будь-яку із|8479 50 00 00,|
|[2B007] |зазначених нижче|8537 10 10 00,|
| |характеристик, і спеціально|8537 10 91 00,|
| |спроектовані контролери та|8537 10 99 00 |
| |"виконавчі механізми" до них: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.7.a. |Здатні в реальному масштабі| |
| |часу повністю обробляти| |
| |трьохвимірне зображення або| |
| |трьохвимірний об'єкт для| |
| |генерації чи модифікації| |
| |"програм", або для генерації| |
| |чи модифікації цифрових даних| |
| |програми | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Обмеження аналізу об'єкта не включають|
| |апроксимацію третього виміру шляхом розгляду|
| |під заданим кутом або інтерпретації сірої|
| |шкали для сприйняття глибини або текстури під|
| |час виконання санкціонованих завдань|
| |(2 1/2D). |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.7.b. |Спеціально розроблені| |
| |відповідно до національних| |
| |стандартів безпеки, здатні| |
| |виробляти вибухівку або| |
| |вибухові пристрої | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.7.c. |Спеціально призначені або| |
| |нормовані як радіаційностійкі,| |
| |що витримують більше ніж| |
| | 3 | |
| |5 x 10 рад (Si) без| |
| |погіршення робочих| |
| |характеристик; або | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.7.d. |Спеціально призначені для| |
| |операцій на висоті понад 30000| |
| |м | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.8. |Вузли або блоки, наведені| |
|[2B008] |нижче, спеціально призначені| |
| |для верстатів або систем і| |
| |обладнання для перевірки| |
| |розмірів або вимірювання: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.8.a. |Блоки оцінки лінійного|з 8466 |
| |положення із зворотним| |
| |зв'язком (наприклад, прилади| |
| |індуктивного типу, калібровані| |
| |шкали, інфрачервоні системи| |
| |або "лазерні" системи), які| |
| |мають повну "точність" менше| |
| |(краще) ніж| |
| | -3 | |
| |[800 + (600 x L x 10 )] нм| |
| |(L - ефективна довжина, яка| |
| |вимірюється в міліметрах) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Для "лазерних" систем застосовується також|
| |примітка до позиції 2.B.6.b.1. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.8.b. |Блоки оцінки положення|з 8466 |
| |обертання із зворотним| |
| |зв'язком (наприклад, прилади| |
| |індуктивного типу, калібровані| |
| |шкали, інфрачервоні системи| |
| |або "лазерні" системи), які| |
| |мають "точність" менше (краще)| |
| |ніж 0,00025 град. | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Для "лазерних" систем застосовується також|
| |примітка до позиції 2.B.6.b.1. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.B.8.c. |"Комбіновані обертові столи"|з 8466 |
| |або "інструментальні шпинделі,| |
| |що нахиляються", використання| |
| |яких за специфікацією| |
| |виробника може модифікувати| |
| |верстати до рівня, зазначеного| |
| |у позиції 2.B або вище | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.9. |Обкатні вальцювальні та|8462 29 10 00,|
|[2B009] |згинальні верстати, які|8463 90 00 00 |
| |відповідно до технічної| |
| |специфікації виробника можуть| |
| |бути обладнані блоками| |
| |"числового керування" або| |
| |комп'ютерного керування та| |
| |мають усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.9.a. |З двома або більше осями| |
| |керування, дві з яких здатні| |
| |одночасно координуватися для| |
| |"контурного керування"; та | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.B.9.b. |З зусиллям на обкатному| |
| |інструменті понад 60 кН | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Верстати, у яких поєднані функції обкатних|
| |вальцювальних та згинальних верстатів,|
| |розглядаються для цілей позиції 2.B.9 як|
| |такі, що належать до обкатних вальцювальних|
| |верстатів. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |Відсутні | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.D.1. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
|[2D001] |інше, ніж те, що підлягає| |
| |контролю згідно з позицією| |
| |2.D.2, спеціально призначене| |
| |або модифіковане для| |
| |"розроблення", "виробництва"| |
| |або "використання" обладнання,| |
| |зазначеного в позиціях 2.A або| |
| |2.B | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.D.2. |"Програмне забезпечення" для|з 8524 |
|[2D002] |електронних пристроїв, навіть| |
| |якщо воно вмонтоване в| |
| |електронний пристрій або| |
| |систему, яке надає можливість| |
| |таким пристроям або системам| |
| |функціонувати як блок| |
| |"числового керування", здатний| |
| |одночасно координувати більше| |
| |ніж 4 осі для "контурного| |
| |керування" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає|
| |"програмне забезпечення", спеціально|
| |розроблене або модифіковане для верстатів,|
| |які не підлягають контролю згідно з позиціями|
| |розділу 2. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає|
| |"програмне забезпечення" для виробів, що|
| |контролюються згідно з позицією 2.B.2. Щодо|
| |контролю за "програмним забезпеченням" для|
| |виробів, які контролюються згідно з позицією|
| |2.B.2., див. позицію 2.D.1. |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.1. |"Технологія" відповідно до|з 3705, |
|[2E001] |пункту 3 загальних приміток|3706, 8524, |
| |для "розроблення" обладнання|4901 99 00 00,|
| |або "програмного забезпечення"|4906 00 00 00 |
| |які підлягають контролю згідно| |
| |з позиціями 2.A, 2.B або 2.D | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.2. |"Технологія" відповідно до|з 3705, |
|[2E002] |пункту 3 загальних приміток|3706, 8524, |
| |для "виробництва" обладнання,|4901 99 00 00,|
| |яке підлягає контролю згідно з|4906 00 00 00 |
| |позиціями 2.A або 2.B | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.3. |Інші "технології", наведені|з 3705, |
|[2E003] |нижче: |3706, 8524, |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.3.a. |"Технологія" для "розроблення"|4901 99 00 00,|
| |інтерактивної графіки як|4906 00 00 00 |
| |вбудованої частини блоків| |
| |"числового керування" для| |
| |підготовки або модифікації| |
| |елементів "програм" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.3.b. |"Технологія", наведена нижче,| |
| |для виробничих процесів| |
| |металооброблення: | |
| |1) "технологія" проектування| |
| |верстатів (інструментів),| |
| |прес-форм або затискних| |
| |пристроїв, спеціально| |
| |призначених для будь-якого| |
| |наведеного нижче процесу: | |
| |a) "надпластичного| |
| |формування"; | |
| |b) "дифузійного зварювання"; | |
| |c) "безпосереднього| |
| |гідравлічного пресування"; | |
| |2) технічні дані, що включають| |
| |методи або параметри| |
| |реалізації процесу, наведені| |
| |нижче, які використовуються| |
| |для керування: | |
| |a) "надпластичним формуванням"| |
| |алюмінієвих, титанових сплавів| |
| |або "суперсплавів", включаючи:| |
| |1) підготовку поверхні; | |
| |2) швидкість відносної| |
| |деформації; | |
| |3) температуру; | |
| |4) тиск; | |
| |b) "дифузійним зварюванням"| |
| |"суперсплавів" або титанових| |
| |сплавів, включаючи: | |
| |1) підготовку поверхні; | |
| |2) температуру; | |
| |3) тиск; | |
| |c) "безпосереднім гідравлічним| |
| |пресуванням" алюмінієвих або| |
| |титанових сплавів, включаючи: | |
| |1) тиск; | |
| |2) час циклу; | |
| |d) "гарячим ізостатичним| |
| |модифікуванням" алюмінієвих і| |
| |титанових сплавів або| |
| |"суперсплавів" включаючи: | |
| |1) температуру; | |
| |2) тиск; | |
| |3) час циклу | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.3.c. |"Технологія" для "розроблення"| |
| |або "виробництва" гідравлічних| |
| |витяжних формувальних машин і| |
| |відповідних форм для| |
| |виготовлення корпусних| |
| |конструкцій літака | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.3.d. |"Технологія" для "розроблення"| |
| |генераторів машинних команд| |
| |(наприклад, "програм"| |
| |оброблення деталей) з| |
| |проектних даних, які| |
| |розміщуються всередині блоків| |
| |"числового керування" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.3.e. |"Технологія" для "розроблення"| |
| |загального "програмного| |
| |забезпечення" для об'єднаних| |
| |експертних систем, які| |
| |збільшують у заводських умовах| |
| |операційні можливості блоків| |
| |"числового керування" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|2.E.3.f. |"Технологія" використання| |
| |неорганічного покриття або| |
| |неорганічного покриття з| |
| |модифікацією поверхні| |
| |(зазначених у третій графі| |
| |"Результуюче покриття" таблиці| |
| |до цієї позиції) на| |
| |неелектронних підкладках| |
| |(зазначених у другій графі| |
| |"Підкладки" таблиці до цієї| |
| |позиції), процесів (зазначених| |
| |у першій графі "Найменування| |
| |процесу нанесення покриття"| |
| |таблиці до цієї позиції та| |
| |визначених у технічній| |
| |примітці до таблиці) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Таблицю до позиції 2.E.3.f слід|
| |використовувати для контролю технології|
| |конкретного процесу нанесення покриття тільки|
| |у разі, коли "результуюче покриття" у третій|
| |графі зазначено безпосередньо проти|
| |відповідної "підкладки" у другій графі.|
| |Наприклад, технічні дані процесу осадження|
| |для хімічного осадження з парової фази (CVD)|
| |контролюються під час використання|
| |"силіцидів" на "підкладках", виготовлених|
| |"композиційних матеріалів" з|
| |вуглець-вуглецевою, керамічною або металевою|
| |"матрицею", але не контролюються під час|
| |використання "силіцидів" на підкладках,|
| |виготовлених з "цементованого карбіду|
| |вольфраму" (16) та "карбіду кремнію". У|
| |другому випадку "результуюче покриття" не|
| |зазначено у цьому параграфі у третій графі|
| |безпосередньо напроти параграфа у другій|
| |графі, де перелічено "цементований карбід|
| |вольфраму" (16) та "карбід кремнію" (18). |
|------------------+---------------------------------------------|
|2.E.4. |"Послуги та роботи" у| |
| |відношенні товарів подвійного| |
| |використання, зазначених у| |
| |позиціях 2.A., 2.B., 2.D. або| |
| |2.E. | |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Таблиця до позиції 2.E.3.f. Технічні методи осадження покриття|
|----------------------------------------------------------------|
| 1. Найменування | 2. Підкладки | 3. Результуюче |
| процесу нанесення | | покриття |
| покриття (1)* | | |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|A. Хімічне |суперсплави |алюмініди для|
|осадження з парової| |внутрішніх |
|фази (CVD) | |каналів |
| |--------------------------+-----------------|
| |кераміка (19)* та скло з |силіциди |
| |малим коефіцієнтом |карбіди |
| |термічного розширення (14)|шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |алмази |
| | |алмазоподібний |
| | |вуглець (17) |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Номер у дужках відповідає номеру примітки до таблиці "Технічні|
|методи осадження покриття". |
|----------------------------------------------------------------|
| |вуглець-вуглець |силіциди |
| |"Композиційні матеріали" |карбіди |
| |(композити) з керамічною |тугоплавкі метали|
| |та металевою "матрицею" |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |алюмініди |
| | |леговані |
| | |алюмініди (2) |
| | |нітрид бору |
| |--------------------------+-----------------|
| |цементований карбід |карбіди |
| |вольфраму (16) |вольфрам |
| |карбід кремнію (18) |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |молібден та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |берилій та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |алмази |
| | |алмазоподібні |
| | |вуглеці (17) |
| |--------------------------+-----------------|
| |матеріали вікон датчиків |шари діелектриків|
| |(9) |(15) |
| | |алмази |
| | |алмазоподібні |
| | |вуглеці (17) |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|B. Фізичне | | |
|осадження з парової| | |
|фази | | |
|термовипаровуванням| | |
|(TE-PVD) | | |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|B.1. Фізичне |суперсплави |леговані силіциди|
|осадження з парової| |леговані |
|фази (PVD) з | |алюмініди (2) |
|випаровуванням | |MCrAlX (5) |
|електронним | |модифіковані види|
|променем (EB-PVD) | |діоксиду цирконію|
| | |(12) |
| | |силіциди |
| | |алюмініди |
| | |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| |--------------------------+-----------------|
| |кераміка (19) та скло з |шари діелектриків|
| |малим коефіцієнтом |(15) |
| |термічного розширення (14)| |
| |--------------------------+-----------------|
| |корозійностійка сталь |MCrAlX (5) |
| |(криця) (7) |модифіковані види|
| | |діоксиду цирконію|
| | |(12) |
| | |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| |--------------------------+-----------------|
| |вуглець-вуглець |силіциди |
| |"Композиційні" матеріали з|карбіди |
| |керамічною та металевою |тугоплавкі метали|
| |"матрицею" |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |нітрид бору |
| |--------------------------+-----------------|
| |цементований карбід |карбіди |
| |вольфраму (16) |вольфрам |
| |карбід кремнію (18) |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |молібден та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |берилій та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |бориди |
| | |берилій |
| |--------------------------+-----------------|
| |матеріали вікон датчиків |шари діелектриків|
| |(9) |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |титанові сплави (13) |бориди |
| | |нітриди |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|B.2. Фізичне |кераміка (19) та скло з |шари діелектриків|
|осадження з парової|малим коефіцієнтом |(15) |
|фази шляхом |термічного розширення (14)|алмазоподібні |
|резистивного | |вуглеці (17) |
|нагрівання (іонне |--------------------------+-----------------|
|осадження) |вуглець-вуглець |шари діелектриків|
| |"Композиційні" матеріали з|(15) |
| |керамічною та металевою | |
| |"матрицею" | |
| |--------------------------+-----------------|
| |цементований карбід |шари діелектриків|
| |вольфраму (16) |(15) |
| |карбід кремнію | |
| |--------------------------+-----------------|
| |молібден та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |берилій та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |матеріали вікон датчиків |шари діелектриків|
| |(9) |(15) |
| | |алмазоподібні |
| | |вуглеці (17) |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|B.3. Фізичне |кераміка (19) та скло з |силіциди |
|осадження з парової|малим коефіцієнтом |шари діелектриків|
|фази шляхом |термічного розширення (14)|(15) |
|випаровування | |алмазоподібні |
|"лазерним" променем| |вуглеці (17) |
| |--------------------------+-----------------|
| |вуглець-вуглець |шари діелектриків|
| |"Композиційні матеріали" з|(15) |
| |керамічною та металевою | |
| |"матрицею" | |
| |--------------------------+-----------------|
| |цементований карбід |шари діелектриків|
| |вольфраму (16) |(15) |
| |карбід кремнію | |
| |--------------------------+-----------------|
| |молібден та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |берилій та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |матеріали вікон датчиків |шари діелектриків|
| |(9) |(15) |
| | |алмазоподібний |
| | |вуглець (17) |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|B.4. Фізичне |суперсплави |леговані силіциди|
|осадження з парової| |леговані |
|фази (PVD): | |алюмініди (2), |
|катодний дуговий | |MCrAlX (5) |
|розряд |--------------------------+-----------------|
| |полімери (11) та |бориди |
| |"Композиційні" матеріали з|карбіди |
| |органічною "матрицею" |нітриди |
| | |алмазоподібні |
| | |вуглеці (17) |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|C. Пакова |вуглець-вуглець |силіциди |
|цементація (10) |"Композиційні матеріали" з|карбіди |
|(твердофазне |керамічною та металевою |суміші зазначених|
|насичення) (див. |"матрицею" |матеріалів (4)) |
|"A") |--------------------------+-----------------|
| |сплави титану (13) |силіциди |
| | |алюмініди |
| | |леговані |
| | |алюмініди (2) |
| |--------------------------+-----------------|
| |тугоплавкі метали та |силіциди |
| |сплави (8) |оксиди |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|D. Плазмове |суперсплави |MCrAlX (5) |
|напилення | |модифікований |
| | |діоксид цирконію |
| | |(12) |
| | |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |ерозійностійкий |
| | |нікель-графіт |
| | |ерозійностійкий |
| | |нікель-хром- |
| | |алюміній-бентоніт|
| | |ерозійностійкий |
| | |алюміній-кремній-|
| | |поліестр |
| | |леговані |
| | |алюмініди (2) |
| |--------------------------+-----------------|
| |сплави алюмінію (6) |MCrAlX (5) |
| | |модифікований |
| | |діоксид цирконію |
| | |(12) |
| | |силіциди суміші |
| | |зазначених |
| | |матеріалів (4) |
| |--------------------------+-----------------|
| |тугоплавкі метали та |алюмініди |
| |сплави (8) |силіциди |
| | |карбіди |
| |--------------------------+-----------------|
| |корозійностійкі сталі (7) |MCrAlX (5) |
| | |модифікований |
| | |діоксид цирконію |
| | |(12) |
| | |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| |--------------------------+-----------------|
| |титанові сплави (13) |карбіди |
| | |алюмініди |
| | |силіциди |
| | |леговані |
| | |алюмініди (2) |
| | |ерозійностійкий |
| | |нікель-графіт |
| | |ерозійностійкий |
| | |нікель-хром- |
| | |алюміній-бентоніт|
| | |діоксиду цирконію|
| | |ерозійностійкий |
| | |алюміній-кремній-|
| | |поліестр |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|E. Шлікерні |тугоплавкі метали та |плавлені силіциди|
|суспензійні |сплави (8) |плавлені |
|покриття | |алюмініди |
|(осадження) | |(крім матеріалів |
| | |для нагрівних |
| | |елементів) |
| |--------------------------+-----------------|
| |вуглець-вуглець |силіциди |
| |"Композиційні" матеріали з|карбіди |
| |керамічною та металевою |суміші зазначених|
| |"матрицею" |матеріалів (4) |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|F. Нанесення |суперсплави |леговані силіциди|
|покриттів | |леговані |
|розпиленням | |алюмініди (2) |
| | |алюмініди |
| | |модифіковані |
| | |благородними |
| | |металами (3) |
| | |MCrAlX (5) |
| | |види |
| | |модифікованого |
| | |діоксиду цирконію|
| | |(12) |
| | |платина |
| | |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| |--------------------------+-----------------|
| |кераміка та скло з малим |силіциди |
| |коефіцієнтом розширення |платина |
| |(14) |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |алмазоподібний |
| | |вуглець (17) |
| |--------------------------+-----------------|
| |титанові сплави (13) |бориди |
| | |нітриди |
| | |оксиди |
| | |силіциди |
| | |алюмініди |
| | |леговані |
| | |алюмініди (2) |
| | |карбіди |
| |--------------------------+-----------------|
| |вуглець-вуглець |силіциди |
| |"Композиційні" матеріали з|карбіди |
| |керамічною та металевою |тугоплавкі метали|
| |"матрицею" |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |нітрид бору |
| |--------------------------+-----------------|
| |цементований карбід |карбіди |
| |вольфраму (16) |вольфрам |
| |карбід кремнію (18) |суміші зазначених|
| | |матеріалів (4) |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |нітрид бору |
| |--------------------------+-----------------|
| |молібден та його сплави |шари діелектриків|
| | |(15) |
| |--------------------------+-----------------|
| |берилій та його сплави |бориди |
| | |шари діелектриків|
| | |(15) |
| | |берилій |
| |--------------------------+-----------------|
| |матеріали вікон датчиків |шари діелектриків|
| |(9) |(15) |
| | |алмазоподібний |
| | |вуглець (17) |
| |--------------------------+-----------------|
| |тугоплавкі метали та |алюмініди |
| |сплави (8) |силіциди |
| | |оксиди |
| | |карбіди |
|-------------------+--------------------------+-----------------|
|G. Іонна |термостійкі |поверхневе |
|імплантація |шарикопідшипникові сталі |легування хромом,|
| | |танталом або |
| | |ніобієм |
| | |(коламбієм) |
| |--------------------------+-----------------|
| |титанові сплави (13) |бориди |
| | |нітриди |
| |--------------------------+-----------------|
| |берилій та його сплави |бориди |
| |--------------------------+-----------------|
| |цементований карбід |карбіди |
| |вольфраму (16) |нітриди |
|----------------------------------------------------------------|
| Примітки до таблиці "Технічні методи осадження покриття" |
|----------------------------------------------------------------|
| 1. |Процес покриття включає як нанесення нового покриття, так|
| |і ремонт та поновлення існуючого. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 2. |Покриття легованими алюмінідами включає одностадійний або|
| |багатостадійний процес нанесення покриття, під час якого|
| |елемент або елементи осаджуються до або під час отримання|
| |алюмінідного покриття, навіть якщо ці елементи додаються|
| |за допомогою іншого процесу. Але він не включає|
| |багаторазове використання одноступеневих процесів пакової|
| |цементації для отримання покриття на основі легованих|
| |алюмінідів. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 3. |Покриття алюмінідами, модифікованими благородними|
| |металами, включає багатоступеневе нанесення покриття, в|
| |якому благородний метал або благородні метали були|
| |нанесені раніше будь-яким іншим способом до отримання|
| |покриття легованими алюмінідами. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 4. |Суміші включають інфільтруючий матеріал, градієнтні|
| |композиції, присадки та багатошарові матеріали, які|
| |використовуються під час одного або кількох процесів|
| |отримання покриття, зазначеного у таблиці. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 5. |"MCrAlX" відповідає складному сплаву покриття, де "М"|
| |означає кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X"|
| |означає гафній, ітрій, кремній, тантал у будь-якій|
| |кількості, або інші спеціальні домішки у кількості понад|
| |0,01 вагового відсотка у різноманітних пропорціях та|
| |комбінаціях, крім: |
| |a) CoCrAlY - покриття, яке має менше ніж 22 вагових|
| |відсотки хрому, менше ніж 7 вагових відсотків алюмінію та|
| |менше ніж 2 вагових відсотки ітрію; |
| |b) CoCrAlY - покриття, яке має 22 - 24 вагових відсотки|
| |хрому, 10 - 12 вагових відсотків алюмінію та 0,5 - 0,7|
| |вагового відсотка ітрію; |
| |c) NiCrAlY - покриття, яке має 21 - 23 вагових відсотки|
| |хрому, 10 - 12 вагових відсотків алюмінію та 0,9 - 1,1|
| |вагового відсотка ітрію. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 6. |Сплави алюмінію - сплави з граничним значенням міцності на|
| |розрив 190 МПа або більше, які визначено при температурі|
| |293 К (20 град. C). |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 7. |Корозійностійка сталь означає сталь, яка відповідає|
| |вимогам стандарту серії 300 (AISI) Американського|
| |інституту заліза та сталі або вимогам відповідних|
| |національних стандартів. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 8. |Тугоплавкі метали та сплави включають такі метали та їх|
| |сплави: ніобій (коламбій в США), молібден, вольфрам і|
| |тантал. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 9. |Матеріали вікон датчиків - це оксид алюмінію, кремній,|
| |германій, сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію,|
| |алмаз, фосфід галію, сапфір та такі галогеніди металів:|
| |фторид цирконію і фторид гафнію - для вікон датчиків|
| |діаметром понад 40 мм. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 10.|На "технологію" для одноступеневих процесів пакової|
| |цементації суцільних лопаток турбін не поширюються|
| |обмеження згідно з розділом 2. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 11.|Полімери включають поліімід, поліестр, полісульфід,|
| |полікарбонати та поліуретани. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 12.|Модифікований діоксид цирконію - це діоксид цирконію з|
| |додаванням оксидів інших металів (таких як оксиди кальцію,|
| |магнію, ітрію, гафнію, рідкоземельних металів) для|
| |стабілізації відповідних кристалографічних фаз та фаз|
| |зміщення. Термозахисне покриття діоксидом цирконію,|
| |модифіковане оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом|
| |змішування або розплаву, контролю не підлягає. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 13.|Титанові сплави - це тільки аерокосмічні сплави з|
| |граничним значенням міцності на розрив 900 МПа або більше,|
| |визначеним при температурі 293 К (20 град C). |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 14.|Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення|
| |визначається як скло, що має коефіцієнт температурного|
| | -7 -1 |
| |розширення 1 x 10 К або менше, визначений при|
| |температурі 293 К (20 град. C). |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 15.|Діелектричні шарові покриття належать до багатошарових|
| |ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних|
| |властивостей матеріалів з різноманітними коефіцієнтами|
| |рефракції використовується для відбиття, передачі або|
| |поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До|
| |діелектричних шарових покриттів належать ті, що|
| |складаються з чотирьох або більше шарів діелектрика або|
| |шарових "композицій" діелектрик-метал. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 16.|Цементований карбід вольфраму не включає інструментальні|
| |матеріали, які застосовуються для різання та механічної|
| |обробки і складаються з карбіду|
| |вольфраму/(кобальт-нікель), карбіду|
| |титану/(кобальт-нікель), карбіду хрому/нікель-хром і|
| |карбіду хрому/нікель. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 17.|"Технологія", спеціально розроблена для осадження|
| |алмазоподібного вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не|
| |підлягає контролю, а саме: накопичувачі на магнітних|
| |дисках і магнітні головки, обладнання для виробництва|
| |разової тари, клапани для кранів, акустичні діафрагми для|
| |гучномовців, деталі двигунів для автомобілів, різальний|
| |інструмент, матриці для пресування та вирубні штампи,|
| |офісне автоматизоване обладнання, мікрофони, медичні|
| |пристрої або пресформи для литва або формування пластмаси,|
| |виготовлені із сплавів з вмістом берилію менше 5|
| |відсотків. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 18.|Карбід кремнію не включає матеріали для виготовлення|
| |різального або формувального інструменту. |
|-----+----------------------------------------------------------|
| 19.|Керамічні підкладки в цій позиції не включають керамічні|
| |матеріали, що містять 5 відсотків за вагою або більше|
| |глини чи цементу, незалежно від того, чи є вони окремим|
| |складовим "компонентом", чи входять у керамічні матеріали,|
| |в їх комбінації. |
|----------------------------------------------------------------|
| Технічні примітки до таблиці |
| "Технічні методи осадження покриття" |
|----------------------------------------------------------------|
|Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення|
|покриття", визначаються таким способом: |
|----------------------------------------------------------------|
|a. Хімічне осадження з парової фази (CVD) - це процес нанесення|
|зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що|
|покривається, де метал, сплав, "композиційний" матеріал,|
|діелектрик або кераміка наносяться на нагріту підкладку|
|(основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються на|
|поверхні виробу, внаслідок чого на ній утворюються потрібні|
|елементи, сплави або хімічні сполуки. Енергія для такого розпаду|
|або хімічної реакції може бути забезпечена нагріванням підкладки|
|плазмовим розрядом або променем "лазера". |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі примітки: |1. Хімічне осадження з парової фази (CVD)|
| |включає такі процеси: безпакетне нанесення|
| |покриття прямим газовим струменем,|
| |газоциркуляційне хімічне осадження, кероване|
| |зародження центрів конденсації при|
| |термічному осадженні (CNTD) або хімічне|
| |осадження з парової фази (CVD) з|
| |використанням плазми. |
| |2. Пакет означає підкладку (основу),|
| |занурену в порошкову суміш. |
| |3. Газоподібні реагенти, що використовуються|
| |у безпакетному процесі, отримуються за|
| |такими самими базовими реакціями та|
| |параметрами, як і цементація, за винятком|
| |випадку, коли підкладка, на яку наноситься|
| |покриття, не має контакту із сумішшю|
| |порошків. |
|----------------------------------------------------------------|
|b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням (TE-PVD)|
|- це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі під тиском|
|менше ніж 0,1 Па, коли джерело теплової енергії використовується|
|для перетворення на пару матеріалу, що наноситься, внаслідок|
|чого частки матеріалу, що випаровується, конденсуються або|
|осаджуються на відповідно розташовану підкладку. |
|Напускання газів у вакуумну камеру в процесі осадження для|
|створення складного покриття є звичайною модифікацією процесу.|
|Використання іонних або електронних променів або плазми для|
|активації або сприяння нанесенню покриття є також звичайною|
|модифікацією цієї технології. Використання моніторів для|
|забезпечення вимірювання оптичних характеристик або товщини|
|покриття під час процесу може бути характерною особливістю цих|
|процесів. |
|Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного нагрівання|
|полягає у тому, що: |
|1) при EB-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу, який|
|формує покриття на поверхні виробу, використовується електронний|
|промінь; |
|2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне забезпечити|
|контрольований та рівномірний (однорідний) потік пари матеріалу|
|покриття, використовується електричний опір; |
|3) при випаровуванні "лазером" для випаровування матеріалу, що|
|формує покриття, використовується імпульсний або безперервний|
|"лазерний" промінь; |
|4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги|
|використовується витрачуваний катод з матеріалу, що формує|
|покриття та створює розряд дуги на поверхні катода після|
|миттєвого контакту із заземленим пусковим пристроєм (тригером).|
|Контрольований рух дуги призводить до ерозії поверхні катода та|
|виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та|
|розташовуватися по периферії катода через ізолятор або сама|
|камера може бути анодом. Для нанесення покриття на підкладку, що|
|розташована не на лінії, використовується зміщення напруги; |
|----------------------------------------------------------------|
|Особлива примітка. |Зазначений у підпункті 4 процес не|
| |стосується нанесення покриття довільною|
| |катодною дугою без зміщення напруги. |
|----------------------------------------------------------------|
|5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD|
|процесу, у якому плазмове або іонне дзеркало використовується|
|для іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне|
|зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє осадженню|
|складових матеріалів покриття з плазми. Введення активних|
|реагентів, випаровування твердих матеріалів в камері, а також|
|використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі|
|нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини покриття,|
|є звичайними модифікаціями процесу. |
|----------------------------------------------------------------|
|c. Порошкове цементування - це модифікація методу нанесення|
|покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього|
|покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), яка|
|складається з: |
|1) металевих порошків, які входять до складу покриття (звичайно|
|алюміній, хром, кремній або їх комбінація); |
|2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та |
|3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію). |
|Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти, яка|
|нагрівається від 1030 К (+757 град. C) до 1375 К (+1102 град. C)|
|на час, який достатній для нанесення покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|d. Плазмове напилення - це процес нанесення зовнішнього|
|покриття, коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій|
|утворюється і керується плазма, використовує порошок або дріт з|
|матеріалу покриття, розплавляє їх та спрямовує на підкладки, де|
|формується інтегрально зв'язане покриття. Плазмове напилення|
|може ґрунтуватися на напиленні плазмою низького тиску або|
|високошвидкісною плазмою. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі примітки: |1. Низький тиск - це тиск нижче|
| |атмосферного. |
| |2. Високошвидкісна плазма визначається|
| |швидкістю газу на зрізі сопла понад 750 м/с,|
| |розрахованої при температурі 293 К|
| |(20 град. C) та тиску 0,1 МПа. |
|----------------------------------------------------------------|
|e. Осадження із суспензії - це процес нанесення покриття з|
|модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або|
|керамічний порошок з органічною сполучною речовиною суспензовано|
|в рідині та наноситься на підкладку за допомогою напилення,|
|занурення або фарбування з наступним повітряним або пічним|
|сушінням та термічною обробкою для отримання необхідних|
|властивостей покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|f. Осадження розпиленням - це процес нанесення зовнішнього|
|покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості руху,|
|коли позитивні іони прискорюються в електричному полі в напрямку|
|до поверхні мішені (підкладки виробу, що покривається).|
|Кінетична енергія ударів іонів достатня для визволення атомів на|
|поверхні мішені та їх осадження на відповідно розташовану|
|підкладку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі примітки: |1. У таблиці наведені відомості тільки щод|
| |тріодного, магнетронного або реактивного|
| |осадження розпиленням, які застосовуються|
| |для збільшення адгезії матеріалу покриття та|
| |швидкості його нанесення, а також щодо|
| |радіочастотного підсилення напилення, яке|
| |використовується під час нанесення|
| |пароутворювальних неметалевих матеріалів для|
| |покриття. |
| |2. Низькоенергетичні іонні промені (менше|
| |ніж 5 КеВ) можуть бути використані для|
| |прискорення (активації) процесу нанесення|
| |покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з|
|модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент|
|іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу та|
|імплантується на поверхню підкладки. До процесів з іонною|
|імплантацією належать і процеси, де іонна імплантація|
|здійснюється одночасно під час електронно-променевого осадження|
|або осадження розпилюванням. |
|----------------------------------------------------------------|
| Технічна термінологія, що використовується в таблиці технічних|
| методів осадження покриття |
|----------------------------------------------------------------|
|Технічна інформація стосовно таблиці технічних засобів осадження|
| покриття використовується у разі потреби. |
|----------------------------------------------------------------|
|1. Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях"|
|для попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці: |
| a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні,|
| наведені нижче: |
| 1) склад розчину у ванні: |
| a) для усунення старого та пошкодженого покриття, продуктів|
| корозії або сторонніх відкладень; |
| b) для приготування чистих підкладок; |
| 2) час оброблення у ванні; |
| 3) температура у ванні; |
| 4) кількість та послідовність циклів миття; |
| b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення ступеня|
| очищення або повноти очисної дози; |
| c) параметри циклів термічного оброблення, наведені нижче: |
| 1) атмосферні параметри: |
| a) склад атмосфери; |
| b) атмосферний тиск; |
| 2) температура термічної обробки; |
| 3) тривалість термічної обробки; |
| d) параметри підготовки підкладок, наведені нижче: |
| 1) параметри піскоструминного очищення: |
| a) склад часток; |
| b) розмір та форма часток; |
| c) швидкість подачі часток; |
| 2) час та послідовність циклів очищення після|
| піскоструминного очищення; |
| 3) параметри кінцевого оброблення поверхні; |
| 4) використання зв'язувальних для посилення адгезії; |
| e) технічні параметри маскування, наведені нижче: |
| 1) матеріал маски; |
| 2) розміщення маски. |
|----------------------------------------------------------------|
|2. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",|
|які забезпечують якість покриття для засобів, зазначених у|
|таблиці: |
| a) атмосферні параметри, наведені нижче: |
| 1) склад атмосфери; |
| 2) атмосферний тиск; |
| b) часові параметри; |
| c) температурні параметри; |
| d) параметри товщини; |
| e) коефіцієнт параметрів заломлення; |
| f) контроль складу покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|3. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",|
|які використовуються після нанесення покриття на підкладку,|
|зазначену в таблиці: |
| а) параметри дробоструминної обробки, наведені нижче: |
| 1) склад дробу; |
| 2) розмір дробу; |
| 3) швидкість подавання дробу; |
| b) параметри очищення після обробки дробом; |
| c) параметри циклу термічної обробки, наведені нижче: |
| 1) атмосферні параметри: |
| a) склад атмосфери; |
| b) атмосферний тиск; |
| 2) температурно-часові цикли; |
| d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання|
| покритих підкладок. |
|----------------------------------------------------------------|
|4. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях"|
|для визначення технічних засобів, які гарантують якість покриття|
|підкладок, зазначених у таблиці: |
| a) критерії статистичного відбіркового контролю; |
| b) мікроскопічні критерії для: |
| 1) збільшення покриття; |
| 2) рівномірності товщини покриття; |
| 3) цілісності покриття; |
| 4) складу покриття; |
| 5) зчеплення покриття та підкладки; |
| 6) мікроструктури однорідності; |
| c) критерії для проведення оцінки оптичних властивостей|
| (вимірювані як функція довжини хвилі): |
| 1) відбивна властивість; |
| 2) прозорість; |
| 3) поглинання; |
| 4) розсіювання. |
|----------------------------------------------------------------|
|5. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" та|
|параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з процесами|
|видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці: |
| a) для хімічного осадження з парової фази (CVD): |
| 1) склад та формування джерела покриття; |
| 2) склад несучого газу; |
| 3) температура підкладки; |
| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 5) контроль газу та маніпулювання деталями; |
| b) для термічного випарювання - фізичного осадження з парової|
| фази (PVD): |
| 1) склад зливка або джерела матеріалу покриття; |
| 2) температура підкладки; |
| 3) склад активного газу; |
| 4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування|
| матеріалу; |
| 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 6) маніпуляція променем та деталлю; |
| 7) параметри "лазера", наведені нижче: |
| a) довжина хвилі; |
| b) щільність потужності; |
| c) тривалість імпульсу; |
| d) періодичність імпульсів; |
| e) джерело; |
| c) для твердофазного осадження: |
| 1) склад обмазки та формування; |
| 2) склад несучого газу; |
| 3) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| d) для плазмового напилення: |
| 1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів; |
| 2) склад та параметри газу, що подається; |
| 3) температура підкладки; |
| 4) параметри потужності плазмової гармати; |
| 5) дистанція напилення; |
| 6) кут напилення; |
| 7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку; |
| 8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями; |
| e) для осадження розпиленням: |
| 1) склад та спосіб виробництва мішені; |
| 2) геометричне регулювання положення деталей та мішені; |
| 3) склад хімічно активного газу; |
| 4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення); |
| 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 6) потужність тріода; |
| 7) маніпулювання деталлю; |
| f) для іонної імплантації: |
| 1) контроль променя та маніпулювання деталлю; |
| 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| швидкості осадження; |
| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| g) для іонного покриття: |
| 1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю; |
| 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| швидкості осадження; |
| 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| 5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість |
| випаровування; |
| 6) температура підкладки; |
| 7) параметри електричного зміщення підкладки. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА |
|----------------------------------------------------------------|
|3. |ЕЛЕКТРОНІКА | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус обладнання та|
| |"компонентів", зазначених в позиції 3.A,|
| |інших, аніж описані у позиціях 3.A.1.a.3 -|
| |3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, які спеціально|
| |призначені або мають такі функціональні|
| |характеристики, як і інше обладнання,|
| |визначається контрольним статусом іншого|
| |обладнання. |
| |2. Контрольний статус інтегральних схем,|
| |зазначених в позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9|
| |або 3.A.1.a.12, програми яких не можуть бути|
| |змінені або які призначені для виконання|
| |конкретних функцій для іншого обладнання,|
| |визначається контрольним статусом іншого|
| |обладнання. |
| |3. Контрольний статус обладнання та|
| |"компонентів", зазначених у розділі 3, які|
| |спеціально розроблені або безпосередньо|
| |можуть бути використані для виконання функцій|
| |"захисту інформації", визначається з|
| |урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2|
| |розділу 5 (Захист інформації). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Якщо виробник або заявник не може визначити|
| |статус контролю за іншим обладнанням, то цей|
| |статус визначається статусом контролю за|
| |інтегральними схемами, зазначеними в позиціях|
| |3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12. Якщо ця|
| |інтегральна схема є "мікросхемою|
| |мікрокомп'ютера" на кремнієвій основі або|
| |мікросхемою мікроконтролера, зазначеними в|
| |позиції 3.A.1.a.3, і має довжину слова|
| |операнда 8 біт або менше, то тоді її статус|
| |контролю визначається відповідно до позиції|
| |3.A.1.a.3. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1. |Електронні "компоненти",| |
|[3A001] |наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.a. |Інтегральні мікросхеми| |
| |загального призначення,| |
| |наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус готових пластин або|
| |напівфабрикатів, на яких відтворена конкретна|
| |функція, визначається параметрами,|
| |зазначеними у позиції 3.A.1.a. |
| |2. Інтегральні схеми включають такі типи: |
| |"монолітні інтегральні схеми"; |
| |"гібридні інтегральні схеми"; |
| |" багатокристалічні інтегральні схеми"; |
| |"плівкові інтегральні схеми", включаючи|
| |інтегральні схеми типу кремній на сапфірі; |
| |"оптичні інтегральні схеми". |
|------------------+---------------------------------------------|
| |1) інтегральні схеми,|з 8542 |
| |спроектовані або класифіковані| |
| |виробником як радіаційно| |
| |стійкі для того, щоб витримати| |
| |будь-що з наведеного нижче: | |
| | 5 | |
| |a) загальну дозу - 5 x 10 рад| |
| |(кремній) або вище; | |
| |b) межу потужності дози| |
| | 8 | |
| |- 5 x 10 рад| |
| |(кремній)/секунда або вище; | |
| |c) флюенс (інтегральна густота| |
| |потоку) нейтронів (еквівалент| |
| | 13| |
| |1 Ме-В) 5 x 10 | |
| |нейтронів/кв.см або вище на| |
| |кремнії, або його еквівалент| |
| |для інших матеріалів | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до|
| |структур метал-діелектрик-напівпровідник|
| |(MIS). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) "мікросхеми|з 8542 |
| |мікропроцесора", "мікросхеми| |
| |мікрокомп'ютера", мікросхеми| |
| |мікроконтролера, інтегральні| |
| |схеми пам'яті, виготовлені із| |
| |складного напівпровідника,| |
| |перетворювачі з аналогової| |
| |форми у цифрову, перетворювачі| |
| |з цифрової форми в аналогову,| |
| |електрооптичні або "оптичні| |
| |інтегральні схеми", призначені| |
| |для "оброблення сигналів",| |
| |логічні пристрої з| |
| |експлуатаційним | |
| |програмуванням, інтегральні| |
| |схеми нейронної мережі,| |
| |інтегральні схеми на| |
| |замовлення, для яких не відома| |
| |або функція, або стан контролю| |
| |обладнання, у якому буде| |
| |використана інтегральна схема,| |
| |процесори швидкого| |
| |перетворення Фур'є (FFT),| |
| |програмована постійна пам'ять| |
| |із стиранням електричним| |
| |струмом (EEPROMs), імпульсна| |
| |пам'ять або статична пам'ять з| |
| |довільною вибіркою (SRAMs),| |
| |які мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) працездатні при температурі| |
| |навколишнього середовища понад| |
| |398 К (+125 град. C); | |
| |b) працездатні при температурі| |
| |навколишнього середовища нижче| |
| |218 К (-55 град. C); | |
| |c) працездатні за межами| |
| |діапазону температур| |
| |навколишнього середовища від| |
| |218 К (-55 град. C) до 398 К| |
| |(+125 град. C); | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.a.2 контролю не|
| |підлягають інтегральні схеми, що|
| |використовуються в цивільних автомобілях або|
| |залізничних поїздах. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |3) "мікросхеми|з 8542 |
| |мікропроцесора", "мікросхеми| |
| |мікрокомп'ютера" і мікросхеми| |
| |мікроконтролерів, які| |
| |виготовлені з| |
| |напівпровідникових з'єднань та| |
| |працюють з тактовою частотою| |
| |понад 40 МГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |У позиції 3.A.1.a.3 зазначені процесори|
| |цифрових сигналів, цифрові матричні процесори|
| |і цифрові співпроцесори. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |4) інтегральні схеми пам'яті,|з 8542 |
| |виготовлені на основі| |
| |напівпровідникових з'єднань; | |
| |------------------------------+--------------|
| |5) інтегральні схеми|з 8542 |
| |аналого-цифрових та| |
| |цифро-аналогових | |
| |перетворювачів, наведені| |
| |нижче: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) аналого-цифрові| |
| |перетворювачі, які мають одну| |
| |з таких ознак: | |
| |1) роздільна здатність 8 біт| |
| |або більше, але менше ніж 10| |
| |біт при швидкості виведення| |
| |даних більше ніж 500 млн. слів| |
| |за секунду; | |
| |2) роздільна здатність 10 біт| |
| |або більше, але менше ніж 12| |
| |біт при швидкості виведення| |
| |даних більше ніж 200 млн. слів| |
| |за секунду; | |
| |3) роздільна здатність 12 біт| |
| |при швидкості виведення даних| |
| |більше ніж 50 млн. слів за| |
| |секунду; | |
| |4) роздільна здатність більше| |
| |ніж 12 біт, але дорівнює або| |
| |менше 14 біт, при швидкості| |
| |виведення даних більше ніж 5| |
| |млн. слів за секунду; | |
| |5) роздільна здатність більше| |
| |ніж 14 біт при швидкості| |
| |виведення даних більше ніж| |
| |1 млн. слів за секунду; | |
| |b) цифро-аналогові| |
| |перетворювачі з роздільною| |
| |здатністю 12 біт або більше та| |
| |"часом установлення" менше ніж| |
| |10 нс; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|Технічні примітки.|1. Роздільна здатність n біт| |
| | n | |
| |відповідає 2 рівням| |
| |квантування. | |
| |2. Кількість біт у виведеному| |
| |слові дорівнює роздільній| |
| |здатності аналого-цифрового| |
| |перетворювача. | |
| |3. Швидкість виведення даних є| |
| |максимальною швидкістю| |
| |виведення даних перетворювача| |
| |незалежно від архітектури або| |
| |надлишкової дискретизації| |
| |(вибірки). Постачальники| |
| |можуть також посилатись на| |
| |швидкість виведення даних як| |
| |на частоту дискретизації,| |
| |швидкість перетворення або| |
| |пропускну здатність. Вона| |
| |часто визначається у| |
| |мегагерцах (МГц) або| |
| |мегавибірках за секунду| |
| |(MSPS). | |
| |4. Для цілей вимірювання| |
| |швидкості виведення даних одне| |
| |виведене слово за секунду є| |
| |еквівалентом одного Герца або| |
| |однієї вибірки за секунду. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |6) електронно-оптичні або|з 85421 |
| |"оптичні інтегральні схеми"| |
| |для "оброблення сигналів", які| |
| |мають усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |a) один внутрішній "лазерний"| |
| |діод або більше; | |
| |b) один внутрішній| |
| |світлочутливий елемент або| |
| |більше; | |
| |c) оптичні хвилеводи; | |
| |------------------------------+--------------|
| |7) програмовані в користувача|з 8542 |
| |логічні пристрої, які мають| |
| |одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) еквівалентна кількість| |
| |придатних до використання| |
| |вентилів понад 30000 (в| |
| |переліку на двовходові); | |
| |b) типовий "час затримки| |
| |поширення базового логічного| |
| |елемента" менше ніж 0,4 нс; | |
| |c) тактова частота понад| |
| |133 МГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.7 включає: |
| |прості програмовані логічні пристрої (SPLD); |
| |складні програмовані логічні пристрої (CPLD);|
| |вентильні матриці з можливістю програмування|
| |користувачем (FPGA); |
| |логічні матриці з можливістю програмування|
| |користувачем (FPLA); |
| |схеми з'єднань з можливістю програмування|
| |користувачем (FPIC). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Логічні пристрої з можливістю програмування|
| |користувачем, відомі також як вентилі або|
| |логічні матриці з можливістю програмування|
| |користувачем. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |8) позицію виключено; | |
| |9) інтегральні схеми для|з 8542 |
| |нейронних мереж; | |
| |10) інтегральні схеми на|з 8542 30 |
| |замовлення, функція яких не| |
| |відома, або контрольний статус| |
| |обладнання, у якому будуть| |
| |використовуватися зазначені| |
| |інтегральні схеми, не відомі| |
| |виробнику, що мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) кількість виводів понад| |
| |1000; | |
| |b) типовий "час затримки| |
| |поширення базового логічного| |
| |елемента" менше ніж 0,1 нс;| |
| |або | |
| |c) робоча частота понад 3 ГГц;| |
| |------------------------------+--------------|
| |11) цифрові інтегральні схеми,|8542 13 99 00,|
| |що відрізняються від|8542 14 99 00,|
| |зазначених у позиціях|8542 19 98 00,|
| |3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 та|8542 12 00 00 |
| |3.A.1.a.12 які створені на| |
| |основі будь-якого складного| |
| |напівпровідника і мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) еквівалентна кількість| |
| |вентилів понад 3000 (у| |
| |перерахунку на двовходові); | |
| |b) частота перемикання понад| |
| |1,2 ГГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |12) процесори швидкісного|з 8542, 8543 |
| |перетворення Фур'є (FFT), які| |
| |мають номінальний час| |
| |виконання для N-позначкового| |
| |комплексного швидкісного| |
| |перетворення Фур'є менше ніж| |
| |(N log ) / 20480 мкс, де| |
| | 2 | |
| |N - кількість позначок | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у|
| |позиції 3.A.1.a.12 визначає час виконання 500|
| |мкс. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1.b. |Прилади мікрохвильового та| |
| |міліметрового діапазону,| |
| |наведені нижче: | |
| |1) електронні вакуумні лампи| |
| |та катоди, наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не|
| |підлягають лампи, призначені або нормовані|
| |для роботи у будь-якому діапазоні частот,|
| |який відповідає всім наведеним нижче|
| |характеристикам: |
| |a) максимальна робоча частота якого не|
| |перевищує 31,8 ГГц; |
| |b) є "виділеним Міжнародним союзом|
| |електрозв'язку" (ITU) для надання послуг|
| |радіозв'язку, але не для радіовизначення. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не|
| |підлягають не "придатні для використання в|
| |космосі" лампи, які відповідають всім|
| |наведеним нижче характеристикам: |
| |a) середня вихідна потужність дорівнює або|
| |менше ніж 50 Вт; |
| |b) призначені або класифіковані для роботи в|
| |будь-якому діапазоні частот, який відповідає|
| |всім наведеним нижче характеристикам: |
| |1) вище 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц; |
| |2) є "виділеним Міжнародним союзом|
| |електрозв'язку" (ITU) для надання послуг|
| |радіозв'язку, але не для радіовизначення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) лампи біжучої хвилі|8540 79 00 00 |
| |імпульсної або безперервної| |
| |дії, наведені нижче: | |
| |1) з робочою частотою понад| |
| |31,8 ГГц; | |
| |2) які мають елемент| |
| |підігрівання катода з часом| |
| |від моменту включення до| |
| |виходу лампи на номінальну| |
| |радіочастотну потужність менше| |
| |ніж 3 с; | |
| |3) лампи із сполученими| |
| |резонаторами або їх| |
| |модифікації з "відносною| |
| |шириною смуги частот" понад 7| |
| |відсотків або з піковою| |
| |потужністю понад 2,5 кВт; | |
| |4) спіральні лампи або їх| |
| |модифікації, які мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) "миттєва ширина смуги| |
| |частот" становить понад 1| |
| |октаву і добуток номінальної| |
| |середньої вихідної потужності| |
| |(у кВт) на максимальну робочу| |
| |частоту (у ГГц) становить| |
| |понад 0,5; | |
| |b) "миттєва ширина смуги| |
| |частот" дорівнює 1 октаві або| |
| |менше і добуток номінальної| |
| |середньої вихідної потужності| |
| |(у кВт) на максимальну робочу| |
| |частоту (у ГГц) становить| |
| |понад 1; | |
| |c) "придатні для використання| |
| |в космосі"; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) лампи - підсилювачі|8540 71 00 00 |
| |магнетронного типу з| |
| |коефіцієнтом підсилення понад| |
| |17 дБ; | |
| |------------------------------+--------------|
| |c) імпрегновані катоди для|8540 79 00 00 |
| |електронних ламп, які| |
| |виробляють густину струму при| |
| |безперервній емісії за штатних| |
| |умов експлуатації понад| |
| |5 А/кв.см; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) підсилювачі потужності на|8542 |
| |монолітних інтегральних схемах| |
| |мікрохвильового діапазону| |
| |(ММІС), що мають будь-яку з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) що працюють на частотах| |
| |понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно| |
| |з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 4 Вт (36| |
| |дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 15| |
| |відсотків; | |
| |b) що працюють на частотах| |
| |понад 6 ГГц до 16 ГГц включно| |
| |з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 1 Вт (30| |
| |дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |c) що працюють на частотах| |
| |понад 16 ГГц до 31,8 ГГц| |
| |включно з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 0,8 Вт| |
| |(29 дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |d) що працюють на частотах| |
| |понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц| |
| |включно; | |
| |e) що працюють для роботи на| |
| |частотах понад 37,5 ГГц до| |
| |43,5 ГГц включно з середньою| |
| |вихідною потужністю більше ніж| |
| |0,25 Вт (24 дБм) і "відносною| |
| |шириною смуги частот" більше| |
| |ніж 10 відсотків; або | |
| |f) що працюють на частотах| |
| |понад 43,5 ГГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не|
| |підлягає обладнання радіомовних супутників,|
| |призначене або нормоване для роботи в|
| |діапазоні частот від 40,5 до 42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус ММІС, чия номінальна|
| |робоча частота включає частоти, перелічені в|
| |більш ніж одному діапазоні частот, визначених|
| |у позиціях 3.A.1.b.2.a - 3.A.1.b.2.f,|
| |визначається нижчим середнім значенням|
| |вихідної потужності. |
| |3. Примітки 1 та 2 в заголовку розділу 3|
| |означають, що згідно з позицією 3.A.1.b.2|
| |контролю не підлягають ММІС, якщо вони|
| |спеціально призначені для інших застосувань,|
| |наприклад, у телекомунікаційному зв'язку,|
| |РЛС, автомобілях. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1.b. |3) дискретні мікрохвильові|8541 |
| |транзистори, які мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) що працюють на частотах| |
| |понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно| |
| |і мають середню вихідну| |
| |потужність більше ніж 60 Вт| |
| |(47,8 дБм); | |
| |b) що працюють на частотах| |
| |понад 6 ГГц до 31,8 ГГц| |
| |включно і мають середню| |
| |вихідну потужність більше ніж| |
| |20 Вт (43 дБм); | |
| |c) що працюють на частотах| |
| |понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц| |
| |включно і мають середню| |
| |вихідну потужність більше ніж| |
| |0,5 Вт (27 дБм); | |
| |d) що працюють на частотах| |
| |понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц| |
| |включно і мають середню| |
| |вихідну потужність більше ніж| |
| |1 Вт (30 дБм); або | |
| |e) що працюють на частотах| |
| |понад 43,5 ГГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Контрольний статус транзистора, чия|
| |номінальна робоча частота включає частоти,|
| |перелічені в більш ніж одному діапазоні|
| |частот, перелічених у позиціях 3.A.1.b.3.a -|
| |3.A.1.b.3.e, визначається нижчим середнім|
| |значенням вихідної потужності. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |4) мікрохвильові твердотільні|8543 |
| |підсилювачі та мікрохвильові| |
| |збірки/модулі, які містять| |
| |мікрохвильові підсилювачі, що| |
| |мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) що працюють на частотах| |
| |понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно| |
| |з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 60 Вт| |
| |(47,8 дБм) і "відносною| |
| |шириною смуги частот" більше| |
| |ніж 15 відсотків; | |
| |b) що працюють на частотах| |
| |понад 6 ГГц до 31,8 ГГц| |
| |включно з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 15 Вт| |
| |(42 дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |c) що працюють на частотах| |
| |понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц| |
| |включно; | |
| |d) що працюють на частотах| |
| |понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц| |
| |включно з середньою вихідною| |
| |потужністю більше ніж 1 Вт (30| |
| |дБм) і "відносною шириною| |
| |смуги частот" більше ніж 10| |
| |відсотків; | |
| |e) що працюють на частотах| |
| |понад 43,5 ГГц; або | |
| |f) що працюють на частотах| |
| |вище 3,2 ГГц і мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |1) середню вихідну потужність| |
| |(у ватах) більше 150,| |
| |поділених на максимальну| |
| |робочу частоту (у Гігагерцах)| |
| |у квадраті| |
| | 2 2 | |
| |[P > 150 Вт x ГГц /f ]; | |
| | ГГц | |
| |2) відносну ширину смуги| |
| |частот 5 відсотків або більше;| |
| |та | |
| |3) будь-які дві сторони,| |
| |перпендикулярні одна одній,| |
| |мають довжину d (в| |
| |сантиметрах), що дорівнює або| |
| |менше 15 поділених на найменшу| |
| |робочу частоту (у Гігагерцах)| |
| |[d <= 15 см x ГГц/f ] | |
| | ГГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|3,2 ГГц слід використовувати як найнижчу|
| |робочу частоту (f ) у формулі, наведеній у|
| | ГГц |
| |позиції 3.A.1.b.4.f.3. для підсилювачів з|
| |розрахованим робочим діапазоном, що|
| |продовжується до 3,2 ГГц і нижче [d <= 15 см|
| |* ГГц/3,2 ГГц]. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Контрольний статус підсилювачів потужності на|
| |ММІС слід оцінювати за критеріями,|
| |зазначеними у позиції 3.A.1.b.2. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не|
| |підлягає обладнання радіомовних супутників,|
| |призначене або нормоване для роботи в|
| |діапазоні частот від 40,5 до 42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус виробу, чия номінальна|
| |робоча частота включає частоти, перелічені в|
| |більш ніж одному діапазоні частот, визначених|
| |у позиціях 3.A.1.b.4.a - 3.A.1.b.4.e,|
| |визначається нижчим середнім значенням|
| |вихідної потужності. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |5) смугові або загороджувальні|8529 |
| |фільтри з електронним або| |
| |магнітним налагодженням, які| |
| |мають понад 5 налагоджувальних| |
| |резонаторів, що забезпечують| |
| |налагодження в смузі частот, з| |
| |відношенням максимальної та| |
| |мінімальної частот 1,5:1 менше| |
| |ніж за 10 мкс і мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) смуга частот пропускання| |
| |становить понад 0,5 відсотка| |
| |резонансної частоти; | |
| |b) смуга загородження| |
| |становить менше ніж 0,5| |
| |відсотка резонансної частоти; | |
| |------------------------------+--------------|
| |6) виключено; |8529 |
| |7) змішувачі та перетворювачі,| |
| |призначені для розширення| |
| |частотного діапазону| |
| |обладнання, зазначеного в| |
| |позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.e або| |
| |3.A.2.f; | |
| |------------------------------+--------------|
| |8) мікрохвильові підсилювачі|з 8540 71 |
| |потужності, які містять лампи,| |
| |що підлягають контролю згідно| |
| |з позицією 3.A.1.b, і мають| |
| |усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |a) робочі частоти понад 3 ГГц;| |
| |b) середня густота вихідної| |
| |потужності понад 80 Вт/кг; та| |
| |c) об'єм менше ніж 400 куб.см | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не|
| |підлягає обладнання, призначене або нормоване|
| |для роботи у будь-якій смузі, що є "виділеною|
| |Міжнародним союзом електрозв'язку (ITU)" для|
| |надання послуг радіозв'язку, але не для|
| |радіовизначення. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.1.c. |Прилади на акустичних хвилях,| |
| |наведені нижче, та "спеціально| |
| |призначені компоненти" для| |
| |них: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) прилади на поверхневих|8541 60 00 00 |
| |акустичних хвилях і акустичних| |
| |хвилях у тонкій підкладці| |
| |(тобто прилади для "оброблення| |
| |сигналів", що використовують| |
| |пружні хвилі в матеріалі), які| |
| |мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) несуча частота понад 2,5| |
| |ГГц; | |
| |b) несуча частота понад 1 ГГц,| |
| |але не більше 2,5 ГГц, і мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) частотне заглушення бокових| |
| |пелюстків діаграми| |
| |направленості понад 55 дБ; | |
| |2) добуток максимального часу| |
| |затримки (у мкс) і "миттєвої| |
| |ширини смуги частот" (у МГц)| |
| |понад 100; | |
| |3) "миттєва ширина смуги| |
| |частот" понад 250 МГц; | |
| |4) затримка розсіювання понад| |
| |10 мкс; | |
| |c) несуча частота, яка| |
| |дорівнює 1 ГГц або менше і має| |
| |одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) добуток максимального часу| |
| |затримки (у мкс) і "миттєвої| |
| |ширини смуги частот" (у МГц)| |
| |понад 100; | |
| |2) затримка розсіювання понад| |
| |10 мкс; | |
| |3) частотне заглушення бокових| |
| |пелюстків діаграми| |
| |направленості понад 55 дБ та| |
| |ширина смуги частот понад 50| |
| |МГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) прилади на об'ємних|8541 60 00 00 |
| |акустичних хвилях (тобто| |
| |прилади для "оброблення| |
| |сигналів", які використовують| |
| |пружні хвилі в матеріалі), що| |
| |забезпечують безпосереднє| |
| |"оброблення сигналів" на| |
| |частотах понад 1 ГГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) акустооптичні прилади|8541 60 00 00 |
| |"оброблення сигналів", які| |
| |використовують взаємодію між| |
| |акустичними хвилями (об'ємними| |
| |чи поверхневими) і світловими| |
| |хвилями, що забезпечує| |
| |безпосереднє "оброблення| |
| |сигналів" або зображення,| |
| |включаючи аналіз спектра,| |
| |кореляцію або згортку | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.d. |Електронні прилади або схеми,|8542 50 00 00 |
| |які містять елементи,| |
| |виготовлені з "надпровідних"| |
| |матеріалів, спеціально| |
| |спроектовані для роботи при| |
| |температурах, нижчих від| |
| |"критичної температури" хоча б| |
| |для однієї з "надпровідних"| |
| |складових, і мають одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |1) наявність струмових| |
| |перемикачів для цифрових схем,| |
| |які використовують| |
| |"надпровідні" вентилі, де| |
| |добуток часу затримки на| |
| |вентиль (у секундах) і| |
| |розсіювання потужності на| |
| |вентиль (у ватах) нижче ніж| |
| | -14 | |
| |10 Дж; | |
| |2) забезпечення селекції| |
| |частоти на всіх діапазонах| |
| |частот з використанням| |
| |резонансних контурів з| |
| |добротністю понад 10000 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.e. |Прилади високої енергії,| |
| |наведені нижче: | |
| |1) батареї та фотоелектричні| |
| |батареї, наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.1 контролю не|
| |підлягають батареї об'ємом 27 куб.см або|
| |менше (наприклад, стандартні вугільні|
| |елементи або батареї R14). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) первинні елементи і батареї|з 8506 60, |
| |із щільністю енергії понад 480|8506 80, |
| |Вт.год./кг, які за технічними|8540 10 10 00 |
| |умовами придатні для роботи в| |
| |діапазоні температур нижче від| |
| |243 К (-30 град. C) і вище від| |
| |343 К (+70 град. C); | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) підзаряджувальні елементи і|з 8506 60, |
| |батареї із щільністю енергії|8506 80, |
| |понад 150 Вт.год/кг після 75|8540 10 10 00 |
| |циклів заряду-розряду при| |
| |струмі розряду, що дорівнює| |
| |С/5 год (де С - номінальна| |
| |ємність в а.год), під час| |
| |роботи в діапазоні температур| |
| |нижче від 253 К (-20 град. C)| |
| |і вище від 333 К| |
| |(+60 град. C); | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Густина енергії розраховується множенням|
| |середньої потужності у ватах (добуток|
| |середньої напруги у вольтах і середнього|
| |струму в амперах) на тривалість циклу|
| |розрядження в годинах, за якого напруга на|
| |розімкнутих клемах падає до 75 відсотків|
| |номіналу, і діленням цього добутку на|
| |загальну масу елемента (або батареї) в|
| |кілограмах. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |c) батареї, за технічними|з 8506 60, |
| |умовами "придатні для|8506 80, |
| |використання в космосі" та|8540 10 10 00 |
| |радіаційно стійкі батареї на| |
| |фотоелектричних елементах з| |
| |питомою потужністю понад 160| |
| |Вт/кв.м при робочій| |
| |температурі 301 К (+28 град.| |
| |C) і вольфрамовому джерелі,| |
| |яке нагріте до 2800 К (+2527| |
| |град. C) і створює енергетичну| |
| |освітленість 1 кВт/кв.м; | |
| |2) накопичувачі великої| |
| |енергії, наведені нижче: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) накопичувачі енергії з|з 8506 60, |
| |частотою повторення менше ніж|8506 80, |
| |10 Гц (одноразові|8540 10 10 00 |
| |накопичувачі), що мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |1) номінальну напругу не менше| |
| |ніж 5 кВ; | |
| |2) густину енергії не менше| |
| |ніж 250 Дж/кг; та | |
| |3) загальну енергію не менше| |
| |ніж 25 кДж; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) накопичувачі енергії з|з 8506 60, |
| |частотою повторення 10 Гц і|8506 80, |
| |більше (багаторазові|8540 10 10 00 |
| |накопичувачі), які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |------------------------------+--------------|
| |1) номінальну напругу не менше|з 8507 80 |
| |ніж 5 кВ, | |
| |2) густину енергії не менше| |
| |ніж 50 Дж/кг; | |
| |3) загальну енергію не менше| |
| |ніж 100 Дж; та | |
| |4) кількість циклів| |
| |заряду-розряду не менше ніж| |
| |10000; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) "надпровідні"|8505 19 90 00 |
| |електромагніти та соленоїди,| |
| |спеціально спроектовані на| |
| |повне заряджання або| |
| |розряджання менше ніж за 1| |
| |секунду, які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не|
| |підлягають "надпровідні" електромагніти або|
| |соленоїди, спеціально призначені для медичної|
| |апаратури магніторезонансної томографії|
| |(MRI). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) максимальну енергію під час| |
| |розряду понад 10 кДж за першу| |
| |секунду; | |
| |b) внутрішній діаметр| |
| |струмопровідних обмоток понад| |
| |250 мм; та | |
| |c) номінальну магнітну| |
| |індукцію понад 8 Т або| |
| |"сумарну густину струму" в| |
| |обмотці понад 300 А/кв.мм | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.1.f. |Обертові перетворювачі|9031 80 31 10,|
| |абсолютного кутового положення|9031 80 31 90,|
| |вала в кут, які мають будь-яку|8502 40 |
| |з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) розподільна здатність краще| |
| |1/265000 від повного діапазону| |
| |(18 біт); | |
| |2) точність краще ніж +- 2,5| |
| |кутових секунд | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2. |Електронна апаратура| |
|[3A002] |загального призначення,| |
| |наведена нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.a. |Записувальна апаратура,|8520 32 99 00 |
| |наведена нижче, і спеціально| |
| |призначена для неї| |
| |вимірювальна стрічка: | |
| |1) накопичувачі на магнітній| |
| |плівці для аналогової| |
| |апаратури, включаючи| |
| |накопичувачі з можливістю| |
| |запису цифрових сигналів| |
| |(тобто, що використовують| |
| |модуль цифрового запису| |
| |високої щільності (HDDR), які| |
| |мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) смуга частот понад 4 МГц на| |
| |електронний канал або доріжку;| |
| |b) смуга частот понад 2 МГц на| |
| |електронний канал або доріжку| |
| |при кількості доріжок понад| |
| |42; або | |
| |c) помилка непогодження| |
| |змінної шкали, виміряна із| |
| |застосуванням документів| |
| |Асоціації електронної| |
| |промисловості (EIA) або IRIG,| |
| |менше ніж +- 0,1 мкс; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Аналогові магнітофони, спеціально створені|
| |для цілей цивільного відео, не вважаються|
| |накопичувачами на плівці. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) цифрові відеомагнітофони,|з 8521 10, |
| |які мають максимальну|8521 90 00 00 |
| |роздільну здатність цифрового| |
| |інтерфейсу понад 360 Мбіт/с; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не|
| |підлягають цифрові стрічкові відеомагнітофони|
| |спеціально спроектовані для телевізійного|
| |запису з використанням форми сигналу, що може|
| |включати форму стисненого сигналу за|
| |стандартами або рекомендаціями Міжнародного|
| |союзу електрозв'язку (ITU), Міжнародної|
| |електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно-|
| |та телевізійних інженерів (SMPTE),|
| |Європейського союзу радіомовлення (EBU),|
| |Європейського інституту стандартів зв'язку|
| |(ETSI) або Інституту інженерів - спеціалістів|
| |у галузі електротехніки та електроніки (IEEE)|
| |для цивільного телебачення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |3) накопичувачі на магнітній|з 8521 10 |
| |плівці для цифрової апаратури,| |
| |що використовує методи| |
| |спірального сканування або| |
| |фіксованих магнітних головок,| |
| |які мають одну з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) максимальна пропускна| |
| |здатність цифрового інтерфейсу| |
| |понад 175 Мбіт/с; | |
| |b) за технічними умовами| |
| |"придатні для використання в| |
| |космосі"; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не|
| |підлягають аналогові накопичувачі на|
| |магнітній плівці, оснащені електронікою для|
| |перетворення в цифровий запис високої|
| |щільності (HDDR) та призначені для запису|
| |тільки цифрових даних. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |4) апаратура з максимальною|8521 90 00 00 |
| |пропускною здатністю цифрового| |
| |інтерфейсу понад 175 Мбіт/с,| |
| |призначена для перетворення| |
| |цифрових відеомагнітофонів у| |
| |пристрої запису даних цифрової| |
| |апаратури; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |5) цифрові перетворювачі форми|з 8543 |
| |хвилі та перехідні| |
| |реєстратори, які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |a) швидкість цифрового| |
| |перетворення, що дорівнює або| |
| |більше ніж 200 млн. операцій| |
| |за секунду з роздільною| |
| |здатністю 10 біт або більше; | |
| |b) безперервну пропускну| |
| |здатність 2 Гбіт/с і більше | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для цих приладів з паралельною шиною|
| |швидкість безперервної пропускної здатності є|
| |добуток найбільшого обсягу слів на кількість|
| |біт у слові. |
| |Безперервна пропускна здатність - це найвища|
| |швидкість, з якою прилад може виводити дані в|
| |накопичувач без втрати інформації та водночас|
| |підтримувати швидкість вимірювання та функцію|
| |аналого-цифрового перетворення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |6) накопичувачі для цифрової| |
| |апаратури, що використовують| |
| |методи накопичення на| |
| |магнітних дисках, які мають| |
| |усі з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) швидкість цифрового| |
| |перетворення, що дорівнює або| |
| |більше ніж 100 млн. операцій| |
| |за секунду та роздільну| |
| |здатність 8 біт або більше; | |
| |b) безперервна пропускна| |
| |здатність 1 Гбіт/с або більше;| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.b. |"Електронні збірки"|з 8543, |
| |"синтезаторів частоти", які|8570 10 90 00 |
| |мають "час перемикання| |
| |частоти" з однієї на іншу| |
| |менше ніж 1 мс | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.c. |"Аналізатори сигналів"|з 8543, |
| |радіочастоти, наведені нижче: |8570 10 90 00 |
| |1) "аналізатори сигналів", які| |
| |здатні аналізувати частоти| |
| |понад 31,8 ГГц, але не більше| |
| |ніж 37,5 ГГц, та мають ширину| |
| |смуги частот з роздільною| |
| |здатністю 3 дБ (RBW), що| |
| |перевищує 10 МГц; | |
| |2) "аналізатори сигналів",| |
| |здатні аналізувати частоти| |
| |понад 43,5 ГГц; | |
| |3) "динамічні аналізатори| |
| |сигналів" із "шириною смуги| |
| |частот у реальному масштабі| |
| |часу" понад 500 кГц | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не|
| |підлягають "динамічні аналізатори сигналів",|
| |які використовують тільки фільтри із смугою|
| |пропускання фіксованих частот (відомі також|
| |під назвою октавних або фракційних октавних|
| |фільтрів). |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.2.d. |Генератори сигналів|8543 20 00 00 |
| |синтезаторів частот, які| |
| |формують вихідні частоти з| |
| |керуванням за параметрами| |
| |точності, короткочасної та| |
| |довгочасної стабільності на| |
| |основі або за допомогою| |
| |внутрішньої еталонної частоти| |
| |і мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) максимальна синтезована| |
| |частота понад 31,8 ГГц, але не| |
| |вище 43,5 ГГц та нормована для| |
| |генерації імпульсів тривалістю| |
| |менше ніж 100 нс; | |
| |2) максимальна синтезована| |
| |частота понад 43,5 ГГц; | |
| |3) "час перемикання частоти" з| |
| |однієї заданої частоти на іншу| |
| |менше ніж 1 мс; | |
| |4) фазовий шум однієї бокової| |
| |смуги (SSB) краще -| |
| |(126+20 log F - 20 log f)| |
| | 10 10 | |
| |в одиницях дБ/Гц, де F -| |
| |відхилення робочої частоти в| |
| |Гц, а f - робоча частота в МГц| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|"Тривалість імпульсу" для позиції 3A.2.d.1|
| |визначається як проміжок часу між переднім|
| |фронтом імпульсу, який досягає 90 відсотків|
| |максимуму, і заднім фронтом імпульсу, який|
| |досягає 10 відсотків максимуму. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не|
| |підлягає обладнання, у якому вихідна частота|
| |створюється шляхом додавання або віднімання|
| |частот двох або більше частот кварцового|
| |генератора чи шляхом додавання або віднімання|
| |з наступним множенням результуючої частоти. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.2.e. |Мережеві аналізатори з|з 8543, |
| |максимальною робочою частотою|8470 10 90 00 |
| |понад 43,5 ГГц | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.f. |Приймачі-тестери |8527 90 98 00 |
| |мікрохвильового діапазону, які| |
| |мають усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |1) максимальну робочу частоту| |
| |понад 40 ГГц; | |
| |2) здатні одночасно вимірювати| |
| |амплітуду та фазу | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.A.2.g. |Атомні еталони частоти, які|8543 20 00 00 |
| |мають одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) довготривала стабільність| |
| |(старіння) менше (краще)| |
| | -11 | |
| |1 x 10 /місяць; | |
| |3) за технічними умовами| |
| |"придатні для використання в| |
| |космосі" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не|
| |підлягають рубідієві еталони, не "придатні|
| |для використання в космосі". |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.A.3. |Системи терморегулювання з|З 8424 |
| |охолодженням шляхом| |
| |розбризкування, що| |
| |використовують обладнання із| |
| |замкнутим контуром для| |
| |маніпулювання рідиною та її| |
| |регенерації в герметичній| |
| |оболонці, в якій діелектрична| |
| |рідина розбризкується на| |
| |електронні "компоненти" з| |
| |використанням спеціально| |
| |призначених розпилювачів,| |
| |спроектовані таким чином, щоб| |
| |підтримувати температуру| |
| |електронних "компонентів" у| |
| |межах їх робочого| |
| |температурного діапазону, а| |
| |також "спеціально призначені| |
| |компоненти" для них. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1. |Обладнання для виробництва| |
|[3B001] |напівпровідникових приладів| |
| |або матеріалів, наведене| |
| |нижче, і спеціально створені| |
| |"компоненти" та оснащення для| |
| |них: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.a. |Обладнання для епітаксійного| |
| |вирощування, наведене нижче: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) обладнання, здатне|з 8419 89 |
| |виробляти шар будь-якого| |
| |матеріалу, крім кремнію, з| |
| |відхиленням товщини не більше| |
| |ніж 2,5 відсотка на довжині| |
| |75 мм або більше; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) обладнання хімічного|з 8419 89 |
| |осадження з металоорганічної| |
| |парової фази (MOCVD),| |
| |спеціально розроблене для| |
| |вирощування кристалів складних| |
| |напівпровідників за допомогою| |
| |хімічних реакцій між| |
| |матеріалами, зазначене у| |
| |позиціях 3.C.3 або 3.C.4; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) молекулярно-променеве|з 8419 89 |
| |обладнання епітаксійного| |
| |вирощування, у якому| |
| |застосовані газові або| |
| |твердотільні джерела | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.b. |Обладнання для іонної|8456 10 10 00,|
| |імплантації, яке має одну з|8456 10 90 00 |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |1) енергія пучка| |
| |(прискорювальна напруга) понад| |
| |1 МеВ; | |
| |2) спеціально спроектоване та| |
| |оптимізоване для| |
| |функціонування при енергії| |
| |пучка (прискорювальній| |
| |напрузі) менше ніж 2 кеВ; | |
| |3) здатне до безпосереднього| |
| |запису; | |
| |4) призначене для| |
| |високоенергетичної імплантації| |
| |кисню в нагріту "підкладку"| |
| |напівпровідникового матеріалу| |
| |з енергією пучка 65 кеВ або| |
| |більше і струмом пучка 45 мА| |
| |або більше | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.c. |Обладнання, наведене нижче,|з 8456 99, |
| |для сухого травлення|8456 91 00 00 |
| |анізотропною плазмою: | |
| |1) з покасетним обробленням| |
| |пластин та завантаженням їх| |
| |через завантажувальні шлюзи,| |
| |яке має одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) призначене або оптимізоване| |
| |для створення критичних| |
| |розмірів 180 нм або менше з| |
| |точністю +- 5 відсотків (3| |
| |сигма); | |
| |b) призначене для генерації| |
| |менше ніж 0,04 частки/кв.см з| |
| |вимірюваним розміром частки| |
| |більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |2) обладнання, спеціально| |
| |спроектоване для обладнання,| |
| |яке підлягає контролю за| |
| |позицією 3.B.1.e та має одну з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |a) призначене або оптимізоване| |
| |для створення критичних| |
| |розмірів 180 нм або менше з| |
| |точністю +- 5 відсотків (3| |
| |сигма); | |
| |b) призначене для генерації| |
| |менше ніж 0,04 частки/кв.см з| |
| |вимірюваним розміром частки| |
| |більше ніж 0,1 мм у діаметрі | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.d. |Обладнання для хімічного|з 8456 99, |
| |осадження з парової фази (CVD)|8456 91 00 00 |
| |та плазмової стимуляції,| |
| |наведене нижче: | |
| |1) обладнання з покасетним| |
| |обробленням пластин і подачею| |
| |їх через завантажувальні| |
| |шлюзи, спроектоване відповідно| |
| |до технічних умов виробника| |
| |або оптимізоване для| |
| |використання у виробництві| |
| |напівпровідникових приладів з| |
| |критичними розмірами 180 нм| |
| |або менше; | |
| |2) обладнання, спеціально| |
| |спроектоване для апаратури,| |
| |яка підлягає контролю згідно з| |
| |позицією 3.B.1.e, і| |
| |спроектоване відповідно до| |
| |технічних умов виробника або| |
| |оптимізоване для використання| |
| |у виробництві| |
| |напівпровідникових приладів з| |
| |критичними розмірами 180 нм| |
| |або менше | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.e. |Багатокамерні системи з|8456 10 10 00,|
| |центральним автоматичним|8456 10 90 00,|
| |завантаженням |з 8456 99, |
| |напівпровідникових пластин, що|8456 91 00 00 |
| |мають усі наведені нижче| |
| |характеристики: | |
| |1) інтерфейси для завантаження| |
| |та вивантаження пластин, до| |
| |яких повинні приєднуватися| |
| |більше ніж дві одиниці| |
| |обладнання для оброблення| |
| |напівпровідників; | |
| |2) призначений для комплексної| |
| |системи послідовного| |
| |багатопозиційного оброблення| |
| |пластин у вакуумі | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не|
| |підлягають автоматичні робототехнічні системи|
| |завантаження пластин, не призначених для|
| |роботи у вакуумі. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.B.1.f. |Обладнання літографії,|9009 22 90 00 |
| |наведене нижче: | |
| |1) обладнання багаторазового| |
| |суміщення та експонування| |
| |(безпосередньо на "підкладці")| |
| |або обладнання крокового| |
| |сканування для оброблення| |
| |пластин методами фотооптичної| |
| |або рентгенівської літографії,| |
| |яке має будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) наявність джерела| |
| |освітлення з довжиною хвилі| |
| |коротшою ніж 245 нм; | |
| |b) спроможність виробляти| |
| |зразки з мінімальним| |
| |визначеним типовим розміром| |
| |180 нм або менше; | |
|----------------------------------------------------------------|
|Технічна примітка. Мінімальний визначений типовий розмір можна|
| розрахувати за формулою: |
| |
| (довжина хвилі випромінювання світла в нм) x (K фактор) |
|MRF = ---------------------------------------------------------,|
| цифрова апертура |
| |
| де К фактор = 0,45, а MRF - мінімальний|
| визначений типовий розмір. |
|----------------------------------------------------------------|
| |2) обладнання, спеціально|8456 10 10 00,|
| |призначене для виробництва|8456 10 90 00 |
| |шаблонів або оброблення| |
| |напівпровідникових приладів з| |
| |використанням сфокусованого| |
| |електронного пучка, що| |
| |відхиляється, іонного пучка| |
| |або "лазерного" пучка, які| |
| |мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |a) розмір плями менше ніж 0,2| |
| |мкм; | |
| |b) здатність виробляти малюнок| |
| |з мінімальними дозволеними| |
| |проектними нормами менше ніж 1| |
| |мкм; | |
| |c) точність суміщення краще| |
| |+- 0,2 мкм (3 сигма) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.g. |Шаблони (маски) або|9010 90 10 00,|
| |фотошаблони для інтегральних|9010 90 90 00 |
| |схем, що підлягають контролю| |
| |згідно з позицією 3.A.1 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.1.h. |Багатошарові шаблони (маски) з|9010 90 10 00,|
| |фазозсувним шаром. |9010 90 90 00 |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не|
| |підлягають багатошарові маски з фазозсувним|
| |шаром, призначені для виробництва|
| |запам'ятовувальних пристроїв, які не|
| |контролюються згідно з позицією 3.A.1. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.B.2. |Обладнання для випробувань,|9031 80 39 10,|
|[3B002] |спеціально призначене для|9031 80 39 90 |
| |випробувань готових або| |
| |напівфабрикатних | |
| |напівпровідникових приладів,| |
| |наведене нижче і спеціально| |
| |створені "компоненти" та| |
| |аксесуари до нього: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.2.a. |Для вимірювання S-параметрів| |
| |транзисторних приладів на| |
| |частотах понад 31,8 ГГц | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.2.b. |Виключено | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.B.2.c. |Для випробувань мікрохвильових| |
| |інтегральних схем, що| |
| |контролюються згідно з| |
| |позицією 3.A.1.b.2. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.1 |Гетероепітаксійні матеріали,|3818 00 90 00 |
|[3C001] |які складаються з підкладки та| |
| |кількох послідовно нанесених| |
| |епітаксійних шарів, які мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |складових: | |
| |a) кремній; | |
| |b) германій; | |
| |c) карбід кремнію; | |
| |d) сполуки III/V на основі| |
| |галію або індію. | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні|
| |або складні монокристалічні продукти,|
| |складені з елементів IIIА (A3) та VA (B5)|
| |груп періодичної системи елементів Менделєєва|
| |(наприклад, арсенід галію, арсенід|
| |галію-алюмінію, фосфід індію тощо). |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.C.2. |Матеріали резистів і| |
|[3C002] |підкладки, наведені нижче,| |
| |покриті резистами, що| |
| |підлягають контролю: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.2.a. |Позитивні резисти, призначені|8541 40 99 00 |
| |для напівпровідникової| |
| |літографії, спеціально| |
| |пристосовані для використання| |
| |довжиною хвилі менше ніж 350| |
| |нм | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.2.b. |Усі резисти, призначені для|8541 40 99 00 |
| |використання під час| |
| |експонування електронними та| |
| |іонними пучками, з чутливістю| |
| |0,01 мкКл/кв.мм або краще | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.2.c. |Усі резисти, призначені для|8541 40 99 00 |
| |використання під час| |
| |експонування рентгенівськими| |
| |променями, з чутливістю| |
| |2,5 мДж/ кв.мм або краще | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.2.d. |Усі резисти, оптимізовані для|8541 40 99 00 |
| |технології формування малюнка,| |
| |включаючи силіційовані резисти| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Методи силіціювання - це процеси, які|
| |включають оксидування поверхні резисту для|
| |підвищення якості мокрого та сухого|
| |проявлення. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.C.3. |Органо-неорганічні сполуки,| |
|[3C003] |наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.3.a. |Металоорганічні сполуки на|з 2931 00 95, |
| |основі алюмінію, галію або|2931 00 95 00 |
| |індію, які мають чистоту| |
| |металевої основи понад 99,999| |
| |відсотка | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.C.3.b. |Органо-арсенові, |з 2931 00 95 |
| |органо-сурм'янисті та| |
| |органо-фосфорні сполуки, які| |
| |мають чистоту основи| |
| |неорганічного елемента понад| |
| |99,999 відсотка | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки|
| |ті сполуки, металеві, частково металеві або|
| |неметалеві елементи яких безпосередньо|
| |пов'язані з вуглецем органічної частки|
| |молекули. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.C.4. |Гідриди фосфору, арсену або|2848 00 00 00,|
|[3C004] |сурми, які мають чистоту понад|2850 00 10 00 |
| |99,999 відсотка навіть після| |
| |розведення інертними газами| |
| |або воднем | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.C.4 контролю не|
| |підлягають гідриди, що містять 20 відсотків|
| |або більше молей інертних газів чи водню. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.D.1. |"Програмне забезпечення"|з 8524 |
|[3D001] |спеціально створене для| |
| |"розроблення" або| |
| |"виробництва" обладнання що| |
| |підлягає контролю згідно з| |
| |позиціями 3.A.1.b - 3.A.2.g| |
| |або 3.B | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.D.2. |"Програмне забезпечення"|з 8524 |
|[3D002] |спеціально призначене для| |
| |"використання" будь-якого з| |
| |наведеного нижче обладнання: | |
| |a) обладнання, що підлягає| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |3.B.1.a - 3.B.1.f; або | |
| |b) обладнання, що підлягає| |
| |контролю згідно з позицією| |
| |3.B.2. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.D.3. |"Програмне забезпечення" для|з 8524 |
|[3D003] |заснованого на фізичних| |
| |процесах моделювання,| |
| |спеціально призначене для| |
| |"розроблення" процесів| |
| |літографії, травлення або| |
| |осадження з метою втілення| |
| |маскувальних шаблонів у| |
| |конкретні топологічні малюнки| |
| |провідників, діелектриків або| |
| |напівпровідникових матеріалів | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Термін "заснований на фізичних процесах" у|
| |позиції 3.D.3. означає використання|
| |розрахунків з метою визначення послідовності|
| |причин та наслідків фізичного характеру, які|
| |визначаються фізичними властивостями|
| |(наприклад, температурою, тиском,|
| |коефіцієнтами дифузії і властивостями|
| |напівпровідникових матеріалів). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Бібліотеки, проектні атрибути або супутні|
| |дані для проектування напівпровідникових|
| |приладів чи інтегральних схем розглядаються|
| |як "технологія". |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.D.4. |Програмне забезпечення,|з 8524 |
|[3D004] |спеціально призначене для|з 8471 70 |
| |"розроблення" обладнання, що| |
| |підлягає контролю згідно з| |
| |позицією 3.A.3. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.1. |"Технологія" відповідно до|з 3705 |
|[3E001] |пункту 3 загальних приміток|3706, 8524, |
| |для "розроблення" або|4901 99 00 00,|
| |"виробництва" обладнання чи|4906 00 00 00 |
| |матеріалів, що підлягають| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |3.A, 3.B або 3.C | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає|
| |"технологія" для "виробництва" обладнання або|
| |"компонентів", які контролюються згідно з|
| |позицією 3.A.3. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.E.2. |"Технологія" відповідно до|з 3705, |
|[3E002] |пункту 3 загальних приміток|3706, 8524, |
| |інша, ніж та, що контролюється|З 8471 70 |
| |згідно з позицією 3.E.1 для|4901 99 00 00,|
| |"розроблення" або|4906 00 00 00 |
| |"виробництва" "мікросхем| |
| |мікропроцесорів", "мікросхем| |
| |мікрокомп'ютерів" та мікросхем| |
| |мікроконтролерів, що мають| |
| |"сукупну теоретичну| |
| |продуктивність" ("СТП"), яка| |
| |дорівнює 530 млн. теоретичних| |
| |операцій за секунду| |
| |(мегатопсів) або більше, а| |
| |також арифметично-логічний| |
| |пристрій з шириною доступу 32| |
| |біти або більше | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позиціями 3.E.1 та 3.E.2 контролю не|
| |підлягає "технологія" для "розроблення" або|
| |"виробництва" інтегральних схем, що|
| |підлягають контролю згідно з позиціями|
| |3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12 і мають усі наведені|
| |нижче характеристики: |
| |1) використовують "технології" 0,5 мкм або|
| |вище; |
| |2) не містять багатошарові структури. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Термін "багатошарові структури" у підпункті 2|
| |примітки не включає прилади, які містять|
| |максимум два шари металу та два шари|
| |полікремнію. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.E.3. |Інші "технології" для|з 3705, |
|[3E003] |"розроблення" або|3706, 8524, |
| |"виробництва": |4901 99 00 00,|
| | |4906 00 00 00 |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.3.a. |Вакуумних мікроелектронних| |
| |приладів | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.3.b. |Напівпровідникових приладів на| |
| |гетероструктурах, таких, як| |
| |транзистори з високою| |
| |рухливістю електронів (HEMT),| |
| |біполярні транзистори на| |
| |гетероструктурі (HBT) приладів| |
| |з квантовими ямами та приладів| |
| |на надрешітках | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не|
| |підлягає технологія для транзисторів з|
| |високою рухливістю електронів (HEMT), які|
| |працюють на частотах нижче ніж 31,8 ГГц, та|
| |біполярних транзисторів на гетероструктурі|
| |(HBT), які працюють на частотах нижче|
| |31,8 ГГц. |
|------------------+---------------------------------------------|
|3.E.3.c. |"Надпровідних" електронних| |
| |приладів | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.3.d. |Підкладок з плівок алмазу для| |
| |електронних "компонентів" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.3.e. |Підкладок, що мають структуру| |
| |типу "кремній-на-діелектрику"| |
| |(SOI) для інтегральних схем, у| |
| |яких ізолятором є двоокис| |
| |кремнію | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.3.f. |Кремній-вуглецевих підкладок| |
| |для "компонентів" електронних| |
| |схем | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.3.g. |Електронних вакуумних ламп,| |
| |які працюють на частоті 31,8| |
| |ГГц або вище. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|3.E.4. |"Послуги та роботи" у| |
| |відношенні товарів подвійного| |
| |використання, зазначених у| |
| |позиціях 3.A., 3.B., 3.C.,| |
| |3.D. або 3.E. | |
------------------------------------------------------------------
| Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ |
|----------------------------------------------------------------|
|4. |КОМП'ЮТЕРИ | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та|
| |"програмне забезпечення", що використовуються|
| |в мережах зв'язку або в "локальних мережах",|
| |підлягають контролю з урахуванням критеріїв,|
| |зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок). |
| |2. Блоки управління, які безпосередньо|
| |з'єднують між собою шини або канали|
| |центральних процесорів, "оперативну пам'ять"|
| |або контролери накопичувачів на дисках, не|
| |розглядаються як телекомунікаційне обладнання|
| |описане в частині 1 розділу 5 (Зв'язок). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Щодо контрольного статусу "програмного|
| |забезпечення", спеціально призначеного для|
| |комутації пакетів, див. позицію 5.D.1 частини|
| |1 розділу 5 (Зв'язок). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |3. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та|
| |"програмне забезпечення", що виконують|
| |функції криптографії, криптоаналізу,|
| |забезпечення сертифікованого або|
| |"багаторівневого захисту", що підлягає|
| |сертифікації або ізолювання користувача, або|
| |такі, що обмежують електромагнітну сумісність|
| |(ЕМС), підлягають контролю з урахуванням|
| |критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5|
| |(Захист інформації). |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.1. |Електронні комп'ютери і|з 8471 |
|[4A001] |"супутнє обладнання", наведені| |
| |нижче, та "електронні збірки"| |
| |і спеціально призначені| |
| |компоненти": | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.1.a. |Спеціально призначені і мають| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |1) розраховані для| |
| |функціонування при температурі| |
| |навколишнього середовища нижче| |
| |228 К (-45 град. C) або понад| |
| |358 К (+85 град. C); | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Контролю за позицією 4.A.1.a.1 не підлягають|
| |комп'ютери, спеціально призначені для|
| |використання в цивільних автомобілях або|
| |залізничних поїздах. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) стійкі до радіації з| |
| |параметрами, вищими, ніж| |
| |будь-який з наведених нижче: | |
| | 5 | |
| |a) загальна доза - 5 x 10 рад| |
| |(Si); | |
| |b) доза випромінювання, що| |
| | 8 | |
| |викликає збій, - 5 x 10 рад| |
| |(Si)/c; | |
| | -7| |
| |c) одиничний збій - 1 x 10 | |
| |похибка/біт/ день | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.1.b.*,** |Мають характеристики або| |
| |виконують функції, які| |
| |перевищують межі, зазначені у| |
| |частині 2 розділу 5 (Захист| |
| |інформації) | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження Держспецзв'язку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 4.A.1.b контролю не|
| |підлягають електронні комп'ютери та пов'язане|
| |з ними обладнання, якщо вони перевозяться у|
| |супроводі їх користувача для використання ним|
| |особисто. |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.A.2. |Виключено |8471 10 10 00 |
|[4A002] | | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.3. |"Цифрові комп'ютери",| |
|[4A003] |"електронні збірки" і "супутнє| |
| |обладнання" до них, наведене| |
| |нижче, та "спеціально| |
| |призначені компоненти" для| |
| |них: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Позиція 4.A.3 включає наведене нижче: |
| |a) векторні процесори; |
| |b) матричні процесори; |
| |c) процесори цифрових сигналів; |
| |d) логічні процесори; |
| |e) обладнання для "поліпшення якості|
| |зображення"; |
| |f) обладнання для "оброблення сигналу". |
| |2. Контрольний статус "цифрових комп'ютерів"|
| |та супутнього обладнання до них, описаних у|
| |позиції 4.A.3, визначається контрольним|
| |статусом інших систем або обладнання, якщо: |
| |a) "цифрові комп'ютери" або "супутнє|
| |обладнання" до них мають істотне значення для|
| |роботи іншого обладнання або систем; |
| |b) "цифрові комп'ютери" або "супутнє|
| |обладнання" до них, яке не є "основним|
| |елементом" інших систем чи обладнання; та |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особливі примітки.|1. Статус контролю за обладнанням, спеціально|
| |призначеним для "оброблення сигналу" або|
| |"поліпшення якості зображення", або для|
| |іншого обладнання з функціями, обмеженими|
| |функціональним призначенням іншого обладнання|
| |визначається статусом контролю іншого|
| |обладнання, навіть якщо воно перевищує|
| |критерій "основного елемента". |
| |2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" або|
| |супутнього обладнання для телекомунікаційних|
| |систем визначається з урахуванням критеріїв,|
| |зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок). |
|------------------+---------------------------------------------|
| |c) "технологія" для "цифрових комп'ютерів" та|
| |супутнього обладнання, що належить до них,|
| |регулюється позицією 4.E. |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.A.3.a. |Призначені або модифіковані|з 8471 30, |
| |для забезпечення|8471 41 10 00 |
| |"відмовостійкості" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Стосовно позиції 4.A.3.a, то "цифрові|
| |комп'ютери" та "супутнє обладнання" до них не|
| |вважаються призначеними або модифікованими|
| |для забезпечення "відмовостійкості", якщо в|
| |них використовується будь-що з наведеного|
| |нижче: |
| |1) алгоритми виявлення або виправлення|
| |помилок, які зберігаються в "оперативній|
| |пам'яті"; |
| |2) взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів"|
| |такий, що у разі відмови активного|
| |центрального процесора очікувальний процесор|
| |(який одночасно стежить за діями центрального|
| |процесора) може забезпечити продовження|
| |функціонування системи; |
| |3) взаємозв'язок двох центральних процесорів|
| |через канали передачі даних або з|
| |використанням спільної пам'яті такий, що|
| |забезпечує можливість одному з них виконувати|
| |іншу роботу, поки другий не відмовить, тоді|
| |перший центральний процесор бере його роботу|
| |на себе, щоб продовжити функціонування|
| |системи; |
| |4) синхронізація двох центральних процесорів,|
| |виконана через "програмне забезпечення" таким|
| |чином, що перший центральний процесор|
| |розпізнає, коли відмовляє другий центральний|
| |процесор, і бере на себе виконання його|
| |завдання. |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.A.3.b. |"Налаштовану максимальну|з 8471 30, |
| |продуктивність" ("Adjusted|8471 41 10 00 |
| |Peak Performance" ("APP")| |
| |понад 0,75 зваженого| |
| |терафлопсу (WT) | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.3.c. |"Електронні збірки",|з 8471 30 |
| |спеціально призначені або| |
| |модифіковані для підвищення| |
| |продуктивності шляхом| |
| |агрегування процесорів у| |
| |результаті якого "налаштована| |
| |максимальна продуктивність"| |
| |перевищує межу, зазначену в| |
| |позиції 4.A.3.b | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контролю за позицією 4.A.3.c підлягають|
| |лише "електронні збірки" та програмовані|
| |взаємозв'язки, які не перевищують межу,|
| |зазначену у позиції 4.A.3.b, у разі|
| |постачання їх у вигляді необ'єднаних|
| |"електронних збірок". Контролю не підлягають|
| |"електронні збірки", які за своєю|
| |конструкцією придатні тільки для використання|
| |як "супутнє обладнання", яке підлягає|
| |контролю згідно з позицією 4.A.3.e. |
| |2. Контролю за позицією 4.A.3.c не підлягають|
| |"електронні збірки", спеціально призначені|
| |для виробу або цілого ряду виробів, які у|
| |своїй максимальній конфігурації не|
| |перевищують межу, зазначену в позиції|
| |4.A.3.b. |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.A.3.d. |Виключено | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.3.e. |Обладнання, що здійснює|з 8542 |
| |аналого-цифрові перетворення,| |
| |які перевищують межі,| |
| |зазначені в позиції 3.A.1.a.5 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.3.f. |Виключено | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.3.g. |Обладнання, спеціально|8525 20 91 00,|
| |призначене для забезпечення|8525 20 99 00,|
| |зовнішнього міжсистемного|8543 85 95 00 |
| |зв'язку "цифрових комп'ютерів"| |
| |або супутнього обладнання, що| |
| |дає змогу здійснити зв'язок із| |
| |швидкістю передачі даних понад| |
| |1,25 Гбайт/с. | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 4.A.3.g контролю не|
| |підлягає обладнання внутрішнього з'єднання|
| |(наприклад, плати, шини тощо), обладнання|
| |пасивного з'єднання, "контролери доступу до|
| |мережі" або "контролери каналів зв'язку". |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.A.4. |Комп'ютери, наведені нижче, і|з 8471 |
|[4A004] |спеціально призначене "супутнє| |
| |обладнання" до них,| |
| |"електронні збірки" та| |
| |"компоненти" для них: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.4.a. |"Комп'ютери із систолічною| |
| |матрицею" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.4.b. |"Нейронні комп'ютери" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.A.4.c. |"Оптичні комп'ютери" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |Відсутнє | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |Відсутні | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Контрольний статус "програмного забезпечення"|
| |для "розроблення", "виробництва" або|
| |"використання" обладнання, описаного в інших|
| |розділах, визначається відповідним розділом.|
| |Контрольний статус "програмного забезпечення"|
| |для обладнання, описаного в цьому розділі,|
| |пов'язаний з наведеним нижче. |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.D.1.a. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
|[4D001] |спеціально призначене або| |
| |модифіковане для| |
| |"розроблення", "виробництва"| |
| |чи "використання" обладнання| |
| |або "програмного| |
| |забезпечення", зазначеного в| |
| |позиціях 4.A чи 4.D | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.D.1.b. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |інше, ніж те, що підлягає|з 8471 70 |
| |контролю згідно з позицією| |
| |4.D.1.a., спеціально| |
| |призначене або модифіковане| |
| |для "розроблення" або| |
| |"виробництва": | |
| |1) "цифрових комп'ютерів", які| |
| |мають "налаштовану максимальну| |
| |продуктивність" ("НМП") понад| |
| |0,04 зважених терафлопсів| |
| |(WT); або | |
| |2) "електронних збірок",| |
| |спеціально призначених або| |
| |модифікованих для підвищення| |
| |продуктивності шляхом| |
| |агрегування процесорів у| |
| |результаті якого "НМП"| |
| |агрегації перевищує межу,| |
| |зазначену в позиції 4.D.1.b.1 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.D.2. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
|[4D002] |спеціально призначене або| |
| |модифіковане для підтримки| |
| |"технології" зазначеної в| |
| |позиції 4.E | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.D.3. |Спеціальне "програмне|з 8524 |
|[4D003] |забезпечення", наведене нижче:| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.D.3.a. |"Програмне забезпечення"| |
| |операційної системи,| |
| |інструментарій для розроблення| |
| |"програмного забезпечення", а| |
| |також компілятори, спеціально| |
| |призначені для обладнання| |
| |"багатопотокового оброблення| |
| |даних" у "початкових кодах" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.D.3.b. |Виключено | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.D.3.c. |"Програмне забезпечення", яке| |
| |має характеристики або виконує| |
| |функції, які перевищують межі,| |
| |установлені в частині 2| |
| |розділу 5 (Захист інформації) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 4.D.3.c контролю не|
| |підлягає "програмне забезпечення", коли воно|
| |супроводжує свого користувача для|
| |персонального використання користувачем. |
|------------------+---------------------------------------------|
|4.D.3.d. |Виключено | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.E.1. |a) "технологія" відповідно до|з 3705, 3706, |
|[4E001] |пункту 3 загальних приміток|з 8524, |
| |для "розроблення",|4901 99 00 00,|
| |"виробництва" або|4906 00 00 00 |
| |"використання" обладнання чи| |
| |"програмного забезпечення", що| |
| |підлягають контролю згідно з| |
| |позиціями 4.A або 4.D | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Код технології згідно з УКТЗЕД|
| |визначається кодом носія, на якому вона|
| |передається. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |b) "технологія", інша, ніж та,| |
| |що підлягає контролю згідно з| |
| |позицією 4.E.1.a, спеціально| |
| |призначена або модифікована| |
| |для "розроблення" або| |
| |"виробництва": | |
| |1) "цифрових комп'ютерів", які| |
| |мають "НМП" понад 0,04| |
| |зваженого терафлопсу (WT); або| |
| |2) "електронних збірок",| |
| |спеціально призначених або| |
| |модифікованих для підвищення| |
| |продуктивності шляхом| |
| |агрегування процесорів у| |
| |результаті якого "НМП"| |
| |агрегації перевищує межу,| |
| |зазначену в позиції 4.E.1.b.1.| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|4.E.2. |"Послуги та роботи" у| |
| |відношенні товарів подвійного| |
| |використання, зазначених у| |
| |позиціях 4.A., 4.D. або 4.E. | |
------------------------------------------------------------------
Технічна примітка щодо обчислення
"сукупної теоретичної продуктивності"
Скорочення, що вживаються в цій технічній примітці:
"ОЕ" - "обчислювальний елемент" (типовий арифметично-логічний
пристрій);
ПК - плаваюча кома;
ФК - фіксована кома;
t - час виконання операції;
XOR - операція заперечення еквівалентності;
ЦП - центральний процесор;
ТП - теоретична продуктивність (одного "ОЕ");
"СТП" - "сукупна теоретична продуктивність" (усіх
"обчислювальних елементів");
R - ефективна швидкість обчислень;
ДС - довжина слова (кількість бітів);
L - коригування довжини слова (біта);
АЛП - арифметично-логічний пристрій;
x - знак множення.
Час вирішення "t" вимірюється в мікросекундах, ТП і - "СТП" -
у мільйонах теоретичних операцій за секунду (Мегатопсах), ДС - у
бітах.
Основний метод обчислення "СТП"
"СТП" - це вимір обчислювальної продуктивності в Мегатопсах.
Для обчислення "СТП" конфігурації "обчислювальних елементів"
необхідно:
1) визначити ефективну швидкість обчислень (R) "обчислювальних
елементів";
2) виконати коригування на довжину слова (L) для цієї швидкості
(R) і в результаті отримати теоретичну продуктивність (ТП) для
кожного "ОЕ";
3) об'єднати ТП і одержати сумарну "СТП" для даної конфігурації,
що має понад один "ОЕ".
Докладний опис цих процедур наведено нижче.
Примітки. 1. Для об'єднання в підсистеми "обчислювальних
елементів", що мають загальну пам'ять та пам'ять
кожної підсистеми, обчислення "СТП" проводиться в два
етапи: спочатку "обчислювальні елементи" із загальною
пам'яттю об'єднуються в групи, а потім,
використовуючи запропонований метод, обчислюється
"СТП" груп для всіх "обчислювальних елементів", що не
мають загальної пам'яті.
2. "Обчислювальні елементи", швидкість дії яких обмежена
швидкістю роботи пристрою введення та виведення даних
і периферійних функціональних блоків (наприклад,
дисководу, контролерів системи передачі та дисплея),
не об'єднуються під час обчислення "СТП".
У таблиці демонструється метод обчислення R для кожного "ОЕ":
Етап 1: Ефективна швидкість обчислень
Для "обчислювальних елементів", Ефективна швидкість обчислень,
що реалізують: R
Примітка. Кожний "ОЕ" повинен
оцінюватися
самостійно.
1
Лише ФК ------------------,
3 x t
ФК додавання
якщо операції додавання немає,
то через множення:
(R ) 1
фк ------------------,
t
ФК множення
якщо немає ні операції
додавання, ні операції множення,
R обчислюється через найшвидшу
фк
арифметичну операцію, якою є:
1
---------
3 x t
ФК
(див. примітки X та Z)
1 1
Лише ПК max -------------, -------------
t t
ПК додавання ПК множення
(R ) (див. примітки X та Y)
пк
ФК та ПК (R) обчислюється як R , так і R
фк пк
1
----------,
3 x t
log
Для простих логічних процесорів, де t - час виконання
що не виконують зазначені log
арифметичні операції "операції заперечення
еквівалентності", а якщо її
немає, враховується найшвидша
проста логічна операція.
(див. примітки X та Z)
Для спеціалізованих логічних R = R" x ДС/64,
процесорів, що не виконують де R" - кількість результатів за
зазначені арифметичні та логічні секунду, ДС - число бітів, над
операції якими виконується логічна
операція, а 64 - коефіцієнт, що
нормалізує під 64-розрядну
операцію
Примітка W. Після повного виконання конвеєрного оброблення даних
у кожному машинному циклі може бути визначена
швидкість оброблення "ОЕ", здатного виконувати одну
арифметичну або логічну операцію. Для таких
"обчислювальних елементів" у разі використання
конвеєрного оброблення даних ефективна швидкість
обчислень (R) вища, ніж без її використання.
Примітка X. Для "ОЕ", який виконує багаторазові арифметичні
операції за один цикл (наприклад, два додавання за
цикл або дві ідентичні логічні операції за цикл),
час обчислення t визначається за формулою:
час циклу
t = --------------------------------------- .
кількість арифметичних операцій у циклі
"Обчислювальні елементи", що виконують різні типи
арифметично-логічних операцій в одному машинному
циклі, повинні розглядатися як множина роздільних
"обчислювальних елементів", що працюють одночасно
(наприклад, "ОЕ", що виконує в одному циклі операції
додавання та множення, повинен розглядатися як два
"обчислювальних елементи", один з яких виконує
додавання за один цикл, а другий - множення за один
цикл). Якщо в одному "ОЕ" реалізуються як скалярні,
так і векторні функції, то використовують значення
найкоротшого часу виконання.
Примітка Y. Якщо в "ОЕ" не реалізується ні додавання ПК, ні
множення ПК, а виконується ділення ПК, то
1
R = ------------ .
ПК t
ПК ділення
Якщо в "ОЕ" реалізується обернена величина "ОЕ", але
не додавання ПК, не множення ПК або не ділення ПК,
тоді
1
R = ----------------------- .
ПК t
ПК оберненої величини
Якщо немає і ділення, то виконується еквівалентна
операція. Якщо жодна із зазначених команд не
використовується, то R = 0.
пк
Примітка Z. Проста логічна операція - операція, у якій в одній
команді виконується одна логічна дія не більше ніж
над двома операндами заданої довжини.
Складна логічна операція - операція, у якій в одній
команді виконуються багаторазові логічні дії над
двома або більше операндами та видається один або
кілька результатів.
Швидкість обчислень розраховується для всіх апаратно
підтримуваних довжин операндів, при цьому
розглядаються обидві послідовні операції (якщо
підтримуються) та непослідовні операції, що
використовують найкоротші операції для кожної
довжини операнда, з урахуванням:
1) послідовних операцій або операції
регістр-регістр. Виключаються надзвичайно короткі
операції, що генеруються для операції на
заздалегідь визначеному операнді або операндах
(наприклад, множення на 0 або 1). Якщо операцій
типу регістр-регістр немає, то слід керуватися
пунктом 2;
2) найшвидшої операції регістр-пам'ять або
пам'ять-регістр. Якщо немає і таких, то слід
керуватися пунктом 3;
3) операції пам'ять-пам'ять.
У будь-якому випадку використовуйте найкоротші операції,
зазначені виробником у паспортних даних.
Етап 2: ТП для кожної довжини операнда ДС, що підтримується.
Перерахуйте ефективну швидкість обчислень R (або R") з
урахуванням коригування довжини слова L, як наведено нижче:
ТП = R x L,
де L = (1/3 + ДС/96).
Примітка. Довжина слова (ДС), що використовується в цих
розрахунках, - це довжина операнда в бітах. (Якщо в
операції задіяні операнди різної довжини, то
користуйтеся максимальною ДС).
Комбінація мантиси АЛП та експоненти АЛП у процесорі
з плаваючою крапкою або функціональному пристрої
вважається одним "ОЕ" з ДС, що дорівнює кількості
бітів у представленні даних (32 або 64 розряди) під
час обчислення "СТП".
Це перелічення не застосовується до спеціалізованих логічних
процесорів, у яких "операція заперечення еквівалентності" не
використовується. У цьому випадку ТП = R.
Вибір максимального результуючого значення ТП для кожного:
"ОЕ", що використовує лише ФК (R );
ФК
"ОЕ", що використовує лише ПК (R );
ПК
"ОЕ", що використовує комбінацію ПК та ФК ОЕ (R);
простого логічного процесора, що не виконує жодної із зазначених
арифметичних операцій, та
спеціального логічного процесора, що не виконує жодної із
зазначених арифметичних або логічних операцій.
Етап 3: Розрахунок "СТП" для конфігурацій "обчислювальних
елементів", включаючи ЦП.
Для ЦП з одним "ОЕ" - "СТП" = ТП (для "обчислювальних
елементів", що виконують операції як з ФК, так і з ПК, ТП = max
(ТП , ТП )).
ФК ПК
Для конфігурацій усіх "обчислювальних елементів", що працюють
одночасно, "СТП" обчислюється так:
Примітки. 1. Для конфігурацій, у яких усі "обчислювальні
елементи" одночасно не працюють, з можливих
конфігурацій "обчислювальних елементів"
обирається конфігурація з найбільшою "СТП".
Значення ТП для кожного "ОЕ" можливої
конфігурації, що використовується для підрахунку
"СТП", обирається як максимально можливе
теоретичне значення.
Особлива Можливі конфігурації, у яких "обчислювальні
примітка. елементи" працюють одночасно, визначаються за
результатами роботи всіх "обчислювальних елементів",
починаючи із найповільнішого "ОЕ" (він потребує
більшої кількості циклів для завершення операцій) та
закінчуючи найшвидшим "ОЕ". Конфігурація
"обчислювальних елементів" яка встановлюється
протягом обчислювального циклу, є можливою
конфігурацією. Під час визначення результату повинні
братися до уваги всі технічні засоби та (або) схема
обмеження цілісності операцій, що перекриваються.
2. Один кристал інтегральної схеми або одна
друкована плата може вміщувати множину
"обчислювальних елементів".
3. Виробник обчислювальної системи в інструкції або
брошурі з експлуатації цієї системи оголошує про
наявність суміщених, паралельних або одночасних
операцій або дій.
4. Значення "СТП" не додається для конфігурацій
"ОЕ", взаємно пов'язаних у "локальні мережі",
обчислювальні мережі, об'єднані пристроями та
контролерами введення-виведення та будь-якими
іншими взаємопов'язаними системами передачі,
реалізованими програмними засобами.
5. Значення "СТП" повинні додаватися для множин
"обчислювальних елементів", спеціально
призначених для підвищення їх характеристик за
рахунок об'єднання "обчислювальних елементів", їх
одночасної роботи із загальною або колективною
пам'яттю, у разі об'єднання "обчислювальних
елементів" в єдину конфігурацію шляхом
використання спеціально призначених технічних
засобів.
Це не стосується "електронних збірок", описаних у
позиції 4.A.3.c
"СТП" = ТП + C x ТП +... + C x ТП ,
1 2 2 n n
де ТП - теоретична продуктивність
i
"обчислювальних елементів, упорядкована
відповідно до їх значень, починаючи з ТП , що має
1
найбільше значення, далі ТП і ТП , що має
2 n
найменше значення; i = 1,..., n.
С - коефіцієнт, що визначається силою
i
взаємозв'язків між "обчислювальними елементами";
i = 2,..., n.
У разі множини "обчислювальних елементів", що працюють
одночасно та мають загальну пам'ять:
C = C = C =... = C = 0,75
2 3 4 n
Примітки. 1. Якщо "СТП" обчислена зазначеним методом і
значення її не перевищує 194 Мегатопсів, то C
i
може бути визначено так:
0.75
C = ---------, (i = 2,...,n),
i Кк m
де Кк - корінь квадратний,
m - кількість "обчислювальних елементів" або
груп "обчислювальних елементів" загального
доступу.
Умови:
1) ТП кожного "ОЕ" або групи "обчислювальних
i
елементів" не перевищує 30 Мегатопсів;
2) загальний доступ "обчислювальних елементів"
або групи "обчислювальних елементів" до основної
пам'яті (виключаючи кеш-пам'ять) здійснюється
загальним каналом; та
3) лише один "ОЕ" або група "обчислювальних
елементів" може використовувати канал у будь-який
заданий час.
Особлива Зазначене вище не стосується товарів, що підлягають
примітка. контролю згідно з розділом 3.
2. Вважається, що "обчислювальні елементи" мають
загальну пам'ять, якщо вони адресуються до
загального блоку твердотільної пам'яті. Ця
пам'ять може включати кеш-пам'ять, оперативну
пам'ять або іншу внутрішню пам'ять. Зовнішня
пам'ять типу дисководів, стрічкопротягувачів або
дисків з довільним доступом сюди не належить.
Для складних "обчислювальних елементів" або груп
"обчислювальних елементів", що не мають загальної пам'яті і
пов'язані одним або більше каналами передачі даних:
C = 0,75 x k , якщо i = 2,..., 32 (див. примітку нижче)
i i
C = 0,60 x k , якщо i = 33,..., 64
i i
C = 0,45 x k , якщо i = 65,..., 256
i i
C = 0,30 x k , якщо i більше 256,
i i
де k - min (S /К , 1);
i i r
K - нормалізуючий фактор, що дорівнює 20 Мбайт/с;
r
S - сума максимальних швидкостей передавання даних (у
і
Мбайт/с) для всіх інформаційних каналів, які пов'язують "ітий"
"ОЕ" або групу "обчислювальних елементів", що мають загальну
пам'ять.
Рівень C базується на номері "ОЕ", але не на номері вузла.
i
Якщо обчислюється C для групи "обчислювальних елементів", то
i
номер першого "ОЕ" в групі визначає власну межу для C . Наприклад,
i
у конфігурації груп, що складаються з трьох "обчислювальних
елементів", кожна 22-га група буде містити "ОЕ" , "ОЕ" , "ОЕ" .
64 65 66
Власна межа для C для цих груп дорівнює 0,60.
і
Конфігурація "обчислювальних елементів" або груп
"обчислювальних елементів" може бути визначена від найшвидшого до
найповільнішого, тобто:
--- --- ---
ТП | | ТП | | ..... | | ТП та коли ТП = ТП то
1 --- 2 --- --- n i i + 1,
від найбільшого до найменшого, тобто:
---
C | | C
i --- i + 1
Примітка. k -фактор не стосується "обчислювальних елементів"
i
від 2 до 12, якщо ТП , СЕ або групи "обчислювальних
i
елементів" понад 50 Мегатопсів, тобто C для
i
"обчислювальних елементів" від 2 до 12 дорівнює
0,75.
"АРР" - налаштована максимальна швидкість, з якою "цифрові
комп'ютери" здійснюють 64-розрядні або більшої розрядності
операції підсумовування та множення з плаваючою точкою.
Скорочення, що використовуються у цій Технічній примітці:
n - кількість процесорів у "цифровому комп'ютері";
i - процесор номер (i,...n);
ti - час циклу процесора (ti = 1/Fi);
Fi - частота процесора;
Ri - максимальна швидкість обчислень з плаваючою точкою;
Wi - коефіцієнт налаштування архітектури (architecture
adjustment factor).
"АРР" виражається у зважених терафлопсах (WT), тобто
одиницях, що дорівнюють 1012 налаштованим операціям з плаваючою
точкою за секунду.
Стислий зміст методу обчислення "АРР"
1. Для кожного процесора "i" визначається максимальна
кількість здійснюваних зазначеним процесором, що входить до складу
"цифрового комп'ютера", 64-розрядних або більшої розрядності
операцій з плаваючою точкою за цикл.
Примітка. Під час визначення кількості операцій з плаваючою
точкою (FPO) враховуються тільки 64-розрядні або
більшої розрядності операції підсумовування та/або
множення. Усі операції з плаваючою точкою треба
виражати величиною кількості операцій за цикл
процесора; операції, що потребують багато циклів,
можна виражати у часткових результатах за цикл. Для
процесорів, не здатних здійснювати обчислення з
плаваючою точкою над 64 розрядними або більш довгими
операндами, ефективна швидкість обчислення R
дорівнює нулю.
2. Розраховується швидкість операцій з плаваючою точкою R для
кожного процесора Ri = FPOi/t;
3. Розраховується "АРР" за формулою:
"АРР" = W1 x R1 + W2 x R2 +... + Wn x Rn.
4. Для "векторних процесорів" Wi = 0.9. Для невекторних
процесорів Wi = 0.3.
Примітки. 1. Для процесорів, які здійснюють у циклі складні
операції, наприклад, підсумовування та множення,
враховується кожна операція.
2. Для процесора з конвеєрною обробкою даних
ефективна швидкість обчислення R вище конвеєрної
швидкості, якщо конвеєр завантажено повністю, або
швидкості у разі не-конвеєрної обробки.
3. Швидкість обчислення R кожного з процесорів, що
входять до кластера (агрегації), повинна
обчислюватися за її максимального значення, що є
теоретично можливим до досягнення "АРР"
комбінації. Допускається існування одночасних
операцій, якщо у посібнику або проспекті
виробника зазначені concurrent, паралельні або
одночасні операції.
4. Під час обчислення "АРР" не враховуються
процесори, функції яких обмежені вводом/виводом
та периферійними функціями (наприклад,
накопичувача на дисках, зв'язку та монітору).
5. Величини "АРР" не треба обчислювати для
комбінацій процесорів, з'єднаних між собою
"Локальними мережами", глобальними мережами,
пристроями вводу/виводу спільного користування,
контролерами вводу/виводу та будь-якими
внутрішніми з'єднаннями зв'язку, які реалізуються
за допомогою "програмного забезпечення".
6. Величини "АРР" треба обчислювати для 1)
комбінацій процесорів, до складу яких входять
процесори, спеціально призначені для підвищення
продуктивності шляхом агрегування, одночасного
функціонування та спільного використання пам'яті;
або 2) комбінацій багатьох пристроїв
пам'яті/процесорів, які функціонують одночасно з
використанням спеціально призначеного апаратного
забезпечення.
7. "Векторний процесор" - це процесор з вбудованими
командами, який одночасно здійснює багато
обчислювальних операцій над векторами з плаваючою
точкою (одновимірні матриці 64 розрядних або
більш довгих чисел), маючи при цьому щонайменше 2
векторних функціональних блоки або щонайменше 8
векторних реєстраторів, кожний з яких має мінімум
64 елементи.
------------------------------------------------------------------
| Розділ 5. Частина 1. ЗВ'ЯЗОК |
|----------------------------------------------------------------|
|5. | Частина 1. ЗВ'ЯЗОК | |
| | | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. У цьому розділі визначається контрольний|
| |статус "компонентів", "лазерів",|
| |випробувального та "виробничого" обладнання,|
| |"програмного забезпечення", спеціально|
| |призначених для використання в системах та|
| |обладнанні зв'язку. |
| |2. "Цифрові комп'ютери", "супутнє обладнання"|
| |до нього або "програмне забезпечення", яке є|
| |суттєвим для використання і підтримки засобів|
| |зв'язку, зазначених у цьому розділі,|
| |розглядаються як "спеціально призначені|
| |компоненти" за умови, що вони є стандартними|
| |моделями, які звичайно постачаються|
| |виробником. Це включає розроблення,|
| |адміністрування, технічне обслуговування,|
| |проектування або рекламу комп'ютерних засобів|
| |або систем. |
| |3. Контрольний статус обладнання та|
| |"компонентів", зазначених у цій частині, що|
| |містять у своєму складі засоби, які|
| |спеціально призначені або безпосередньо|
| |можуть бути використані для виконання функцій|
| |"захисту інформації", визначається з|
| |урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2|
| |цього розділу (Захист інформації). |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.A.1. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.1.a. |Обладнання зв'язку будь-якого|з 8517 |
|[5A001] |типу, що має будь-яку з|з 8525 |
| |наведених нижче характеристик,|з 8527 |
| |властивостей або функцій: |з 8543 |
| |1) спеціально призначене для| |
| |захисту від тимчасового| |
| |електронного ефекту або| |
| |електромагнітного імпульсу, що| |
| |виникають під час ядерного| |
| |вибуху; | |
| |2) спеціально розроблене з| |
| |підвищеною стійкістю до| |
| |гамма-, нейтронного або| |
| |іонного випромінювання; | |
| |3) спеціально призначені для| |
| |функціонування за межами| |
| |інтервалу температур від 218 К| |
| |(-55 град. C) до 397 К (+124| |
| |град. C) | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 5.A.1.a.3 підлягає|
| |контролю лише електронне обладнання. |
| |2. Згідно з позиціями. 5.A.1.a.2 та 5.A.1.A.3|
| |контролю не підлягає обладнання, призначене|
| |або модифіковане для використання на|
| |супутниках зв'язку. |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.A.1.b. |Передавальні системи та|з 8517 |
| |обладнання зв'язку і|з 8525 |
| |"спеціально призначені|з 8527 |
| |компоненти" та "супутнє|з 8543 |
| |обладнання", що мають будь-яку| |
| |з наведених нижче| |
| |характеристик, функцій або| |
| |особливостей: | |
| |1) системи підводного зв'язку,| |
| |які мають будь-яку з наведених| |
| |нижче характеристик: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) акустична несуча частота|8518 50 90 00 |
| |перебуває за межами діапазону| |
| |від 20 кГц до 60 кГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) з використанням|8525 20 91 00,|
| |електромагнітної несучої|8525 20 99 00 |
| |частоти менше ніж 30 кГц; | |
| |------------------------------+--------------|
| |c) з використанням пристроїв|8525 20 91 00,|
| |керування електронним|8525 20 99 00 |
| |випромінюванням; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) радіоапаратура, яка|8525 20 91 00,|
| |функціонує в діапазоні частот|8525 20 99 00,|
| |від 1,5 МГц до 87,5 МГц і має|з 8543 89, |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) наявність адаптивних|8470 10 90 00 |
| |пристроїв, що забезпечують| |
| |приглушення сигналу перешкод| |
| |більше ніж на 15 дБ; | |
| |------------------------------+--------------|
| |b) має все, наведене нижче: | |
| |1) автоматичне прогнозування| |
| |та вибір значення частоти, а| |
| |також "загальної швидкості| |
| |цифрової передачі" на канал| |
| |для її оптимізації; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) наявність лінійного|8525 10 90 00,|
| |підсилювача потужності,|8525 20 91 00,|
| |здатного одночасно|8525 20 99 00 |
| |підтримувати множину сигналів| |
| |з вихідною потужністю 1 кВт| |
| |або більше в частотному| |
| |діапазоні від 1,5 МГц до 30| |
| |МГц чи 250 Вт або більше в| |
| |частотному діапазоні від 30| |
| |МГц до 87,5 МГц, під час| |
| |"пропускання миттєвої ширини| |
| |смуги частот" одна октава або| |
| |більше і з вмістом гармонік та| |
| |спотворювань на виході краще| |
| |ніж - 80 дБ; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.1.b. |3) радіоапаратура, яка| |
| |використовує методи| |
| |"розширення спектра" або| |
| |методи "стрибкоподібного| |
| |переналагодження частоти",| |
| |інша, ніж зазначена в позиції| |
| |5.A.1.b.4., і має будь-яку з| |
| |наведених нижче характеристик:| |
| |------------------------------+--------------|
| |a) наявність кодів розширення,|8525 20 91 00,|
| |що мають можливість|8525 20 99 00 |
| |програмування користувачем; |8525 20 91 00,|
| |b) загальна ширина смуги|8525 20 99 00 |
| |частот передачі, яка в 100 і| |
| |більше разів перевищує смугу| |
| |частот одного інформаційного| |
| |каналу і становить понад 50| |
| |кГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.b.3.b контролю не|
| |підлягає радіообладнання, спеціально|
| |призначене для цивільних стільникових систем|
| |радіозв'язку. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.b.3 контролю не|
| |підлягає обладнання, призначене для|
| |експлуатації при вихідній потужності 1 Вт або|
| |менше. |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.A.1.b. |4) радіообладнання, в якому|з 8525 |
| |використовується метод|з 8527 |
| |надширокосмугової модуляції з| |
| |кодами ущільнення каналів,| |
| |скремблірування або кодами| |
| |ідентифікації мереж з| |
| |можливістю програмування| |
| |користувачем, яке має будь-яку| |
| |з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) ширину смуги частот понад| |
| |500 МГц; або | |
| |b) "відносну ширину смуги| |
| |частот" 20 відсотків або| |
| |більше; | |
| |------------------------------+--------------|
| |5) радіоприймачі з цифровим|з 8527 |
| |керуванням, які мають усі| |
| |наведені нижче характеристики:| |
| |a) кількість каналів понад| |
| |1000; | |
| |b) мають "час перемикання| |
| |частоти" менше ніж 1 мс; | |
| |c) здійснюють автоматичний| |
| |пошук або сканують частину| |
| |електромагнітного спектра; | |
| |d) ідентифікують прийнятий| |
| |сигнал або тип передавача; або| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.b.4 контролю не|
| |підлягає радіообладнання, спеціально|
| |призначене для використання разом із|
| |цивільними стільниковими системами|
| |радіозв'язку. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |6) виконують функції цифрового|8525 20 91 00,|
| |"оброблення сигналів", які|8525 20 99 00,|
| |забезпечують цифрове кодування|з 8543 89 |
| |мови із швидкістю менше ніж| |
| |2400 біт/с | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічні примітки.|1. Для кодування мови із змінною швидкістю|
| |позиція 5.A.1.b.6 застосовується до виведення|
| |даних кодування мови, що відповідають|
| |зв'язній мові. |
| |2. Для цілей позиції 5.A.1.b.6. термін|
| |"кодування мови" визначає методи, під час|
| |використання яких відбираються зразки|
| |людської мови, які потім перетворюються на|
| |цифровий сигнал з урахуванням її специфічних|
| |характеристик. |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.A.1.c. |Волоконно-оптичні кабелі|8544 70 00 10,|
| |зв'язку, оптичні волокна і|8544 70 00 90,|
| |"спеціально призначені|9001 10 10 00,|
| |компоненти" для них та|9001 10 90, |
| |допоміжне обладнання, наведене|9001 90 90 00 |
| |нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |1) оптичні волокна завдовжки| |
| |понад 500 м, що мають міцність| |
| | 9 | |
| |на розрив 2 x 10 Н/кв.м або| |
| |більше, яка гарантована| |
| |виробником; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Контрольні випробування: перевірка на стадіях|
| |виготовлення або після виготовлення полягає у|
| |прикладанні заданої напруги до волокна|
| |завдовжки від 0,5 до 3 м на швидкості ходу|
| |від 2 до 5 м/с під час проходження волокон|
| |між провідними валами приблизно 150 мм у|
| |діаметрі. При цьому зовнішня навколишня|
| |температура становить 293 К (20 град. C),|
| |відносна вологість - 40 відсотків. |
| |Для виконання контрольних випробувань можуть|
| |застосовуватися еквівалентні національні|
| |стандарти. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) волоконно-оптичні кабелі та| |
| |допоміжне обладнання,| |
| |призначені для використання| |
| |під водою | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.c.2 контролю не|
| |підлягають стандартні телекомунікаційні|
| |кабелі та аксесуари для цивільного зв'язку. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особливі примітки.|1. Для підводних складених кабелів, а також|
| |з'єднувачів до них див. позицію 8.A.2.a.3. |
| |2. Для волоконно-оптичних корпусних роз'ємів|
| |і з'єднувачів див. позицію 8.A.2.c. |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.A.1.d. |"Фазовані антенні ґратки з|з 8529 10 |
| |електронним керуванням| |
| |діаграми направленості", які| |
| |працюють у діапазоні частот| |
| |понад 31,8 ГГц | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.d| |
| |контролю не підлягають| |
| |"фазовані антенні гратки з| |
| |електронним керуванням| |
| |діаграми направленості" для| |
| |систем посадки, оснащених| |
| |обладнанням та приладами, що| |
| |відповідають вимогам| |
| |стандартів Міжнародної| |
| |організації цивільної авіації| |
| |(ІСАО) для мікрохвильових| |
| |систем посадки (MLS). | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.1.e. |Радіопеленгаторне обладнання,|8527 90 98 00 |
| |яке працює на частотах понад|з 8529 90 |
| |30 МГц, має усі з наведених|8470 10 90 00 |
| |нижче характеристик і|8543 40 00 00 |
| |"спеціально призначені| |
| |компоненти" для нього: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) "пропускання миттєвої|з 8543 89 |
| |ширини смуги частот", що| |
| |дорівнює 10 МГц або більше; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |2) здатність здійснювати|з 8543 90 |
| |пеленгацію лінії азимута| |
| |(пеленага) (LOB) до| |
| |радіопередавачів, з якими| |
| |немає взаємодії, що мають| |
| |тривалість сигналу менше 1 мс.| |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.1.f. |Обладнання для створення|з 8525 |
| |навмисних перешкод, спеціально| |
| |призначене або модифіковане| |
| |для навмисного та вибіркового| |
| |перешкоджання, недопущення| |
| |використання, блокування або| |
| |погіршення якості послуг| |
| |стільникового мобільного| |
| |зв'язку, що має будь-яку з| |
| |наведених нижче характеристик,| |
| |та спеціально призначені для| |
| |нього компоненти: | |
| |1) імітація функцій обладнання| |
| |для мереж радіодоступу (Radio| |
| |Access Network - RAN), або | |
| |2) визначення та використання| |
| |спеціальних характеристик| |
| |протоколу мобільного зв'язку,| |
| |що застосовується (наприклад,| |
| |GSM). | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Щодо обладнання для створення навмисних|
| |перешкод роботі Глобальних супутникових|
| |навігаційних систем (GNSS) див. Список|
| |товарів військового призначення, міжнародні|
| |передачі яких підлягають державному контролю,|
| |затверджений постановою Кабінету Міністрів|
| |України від 20 листопада 2003 р. N 1807|
|------------------+---------------------------------------------|
|5.B.1. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.B.1.a. |Обладнання і "спеціально|з 8543 89 |
|[5B001] |призначені компоненти" або|з 9026 80 |
| |аксесуари для нього,|з 9030 39 |
| |спеціально призначені для|з 9030 89 |
| |"розроблення", "виробництва"|з 9031 80 |
| |чи "використання" обладнання,| |
| |функцій або ознак, що| |
| |підлягають контролю згідно з| |
| |цією частиною | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.B.1.a контролю не|
| |підлягає обладнання для визначення параметрів|
| |оптичних волокон, у якому не використовуються|
| |напівпровідникові "лазери". |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.B.1.b. |Обладнання і "спеціально|з 84 |
| |призначені компоненти" та| |
| |аксесуари для нього,| |
| |спеціально призначені для| |
| |"розроблення" будь-якого з| |
| |наведеного нижче обладнання| |
| |телекомунікаційної передачі| |
| |або комутаційного обладнання: | |
| |1) обладнання, яке| |
| |використовує цифрову техніку,| |
| |призначене для роботи із| |
| |"загальною швидкістю цифрової| |
| |передачі" понад 15 Гбіт/с; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для комутаційного обладнання "загальна|
| |швидкість цифрової передачі" вимірюється на|
| |порту або лінії, що має найвищу швидкість|
| |передачі. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) обладнання, яке| |
| |використовує "лазер" і має| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) довжину хвилі передачі| |
| |понад 1750 нм; | |
| |b) здійснює "оптичне| |
| |підсилення"; | |
| |c) використовує когерентну| |
| |оптичну передачу або| |
| |когерентну оптичну детекторну| |
| |техніку (так звані оптичні| |
| |гетеродини або гомодинну| |
| |техніку); | |
| |d) використовує аналогову| |
| |техніку і має смугу| |
| |пропускання понад 2,5 ГГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.B.1.b.2.d контролю не|
| |підлягає обладнання, спеціально призначене|
| |для "розроблення" систем комерційного|
| |телебачення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |3) обладнання, у якому| |
| |використовується "оптична| |
| |комутація"; | |
| |4) радіообладнання, яке| |
| |застосовує техніку| |
| |квадратурно-амплітудної | |
| |модуляції (QAM) з рівнем вище| |
| |256; | |
| |5) обладнання з використанням| |
| |"передачі сигналів через| |
| |спільний канал", які працюють| |
| |в непов'язаному режимі. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.C.1. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |Відсутні | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.1. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.1.a. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
|[5D001] |спеціально призначене або| |
| |модифіковане для| |
| |"розроблення", "виробництва"| |
| |чи "використання" обладнання,| |
| |функцій або ознак, зазначених| |
| |у цій частині. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.1.b. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |спеціально розроблене або| |
| |модифіковане для підтримки| |
| |"технологій", зазначених у| |
| |позиції 5.E.1. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.1.c. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |спеціально призначене або| |
| |модифіковане для забезпечення| |
| |характеристик, функцій чи| |
| |ознак обладнання, яке підлягає| |
| |контролю згідно з позиціями| |
| |5.A.1 або 5.B.1. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.1.d. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |спеціально призначене або|з 8471 70 |
| |модифіковане для "розроблення"| |
| |будь-якого з наведеного нижче| |
| |обладнання телекомунікаційної| |
| |передачі або комутаційного| |
| |обладнання: | |
| |1) обладнання, яке| |
| |використовує цифрову техніку,| |
| |призначене для роботи із| |
| |"загальною швидкістю цифрової| |
| |передачі" понад 15 Гбіт/с; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для комутаційного обладнання "загальна|
| |швидкість цифрової передачі" вимірюється на|
| |порту або лінії, що має найвищу швидкість|
| |передачі. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) обладнання, яке| |
| |використовує "лазер" і має| |
| |будь-яку з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |------------------------------+--------------|
| |a) довжину хвилі передачі| |
| |понад 1750 нм; або | |
| |b) використовує аналогову| |
| |техніку і має смугу| |
| |пропускання понад 2,5 ГГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.D.1.d.2.b не|
| |контролюється "програмне забезпечення",|
| |спеціально призначене або модифіковане для|
| |"розроблення" систем комерційного|
| |телебачення. |
| |3) обладнання, у якому використовується|
| |"оптична комутація"; |
| |4) радіообладнання, яке застосовує техніку|
| |квадратурно-амплітудної модуляції (QAM) з|
| |рівнем вище 256 |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.E.1. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.E.1.a. |"Технологія" відповідно до|з 3705, |
|[5E001] |загальних приміток для|з 3706, |
| |"розроблення", "виробництва"|з 8524, |
| |або "використання" (за|4901 99 00 00,|
| |винятком експлуатації)|4906 00 00 00 |
| |обладнання, функцій, ознак або| |
| |"програмного забезпечення",| |
| |зазначеного у цій частині | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.E.1.b. |Спеціальні "технології"|з 3705, |
| |наведені нижче: |з 3706, |
| |1) "технологія", "необхідна"|з 8524, |
| |для "розроблення" або|4901 99 00 00 |
| |"виробництва" обладнання|4906 00 00 00 |
| |зв'язку, спеціально| |
| |призначеного для використання| |
| |на борту супутників; | |
| |2) "технологія" для| |
| |"розроблення" або| |
| |"використання" комплектів| |
| |апаратури "лазерного" зв'язку| |
| |з можливістю автоматичного| |
| |захвату і супроводження| |
| |сигналу та підтримки зв'язку| |
| |через екзосферу або заглиблене| |
| |(водне) середовище; | |
| |3) "технологія" "розроблення"| |
| |цифрових стільникових систем| |
| |радіозв'язку; | |
| |4) "технологія" для| |
| |"розроблення" апаратури яка| |
| |використовує методи| |
| |"розширення спектра",| |
| |включаючи методи| |
| |"стрибкоподібного | |
| |переналагодження частоти" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.E.1.c. |"Технологія", відповідно до|з 3705, |
| |загальних приміток, для|3706, 8524, |
| |"розроблення" або|З 8471 70 |
| |"виробництва" будь-якого з|4901 99 00 00,|
| |наведеного нижче обладнання|4906 00 00 00 |
| |телекомунікаційної передачі| |
| |або комутаційного обладнання: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) обладнання, яке| |
| |використовує цифрову техніку,| |
| |із "загальною швидкістю| |
| |цифрової передачі" понад 15| |
| |Гбіт/с; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Для комутаційного обладнання "загальна|
| |швидкість цифрової передачі" вимірюється на|
| |порту або лінії, що має найвищу швидкість|
| |передачі. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) обладнання, яке| |
| |використовує "лазер" і має| |
| |одну з наведених нижче| |
| |характеристик: | |
| |a) довжину хвилі передачі| |
| |понад 1750 нм; | |
| |b) здійснює "оптичне| |
| |підсилення" з використанням| |
| |фторолегованих | |
| |волоконно-оптичних | |
| |підсилювачів (PDFFA); | |
| |c) використовує когерентну| |
| |оптичну передачу або| |
| |когерентну оптичну детекторну| |
| |техніку (так звані оптичні| |
| |геретодини або гомодинну| |
| |техніку); | |
| |d) використовує техніку| |
| |мультиплексного розподілу| |
| |спектрального діапазону| |
| |(довжини хвилі) не менше ніж| |
| |на 8 оптичних несучих частот в| |
| |одному оптичному вікні; | |
| |e) використовує аналогову| |
| |техніку і має смугу| |
| |пропускання понад 2,5 ГГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.E.1.c.2.e не|
| |контролюється "технологія" для "розроблення"|
| |або "виробництва" систем комерційного|
| |телебачення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |3) обладнання, у якому| |
| |використовується "оптична| |
| |комутація"; | |
| |4) радіообладнання, яке має| |
| |такі характеристики: a)| |
| |застосовує техніку| |
| |квадратурно-амплітудної | |
| |модуляції (QAM) з рівнем вище| |
| |256; або | |
| |b) працює з вхідними або| |
| |вихідними частотами понад 31,8| |
| |ГГц; або | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.E.1.c.4.b не|
| |контролюється "технологія" для "розроблення"|
| |або "виробництва" обладнання, призначеного|
| |або модифікованого для роботи в будь-якому|
| |діапазоні частот, "виділеному ITU" для|
| |надання послуг радіозв'язку, але не для|
| |радіовизначення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |5) обладнання з використанням| |
| |"передачі сигналів через| |
| |спільний канал", які працюють| |
| |в непов'язаному режимі. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.E.1.d. |"Послуги та роботи" у| |
| |відношенні товарів подвійного| |
| |використання зазначених у| |
| |позиціях 5.A.1., 5.B.1.,| |
| |5.D.1. або 5.E.1. | |
------------------------------------------------------------------
| Розділ 5. Частина 2. ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ |
|----------------------------------------------------------------|
|5. |Частина 2. | |
| |ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Статус контролю за обладнанням,|
| | "програмним забезпеченням", системами,|
| | "електронними збірками" спеціального|
| | призначення, модулями, інтегральними|
| | схемами, складовими частинами чи функціями|
| | "захисту інформації" визначається у цій|
| | частині, навіть у разі, коли вони є|
| | "компонентами" або "електронними збірками"|
| | іншого обладнання. |
| |2. Не підлягають контролю вироби, зазначені у|
| | позиціях цієї частини, коли вони|
| | перевозяться у супроводі їх користувача|
| | для використання ним особисто. |
| |3. Криптографічна примітка. |
| | Згідно з позиціями 5.A.2 і 5.D.2 не|
| | підлягають контролю вироби, які|
| | відповідають усім таким умовам: |
| | a) загальнодоступність для громадськості|
| | шляхом продажу без обмежень у пунктах|
| | роздрібної торгівлі, призначених для|
| | будь-чого з наведеного нижче: |
| | 1) торговельних операцій у роздріб; |
| | 2) торговельних операцій за поштовими |
| | замовленнями; |
| | 3) електронних торговельних операцій; |
| | або |
| | 4) торговельних операцій за замовленнями|
| | по телефону; |
| | b) користувачі самостійно не можуть легко|
| | змінити криптографічну функціональність; |
| | c) розроблені для інсталяції користувачем|
| | без подальшої значної допомоги з боку|
| | постачальника; |
| | d) виключено; |
| | e) у разі необхідності детальна інформація|
| | про зазначені вироби буде доступною і за|
| | вимогою її може бути надано до|
| | відповідного повноважного органу в країні|
| | експортера з метою перевірки на|
| | відповідність умовам, зазначеним у пунктах|
| | a - c. |
| |4. Рішення про відповідність товарів умовам|
| | криптографічної примітки 3, приміток до|
| | позицій 5.A.2 і 5.D.2 приймається|
| | Держекспортконтролем на підставі висновку|
| | Держспецзв'язку. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|У цій частині під час визначення довжини|
| |ключа контрольні біти не враховуються. |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.A.2. *,** |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження Держспецзв'язку. |
|----------------------------------------------------------------|
|5.A.2.a. |Системи, обладнання,|з 8471, |
|[5A002] |"електронні збірки"|з 8542, |
| |спеціального призначення,|8543 89 95 00,|
| |модулі та інтегральні схеми|з 8543 90 |
| |для "захисту інформації",| |
| |наведені нижче, та інші| |
| |спеціально розроблені| |
| |"компоненти" для цього: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Особлива примітка.|Статус контролю за приймальним обладнанням|
| |глобальних навігаційних супутникових систем,|
| |що містять або використовують пристрої|
| |дешифрування, а саме глобальною системою|
| |місцевизначення (GPS) або глобальною|
| |навігаційною супутниковою системою (GLONASS),|
| |визначається з урахуванням критеріїв,|
| |зазначених у позиції 7.A.5. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |1) розроблені або модифіковані| |
| |для використання| |
| |"криптографії" із| |
| |застосуванням цифрової| |
| |техніки, що виконують будь-які| |
| |криптографічні функції,| |
| |відмінні від автентифікації| |
| |або цифрового підпису і мають| |
| |одне з наведеного нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічні примітки.|1. До функцій автентифікації та цифрового|
| | підпису належить також функція управління|
| | відповідним ключем. |
| |2. Автентифікація включає в себе всі аспекти|
| | контролю доступу, де немає шифрування|
| | файлів або тексту, за винятком шифрування,|
| | що безпосередньо пов'язане із захистом|
| | паролів, персональних ідентифікаційних|
| | номерів (PINs) або подібних даних для|
| | запобігання несанкціонованому доступу. |
| |3. До "криптографії" не належить "фіксована"|
| | компресія даних або методи кодування. |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 5.A.2.a.1 включає обладнання,|
| |розроблене або модифіковане для використання|
| |"криптографії" із застосуванням аналогових|
| |принципів, реалізованих на цифровій техніці. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |a) "симетричний алгоритм" з| |
| |довжиною ключа більше ніж 56| |
| |біт; або | |
| |b) "асиметричний алгоритм", в| |
| |якому алгоритм захисту| |
| |базується на будь-чому з| |
| |наведеного нижче: | |
| | 1) факторизації (розкладанні| |
| | на множники) цілих чисел| |
| | розрядністю більше ніж 512| |
| | біт (наприклад, RSA); | |
| | 2) обчисленні дискретних| |
| | логарифмів в| |
| | мультиплікативній групі| |
| | кінцевого поля розрядністю| |
| | більше ніж 512 біт| |
| | (наприклад, Diffie-Hellman| |
| | no Z/pZ); або | |
| | 3) дискретному логарифмі,| |
| | який належить до групи, не| |
| | зазначеної у позиції| |
| | 5.A.2.a.1.b.2, з розрядністю| |
| | групи більше ніж 112 біт| |
| | (наприклад, Diffie-Hellman| |
| | по еліптичній кривій); | |
| |2) розроблені або модифіковані| |
| |для виконання| |
| |криптоаналітичних функцій; | |
| |3) виключено; | |
| |4) спеціально розроблені або| |
| |модифіковані з метою зменшення| |
| |небажаного витоку| |
| |інформаційних сигналів, крім| |
| |того, що необхідно для безпеки| |
| |здоров'я, довкілля або для| |
| |приведення у відповідність з| |
| |вимогами стандартів на| |
| |електромагнітні перешкоди; | |
| |5) розроблені або модифіковані| |
| |з метою використання| |
| |"криптографічних" методів| |
| |генерації розширювального коду| |
| |для систем "розширення| |
| |спектра", що не підлягають| |
| |контролю згідно з позицією| |
| |5.A.2.a.6, у тому числі| |
| |псевдовипадковий код для| |
| |систем "псевдовипадкової| |
| |перебудови частоти"; | |
| |6) розроблені або модифіковані| |
| |для використання методу| |
| |криптографії, в якому| |
| |здійснюється генерація кодів| |
| |ущільнення каналів,| |
| |скремблірування або кодів| |
| |ідентифікації мереж для| |
| |систем, що застосовують метод| |
| |"надширокосмугової модуляції";| |
| |------------------------------+--------------|
| |a) ширину смуги частот понад| |
| |500 МГц; або | |
| |b) "відносну ширину смуги| |
| |частот" 20 відсотків або| |
| |більше; | |
| |7) підпозицію виключено; |з 8544 |
| |8) кабельні системи зв'язку,| |
| |спроектовані або модифіковані| |
| |з використанням механічних,| |
| |електричних або електронних| |
| |засобів для виявлення таємного| |
| |проникнення; | |
| |9) розроблені або модифіковані| |
| |для використання "квантової| |
| |криптографії" | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|"Квантова криптографія" відома також як|
| |"квантовий розподіл ключів" (QKD). |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.2 контролю не|
| |підлягають: |
| |a) "персоніфіковані інтелектуальні картки", у|
| |яких криптографічні можливості обмежені для|
| |використання в обладнанні або системах, за|
| |винятком таких, які контролюються відповідно|
| |до пунктів від b до f цієї примітки. У разі|
| |коли "персоніфіковані інтелектуальні картки"|
| |багатофункціональні, статус контролю за|
| |кожною функцією визначається окремо; |
| |b) приймальне обладнання для радіомовлення,|
| |комерційного телебачення або подібних видів|
| |мовлення для обмеженої аудиторії споживачів|
| |без цифрового шифрування, крім випадків, коли|
| |воно використовується виключно для обміну|
| |інформацією з відповідними провайдерами|
| |мовлення стосовно рахунків або програм; |
| |c) обладнання, у якому криптографічні|
| |можливості не доступні користувачеві і яке|
| |було спеціально розроблене та обмежене|
| |можливістю здійснювати одне з наведеного|
| |нижче: |
| | 1) виконувати програмне забезпечення із|
| | захистом від копіювання; |
| | 2) доступ до будь-чого з: |
| | a) захищеного від копіювання змісту, що |
| | зберігається на доступному тільки для|
| | читання носії інформації; або |
| | b) інформації, що зберігається в|
| | зашифрованій формі на носії (наприклад,|
| | пов'язана із захистом прав|
| | інтелектуальної власності), коли такий|
| | носій пропонується для вільного продажу|
| | покупцям в ідентичних комплектах; або |
| | 3) одноразове копіювання|
| | аудіо/відеоінформації, захищеної авторським|
| | правом; |
| | 4) шифрування та дешифрування для захисту|
| | бібліотек, атрибутів проекту або пов'язаних|
| | з ними даних для проектування|
| | напівпровідникових пристроїв або|
| | інтегральних схем; |
| |d) криптографічне обладнання, спеціально|
| |розроблене та обмежене можливістю|
| |використання для розрахункових банківських|
| |або грошових операцій; |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|До "грошових операцій", зазначених у пункті d|
| |цієї примітки, належать збори та виплати|
| |платежів або операції з кредитними картками. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |e) портативні або мобільні радіотелефони для|
| |цивільного використання (наприклад, для|
| |використання у комерційних цивільних|
| |стільникових системах радіозв'язку), які не|
| |можуть здійснювати абонентське (наскрізне)|
| |шифрування; |
| |f) обладнання бездротового телефонного|
| |зв'язку, яке не може здійснювати абонентське|
| |(наскрізне) шифрування і має згідно з|
| |інструкцією виробника максимальний радіус дії|
| |без додаткового посилення (тобто|
| |однопролітний, без ретрансляції, сигнальний|
| |імпульс, що надсилається між терміналом і|
| |домашнім базовим блоком) менше ніж 400 м. |
|------------------+---------------------------------------------|
|5.B.2. *,** |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження Держспецзв'язку. |
|----------------------------------------------------------------|
|5.B.2.a. |Обладнання, спеціально|з 8471, |
|[5B002] |розроблене для: |8543 |
| |1) "розроблення" обладнання| |
| |або функцій що підлягають| |
| |контролю відповідно до цієї| |
| |частини, включаючи обладнання| |
| |для вимірювання або| |
| |випробування; | |
| |2) "виробництва" обладнання| |
| |або функцій що підлягають| |
| |контролю відповідно до цієї| |
| |частини, включаючи обладнання| |
| |для вимірювання, випробування,| |
| |ремонту або виробництва | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.B.2.b. |Вимірювальне обладнання,|з 8471 |
| |спеціально розроблене для|з 8543 |
| |оцінки або підтвердження| |
| |функцій "захисту інформації",| |
| |що підлягають контролю згідно| |
| |з позицією 5.A.2 або 5.D.2 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.C.2. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |Відсутні | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.2. *,** |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження Держспецзв'язку. |
|----------------------------------------------------------------|
|5.D.2.a. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
|[5D002] |спеціально розроблене або| |
| |модифіковане для| |
| |"розроблення", "виробництва"| |
| |чи "використання" обладнання| |
| |або "програмного| |
| |забезпечення", що підлягають| |
| |контролю згідно з цією| |
| |частиною | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.2.b. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |спеціально розроблене або| |
| |модифіковане для підтримки| |
| |"технологій", що підлягають| |
| |контролю з позицією 5.E.2 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.2.c. |Спеціальне "програмне|з 8524 |
| |забезпечення", наведене нижче:| |
| |1) "програмне забезпечення",| |
| | яке має характеристики або| |
| | може виконувати чи| |
| | відтворювати функції| |
| | обладнання, що підлягає| |
| | контролю відповідно до| |
| | позиції 5.A.2 або 5.B.2; | |
| |2) "програмне забезпечення"| |
| | для сертифікації| |
| | "програмного забезпечення",| |
| | що підлягає контролю згідно| |
| | з позицією 5.D.2.c.1 | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.D.2 контролю не підлягає:|
| |a) "програмне забезпечення", що необхідне для|
| |"використання" в обладнанні, яке не підлягає|
| |контролю згідно з приміткою до позиції 5.A.2;|
| |b) "програмне забезпечення", що виконує|
| |будь-які функції обладнання, яке не підлягає|
| |контролю згідно з приміткою до позиції 5.A.2.|
|------------------+---------------------------------------------|
|5.E.2. *,** |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження Держспецзв'язку. |
|----------------------------------------------------------------|
|5.E.2.a. |"Технологія" відповідно до|з 3705, |
|[5E002] |пункту 3 загальних приміток|3706, 8524, |
| |для "розроблення",|З 8471 70 |
| |"виробництва" або|4901 99 00 00,|
| |"використання" обладнання чи|4906 00 00 00 |
| |"програмного забезпечення",| |
| |яке підлягає контролю згідно з| |
| |цією частиною. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.E.2.b. |"Послуги та роботи" у| |
| |відношенні товарів подвійного| |
| |використання, зазначених у| |
| |позиціях 5.A.2., 5.B.2.,| |
| |5.D.2. або 5.E.2. | |
------------------------------------------------------------------
| 5. Розділ 5. Частина 3. СПЕЦІАЛЬНІ ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.3.*,*** |ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ ТА ПРИСТРОЇ| |
| |ДЛЯ ЗНЯТТЯ ІНФОРМАЦІЇ З| |
| |КАНАЛІВ ЗВ'ЯЗКУ ТА ІНШІ| |
| |ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ НЕГЛАСНОГО| |
| |ОДЕРЖАННЯ ІНФОРМАЦІЇ | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|*** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження СБУ та Служби|
|зовнішньої розвідки |
|----------------------------------------------------------------|
|5.A.3.a. |Оптико-електронна техніка: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) мініатюрні фотокамери,|з 9006 |
| |замасковані під різні| |
| |предмети; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) об'єктиви, обладнані|з 9002 |
| |винесеною вхідною зіницею типу| |
| |"Pinhole"; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) мініатюрні теле-,|з 8521, 8525 |
| |відеокамери: | |
| | a) обладнані об'єктивом з| |
| | винесеною вхідною зіницею| |
| | типу "Pinhole"; | |
| | b) замасковані під різні| |
| | предмети; | |
| | c) з чутливістю 0,01 лк і| |
| | вище; | |
| |------------------------------+--------------|
| |4) прилади нічного бачення з|з 9005 |
| |можливістю реєстрації| |
| |зображення; | |
| |------------------------------+--------------|
| |5) технічні жорсткі та гнучкі|з 9013 |
| |ендоскопи з каналом освітлення| |
| |і діаметром, меншим ніж 10 мм | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.3.b. |Переносні лазерні системи для|з 9013 |
| |вимірювання малих переміщень| |
| |та вібрації твердих поверхонь | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.3.c. |Мікрофони направленої дії, у|з 8518 |
| |тому числі ті, що замасковані| |
| |під різні предмети | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.3.d. |Малогабаритні технічні засоби| |
| |або пристрої: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) радіомікрофони, замасковані|з 8525 |
| |під різні предмети; | |
| |------------------------------+--------------|
| |2) засоби зняття інформації з|з 8518, 8520, |
| |мереж та систем|8525, 8527, |
| |телекомунікацій, обладнані|8543 |
| |спеціальними пристроями| |
| |фіксації, збереження чи| |
| |передачі отриманої інформації,| |
| |у тому числі з пристроями| |
| |дистанційного керування; | |
| |------------------------------+--------------|
| |3) вібродатчики з пристроями|з 9031 |
| |підсилення та передачі| |
| |інформації по радіоканалу | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.3.e. |Спеціальні засоби відмикання| |
| |замикальних пристроїв для| |
| |негласного проникнення у| |
| |приміщення, сховища,| |
| |транспортні засоби тощо: | |
| |------------------------------+--------------|
| |1) механічні; |8301 70 00 00 |
| |------------------------------+--------------|
| |2) електронні, у тому числі|з 8471 |
| |типу "Linklock" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.3.f. |Переносні рентгенівські|з 9022 |
| |системи | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.A.3.g. |Оповіщувачі охоронної|з 8531 |
| |сигналізації, оснащені| |
| |вбудованою телекамерою та/або| |
| |мікрофоном | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.B.3.*,*** |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ,| |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|*** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження СБУ та Служби|
|зовнішньої розвідки. |
|----------------------------------------------------------------|
|5.B.3.a. |Обладнання, спеціально|з 8471, |
|[5B002] |призначене для: |8543 |
| |1) "розроблення" обладнання| |
| |або функцій, що підлягають| |
| |контролю відповідно до цієї| |
| |частини, включаючи| |
| |вимірювальне або випробувальне| |
| |обладнання; | |
| |2) "виробництва" обладнання| |
| |або функцій, що підлягають| |
| |контролю відповідно до цієї| |
| |частини, включаючи| |
| |вимірювальне, випробувальне,| |
| |ремонтне або виробниче| |
| |обладнання | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.B.3.b. |Вимірювальне обладнання,|з 8471 |
| |спеціально призначене для|з 8543 |
| |оцінки або підтвердження| |
| |функцій, що підлягають| |
| |контролю згідно з позицією| |
| |5.A.3 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.C.3. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| |Відсутні | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.3.*,*** |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.3.a. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |спеціально призначене або| |
| |модифіковане для| |
| |"розроблення", "виробництва"| |
| |або "використання" обладнання| |
| |чи "програмного забезпечення",| |
| |що підлягають контролю згідно| |
| |з цією частиною | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.3.b. |"Програмне забезпечення",|з 8524 |
| |спеціально призначене або| |
| |модифіковане для підтримки| |
| |"технологій", що підлягають| |
| |контролю згідно з позицією| |
| |5.E.3 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.D.3.c. |Спеціальне "програмне|з 8524 |
| |забезпечення", яке має| |
| |характеристики або може| |
| |виконувати чи відтворювати| |
| |функції обладнання, що| |
| |підлягає контролю відповідно| |
| |до позиції 5.A.3 | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.E.3 *,*** |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|----------------------------------------------------------------|
|____________ |
|* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|*** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю|
|на експорт (тимчасове вивезення), імпорт (тимчасове ввезення)|
|якого експортерами чи імпортерами разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається погодження СБУ та Служби|
|зовнішньої розвідки. |
|----------------------------------------------------------------|
|5.E.3.a. |"Технологія" відповідно до|з 3705, |
| |пункту 3 загальних приміток|з 8524, |
| |для "розроблення",|4901 99 00 00,|
| |"виробництва" або|4906 00 00 00 |
| |"використання" обладнання чи| |
| |"програмного забезпечення",| |
| |яке підлягає контролю згідно з| |
| |цією частиною. | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|5.E.3.b. |"Послуги та роботи" у| |
| |відношенні товарів подвійного| |
| |використання, зазначених у| |
| |позиціях 5.A.1., 5.B.3.,| |
| |5.D.3. або 5.E.3. | |
------------------------------------------------------------------
| Розділ 6. ОПТИКА І "ЛАЗЕРИ" |
|----------------------------------------------------------------|
|6. | ОПТИКА І "ЛАЗЕРИ" | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|6.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І| |
| |КОМПОНЕНТИ | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|6.A.1. |АКУСТИКА | |
|[6A001] | | |
|------------------+------------------------------+--------------|
|6.A.1.a. |Морські акустичні системи,| |
| |обладнання, наведені нижче, і| |
| |"спеціально призначені| |
| |компоненти" для них: | |
| |1) активні (що передають або| |
| | передають та приймають)| |
| | системи, обладнання і| |
| | "спеціально призначені| |
| | компоненти" для них,| |
| | наведені нижче: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 6.A.1.a.1 контролю не|
| |підлягають: |
| |a) гідролокатори глибини вертикальної дії без|
| |функції сканування променя понад +-20 град.,|
| |які мають обмежене використання для|
| |вимірювання глибини, відстані до занурених|
| |або заглиблених об'єктів або косяків риби; |
| |b) акустичні буї, наведені нижче: |
| | 1) аварійні акустичні буї; |
| | 2) імпульсні акустичні буї з дистанційним|
| | керуванням, спеціально призначені для|
| | переміщення або повернення їх у підводне|
| | положення. |
|------------------+---------------------------------------------|
| | a) широкооглядові системи|9015 80 91 00,|
| | вимірювання глибини,|9015 90 00 00 |
| | призначені для| |
| | картографування морського| |
| | дна які мають усі наведені| |
| | нижче характеристики: | |
| | 1) призначені для| |
| | вимірювання при кутах| |
| | відхилення променя від| |
| | вертикалі понад 20 град.; | |
| | 2) призначені для| |
| | вимірювання глибин понад| |
| | 600 м від поверхні води; | |
| | 3) призначені для| |
| | забезпечення будь-якої з| |
| | наведених нижче| |
| | характеристик: | |
| | a) об'єднання кількох| |
| | променів, вужчих ніж| |
| | 1,9 град.; | |
| | b) точності вимірів| |
| | глибини поперек смуги| |
| | огляду, одержаної шляхом| |
| | усереднення окремих| |
| | вимірів у межах смуги| |
| | огляду, кращої ніж 0,3| |
| | відсотка; | |
| |------------------------------+--------------|
| | b) системи виявлення або|9015 80 91 00,|
| | визначення місцезнаходження|9015 90 00 00 |
| | об'єкта, які мають будь-яку| |
| | з наведених нижче| |
| | характеристик: | |
| | 1) частоту передачі нижче| |
| | ніж 10 кГц; | |
| | 2) рівень звукового тиску| |
| | понад 224 дБ (1 мкПа на 1| |
| | м) для обладнання з| |
| | робочою частотою у| |
| | діапазоні від 10 кГц до 24| |
| | кГц включно; | |
| | 3) рівень звукового тиску| |
| | понад 235 дБ (1 мкПа на 1| |
| | м) для обладнання з| |
| | робочою частотою у| |
| | діапазоні між 24 кГц та 30| |
| | кГц; | |
| | 4) формування променів,| |
| | вужчих ніж 1 град. на| |
| | будь-якій осі та з робочою| |
| | частотою, нижчою ніж 100| |
| | кГц; | |
| | 5) призначені для| |
| | функціонування на відстані| |
| | однозначного виявлення| |
| | цілі понад 5120 м; | |
| | 6) призначені витримувати| |
| | тиск під час нормального| |
| | функціонування на глибинах| |
| | понад 1000 м та мають| |
| | датчики з будь-якою з| |
| | наведених нижче| |
| | характеристик: | |
| | a) динамічна компенсація| |
| | тиску; | |
| | b) мають інший| |
| | перетворювальний | |
| | елемент, відмінний від| |
| | цирконату-титанату | |
| | свинцю; | |
| |------------------------------+--------------|
| | c) акустичні випромінювачі,|9015 80 91 00,|
| | включаючи перетворювачі, що|9015 90 00 00 |
| | мають п'єзоелектричні,| |
| | магнітострикційні, | |
| | електрострикційні, | |
| | електродинамічні або| |
| | гідравлічні елементи, які| |
| | функціонують окремо або в| |
| | конструктивно заданій| |
| | сукупності і мають одну з| |
| | наведених нижче| |
| | характеристик: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус акустичних|
| | випромінювачів, включаючи перетворювачі,|
| | спеціально призначені для іншого|
| | обладнання, визначається контрольним|
| | статусом іншого обладнання. |
| |2. Згідно з позицією 6.A.1.a.1.c контролю не|
| | підлягають електронні джерела, які|
| | здійснюють тільки вертикальне зондування,|
| | або механічні (наприклад, пневмогармата|
| | або пароударна гармата), або хімічні|
| | (наприклад, вибухові) джерела. |
| |---------------------------------------------|
| | 1) густина миттєвої| |
| | випромінюваної акустичної| |
| | потужності понад | |
| | 0,01 мВт/кв.мм/Гц для| |
| | приладів, які працюють на| |
| | частотах нижче ніж| |
| | 10 кГц; | |
| | 2) густина безперервної| |
| | випромінюваної акустичної| |
| | потужності понад| |
| | 0,001 мВт/кв.мм/Гц для| |
| | приладів, які працюють на| |
| | частотах нижче ніж| |
| | 10 кГц; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Густина акустичної потужності визначається|
| |діленням вихідної акустичної потужності на|
| |добуток площі випромінювальної поверхні та|
| |робочої частоти. |
|------------------+---------------------------------------------|
| | 3) здатність заглушення| |
| | бокових пелюсток понад| |
| | 22 дБ; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| | d) акустичні системи,|9015 80 11 00,|
| | обладнання і "спеціально|9015 90 00 00 |
| | призначені компоненти" для| |
| | визначення положення| |
| | надводних суден і підводних| |
| | апаратів, призначені для| |
| | функціонування на дистанції| |
| | понад 1000 м з точністю| |
| | позиціонування менше ніж| |
| | 10 м (середньоквадратичне| |
| | відхилення) під час| |
| | вимірювання на відстані| |
| | 1000 м; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 6.A.1.a.1.d включає: |
| |a) обладнання, яке використовує когерентне|
| |"оброблення сигналів" між двома або більше|
| |буями і гідрофонним блоком, що|
| |транспортується надводним судном або|
| |підводним апаратом; |
| |b) обладнання, здатне здійснювати автоматичну|
| |корекцію помилок швидкості поширення звуку|
| |для обчислення місцезнаходження. |
|------------------+---------------------------------------------|
| |2) пасивні (приймають у| |
| | штатному режимі незалежно| |
| | від зв'язку з активною| |
| | апаратурою) акустичні| |
| | системи, апаратура і| |
| | "спеціально призначені| |
| | компоненти" для них,| |
| | наведені нижче: | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| | a) гідрофони, які мають|9015 80 93 00 |
| | будь-яку з наведених нижче|9015 90 00 00 |
| | характеристик: | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Примітка. |Контрольний статус гідрофонів, спеціально|
| |призначених для іншого обладнання,|
| |визначається контрольним статусом зазначеного|
| |іншого обладнання. |
|------------------+---------------------------------------------|
| | 1) містять безперервні| |
| | гнучкі датчики (чутливі| |
| | елементи); | |
| | 2) містять гнучкі збірки| |
| | дискретних датчиків з| |
| | діаметром або завдовжки| |
| | менше ніж 20 мм та| |
| | відстанню між елементами| |
| | менше ніж 20 мм; | |
| | 3) мають будь-який з| |
| | наведених нижче чутливих| |
| | елементів: | |
| | a) оптоволоконні; | |
| | b) п'єзоелектричні| |
| | полімерні плівки інші,| |
| | ніж полівініліденфторид| |
| | (PVDF) та його| |
| | співполімери | |
| | {P(VDF-TrFE) та| |
| | P(VDF-TFE)}; або | |
| | c) гнучкі| |
| | п'єзоелектричні | |
| | композиційні матеріали;| |
| | 4) чутливість гідрофону| |
| | краще ніж - 180 дБ на| |
| | будь-якій глибині без| |
| | компенсації прискорення; | |
| | 5) призначені для роботи| |
| | на глибинах понад 35 м,| |
| | та мають компенсацію| |
| | прискорення; | |
| | 6) призначені для роботи| |
| | на глибинах понад 1000 м;| |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічні примітки.|1. Датчики з "п'єзоелектричної полімерної|
| | плівки" складаються з поляризованої|
| | полімерної плівки, яка натягнута на опорну|
| | раму або оправку та прикріплена до неї. |
| |2. Датчики з "гнучких п'єзоелектричних|
| | композитних матеріалів" складаються з|
| | частинок або волокон п'єзоелектричної|
| | кераміки, об'єднаних з електроізолюючим та|
| | акустичне прозорим каучуковим, полімерним|
| | або епоксидним компаундом, при цьому|
| | компаунд є невід'ємною частиною датчиків. |
| |3. Чутливість гідрофону визначається як|
| | двадцятикратний десятковий логарифм|
| | відношення середньоквадратичного значення|
| | вихідної напруги до середньоквадратичного|
| | опорного значення напруги 1 В, коли|
| | гідрофонний датчик без попереднього|
| | підсилювача розміщений в акустичному полі|
| | плоскої хвилі із середньоквадратичним|
| | значенням тиску 1 мкПа. Наприклад,|
| | гідрофон з - 160 дБ (опорна напруга|
| | -8 |
| | 1 В/мкПа) дасть вихідну напругу 10 В у|
| | такому полі, тоді як гідрофон з чутливістю|
| | - 180 дБ дасть вихідну напругу тільки|
| | -9 |
| | 10 В. Таким чином, - 160 дБ краще ніж -|
| | 180 дБ. |
|------------------+---------------------------------------------|
| | b) акустичні гідрофонні|9015 80 93 00,|
| | ґратки, які буксируються і|9015 80 99 00,|
| | мають будь-яку з наведених|9015 90 00 00 |
| | нижче характеристик: | |
| | 1) відстань між| |
| | гідрофонними групами менше| |
| | ніж 12,5 м або здатні до| |
| | модифікації для отримання| |
| | відстані між гідрофонними| |
| | групами менше ніж 12,5 м; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| | 2) призначені або здатні|9015 80 93 00 |
| | до модифікації для| |
| | функціонування на глибині| |
| | понад 35 м; | |
|------------------+---------------------------------------------|
|Технічна примітка.|Здатність до модифікації, зазначена в позиції|
| |6.A.1.a.2.b, означає наявність можливостей|
| |для зміни схеми з'єднань або взаємних|
| |з'єднань для зміни відстані між гідрофонними|
| |групами або меж робочих глибин. Такими|
| |можливостями є наявність резервних|
| |провідників понад 10 відсотків кількості|
| |провідників, блоків регулювання відстані між|
| |гідрофонними групами або внутрішніх пристроїв|
| |обмеження глибини із здатністю регулювання|
| |або керування більше ніж однією гідрофонною|
| |групою. |
|------------------+---------------------------------------------|
| | 3) датчики напрямку, що| |
| | підлягають контролю згідно| |
| | з позицією 6.A.1.a.2.d; | |
| | 4) повздовж зміцнені| |
| | кабелі ґраток; | |
| | 5) зібрана ґратка| |
| | діаметром менше ніж 40 мм;| |
| | 6) мультиплексні сигнали| |
| | гідрофонних груп, що| |
| | призначені для| |
| | функціонування на глибині| |
| | понад 35 м, або має| |
| | регульований або змінний| |
| | датчик глибині для роботи| |
| | на глибині понад 35 м; | |
| | 7) гідрофонні| |
| | характеристики, визначені| |
| | у позиції 6.A.1.a.2.a; | |
|------------------+------------------------------+--------------|
| | c) обладнання оброблення|9015 80 93 00,|
| | даних, спеціально призначене|9015 80 99 00,|
| | для використання в|9015 90 00 00 |
| | акустичних гідрофонних| |
| | ґратках, що буксируються і| |
| | мають "можливість| |
| | програмування користувачем"| |
| | та часовий або частотний| |
| | метод оброблення і| |
| | кореляції, включаючи| |
| | спектральний аналіз, цифрову| |
| | фільтрацію і формування| |
| | діаграми направленості| |
| | променя із застосуванням| |
| | швидкого перетворення Фур'є| |
| | або інших перетворень чи| |
| | процесів; | |
| |------------------------------+--------------|
| | d) датчики напрямку, які|9015 80 93 00,|
| | мають усі наведені нижче|9015 90 00 00 |
| | характеристики: | |
| | 1) точність краще ніж| |
| | +-0,5 град.; | |
| | 2) призначені для| |
| | функціонування на глибині| |
| | понад 35 м або мають| |
| | регульований або змінний| |
| | датчик глибини для| |
| | функціонування на глибині| |
| | понад 35 м; | |
| |------------------------------+--------------|
| | e) донні або занурені|з 8544 |
| | кабельні мережі, які мають|9015 80 93 00,|
| | будь-яку з наведених нижче|9015 80 99 00,|
| | характеристик: |9015 90 00 00 |
| | 1) містять гідрофони,| |
| | визначені у позиції| |
................Перейти до повного тексту