- Правова система ipLex360
- Законодавство
- Постанова
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 31 серпня 2011 р. N 908 Київ |
Про внесення змін до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355
Кабінет Міністрів України
постановляє:
Внести до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р.
N 1355 "Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки" (Офіційний вісник України, 2007 р., N 90, ст. 3305) зміни, що додаються.
Прем'єр-міністр України | М.АЗАРОВ |
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 31 серпня 2011 р. N 908
ЗМІНИ,
що вносяться до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355 ( 1355-2007-п )
1. У назві та пункті 1 постанови цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012".
1) у назві
Програми цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
2) у розділі "Обсяги та джерела фінансування":
в абзаці другому цифри і слова "2011 році - 13,3 млн.," замінити цифрами і словами "2011 - 13,3 млн., 2012 році - 9,8 млн.,";
абзац третій виключити;
у додатку 1:
у назві та пункті 6 додатка цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
пункти 4 і 7 викласти у такій редакції:
"4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.";
"7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:
Джерела фінансування |
Обсяг фінансування |
У тому числі за роками |
2008 |
2009 |
2010 |
2011 |
2012 |
Державний бюджет |
69,8 |
15,35 |
16,25 |
15,1 |
13,3 |
9,8 |
Інші джерела |
21,1 |
5 |
5 |
5 |
5 |
1,1 |
Усього |
90,9 |
20,35 |
21,25 |
20,1 |
18,3 |
10,9"; |
у додатку 2:
графи "Значення показника" та "У тому числі за роками" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
Найменування завдання |
Найменування показника |
Значення показника |
Найменування заходу |
Головний розпорядник бюджетних коштів |
Джерела фінансу- вання |
Прогнозний обсяг фінансових ресурсів для виконання завдань, млн. гривень |
У тому числі за роками |
усього |
за роками |
2008 |
2009 |
2010 |
2011 |
2012 |
2008 |
2009 |
2010 |
2011 |
2012 |
2. Створення принципово нових матеріалів, у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки |
дослідно- конструкторські роботи |
2 |
1 |
|
1 |
|
|
1) розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла видимого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів |
Національна академія наук |
державний бюджет |
4,41 |
1,15 |
1,27 |
1,09 |
0,9 |
|
|
нові види матеріалів |
2 |
|
1 |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дослідно- конструкторські роботи |
1 |
1 |
|
|
|
|
2) розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. |
|
-"- |
5,25 |
1,5 |
1,4 |
1,25 |
1,1 |
|
|
технологічні регламенти |
1 |
|
|
1 |
|
|
Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партії сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гамма-квантів |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дослідно- конструкторські роботи |
3 |
1 |
|
1 |
|
1 |
3) розроблення технології отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно- промислової ділянки і виготовлення |
|
державний бюджет |
22,9 |
3,1 |
3,5 |
3,4 |
3,1 |
9,8 |
|
технології світового рівня |
3 |
|
1 |
|
1 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
технологічні регламенти |
2 |
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем, світлодіодів тощо |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
інші |
8,1 |
1,75 |
1,75 |
1,75 |
1,75 |
1,1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
разом |
|
31 |
4,85 |
5,25 |
5,15 |
4,8 |
10,9 |
|
дослідно- конструкторські роботи |
2 |
1 |
|
1 |
|
|
4) розроблення іонно-плазмової технології одержання кристалічних плівок SiC на кремнієвих і сапфірових підкладках для створення фотоперетворюючих приладів авіаційної і атомної |
|
державний бюджет |
1,52 |
0,4 |
0,46 |
0,35 |
0,31 |
|
|
технології світового рівня |
1 |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
промисловості. Виготовлення та натурні випробування макетів |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ультрафіолетових сенсорів у широкому діапазоні термічних та радіаційних дій |
|
|
|
|
|
|
|
|
Разом за завданням 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
42,18 |
7,9 |
8,38 |
7,84 |
7,16 |
10,9 |
у тому числі |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
державний бюджет |
34,08 |
6,15 |
6,63 |
6,09 |
5,41 |
9,8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
інші |
8,1 |
1,75 |
1,75 |
1,75 |
1,75 |
1,1"; |
................Перейти до повного тексту