I. Формула спеціальності:

Спеціальність, предметом якої є використання фізичних явищ у твердих тілах для побудови приладів, пристроїв і систем напівпровідникової та діелектричної електроніки. включаючи інтегральну напівпровідникову мікроелектроніку, акустоелектроніку. оптоелектроніку, мікроелектроніку, кріоелектроніку, молекулярну електроніку тощо.

II. Напрямки досліджень:

Елементний базис напівпровідникової електроніки. Прилади на основі p-n структур, бар'єрів Шотки, структур типу МДН і МОН, ефектів сильного електричного поля, термоелектричного поля, термоелектричних, тензорезистивних, гальваномагнітних, фотоелектричних та інших ефектів.

Конструювання, технологічні основи побудови гібридних та інтегральних мікросхем різного ступеня інтеграції і призначення (напівпровідникові, оптоелектронні, магнітооптичні і т.ін.).

Розроблення приладів, пристроїв та систем функціональної електроніки. Використання об'ємних, поверхневих акустичних хвиль (резонатори, лінії затримки, фільтри, дефлектори та модулятори світла, логічні елементи, обробка цифрових сигналів тощо).

Прилади на основі піроелектричних, сегнетоелектричних та магнітних матеріалів.

Вплив зовнішніх факторів на матеріали і прилади твердотільної електроніки.

Елементна база та пристрої кріоелектроніки.

III. Галузь науки, з якої присуджуються наукові ступені:

технічні науки.

I. Формула спеціальності:

Змістом спеціальності є вивчення й застосування електронних, іонних, плазмових, надвисокої частоти, квантових, оптоелектронних, лазерних, кріогенних явищ у різноманітних середовищах та на їх межах, а також моделювання, проектування, побудова, виготовлення, ідентифікація, паспортизація і застосування в електроніці приладів та пристроїв, робота яких грунтується на засадах цих явищ.

II. Напрямки досліджень: