iplex360.Демо.Законодавство України

КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ

Р О З П О Р Я Д Ж Е Н Н Я

від 14 лютого 2007 р. N 42-р
Київ

Про реалізацію у 2007-2008 роках науково-технічних проектів відповідно до міжвідомчої науково-технічної програми "Нанофізика та наноелектроніка"

Погодитися з пропозицією МОН щодо реалізації у 2007-2008 роках відповідно до міжвідомчої науково-технічної програми "Нанофізика та наноелектроніка", схваленої розпорядженням Кабінету Міністрів України від 14 березня 2001 р. N 85, науково-технічних проектів згідно з додатком.

Прем'єр-міністр України

В.ЯНУКОВИЧ

Інд. 28

Додаток

до розпорядження Кабінету Міністрів України

від 14 лютого 2007 р. N 42-р

ПЕРЕЛІК

науково-технічних проектів, що підлягають реалізації відповідно до міжвідомчої науково-технічної програми "Нанофізика та наноелектроніка" у 2007-2008 роках

(тис. гривень)

Найменування науково-технічного проекту	Найменування установи, відповідальної за реалізацію проекту	Орієнтовний обсяг фінансування, усього	У тому числі за роками
Найменування науково-технічного проекту	Найменування установи, відповідальної за реалізацію проекту	Орієнтовний обсяг фінансування, усього	2007	2008
1. ФІЗИКА НАНОСТРУКТУР
1. Фізичні механізми впливу деформаційних полів на самоорганізоване формування напівпровідникових наноструктур і варіювання цих полів для керування характеристиками наноструктур	Інститут фізики напівпровідників Національної академії наук	600	200	400
2. Теоретичні і експериментальні дослідження випромінювальних процесів у кремнієвих та германієвих наноструктурах	-"-	750	150	600
3. Дослідження закономірностей самоскладання та електронних характеристик плівкових органічних та композитних наноструктур для розроблення фізичних основ створення і функціонування молекулярно- електронних схем	Інститут фізики Національної академії наук	1100	300	800
4. Розроблення методу керування магнітними та транспортними властивостями наноструктурних феромагнітних манганітів та кобальтитів зовнішнім тиском і варіацією розміру наночасток	науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ	1800	500	1300
5. Теоретичне та експериментальне дослідження просторового надрозподілу зображень віддалених джерел випромінювання світла у металодіелектричних наноструктурах	Львівська філія науково- виробничого концерну "Наука"	1200	300	900
6. Створення математичної моделі синтезу наноструктур, нанотрубок та електронного транспорту в них	державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ	1200	350	850
7. Теоретичні та експериментальні дослідження структури, транспорту електронів та нелінійно-оптичних властивостей у композитних наноструктурних матеріалах на основі металевих острівцевих плівок	Інститут фізики Національної академії наук	500	100	400
8. Дослідження електрофізичних параметрів сегнетоелектричних матеріалів та наноструктур теплових сенсорів	Національний технічний університет "Київський політехнічний інститут"	1000	300	700
9. Дослідження функціональних властивостей наномасштабних структур у сильноградієнтних магнітних полях	Інститут магнетизму Національної академії наук та МОН	600	100	500
	Разом	8750	2300	6450
2. ТЕХНОЛОГІЯ НАНОСТРУКТУР
10. Розроблення базової технології отримання гетероструктур A3B5 для оптоелектронних приладів на основі масивів квантових точок з використанням модифікуючого впливу рідкісноземельного елемента на процеси зародкоутворення	науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів	800	200	600
11. Розроблення нанотехнологій лазерного структурування мікрорельєфу поверхні для зменшення тертя деталей машин і механізмів	-"-	400	50	350
12. Створення функціональних п'єзоелектричних матеріалів для одержання плівкових MEMS-структур у складі наноелектронних комірок	Науково- дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету "Київський політехнічний інститут"	700	200	500
13. Оптимізація теплових режимів потужних надвисокочастотних та світловипромінювальних приладів на базі GaN-наноструктур	Інститут фізики напівпровідників Національної академії наук	600	200	400
14. Розроблення методів модифікації характеристик світловипромінюючих структур на основі широкозонних сполук A2B6 для потреб оптичної електроніки і медицини	-"-	500	150	350
15. Фізичні дослідження та розроблення технологічних основ високоефективних діодів міліметрового та субміліметрового діапазонів на базі + + + + n -n-n та n -i-n епітаксійних гетероструктур, виготовлених з новітніх широкозонних матеріалів	-"-	1000	250	750
16. Дослідження залежності структурних та електрофізичних характеристик наногетероструктур на основі A3B5 від умов їх отримання	науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ	400	100	300
17. Розроблення технології отримання чутливих середовищ для діагностики та дослідження субмікронних (нанорозмірних) магнітних неоднорідностей магнітних полів у магнітних, напівпровідникових та надпровідних структурах у широкому інтервалі температур	науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів	1200	200	1000
18. Розроблення технології створення та дослідження фізичних процесів у крупноформатних матричних фотоприймачах довгохвильового інфрачервоного випромінювання, а також методів зчитування та обробки інформації з таких матриць	Львівська філія науково- виробничого концерну "Наука"	2100	400	1700
19. Дослідження електронної структури та електронних властивостей металічного моношару на поверхні високотемпературного надпровідника методом фотоелектронної спектроскопії з кутовою роздільною здатністю	Інститут металофізики Національної академії наук	500	100	400
	Разом	8200	1850	6350
3. ДІАГНОСТИКА НАНОСТРУКТУР
20. Створення методів локальної діагностики структурних та електронних властивостей приладових наноструктур на основі атомно-силової мікроскопії електростатичних сил	науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ	2250	700	1550
21. Діагностика нанорозмірних структур та розроблення на їх базі основ технології виготовлення приладів обробки інформації нового покоління	Київський національний університет імені Тараса Шевченка	1300	400	900
22. Діагностика руйнування об'єктів мікро- та наноелектроніки під зовнішнім впливом	Національний технічний університет "Київський політехнічний інститут"	300	50	250
23. Розроблення діагностичного вимірювального комплексу для визначення параметрів нанокомпонентів волоконно-оптичних ліній зв'язку	Науково- дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету "Київський політехнічний інститут"	800	200	600
24. Розроблення методів діагностики наноструктур у процесі виробництва та створення на їх основі сучасної діагностичної лабораторії загального користування	науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ	6500	1800	4700
25. Мікрохвильова діагностика та модифікація матеріалів у нанотехнологіях	Харківський національний університет радіоелектроніки МОН	600	100	500
26. Розроблення програмно-апаратного комплексу для дослідження електричних та оптичних характеристик світлодіодних випромінювачів видимого діапазону	науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ	1700	450	1250
27. Розроблення методу підвищення розподільної здатності атомно-силової мікроскопії шляхом створення позиційно- чутливої матриці фоточутливих елементів із спеціальною топологією міжз'єднань	науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ	1600	400	1200
28. Розроблення методики отримання карт кластерів на гранях зростаючого кристалу методом дифракції відбитих електронів з просторовою розподільною здатністю 10 нанометрів та менше	Національний технічний університет "Київський політехнічний інститут"	250	50	200
29. Розроблення та дослідження інфрачервоних детекторів на основі квантово-розмірних структур SiGe/Si, Ge/Si	науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів	1000	200	800
	Разом	16300	4350	11950
4. НАНОЕЛЕКТРОНІКА ТА НАНОФОТОНІКА
30. Синтез та властивості багатофункціональних люмінофорів на основі активованих нанокристалів діелектриків	Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук	1300	390	910
31. Розроблення фізичних принципів функціонування та основ технології формування ланцюжків кубітів, їх виготовлення та дослідження	державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ	1650	450	1200
32. Створення та дослідження багатошарових тонкоплівкових наноперіодичних структур з високотемпературних надпровідних купратів для новітніх пасивних пристроїв надвисокочастотної електроніки з наднизькими втратами	Інститут металофізики Національної академії наук	750	150	600
33. Розроблення та дослідження спеціалізованих високотемпературних надпровідних сквидів постійного струму на основі наногетероструктур для підсилення сигналів високих частот	державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ	1600	400	1200
34. Створення елементної бази прототипів багатоелементних приймальних та генеруючих елементів терагерцового діапазону	Інститут фізики напівпровідників Національної академії наук	750	150	600
35. Розроблення та створення однофотонного інфрачервоного детектора на основі тонкоплівкових надпровідникових наноструктур	державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ	2200	500	1700
36. Розроблення інфрачервоних випромінювачів на багатошарових молекулярно-променево- епітаксійних структурах на основі Cd Hg Te з x 1-x нанорозмірними активними шарами	науково- виробниче підприємство "Карат" Мінпромполітики, м. Львів	800	200	600
37. Дослідження та розроблення шляхів створення елементів надвисокочастотних інтегральних схем міліметрового та терагерцового діапазонів на основі мікро- і нанокристалічних шарів синтетичного алмазу завтовшки 20-100 мікрометрів	державний науково- дослідний інститут "Оріон" Мінпромполітики, м. Київ	300	70	230
38. Дослідження та створення джерел надвисокочастотного випромінювання в субміліметровому діапазоні на базі багатошарових напівпровідникових структур, у тому числі на основі GaAs/AlAs, Ga/Al двобар'єрних квантових наноструктур	-"-	420	90	330
39. Дослідження можливості створення надпотужних джерел надвисокочастотних коливань на основі високопольових механізмів лавинної іонізації та міждолинного переносу носіїв у GaN	-"-	180	50	130
40. Розроблення та створення сучасної нанотехнологічної лабораторної лінії з виготовлення наноструктурних елементів на базі російсько-українського технологічного модуля Nanofab	науково- виробничий концерн "Наука", м. Київ	9000	2400	6600
41. Розроблення та дослідження напівпровідникових над'яскравих світлодіодів на основі квантоворозмірних гетероструктур InGaN	-"-	3500	800	2700
42. Розроблення та дослідження фоточутливих елементів на основі GaN та вимірювальних приладів ультрафіолетового діапазону на їх базі	Науково- дослідний інститут прикладної електроніки Національного технічного університету "Київський політехнічний інститут"	800	200	600
43. Низькотемпературні наноелектронні пристрої для проведення спектрального аналізу електромагнітних сигналів на основі джозефсонівських гетероструктур субмікронного розміру	державний науково- дослідний центр "Фонон" МОН, м. Київ	2800	500	2300
44. Створення детекторів квантового стану на основі явища суперпозиції у фазових та зарядових кубітах	Харківський національний університет радіоелектроніки МОН	700	150	550
	Разом	26750	6500	20250
	УСЬОГО за переліком	60000	15000	45000

................

Перейти до повного тексту