Заслухавши та обговоривши доповідь завідувача відділу Інституту сцинтиляційних матеріалів НТК "Інститут монокристалів" НАН України доктора фізико-математичних наук В.Д.Рижикова, Президія НАН України відзначає, що сьогодні одним із провідних напрямів застосування сцинтиляційних кристалів є цифрові радіографічні системи, які використовуються в апаратурі антитерористичного призначення, для неруйнівного контролю, у медицині тощо. Специфічними вимогами до детекторів такої апаратури є висока радіаційна стійкість, мала інерційність, підвищена чутливість до рентгенівського випромінювання, стійкість до кліматичних факторів. Традиційні сцинтилятори не відповідають цим вимогам.

Детектори, розроблені Інститутом сцинтиляційних матеріалів НАН України на основі сцинтиляційних кристалів, застосовуються у вітчизняних інспекційних сканерах. Використовуючи ці кристали, німецька фірма Smith-Heimann розробила нову модель рентгенівського сканера, що дозволяє відтворювати томографічне зображення об'єкта і в автоматичному режимі виявляти вибухівку.

Кристали на основі селеніду цинку не мають закордонних аналогів, попит на них постійно зростає.

Разом з тим Президія НАН України відзначає, що потребують розвитку дослідження щодо пошуку та створення нових сцинтиляційних матеріалів з наперед заданими властивостями. Необхідне подальше удосконалення технологій отримання напівпровідникових сцинтиляційних монокристалів, активізація робіт з впровадження результатів досліджень у практику.

Президія НАН України

1. Доповідь доктора фізико-математичних наук В.Д.Рижикова взяти до відома. Схвалити діяльність Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України зі створення нових сцинтиляційних матеріалів і розробки наукових основ технологій їх отримання.

2. Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України разом з зацікавленими науковими установами НАН України у I півріччі 2006 р. розробити пропозиції щодо проведення спільних робіт з пошуку та практичного використання нових напівпровідникових сцинтиляційних монокристалів і створення приладів на їх основі.

Схвалити план фундаментальних і прикладних досліджень у галузі вирощування сцинтиляційних напівпровідникових кристалів (додаток).

3. Контроль за виконанням цієї постанови покласти на Науково-організаційний відділ Президії НАН України та Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства НАН України.