Про внесення змін у додаток до Положення про порядок контролю за експортом, імпортом і транзитом окремих видів виробів, обладнання, матеріалів, програмного забезпечення і технологій, що можуть використовуватися для створення озброєння, військової чи спеціальної техніки

----------------------------------------------------------------------

Розділ 1. ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТ ЗЕД

----------------------------------------------------------------------

1. ПЕРСПЕКТИВНІ МАТЕРІАЛИ

1.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

1.A.1. Компоненти, наведені нижче, вироблені із

[1A001] сполук, що містять фтор:

1.A.1.а. Ущільнення, прокладки, ущільнювальні 3919 90 90 00

матеріали або трубчаті ущільнення,

спеціально призначені для "літальних

апаратів" чи для використання в

аерокосмічній техніці та виготовлені більше

ніж на 50 вагових відсотків з матеріалу,

зазначеного у позиціях 1.С.9.b або

1.С.9.с

Примітки. 1. Коди товарів згідно з УКТ ЗЕД наводяться

у списку довідково. Основною ознакою для

прийняття рішення є відповідність

заявленого до митного оформлення товару

найменуванню та опису відповідному

товару, що наведено в цьому списку.

2. У позиції 1.A.1 та далі за текстом

у графі "номер позиції" (у квадратних

дужках) наводяться коди товарів згідно

із системою їх класифікації

державами-учасницями Європейського Союзу.

1.A.1.b. П'єзоелектричні полімери та сополімери, 3921 90 90 00

вироблені із фтористих матеріалів,

зазначених у позиції 1.С.9.а:

1) у вигляді плівки або листа;

та

2) завтовшки понад 200 мкм

1.A.1.с. Ущільнення, прокладки, гнізда клапанів, 3919 90 90 00

трубчасті ущільнення або діафрагми,

виготовлені із фтороластомірів, які містять

щонайменше одну вінілефірну групу як

складову ланку і спеціально призначені для

"літальних апаратів" чи для використання

в аерокосмічній або ракетній техніці

1.A.2. "Композиційні" структури або ламінати

[1A002] (шаруваті матеріали), які містять:

1.A.2.а. Органічну "матрицю" і вироблені з 3926 90 10 00

матеріалів, що підлягають контролю згідно з

позиціями 1.С.10.с, 1.С.10.d чи 1.С.10.е

або

Примітка. Згідно з позицією 1.A.2.а контролю не

підлягають закінчені вироби або

напівфабрикати, спеціально призначені тільки

для наведеного нижче цивільного

використання:

а) у спортивних товарах;

b) в автомобільній промисловості;

c) у верстатобудівній промисловості;

d) у медичних цілях.

1.A.2.b. Металеву або вуглецеву матрицю і

виготовлені з: з 3801,

1) вуглецевих волокнистих або ниткоподібних 3926 90 10 00,

матеріалів з: з 6903 10 00

а) питомим модулем пружності понад

10,15 х 10 (в ступ. 6) м; та

b) питомою межею міцності при розтягові

понад 17,7 х 10 (в ступ. 4) м; або

2) матеріалів, що підлягають контролю за 3926 90 10 00,

позицією 1.С.10.с 8101 92 00 00,

8108 90 30 00,

8108 90 70 00

Примітка. Згідно з позицією 1.A.2.b контролю не

підлягають закінчені вироби або

напівфабрикати, спеціально призначені тільки

для наведеного нижче цивільного

використання:

a) у спортивних товарах;

b) в автомобільній промисловості;

c) у верстатобудівній промисловості;

d) у медичних цілях.

Технічні 1. Питомий модуль пружності - модуль Юнга,

примітки. виражений в паскалях або в Н/кв. м,

поділений на питому вагу в Н/куб. м,

виміряний при температурі

(296 +(-) 2) К [(23 +(-) 2) град. С] та

відносній вологості (50 +(-) 5)

відсотків.

2. Питома межа міцності при розтягові -

найбільша межа міцності до розриву,

виражена в Па або в Н/кв. м,

поділена на питому вагу в Н/куб. м,

виміряна при температурі

(296 +(-) 2) К [(23 +(-) 2) град. С] та

відносній вологості (50 +(-) 5)

відсотків.

Примітка. Згідно з позицією 1.A.2 контролю не

підлягають композиційні структури або

шаруваті матеріали, виготовлені з епоксидної

смоли, імпрегнованої "волокнистими чи

ниткоподібними матеріалами" для ремонту

авіаційних конструкцій, або шаруваті

матеріали, якщо їх розмір не

перевищує 1 кв. м.

1.A.3. Вироби з полімерних речовин, що не містять 3919 90 90 00,

[1A003] фториди і підлягають контролю згідно з 3920 99 90 00

позицією 1.С.8.а.3, які мають форму плівки,

листа, стрічки або смужки:

1.A.3.а. Завтовшки понад 0,254 мм; або

1.A.3.b. Покриті чи ламіновані вуглецем, графітом,

металами або магнітними речовинами

Примітка. Згідно з позицією 1.A.3 контролю не

підлягають вироби, покриті або ламіновані

міддю і призначені для виробництва

електронних печатних плат.

1.A.4. Обладнання для захисту і виявлення та їх

[1A004] частини, наведені нижче, спеціально не

призначені для військового використання:

1.A.4.а. Газові маски, коробки протигазів з фільтрами 9020 00 90 00,

та обладнання для знезараження та їх 9033 00 00 00

частини, призначені або модифіковані для

захисту від біологічних факторів чи

радіоактивних матеріалів, "пристосованих для

військового використання", або від бойових

хімічних речовин

1.A.4.b. Захисні костюми, рукавиці та взуття, 6210 20 00 00,

спеціально призначені або модифіковані для 6210 30 00 00,

захисту від біологічних факторів чи з 6405 90

радіоактивних матеріалів, "пристосованих для

військового використання", або від бойових

хімічних речовин

1.A.4.c. Ядерні, біологічні та хімічні системи з 9027,

виявлення та їх частини, спеціально 9030 10 90 00,

призначені або модифіковані для виявлення 9033 00 00 00,

або ідентифікації біологічних факторів чи 9027 10 10 00,

радіоактивних матеріалів, "пристосованих для 9027 10 90 00,

військового використання", або від бойових 9027 90 90 00

хімічних речовин

Примітка. Згідно з позицією 1.A.4 контролю

не підлягають:

а) персональні радіаційні моніторингові

дозиметри;

b) обладнання, яке за конструкцією або

функціями призначене тільки для

захисту від токсичних речовин,

специфічних для цивільної

промисловості, такої, як гірнича

справа, роботи в кар'єрах,

сільськогосподарська, фармацевтична,

медична, ветеринарна діяльність,

харчова промисловість, а також для

робіт, пов'язаних із захистом

навколишнього природного середовища та

переробкою відходів.

1.A.5. Засоби захисту тіла і спеціально призначені 6204 29 90 00

[1A005] для них компоненти, виготовлені не за

військовими стандартами або специфікаціями і

не рівноцінні їм у виконанні

Примітки. 1. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не

підлягають індивідуальні бронежилети та

пристосування до них, коли вони

знаходяться у своїх користувачів з метою

їх власного захисту.

2. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не

підлягають засоби захисту тіла,

призначені тільки для забезпечення

фронтального захисту як від уламків, так

і від вибуху невійськових вибухових

пристроїв.

1.В. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА

1.В.1. Обладнання для виробництва волокон,

[1В001] препрегів, преформ чи "композиційних"

матеріалів або виробів, що підлягають

контролю згідно з позиціями 1.A.2 або

1.С.10, наведені нижче, і спеціально

призначені компоненти до нього та допоміжні

пристрої:

1.В.1.а. Машини для намотування волокон, у яких 8446 30 00 00,

переміщення, пов'язані с позиціюванням, з 8448

обволіканням і намотуванням волокон,

координуються та програмуються за трьома або

більше осями, спеціально призначені для

виробництва "композиційних" матеріалів або

ламінатів з "волокнистих або ниткоподібних

матеріалів"

1.В.1.b. Машини для укладання стрічки або троса, в 8446 30 00 00,

яких переміщення, пов'язані з з 8448

позиціюванням і укладанням стрічки, тросів

або листів, координуються та програмуються

за двома або більше осями, спеціально

призначені для виробництва елементів

корпусів бойових ракет або каркаса літаків з

"композиційних" матеріалів

1.В.1.с. Ткацькі машини або машини для плетіння, що 8446 21 00 00,

діють у різних вимірах і напрямках, з 8448

уключаючи адаптери та пристрої для зміни

функцій машин, призначених для ткацтва або

переплетення волокон з метою виготовлення

"композиційних" матеріалів

Примітка. Згідно з позицією 1.В.1.с контролю не

підлягають ткацькі машини, не

модифіковані для зазначеного кінцевого

використання.

1.В.1.d. Обладнання, наведене нижче, спеціально

призначене або пристосоване для виробництва

зміцнених волокон:

1) обладнання для перетворення полімерних з 8456, 8466,

волокон (таких, як поліакрилонітрил, 8515 80 91 00,

віскоза, пек або полікарбоксилан) у 8515 80 99 00,

вуглецеві або карбідокремнієві волокна, 8515 90 00 00

уключаючи спеціальне обладнання для розтягу

волокон у процесі нагрівання;

1.В.1.d. 2) обладнання для осадження парів хімічних 8417 80 20 00,

елементів або складних речовин на нагріту з 8417 90,

ниткоподібну підкладку з метою виробництва 8417 80 80 00

карбідокремнієвих волокон;

3) обладнання для виробництва термостійкої 8445 90 00 00

кераміки методом вологого намотування

(такої, як оксид алюмінію);

4) обладнання для перетворення шляхом з 8451 80,

термооброблення волокон алюмініємістких 8451 90 00 00

прекурсорів у волокна, які містять глинозем

(оксид алюмінію)

1.В.1.е. Обладнання для виробництва препрегів з 8451,

методом гарячого плавлення, які підлягають з 8477 59

контролю згідно з позицією 1.С.10.е

1.В.1.f. Обладнання для неруйнівного контролю, здатне 9022 12 00 00,

виявляти дефекти в трьох вимірах із 9022 13 00 00,

застосуванням методів ультразвукової або 9022 14 00 00,

рентгенівської томографії, спеціально 9022 19 00 00,

створене для "композиційних" матеріалів 9022 29 00 00,

9022 90 90 00,

9031 80 39 10,

9031 80 99 00,

9031 90 90 00

1.В.2. Обладнання для виробництва металевих

[1В002] сплавів, порошкоподібних металевих сплавів

або матеріалів на основі сплавів, спеціально

призначене для уникнення забруднення та

спеціально призначене для використання в

одному з процесів, уключених до позиції

1.С.2.c.2

1.В.3. Робочі інструменти, прес-форми, форми або 8207 30 10 10,

[1В003] пристрої для "надпластичного формування" чи 8207 30 10 90

"дифузійного зварювання" титану або

алюмінію чи їх сплавів, спеціально

призначені для виробництва:

а) каркасів літаків або аерокосмічних

конструкцій;

b) двигунів "літальних апаратів" чи

аерокосмічних апаратів;

с) компонентів, спеціально призначених

для таких конструкцій або двигунів

1.С. МАТЕРІАЛИ

Технічна Метали і сплави.

примітка. Терміни "метали" і "сплави" включають

наведені нижче необроблені та

напівфабрикатні форми:

Необроблені форми:

Аноди, кулі, стрічки (уключаючи рублені та

дротяні стрічки), металеві заготовки, блоки,

сталеві болванки, брикети, бруски, катоди,

кристали, куби, стакани, зерна, гранули,

зливки, брили, котуни, чушки, порошок,

кільця, дріб, сляби, шматки металу

неправильної форми, губка, дроти.

Напівфабрикатні форми (незалежно від того,

чи облицьовані, анодовані, просвердлені або

пресовані вони чи ні):

а) ковані форми або оброблені матеріали,

виготовлені шляхом прокату, волочіння,

гарячої штамповки, кування, імпульсної

штамповки, пресування, дроблення,

розпилення та розмелювання, а саме:

кутики, швелери, кільця, диски, пил,

пластівці, фольга та лист, поковки,

плити, порошок, вироби, оброблені

пресуванням або штампуванням, стрічки,

фланці, прути (уключаючи зварні

брускові прутки, дротяні прути та

прокатаний дріт), профілі, форми,

листи, смужки, труби і трубки

(уключаючи трубні кільця, трубні

прямокутники та пустотілі трубки),

витягнений або екструдований дріт;

b) ливарний матеріал, виготовлений шляхом

лиття в пісковоглинисті форми, кокіль,

металеві, пластикові або інші види

прес-форм, уключаючи лиття під високим

тиском, оболонкові форми та форми,

виготовлені методом порошкової

металургії.

Примітка. Мета контролю не повинна порушуватися під

час експорту форм як закінчених виробів,

не зазначених у цьому списку, але які

фактично є необробленими або

напівфабрикатними формами, що підлягають

контролю.

1.С.1. Матеріали, наведені нижче, спеціально

[1С001] призначені для поглинання електромагнітних

хвиль, або електропровідні полімери:

1.С.1.а. Матеріали для поглинання хвиль на частотах 3815 19 10 00,

понад 2 х 10 (в ступ. 8) Гц, але менше з 3910 00 00

ніж 3 х 10 (в ступ. 12) Гц

Приміт- Згідно з позицією 1.С.1.а контролю

ка 1. не підлягають:

а) абсорбери волосяного типу, виготовлені з

натуральних або синтетичних волокон, з

немагнітним завантаженням для абсорбції;

b) абсорбери, що не мають магнітних втрат,

робоча поверхня яких не є плоскою,

уключаючи піраміди, конуси, клини та

спіралеподібні поверхні;

с) плоскі абсорбери, які мають усі наведені

нижче характеристики:

1) виготовлені з будь-якого з наведеного

нижче матеріалу:

а) пінопластичних матеріалів (гнучких або

негнучких) з вуглецевим наповненням

або органічних матеріалів, уключаючи

в'язкі домішки, які забезпечують

понад 5 відсотків відбиття, порівняно

з металом уздовж ширини смуги,

що перевищує +(-)15 відсотків

середньої частоти падаючої енергії та

не здатні протистояти температурам

понад 450 К (177 град. С);

b) керамічних матеріалів, які

забезпечують понад 20 відсотків

відбиття, порівняно з металом уздовж

ширини смуги, що перевищує

+(-) 15 відсотків середньої частоти

падаючої енергії та не здатних

протистояти температурам понад

800 К (527 град. С).

Технічна Зразки для проведення випробувань на

примітка. поглинання згідно з приміткою 1.с.1.

до позиції 1.С.1.а повинні мати форму

квадрата із стороною не менше ніж п'ять

довжин хвиль середньої частоти і

розміщуватися в дальній зоні

випромінювального елемента.

2) з міцністю при розтягові менше ніж

7 х 10 (в ступ. 6) Н/кв. м; та

3) з міцністю на стиснення менше ніж

14 х 10 (в ступ. 6) Н/кв. м

d) плоскі абсорбери, вироблені із спеченого

фериту, що мають:

1) питому вагу понад 4,4; та

2) максимальну робочу температуру 548 К

(275 град. С).

Приміт- Примітка 1 не звільняє з-під контролю

ка 2. магнітні матеріали, що забезпечують

поглинання хвиль, коли вони містяться у

фарбах.

1.С.1.b. Матеріали для поглинання хвиль на частотах 3815 19 10 00,

понад 1,5 х 10 (в ступ. 14) Гц, але менше 3910 00 00 10,

ніж 3,7 х 10 (в ступ. 14) Гц і не- 3910 00 00 30,

прозорі для видимого світла 3910 00 00 50

1.С.1.с. Електропровідні полімерні матеріали з

об'ємною електропровідністю понад

10000 сіменс/м або поверхневим питомим

опором менше ніж 100 Ом/кв. м вироблені на

основі одного з наведених нижче полімерів:

1) поліанілін 3909 30 00 00

2) поліпірол 3911 90 91 00

3) політіофен 3911 90 93 00

4) поліфенілен-вінілен; або 3911 90 99 00

5) політіенілен-вінілен 3919 90 90 00

Технічна Об'ємна електропровідність та поверхневий

примітка. питомий опір визначаються відповідно до

стандартної методики ASTM D-257 або її

національного еквівалента.

1.С.2. Металеві сплави, порошки для металевих

[1С002] сплавів та сплавлені матеріали, наведені

нижче:

Примітка. Згідно з позицією 1.С.2 контролю не

підлягають металеві сплави, порошки

металевих сплавів або сплавлені матеріали,

призначені для ґрунтувальних покриттів.

Технічна 1. Металеві сплави, зазначені у позиції

примітка. 1.С.2, мають назву тих металів,

ваговий відсоток яких більший, ніж інших

елементів, що входять до складу сплаву.

2. Термін експлуатації до руйнування (межу

тривалої міцності) потрібно визначати

відповідно до стандартної методики ASTM

Е-139 або її національного еквівалента.

3. Показник циклової втоми необхідно

визначати відповідно до стандартної

методики ASTM Е-606 "Рекомендація з

тестування на циклову втому при постійній

амплітуді" або її національного

еквівалента. Тестування потрібно

проводити за напрямком осі при середньому

значенні показника напруги, що дорівнює

одиниці, та коефіцієнті концентрації

напруги (Kt), що дорівнює одиниці.

Середня напруга дорівнює різниці

максимальної та мінімальної напруги,

поділеній на максимальну напругу.

1.С.2.а. Алюмініди, наведені нижче: 7502 20 00 00

1) нікелеві алюмініди, що містять

мінімально 15 вагових відсотків, максимально

38 вагових відсотків алюмінію та принаймні

один додатковий елемент легування;

2) титанові алюмініди, що містять 10 або 8108 10 10 00

більше вагових відсотків алюмінію та

принаймні один додатковий елемент легування

1.C.2.b. Металеві сплави, наведені нижче, вироблені

з матеріалів, які підлягають контролю згідно

з позицією 1.С.2.c:

1) нікелеві сплави з: 7502 20 00 00

a) терміном експлуатації до руйнування

10000 годин або більше з

навантаженням 676 МПа при температурі

923 К (650 град. С); або

b) низьким показником циклової втоми

10000 циклів випробувань або більше з

навантаженням 1095 МПа при температурі

823 К (550 град. С);

2) ніобієві сплави з: 8112 91 31 00,

a) терміном експлуатації до руйнування 8112 99 30 00

10000 годин або більше з

навантаженням 400 МПа при температурі

1073 К (800 град. С); або

b) низьким показником циклової втоми

10000 циклів випробувань або більше з

навантаженням 700 МПа при температурі

973 К (700 град. С);

1.C.2.b. 3) титанові сплави з: 8108 10 10 00

a) терміном експлуатації до руйнування

10000 годин або більше з навантаженням

200 МПа при температурі 723 К

(450 град. С); або

b) низьким показником циклової втоми

10000 циклів випробувань або більше з

навантаженням 400 МПа при температурі

723 К (450 град. С);

4) алюмінієві сплави з межею міцності при

розтягові: з 7601 20,

a) 240 МПа або більше при температурі 7604 29 10 00,

473 К (200 град. С); чи 7608 20 91 00,

b) 415 МПа або більше при температурі 7608 20 99 00

298 К (25 град. С);

5) магнієві сплави з: з 8104

a) межею міцності при розтягові 345 МПа

або більше; та

b) швидкістю корозії менше ніж 1 мм на

рік у 3-відсотковому водному розчині

хлориду натрію, виміряної відповідно

до стандартної методики ASTM G-31 або

її національного еквівалента

1.С.2.c. Порошки металевих сплавів або частинки

матеріалів, які мають усі наведені нижче

характеристики:

1) виготовлені з будь-якої наведеної нижче

композиції:

Технічна X - відповідає одному або більше елементам,

примітка. що входять до складу сплаву.

а) нікелеві сплави (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 7504 00 00 00

призначені для використання у складі

частин чи компонентів турбін

двигунів, тобто менше ніж з трьома

неметалевими частками (введеними у

процесі виготовлення), більшими ніж

100 мкм в 10 (в ступ. 9) частках

сплаву;

b) ніобієві сплави (Nb-Al-X або 8112 91 31 00,

Nb-X-Al, Nb-Si-X або Nb-X-Si, Nb-Тi-X 8112 99 30 00

або Nb-X-Ti);

с) титанові сплави (Ti-Al-X або Тi-X-Al); 8108 10 10 00

d) алюмінієві сплави (Al-Mg-X або з 7603

Al-X-Mg, Al-Zn-X або Al-X-Zn, Al-Fe-X

або Al-X-Fe); або

е) магнієві сплави (Mg-Al-X або Mg-X-Al); 8104 30 00 00

та

2) виготовлені у контрольованому середовищі

за допомогою будь-якого з наведених нижче

процесів:

а) "вакуумне розпилення";

b) "газове розпилення";

с) "відцентрове розпилення";

d) "охолодження розбризкуванням";

e) "спінінгування розплаву" та

"подрібнення";

f) "екстракція розплаву" та

"подрібнення"; або

g) "механічне легування";

3) придатні до формування матеріалів, що

підлягають контролю згідно з позиціями

1.C.2.a або 1.C.2.b

1.С.2.d. Сплавлені матеріали, які мають усі наведені 7504 00 00 00,

нижче характеристики: 7505 12 00 00,

1) виготовлені з будь-яких композиційних 7603 20 00 00,

систем, зазначених у позиції 1.C.2.c.1; 7604 29 10 00,

2) у вигляді неподрібнених гранул, стружки з 8104,

або тонких стержнів; та 8108, 8112

3) виготовлені у контрольованому середовищі

одним з наведених нижче методів:

а) "різкого охолодження";

b) "спінінгування розплаву";

c) "екстракції розплаву"

1.С.3. Магнітні метали всіх типів та будь-якої

[1С003] форми, що мають будь-яку з наведених нижче

характеристик:

1.С.3.а. Початкова відносна магнітна проникність 8505 11 00 00,

120000 або більше і завтовшки 0,05 мм або 8505 19,

менше 8505 19 10 00,

8505 19 90 00

Технічна Вимірювання початкової відносної магнітної

примітка. проникності повинне здійснюватися на

повністю відпалених матеріалах.

1.С.3.b. Магнітострикційні сплави, які мають 7206 90 00 00

будь-яку з наведених нижче характеристик:

1) магнітострикційне насичення більше ніж

5 х 10 (в ступ. -4);

2) коефіцієнт магнітомеханічного зчеплення

більше ніж 0,8

1.С.3.с. Аморфна або нанокристалічна стружка сплаву, з 7206,

яка має усі наведені нижче характеристики: 7504 00 00 00,

1) склад мінімум 75 вагових відсотків з 8105

заліза, кобальту або нікелю;

2) магнітну індукцію насичення (Bs) - 1,6 Т

або більше; та

3) одну з наведених нижче характеристик:

а) товщину стружки 0,02 мм або менше; або

b) питомий електричний опір

2 х 10 (в ступ. -4) Ом/см або більше

Технічна Нанокристалічні матеріали, зазначені у

примітка. позиції 1.С.3.с, - це матеріали, що мають

кристалічні зерна розміром 50 нм або менше

і визначаються дифракцією X - променів.

1.С.4. Ураново-титанові сплави або вольфрамові 2844 10 10 00,

[1С004] сплави з "матрицею" на основі заліза, 8108 10 10 00,

нікелю або міді, які мають усі наведені 8101 99 00 00

нижче характеристики:

а) густину більше ніж

17,5 г/см (в ступ. 3);

b) межу пружності більше ніж 880 МПа;

с) межу міцності на розрив більше ніж

1270 МПа;

d) відносне подовження понад 8 відсотків

1.С.5. "Надпровідні" "композиційні" провідники

[1С005] завдовжки понад 100 м або масою більше ніж

100 г, наведені нижче:

1.С.5.а. Багатожильні "надпровідні" "композиційні" 8112 99 30 00,

провідники, що містять одну або більше 8544 19 90 00

ніобієво-титанових ниток:

1) укладені у "матрицю", іншу, ніж мідні

матриці або комбіновані "матриці" з мідною

основою; або

2) мають площу поперечного перерізу

меншу ніж 0,28 х 10 (в ступ. -4)

мм (в ступ. 2) (6 мкм у діаметрі з круглим

перерізом нитки)

1.С.5.b. "Надпровідні" "композиційні" провідники, 8544 19 90 00

які містять одну або більше "надпровідних"

ниток не з ніобій-титану і мають усі

наведені нижче характеристики:

1) "критична температура" при нульовій

магнітній індукції понад 9,85 К

(-263,31 град. С), але менше ніж 24 К

(249,16 град. С);

2) площа поперечного перерізу менше ніж

0,28 х 10 (в ступ. -4) мм (в ступ. 2);

3) залишаються у стані "надпровідності" при

температурі 4,2 К (-268,96 град. С) у

разі перебування у магнітному полі з

магнітною індукцією 12 Т

1.С.6. Рідини та мастильні матеріали, наведені

[1С006] нижче:

1.С.6.а. Гідравлічні рідини, що містять як основні

складові компоненти будь-які з наведених

нижче речовин або матеріалів:

1) синтетичні вуглеводні мастила або 3819 00 00 00,

кремнієво-вуглеводні мастила, що мають усі 2909 19 00 10,

наведені нижче характеристики: з 3910 00 00

Технічна Для матеріалів, зазначених у позиції

примітка. 1.С.6.а.1, кремнієво-вуглеводні мастила

містять виключно кремній, водень та

вуглець.

а) температура займання понад 477 К

(204 град. С);

b) температура застигання 239 К

(-34 град. С) або менше;

с) коефіцієнт в'язкості 75 або більше; та

d) термостабільність при 616 К

(343 град. C); або

2) хлорфторвуглецеві матеріали, які мають 3824 71 00 00,

усі наведені нижче характеристики: 3819 00 00 00,

з 2812, 2826

Технічна Для матеріалів, зазначених у позиції

примітка. 1.С.6.а.2, хлорфтореуглеці містять

виключно хлор, фтор і вуглець.

а) без температури займання;

b) температура самозаймання понад 977 К

(704 град. С);

с) температура застигання 219 К

(-54 град. С) або менше;

d) коефіцієнт в'язкості 80 або більше;

е) температура кипіння 473 К

(200 град. С) або вище

1.С.6.b. Мастильні матеріали, що містять як їх

основні складові, так і будь-яку з

наведених нижче речовин або матеріалів:

1) феніленові або алкілфеніленові ефіри, 2909 30 90 00,

тіоефіри або їх суміші, які містять більше 2930 90 30 00

ніж дві ефірні або тіоефірні функції або їх

суміші;

2) фторовані рідини, що містять кремній і з 3910 00 00

мають кінематичну в'язкість меншу ніж 5000

мм (в ступ. 2)/с (5000 сантистоксів) при

температурі 298 К (25 град. С)

1.С.6.с. Зволожувальні або флотувальні рідини з

показником чистоти понад 99,8 відсотка,

які містять менше ніж 25 часток розміром

200 мкм і більше на 100 мл об'єму і

виготовлені, принаймні, на 85 відсотків з

будь-яких наведених нижче речовин або

матеріалів:

1) дібромтетрафторетан; 2903 46 90 00

2) поліхлортрифторетилен (лише маслянисті 3904 69 10 00,

та воскоподібні модифікації); 3904 69 90 00

3) полібромтрифторетилен 3904 69 10 00,

3904 69 90 00

1.С.6.d. Фторвуглецеві охолодні рідини для 3824 90 75 00

електроніки, що мають усі наведені нижче

характеристики:

1) містять 85 вагових відсотків або більше

однієї з наведених нижче речовин чи

суміші з них:

а) мономерні форми перфторполіалкілефір-

триазинів або перфтораліфатичних

ефірів;

b) перфторалкіламіни;

с) перфторциклоалкани;

d) перфторалкани;

2) густина 1,5 г/мл або більше при 298 К

(25 град. С);

3) рідкий стан при 273 К (0 град. С);

4) мають 60 вагових відсотків або більше

фтору

Технічна Для матеріалів наведених у позиції 1.С.6:

примітка. а) температура займання визначається з

використанням методу Клівлендської

відкритої чаші, описаного у

стандартній методиці ASTM D-92 або в

її національному еквіваленті;

b) температура застигання визначається з

використанням методу, описаного у

стандартній методиці ASTM D-97, або в

її національному еквіваленті;

с) коефіцієнт в'язкості визначається з

використанням методу, описаного у

стандартній методиці ASTM D-2270, або

в її національному еквіваленті;

d) термостабільність визначається за

наведеною нижче методикою випробувань

або в її національному еквіваленті:

20 мл випробуваної рідини заливають

у камеру об'ємом 46 мл з

корозійностійкої сталі марки 317, що

містить шари номінального діаметра

12,5 мм з інструментальної сталі

марки М-10, сталі марки 52100 та

корабельної бронзи (60 відсотків Cu,

39 відсотків Zn, 0,75 відсотків Sn);

камера, продута азотом,

загерметизована під тиском, що

дорівнює атмосферному, при

температурі, підвищеній до

644 +(-) 6 К (371 +(-) 6 град. С) і

витриманій на цьому рівні 6 годин;

зразок вважається термостабільним,

якщо після закінчення зазначеної

процедури виконуються усі наведені

нижче умови:

1) втрата ваги кожного шару менше

ніж 10 мг/мм (в ступ. 2) його

поверхні;

2) зміна початкової в'язкості,

визначеної при 311 К (38 град. С),

менше ніж 25 відсотків;

3) загальне кислотне або базове число

менше ніж 0,40;

е) температура самозаймання визначається

методом, описаним у стандартній

методиці ASTM Е-659 або в її

національному еквіваленті.

1.С.7. Матеріали на керамічній основі,

[1С007] не-"композиційні" керамічні матеріали,

матеріали типу "композит" з керамічною

"матрицею", а також їх напівфабрикати,

наведені нижче:

1.С.7.а. Основні матеріали з простих або складних 2850 00 90 00

боридів титану, які містять металеві

домішки, крім навмисних домішок, на рівні

менше ніж 5000 частинок на мільйон при

середньому розмірі частинки, що дорівнює або

менше ніж 5 мкм, при цьому не більше ніж

10 відсотків частинок з розміром понад

10 мкм

1.С.7.b. Не-"композиційні" керамічні матеріали у 2850 00 90 00

формі сирих або напівфабрикатів на основі

боридів титану з густиною 98 відсотків або

більше теоретичної густини

Примітка. Згідно з позицією 1.С.7.b. контролю не

підлягають абразиви.

1.С.7.с. "Композиційні" матеріали типу з 2849,

кераміка-кераміка із скляною або оксидною з 2850 00,

"матрицею" та армовані волокнами, 8803 90 10 00

які мають усі наведені нижче характеристики:

1) виготовлені з будь-якого наведеного нижче з 9306 90

матеріалу:

a) Si-N;

b) Si-C;

c) Si-Al-O-N;

d) Si-O-N; та

2) мають питому межу міцності при

розтягові понад 12,7 х 10 (в ступ. 3) м

1.С.7.d. "Композиційні" матеріали типу 8803 90 10 00,

кераміка-кераміка з однорідної металевої з 9306 90

фази або без неї, що включає частинки, вуса

(ниткоподібні монокристали) або волокна, в

яких "матриця" сформована з карбідів або

нітридів кремнію, цирконію або бору

1.С.7.e. Початкові матеріали (тобто полімерні або з 3910 00 00

металоорганічні спеціального призначення)

для виробництва будь-якої фази або фаз

матеріалів, що підлягають контролю за

позицією 1.С.7.с, наведені нижче:

1) полідіорганосилани (для виробництва

карбіду кремнію);

2) полісилазани (для виробництва нітриду

кремнію);

3) полікарбосилазани (для виробництва

кераміки з кремнієвими, вуглецевими та

азотними компонентами)

1.С.7.f. "Композиційні" матеріали кераміка-кераміка з 6903,

з оксидною або скляною "матрицею", 6914 90 90 00

армованою однорідними волокнами будь-якої з

наведених нижче систем:

1) Al(2)O(3);

2) Si-C-N

Примітка. Згідно з позицією 1.С.7.f контролю не

підлягають "композити", що мають волокна з

цих систем з межею міцності при розтягові

менше ніж 700 МПа при 1273 К (1000 град. С)

або опору повзучості розриву волокон понад

1 відсоток напруги повзучості при

навантаженні 100 МПа та 1273 К

(1000 град. С) протягом 100 годин.

1.С.8. Полімерні речовини, що не містять фтор,

[1С008] наведені нижче:

1.С.8.а. 1) бісмалеіміди; 2925 19 30 00,

2) ароматичні поліамідіміди; 2925 19 80 00,

3) ароматичні полііміди; 3908 90 00 00,

4) ароматичні поліефіріміди, які мають 3909 30 00 00,

температуру переходу в склоподібний стан 3907 20 91 00,

(Tg) понад 513 К (240 град. С), виміряну 3907 91 90 00

сухим методом, описаним у стандартній

методиці ASTM D 3418

Примітка. Згідно з позицією 1.С.8.а контролю не

підлягають неплавкі порошки для

формоутворення під тиском або фасованих

форм.

1.С.8.b. Термопластичні рідкокристалічні сополімери, 3907 91 90 00

які мають температуру теплової деформації

понад 523 К (250 град. С), виміряну

відповідно до стандартної методики

ASTM D 648, метод A, або її національного

еквівалента під час навантаження

1,82 Н/мм (в ступ. 2), і утворені

сполученням:

1.С.8.b. 1) будь-яким з наведених нижче:

а) фенілену, біфенілену або нафталену;

b) метилу, третинного бутилу або

феніл-заміщеного фенілену, біфенілену

або нафталену; та

2) будь-якою з наведених нижче кислот:

а) терефтальовою;

b) 6-гідрокси-2 нафтіоновою; або

с) 4-гідроксибензойною

1.С.8.с. Поліариленові ефірні кетони, наведені нижче:

1) поліефіроефірокетон (PEEK) 3907 91 90 00

2) поліефірокетон-кетон (PEEK) 3907 91 90 00

3) поліефірокетон (PEK) 3907 91 90 00

4) поліефірокетон ефірокетон-кетон (PEKEKK) 3907 91 90 00

1.С.8.d. Поліариленові кетони з 3907 99

1.С.8.е. Поліариленові сульфіди, де ариленова група є з 3911 90

біфеніленом, трифеніленом, або їх

комбінації

1.С.8.f. Полібіфеніленефірсульфон з 3911 90

Технічна Температура переходу до склоподібного стану

примітка. (Tg) для матеріалів, зазначених у позиції

1.С.8, визначається з використанням методу,

описаного в стандартній методиці ASTM

D 3418, яка передбачає застосовуння

сухого методу.

1.С.9. Необроблені сполуки, що містять фтор,

[1С009] наведені нижче:

1.С.9.а. Сополімери вініліденфториду, які містять 75 3904 69 10 00,

відсотків або більше бета-кристалічної 3904 60 90 00

структури, одержаної без витягування

1.С.9.b. Фтористі поліаміди, які містять 10 вагових 3904 69 10 00,

відсотків або більше "зв'язаного" фтору 3904 60 90 00

1.С.9.с. Фтористі фосфазинові еластомери, які містять 3904 69 10 00,

30 вагових відсотків або більше "зв'язаного" 3904 60 90 00

фтору

1.С.10. "Волокнисті або ниткоподібні матеріали", що

[1С010] можуть бути використані в органічних

"матрицях", металевих "матрицях" або

вуглецевих "матрицях", "композиційних" або

багатошарових структурах:

1.С.10.а. Органічні "волокнисті або ниткоподібні 3926 90 10 00

матеріали", що мають усі наведені нижче

властивості:

1) питомий модуль пружності

понад 12,7 х 10 (в ступ. 6) м;

2) питома межа міцності при розтягові понад

23,5 х 10 (в ступ. 4) м

Примітка. Згідно з позицією 1.С.10.а контролю не

підлягає поліетилен.

1.С.10.b. Вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні з 3801,

матеріали", які мають усі наведені нижче 3926 90 10 00

характеристики:

1) питомий модуль пружності понад

12,7 х 10 (в ступ. 6) м;

2) питома межа міцності при розтягові 5402 10 10 00,

понад 23,5 х 10 (в ступ. 4) м 5404 90 90 00,

6815 10 10 00,

6903 10 00 00

Технічна Властивості матеріалів, описаних у позиції

примітка. 1.С.10.b, повинні визначатися за методами

SRM 12-17, рекомендованими Асоціацією

постачальників перспективних "композиційних"

матеріалів (SACMA) або їх національними

еквівалентами випробувань на розтяг,

наприклад, японський промисловий стандарт

JIS-R-7601, параграф 6.6.2, які ґрунтуються

на середній якості партії.

Примітка. Згідно з позицією 1.С.10.b контролю не

підлягають тканини, виготовлені з

"волокнистих або ниткоподібних матеріалів"

для відновлення авіаційних або багатошарових

матеріалів, розмір окремих листів яких не

перевищує 50 х 90 см.

1.С.10.с. Неорганічні "волокнисті або ниткоподібні 3926 90 10 00,

матеріали", які мають усі наведені нижче 8101 92 00 00,

характеристики: 8108 90 30 00,

1) питомий модуль пружності понад 8108 90 70 00

2,54 х 10 (в ступ. 6) м;

2) температура плавлення, розм'якшування,

розкладу або сублімації понад 1922 К

(1649 град. С) в інертному середовищі

Примітка. Згідно з позицією 1.С.10.с контролю не

підлягають:

1) неоднорідні, багатофазні, полікристалічні

волокна оксиду алюмінію у вигляді

переривного волокна або в довільній

сплутаній формі, що мають 3 або більше

вагових відсотків оксиду алюмінію

з питомим модулем пружності менше ніж

10 х 10 (в ступ. 6) м;

2) волокна молібденові або з молібденових

сплавів;

3) волокна на основі бору;

4) неоднорідні керамічні волокна з

температурами плавлення, розм'якшення,

розкладу та сублімації нижче 2043 К

(1770 град. С) в інертному середовищі.

1.С.10.d. "Волокнисті або ниткоподібні матеріали": 5402 49 99 00,

1) які мають будь-яку з наведених нижче 5501 90 10 00,

складових: 5501 90 90 00,

а) поліефіріміди, що підлягають контролю 5503 90 90 00

згідно з позицією 1.С.8.а;

b) матеріали, що підлягають контролю

згідно з позиціями 1.С.8.b - 1.C.8.f;

або

2) які виготовляються з матеріалів, що

підлягають контролю згідно з позиціями

1.С.10.d.1.а або 1.С.10.d.1.b та

"сплутані" з іншими волокнами, що підлягають

контролю згідно з позиціями 1.С.10.а,

1.С.10.b або 1.С.10.с

1.С.10.е. Волокна, насичені смолою або пеком 6815 10 10 00,

(препреги), металеві або покриті вуглецем 6815 99 90 00,

волокна ("преформи") або "преформи 6903 10 00 00,

вуглецевого волокна", наведені нижче: з 7019 11 00,

1) виготовлені з "волокнистих або з 7019 10,

ниткоподібних матеріалів", що підлягають з 7019 20

контролю згідно з позиціями 1.С.10.а,

1.С.10.b або 1.С.10.с;

2) виготовлені з органічних або вуглецевих

"волокнистих або ниткоподібних матеріалів":

а) з питомою межею міцності

при розтягові понад

17,7 х 10 (в ступ. 4) м;

b) з питомим модулем пружності понад

10,15 х 10 (в ступ. 6) м;

с) які не підлягають контролю згідно з

позиціями 1.С.10.а або 1.С.10.b;

d) які насичені матеріалами, що

підлягають контролю згідно з позиціями

1.С.8 або 1.С.9.b і мають температуру

переходу до склоподібного стану (Tg)

понад 383 К (110 град. С), або з

фенольною чи епоксидною смолами, які

мають Tg, що дорівнює або перевищує

418 К (145 град. С)

Примітки. Згідно з позицією 1.С.10.е контролю не

підлягають:

1) вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні

матеріали", насичені "матрицею"

епоксидної смоли (препреги) для

відновлення авіаційних або багатошарових

матеріалів, в яких розмір окремих листів

препрега не перевищує 50 х 90 см;

2) препреги, насичені фенольною або

епоксидною смолами, які мають Tg нижче

433 К (160 град. С) та температуру

твердіння нижче Tg.

Технічна Температура переходу до склоподібного стану

примітка. (Tg) для матеріалів, що підлягають контролю

згідно з позицією 1.С.10.е, визначається

методом, описаним в ASTM D 3418, із

застосуванням сухого методу. Tg для

фенольних та епоксидних смол визначається за

допомогою методу, описаного в ASTM D 4065,

при частоті 1 Гц та швидкості нагрівання

2 К (град. С) за хвилину із застосуванням

сухого методу.

Технічні 1. Питомий модуль пружності: модуль Юнга в

примітки. Па або в Н/м (в ступ.2 ), поділений на

питому вагу в Н/м (в ступ. 3), виміряний

при температурі (296 +(-) 2) К

[(23 +(-) 2) град. С] та відносній

вологості (50 +(-) 5) відсотків.

2. Питома межа міцності при розтягові:

найбільша межа міцності до розриву,

виражена в Па або в Н/м ( в ступ. 2),

поділена на питому вагу в

Н/м (в ступ. 3), виміряна при температурі

(296 +(-) 2) К [(23 +(-) 2) град. С] та

відносній вологості (50 +(-) 5)

відсотків.

1.С.11. Метали та сполуки, наведені нижче:

[1С011]

1.С.11.а. Метали з розміром часток менше ніж 60 мкм, 8104 30 00 00,

які мають сферичну, розпилену, сфероїдальну, 8109 10 10 00

розшаровану або молоту форму, виготовлені з

матеріалу, що на 99 відсотків або більше

складається з цирконію, магнію або сплавів з

них

Технічна Природний вміст гафнію в цирконії (типово

примітка. від 2 до 7 відсотків) підраховується з

цирконієм.

Примітка. Метали або сплави, зазначені в позиції

1.С.11.а, підлягають контролю згідно

з цією позицією незалежно від того, вміщені

ці метали або сплави в капсули алюмінію,

магнію, цирконію або берилію чи ні.

1.С.11.b. Бор або карбід бору чистотою 85 відсотків 2804 50 10 00,

або вище та розміром часток 60 мкм або 2849 90 10 00

менше

Примітка. Метали або сплави, зазначені в позиції

1.С.11.b, підлягають контролю згідно з

цією позицією незалежно від того, вміщені ці

метали або сплави в капсули алюмінію,

магнію, цирконію або берилію чи ні.

1.С.11.с. Нітрат гуанідину 2825 10 00 00,

1.C.11.d. Нітрогуанідин (NQ) (CAS 556-88-7) 2834 29 90 00,

2904 20 90 00

*1.С.12. Матеріали, наведені нижче:

[1С012]

Технічна Ці матеріали типово використовуються для

примітка. ядерних джерел теплоти.

1.С.12.а. Плутоній у будь-якому вигляді із вмістом 2844 20 51 00,

ізотопу плутонію-238 більшим ніж 50 вагових 2844 20 59 00,

відсотків 2844 20 81 00,

2844 20 89 00

Примітка. Згідно з позицією 1.С.12.а контролю не

підлягають:

1) передача одного грама або менше плутонію;

2) передача трьох або менше "ефективних

грамів", що використовуються як чутливі

елементи в приладах.

1.С.12.b. "Попередньо розподілений" нептуній-237 у з 2844 40

будь-якому вигляді

Примітка. Згідно з позицією 1.С.12.b контролю не

підлягає передача одного грама або

менше нептунію-237.

1.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

1.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально

[1D001] призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання, що підлягає

контролю за позицією 1.В

1.D.2. "Програмне забезпечення" для "розроблення"

[1D002] органічної "матриці", металевої "матриці"

або вуглецевої "матриці", "композиційних"

або багатошарових структур

1.Е. ТЕХНОЛОГІЯ

*1.Е.1. "Технологія" відповідно до позиції 3 з 3705,

[1Е001] загальних приміток для "розроблення" або з 3706, 8524,

"виробництва" обладнання або матеріалів, які 4901 99 00 00,

підлягають контролю згідно з позиціями 4906 00 00 00

1.A.1.b, 1.A.1.с, 1.A.2 - 1.A.5, 1.В або 1.С

1.Е.2. Інші "технології", наведені нижче:

[1Е002]

1.Е.2.а. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" полібензотіазолів або

полібензоксазолів

1.Е.2.b. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" сполук фтореластомерів, що

містять, принаймні, один мономер вінілефіру

1.Е.2.с. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" наведених нижче матеріалів для

основ або не-"композиційних" керамічних

матеріалів:

1) матеріали основи, що мають усі наведені

нижче характеристики:

а) будь-яка з наведених нижче композицій:

1) простих або комплексних оксидів

цирконію і комплексних оксидів кремнію

або алюмінію;

2) простих нітридів бору (з кубічними

формами кристалів);

3) простих або комплексних карбідів

кремнію або бору;

4) простих або комплексних нітридів

кремнію;

b) сумарний вміст металевих домішок за

винятком тих, які вносяться навмисно:

1) менше ніж 1000 часток на мільйон для

простих оксидів або карбідів; або

2) менше ніж 5000 часток на мільйон для

комплексних сполук або простих

нітридів; та

1.E.2.c.1. c) будь-що з наведеного нижче:

1) цирконій із середнім розміром часток,

що дорівнює або менше ніж 1 мкм, при

цьому, не більше ніж 10 відсотків

часток з розмірами більше ніж 5 мкм;

2) інші основні матеріали із середнім

розміром часток, що дорівнює або менше

ніж 5 мкм, при цьому, не більше ніж

10 відсотків часток з розміром більше

ніж 10 мкм; або

3) які мають будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a) пластинки з відношенням довжини до

товщини, що для діаметрів менше ніж

2 мкм перевищує 10;

b) ниткоподібні монокристали з

відношенням довжини до діаметра, що

для діаметрів менше ніж 2 мкм

перевищує 10; та

c) непереривчасті або переривчасті

волокна з діаметром менше ніж 10 мкм;

2) не-"композиційні" керамічні матеріали,

що складаються з матеріалів, описаних

у позиції 1.E.2.c.1

Примітка. Згідно з позицією 1.E.2.c.1 контролю не

підлягає технологія розроблення або

виробництва абразивів.

1.E.2.d. "Технологія" для "виробництва" ароматичних

поліамідних волокон

1.E.2.e. "Технологія" для складання, обслуговування

та відновлення матеріалів, що підлягають

контролю згідно з позицією 1.C.1

1.E.2.f. "Технологія" для відновлення

"композиційних", багатошарових структур або

матеріалів, які підлягають контролю згідно

з позиціями 1.A.2, 1.C.7.c або 1.C.7.d

Примітка. Згідно з позицією 1.E.2.f контролю не

підлягає "технологія" ремонту матеріалів для

"цивільних літальних апаратів", під час

якого використовуються вуглецеві "волокнисті

або ниткоподібні матеріали" та епоксидні

смоли, описані в посібниках виробників

авіатехніки.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТ ЗЕД

----------------------------------------------------------------------

2. ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ

2.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

Особлива Підшипники плавного ходу визначені у

примітка. позиції ML9 Списку товарів військового

призначення, міжнародні передачі яких

підлягають державному контролю,

затвердженому постановою Кабінету Міністрів

України від 8 грудня 1997 р. N 1358

( 1358-97-п ).

2.A.1. Антифрикційні підшипники, системи

[2A001] підшипників та їх компоненти, наведені

нижче:

Примітка. Згідно з позицією 2.A.1 контролю не

підлягають шарикопідшипники з допусками на

шарики, встановленими виробниками відповідно

до міжнародного стандарту ISO 3290, класу 5

або нижче.

2.A.1.a. Шарикові та твердороликові підшипники, які 8482 10 90 00,

мають допуски, що встановлюються виробником 8482 50 00 00

відповідно до міжнародного стандарту ISO 492

класу допуску 4 (або ANSI/ABMA Std 20 класу

допуску ABEC-7 чи RBEC-7, інших національних

еквівалентів) або вище, і мають кільця,

шарики або ролики, виготовлені з

мідно-нікелевого сплаву чи з берилію

Примітка. Згідно з позицією 2.A.1.a контролю не

підлягають конічні роликові підшипники.

2.A.1.b. Інші шарикові та твердороликові підшипники, 8482 80 00 00

які мають допуски, установлені виробником

відповідно до міжнародного стандарту ISO 492

класу допуску 2 (або ANSI/ABMA Std 20 класу

допуску ABEC-9 чи RBEC-9, інших національних

еквівалентів) або вище

Примітка. Згідно з позицією 2.A.1.b контролю не

підлягають конічні роликові підшипники.

2.A.1.c. Активні магнітні підшипникові системи, які 8483 30 10 00,

мають одну із зазначених нижче складових: 8483 30 90 00

1) матеріали з магнітною індукцією 2 Т або

більше і межею плинності понад 414 МПа;

2) оснащені електромагнітним пристроєм для

приводу з тримірним уніполярним

високочастотним підмагнічуванням;

3) високотемпературні позиційні датчики,

450 К (177 град. C) і більше

2.В. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА

Технічні 1. Вторинні паралельні контурні осі (осі

примітки. оброблення) (наприклад, W-осьова фреза

горизонтальної розточки або вторинна вісь

обертання, центрова лінія якої паралельна

головній осі обертання) не входять у

загальну чисельність контурних осей. Осі

обертання необов'язково передбачають

поворот на кут більший ніж 360 град.

Вісь обертання може мати привід

лінійного переміщення (наприклад, гвинтом

або зубчастою шестернею).

2. У позиції 2B кількість осей, які можуть

бути одночасно скоординовані для

"контурного керування" означає кількість

осей, які впливають на відносний рух

будь-якої заготовки та інструменту,

різальної головки або шліфувального

круга, що зрізають або видаляють матеріал

із заготовки. Це не включає будь-які

додаткові осі, які впливають на інший

відносний рух у верстаті. Такі осі

включають:

а) системи правки круга в шліфувальних

верстатах;

b) паралельні осі обертання, призначені

для кріплення окремих заготовок;

c) колінеарні осі обертання, призначені

для маніпулювання тією ж заготовкою за

рахунок утримання її в патроні з

різних кінців.

3. Номенклатура осі визначається відповідно

до міжнародних стандартів ISO 841:

"Верстати з числовим керуванням -

номенклатура осей і різновидів рухів".

4. Для цього розділу "нахильні шпинделі"

розглядаються як осі обертання.

5. Замість індивідуальних протоколів

випробувань для кожної моделі верстата

можуть бути застосовані гарантовані рівні

точності позиціонування, одержані шляхом

вимірів, зроблених відповідно до

міжнародного стандарту ISO 230/2 (1997)

або його національних еквівалентів.

Гарантована точність позиціонування

означає величину точності, про яку

повідомляють національні ліцензійні

органи, як міру точності для моделі

верстата.

Визначення гарантованих величин:

а) виберіть п'ять верстатів окремої

моделі, що поввинна бути оцінена;

b) проведіть вимірювання величин точності

для лінійних осей віповідно до

міжнародного стандарту ISO 230/2

(1997);

c) визначте величину A для кожної осі

кожного верстата. Метод обчислення

величини A описано у стандарті ISO;

d) визначте гарантовану величину для

кожної осі для окремої моделі

(Ax, Ay...);

e) оскільки у списку в розділі 2

робиться посилання на кожну лінійну

вісь, у ньому повинно бути стільки

гарантованих величин точності, скільки

є лінійних осей;

f) якщо будь-яка з осей моделей верстата,

що не підлягає контролю згідно з

позиціями 2.В.1.а - 2.В.1.с, має

гарантовану величину точності A, що

дорівнює 5 мкм для шліфувальних

верстатів і 6,5 мкм для фрезерних та

токарних верстатів або менше, виробник

повинен підтверджувати повторно рівень

точності кожні вісім місяців.

2.B.1. Верстати, наведені нижче, та будь-які їх

[2B001] модифікації (комбінації) для розрубування

або різання металів, кераміки і

"композиційних" матеріалів, які відповідно

до технічних специфікацій виробника можуть

бути оснащені електронними пристроями для

"числового керування":

Примітки. 1. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не

підлягають верстати спеціального

призначення, застосування яких обмежено

виготовленням шестерень. Для таких

верстатів застосовується позиція 2.B.3.

2. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не

підлягають верстати спеціального

призначення, застосування яких обмежене

виготовленням будь-яких наведених нижче

частин:

a) колінчасті вали або кулачкові вали;

b) інструменти або різці;

c) черв'яки екструдерів;

d) гравійовані або із скошеними

поверхнями деталі ювелірних виробів.

2.B.1.a. Токарні верстати, що мають усі наведені з 8458,

нижче характеристики: з 8464 90,

1) точність позиціювання вздовж будь-якої 8465 99 10 00

лінійної осі з "усіма доступними

компенсаціями" дорівнює або менше (краще)

ніж 4,5 мкм відповідно до ISO 230/2

(1997) або його національного

еквівалента;

2) дві або більше осі, які можуть бути

одночасно задані для "контурного

керування"

Примітка. Згідно з позицією 2.B.1.a контролю не

підлягають токарні верстати, спеціально

розроблені для виробництва контактних лінз.

2.B.1.b. Фрезерні верстати, що мають будь-яку із 8459 31 00 00,

зазначених нижче характеристик: 8459 39 00 00,

1) мають усі зазначені нижче характеристики: 8459 51 00 00,

a) точність позиціювання вздовж будь-якої 8459 61,

лінійної осі з "усіма доступними 8459 69,

компенсаціями" дорівнює або менше 8464,

(краще) ніж 4,5 мкм відповідно до 8465 92 00 00

ISO 230/2 (1997) або його

національного еквівалента;

b) три лінійні осі плюс одна вісь

обертання, які можуть бути одночасно

задані для "контурного керування"; або

2) п'ять або більше осей, які можуть бути

одночасно скоординовані для "контурного

керування"; або

3) точність позиціювання для

копіювально-розточувальних верстатів уздовж

будь-якої лінійної осі з "усіма доступними

компенсаціями" менше (краще) ніж 3 мкм

відповідно до ISO 230/2 (1997) або його

національного еквівалента;

4) верстати для різання матеріалу, що

безперервно переміщується, які мають усі із

зазначених нижче характеристик:

a) "радіальне биття" і "кулачковий ефект"

шпинделя менше (краще) ніж 0,0004 мм

TIR;

b) кутове відхилення руху ковзання

(рискання, перекіс у повздовжньому

напрямку і гойдання) менше (краще) ніж

2 секунди дуги, TIR, уздовж шляху

переміщення завдовжки 300 мм

2.B.1.c. Шліфувальні верстати, що мають будь-яку із 8460 11 00 00,

зазначених нижче характеристик: 8460 19 00 00,

8460 21,

1) мають усі зазначені нижче характеристики: 8460 29,

а) точність позиціювання вздовж будь-якої 8464 20 05 00,

лінійної осі з "усіма доступними 8464 20 20 00,

компенсаціями" дорівнює або менше 8464 20 80 00,

(краще) ніж 3 мкм відповідно до 8465 93 00 00

ISO 230/2 (1997) або його

національного еквівалента;

b) три або більше осі, які можуть

бути одночасно скоординовані для

"контурного керування"; або

2) п'ять або більше осей, які можуть бути

одночасно скоординовані для "контурного

керування"

Примітки. Згідно з позицією 2.B.1.c контролю не

підлягають:

1) шліфувальні верстати для оброблення

зовнішніх циліндричних, внутрішніх

поверхонь, а також комбіновані верстати

(для шліфування внутрішніх та зовнішніх

поверхонь), які мають усі наведені нижче

характеристики:

а) обмежені циліндричним шліфуванням;

b) з максимально можливим зовнішнім

діаметром або довжиною заготовки

150 мм;

2) верстати, які спеціально спроектовані

для шліфування за шаблоном і мають

будь-які із зазначених нижче

характеристик:

а) С-вісь застосовується для підтримання

шліфувального круга в положенні,

перпендикулярному до робочої поверхні;

b) А-вісь визначається конфігурацією

шліфування циліндричних кулачків;

3) плоскошліфувальні верстати.

2.B.1.d. Верстати для електроіскрового оброблення з 845630

(ЕDМ) без подачі дроту, що мають дві або

більше осей обертання, які можуть одночасно

бути скоординовані для "контурного

керування"

2.В.1.е. Верстати для видалення металів, кераміки або з 8424 30,

"композиційних" матеріалів, які мають усі з 8456 10,

наведені нижче характеристики: 8456 91 00 00,

1) видалення матеріалу за допомогою: з 8456 99

а) водяних або інших рідинних струменів,

уключаючи струмені з абразивними

добавками;

b) електронного променя; або

с) променя лазера; та

2) які мають дві або більше осей обертання,

що:

а) можуть бути одночасно позиційовані для

"контурного керування"; та

b) мають точність позиціювання менше

(краще) ніж 0,003 град.

2.В.1.f. Верстати для свердління глибоких отворів і з 8458,

токарні верстати, що модифіковані для 8459 21 00 00

свердління глибоких отворів та забезпечують

максимальну глибину їх свердління понад

5000 мм, а також спеціально розроблені до

них компоненти

2.В.2. Позицію виключено

2.В.3. Верстати з "числовим керуванням" або з 8461 40 71 00,

[2В003] ручним керуванням і спеціально розроблені 8461 40 79 00

для них компоненти, обладнання для контролю

та оснащення, спеціально розроблені для

шевінгування, фінішного оброблення,

шліфування або хонінгування загартованих

(R(с) = 40 або більше) прямозубих

циліндричних, одно- або двозаходових

черв'ячних (гвинтових) шестерень діаметром

понад 1250 мм і шириною поверхні зуба,

що дорівнює 15 відсоткам діаметра або

більше, з якістю фінішного

оброблення AGMA 14 або краще

(відповідно до міжнародного стандарту

ISO 1328 за класом 3)

2.В.4. "Ізостатичні преси" для гарячого пресування, з 8462 99

[2В004] що мають усі наведені нижче складові, та

спеціально розроблені для них компоненти і

допоміжні пристрої:

2.В.4.а. Камери з контрольованими тепловими умовами

всередині замкненої порожнини з внутрішнім

діаметром 406 мм або більше

2.В.4.b. Будь-яку наведену нижче характеристику:

1) максимальний робочий тиск понад 207 МПа;

2) контрольовані температурні умови понад

1773 К (1500 град. С);

3) обладнання для насичення вуглеводнем і

виведення газоподібних продуктів розкладу

Технічна Внутрішній розмір камери - це робочі розміри

примітка. камери, яка забезпечує робочий тиск і

температуру; до розміру камери не

включається розмір затискних пристроїв.

Зазначений розмір визначається меншим з двох

розмірів: внутрішнього діаметра камери

високого тиску або внутрішнього діаметра

ізольованої камери печі залежно від того,

яка з цих камер знаходиться в іншій.

Особлива Щодо спеціально розроблених штампів форм та

примітка. інструментів див. позиції 1.В.3, 9.В.9

і МL18 Списку товарів військового

призначення, міжнародні передачі яких

підлягають державному контролю,

затвердженого постановою Кабінету Міністрів

України від 8 грудня 1997 р. N 1358

( 1358-97-п ).

2.В.5. Обладнання, спеціально призначене для

[2В005] осадження, оброблення та контролю у процесі

нанесення неорганічних захисних шарів

покриттів і модифікування поверхні,

наприклад, для неелектронних підкладок за

допомогою процесів, зазначених у таблиці та

у примітках до позиції 2.E.3.f, а також

компоненти, спеціально призначені для

автоматизованого регулювання, позиціювання,

маніпулювання та управління:

2.В.5.а. Виробниче обладнання для хімічного осадження 8424 20 00 00,

з газової фази (CVD), "кероване вмонтованою 8456 91 00 00,

програмою", із усіма зазначеними нижче

характеристиками: 8456 99

1) процес, модифікований для будь-якого

зазначеного нижче методу:

а) пульсуючого хімічного осадження з

парової фази (CVD);

b) кероване зародження центрів

конденсації при термічному осадженні

(CNTD);

c) стимульований плазмою або за допомогою

плазми CVD;

2.В.5.а. 2) використовує будь-що наведене нижче:

а) високий вакуум (рівний або менше

ніж 0,01 Па) ущільнення при обертанні;

b) засоби контролю товщини шару покриття

безпосередньо у процесі осадження

2.В.5.b. Виробниче обладнання для іонної імплантації, 8456 10 10 00,

"кероване вмонтованою програмою", із силою 8456 10 90 00

іонного струму 5 мА або більше

2.В.5.c. Виробниче обладнання для 8456 10 10 00,

електронно-променевого вакуумного нанесення 8456 10 90 00

покриттів методом фізичного осадження з

парової фази (EB-PVD), "кероване вмонтованою

програмою", яке має систему

електроживлення з розрахунковою потужністю

понад 80 кВт та будь-які наведені нижче

складові:

1) "лазерну" систему керування за рівнем

випаровувальної ванни, яка точно регулює

швидкість подавання матеріалів (злитків) у

зону випаровування;

2) керований комп'ютером покажчик швидкості

випаровування (монітор), який працює за

принципом фотолюмінесценції іонізованих

атомів у потоці пари, необхідний для

визначення швидкості осадження складових

покриття, що містить два або більше

елементів

2.В.5.d. Виробниче обладнання для нанесення покриттів 8456 91 00 00,

методом плазмового розбризкування, "кероване 8456 99

вмонтованою програмою", яке має будь-яку

зазначену нижче характеристику:

1) працює при зниженому тиску контрольованої

атмосфери (дорівнює або менше ніж 10 кПа,

вимірюваної вище або всередині 300 мм

вихідного перерізу сопла плазмового

пальника) у вакуумній камері, що здатна

забезпечити зниження тиску до 0,01 Па перед

початком процесу нанесення;

2) має у своєму складі засоби контролю

товщини шару покриття у процесі нанесення

2.В.5.е. Виробниче обладнання для металізації 8456 91 00 00,

розпиленням, "кероване вмонтованою 8456 99

програмою", що здатне забезпечити густину

струму 0,1 мА/мм (в ступ. 2) або більше з

продуктивністю напилення 15 мкм/год або

більше

2.В.5.f. Виробниче обладнання для катодно-дугового 8515 80 91 00,

напилення, "кероване вмонтованою програмою", 8515 80 99 00

із системою електромагнітів для керування

плямою дуги на катоді

2.В.5.g. Виробниче обладнання для іонного нанесення 8456 10 10 00,

покриттів, "кероване вмонтованою програмою" 8456 10 90 00

та здатне в процесі нанесення вимірювати

будь-що з наведеного нижче:

1) товщину покриття на підкладці та величину

продуктивності;

2) оптичні характеристики

Примітка. Згідно з позиціями 2.В.5.а, 2.В.5.b, 2.В.5.е,

2.B.5.f, 2.В.5.g контролю не підлягає

обладнання для нанесення покриттів методами

хімічного осадження з газової фази

катодно-дугового напилення та нанесення

розпиленням, іонного нанесення або іонної

імплантації, спеціально спроектоване для

різальних інструментів та металообробних

верстатів.

2.В.6. Системи або обладнання, наведені нижче, для

[2В006] вимірювання або контролю за розмірами:

2.В.6.а. Контрольно-вимірювальне обладнання, кероване 9031 80 31 10,

комп'ютером, з "числовим керуванням" або 9033 80 31 90

"кероване вмонтованою програмою", яке має

тривимірну (об'ємну) систему з "похибкою

вимірювання", що дорівнює або менше (краще)

ніж (1,7+L/1000) мкм (де L - довжина, яка

вимірюється в міліметрах), що тестується

відповідно до міжнародних стандартів

ISO 10360-2

2.В.6.b. Вимірювальні пристрої для лінійних або

кутових переміщень, наведені нижче:

1) вимірювальні пристрої для лінійних 9031 41 00 00,

переміщень, які мають будь-яку зазначену 9031 49 10 00,

нижче складову: 9031 49 90 00

а) вимірювальні системи безконтактного

типу з "розподілюваністю", що дорівнює

або менше (краще) ніж 0,2 мкм, при

діапазоні вимірювань до 0,2 мм;

2.В.6.b.1. b) системи з лінійним регульованим

диференційним перетворювачем напруги

з усіма зазначеними нижче

характеристиками:

1) "лінійністю", що дорівнює або менше

(краще) ніж 0,1 відсотка, в діапазоні

вимірювань до 5 мм;

2) відхиленням, що дорівнює або менше

(краще) ніж 0,1 відсотка на день, за

стандартних умов з коливанням навколишньої

температури + - 1 К; або

с) вимірювальні системи, що мають усі

наведені нижче складові:

1) які містять "лазер";

2) які експлуатуються безперервно (принаймні

12 годин при стандартних температурі та тиску

з коливанням навколишньої

температури + - 1 К) і мають усі наведені

нижче характеристики:

а) "розподільність" на їх повній шкалі

становить 0,1 мкм або менше (краще);

b) "похибка вимірювання" дорівнює або

менше (краще) ніж (0,2+L/2000) мкм

(де L - довжина, що вимірюється в

міліметрах)

Примітка. Згідно з позицією 2.В.6.b.1 контролю не

підлягають вимірювальні інтерферометричні

системи без зворотного зв'язку із замкненим

або відкритим контуром, що містять "лазер"

для вимірювання помилок переміщення рухомих

частин верстатів, засобів контролю за

розмірами або подібного обладнання.

2) кутові вимірювальні прилади з "кутовою 9031 41 00 00,

девіацією", що дорівнює або менше (краще) 9031 49 10 00,

ніж 0,00025 (град.) 9031 49 90 00,

з 9031 80 31,

9031 80 91 00

Примітка. Згідно з позицією 2.В.6.b.2 контролю не

підлягають оптичні прилади, такі як

автоколіматори, що використовують колімоване

світло для фіксації кутового відхилення

дзеркала.

2.В.6.с. Обладнання для вимірювання нерівностей 9031 41 00 00,

поверхні з використанням оптичного 9031 49 10 00,

розсіювання як функції кута з чутливістю 9031 49 90 00

0,5 нм або менше (краще)

Примітки. 1. Верстати, що можуть бути використані

як засіб вимірювання, підлягають

контролю, якщо їх параметри відповідають

або перевищують критерії, встановлені для

функцій верстатів або вимірювальних

приладів.

2. Обладнання, зазначене в позиції 2.В.6,

підлягає контролю, якщо його параметри

перевищують рівень контролю в будь-якому

робочому діапазоні.

2.В.7. "Роботи", що мають будь-яку із зазначених 8479 50 00 00,

[2В007] нижче характеристик, і спеціально 8537 10 10 00,

спроектовані контролери та "робочі органи" 8537 10 91 00,

до них: 8537 10 99 00

2.В.7.а. Здатні в реальному масштабі часу повністю

відобразити процес або об'єкт у трьох

вимірах з генеруванням або модифікацією

"програм" чи з генеруванням або модифікацією

цифрових даних, що програмуються

Технічна Обмеження зазначених процесів або об'єкта не

примітка. включають апроксимацію третього виміру через

заданий кут або інтерпретацію через

обмеження шкали для сприйняття глибини або

текстури модифікації завдань (2 1/2 D).

2.В.7.b. Спеціально розроблені відповідно до

національних стандартів безпеки, здатні

виробляти вибухівку або вибухові пристрої

2.В.7.c. Спеціально призначені або нормовані як

радіаційностійкі, що витримують більше

ніж 5 х 10 (в ступ. 5) рад (Si) без

погіршення робочих характеристик; або

2.В.7.d. Спеціально призначені для операцій на висоті

понад 30000 м

2.В.8. Вузли або блоки, наведені нижче, спеціально

[2В008] призначені для верстатів або систем

і обладнання для перевірки розмірів або

вимірювання:

2.В.8.а. Блоки оцінки лінійного положення із з 8466

зворотним зв'язком (наприклад прилади

індуктивного типу, калібровані шкали,

інфрачервоні системи або "лазерні" системи),

які мають повну "точність" менше (краще) ніж

[800+ (600 х L х 10 (в ступ. -3))] нм

(L - ефективна довжина, яка вимірюється в

міліметрах)

Особлива Для "лазерних" систем застосовується

примітка. також примітка до позиції 2.В.6.b.1.

2.В.8.b. Блоки оцінки положення обертання із з 8466

зворотним зв'язком (наприклад прилади

індуктивного типу, калібровані шкали,

інфрачервоні системи або "лазерні" системи),

які мають "точність" менше (краще)

ніж 0,00025 (град.)

Особлива Для "лазерних" систем застосовується також

примітка. примітка до позиції 2.В.6.b.1.

2.В.8.c. "Складені обертові столи" або "нахильні з 8466

шпинделі", використання яких за

специфікацією виробника може модифікувати

верстати до рівня, зазначеного у

позиції 2.В або вище

2.В.9. Обкатні вальцювальні та згинальні верстати, 8462 29 10 00,

[2В009] які відповідно до технічної специфікації 8463 90 00 00

виробника можуть бути обладнані блоками

"числового керування" або комп'ютерного

керування та мають усі наведені нижче

характеристики:

2.В.9.а. З двома або більше осями керування,

дві з яких здатні одночасно координуватися

для "контурного керування"

2.В.9.b. З підсиленням на обкатному інструменті

понад 60 кН

Технічна Верстати, у яких поєднані функції обкатних

примітка. вальцювальних та згинальних верстатів,

розглядаються для цілей позиції 2.В.9

як такі, що належать до обкатних

вальцювальних верстатів.

2.С. МАТЕРІАЛИ - відсутні

2.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

2.D.1. "Програмне забезпечення" інше, ніж те, що з 8524

[2D001] підлягає контролю згідно і позицією 2.D.2,

спеціально призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання, зазначеного в

позиціях 2.А або 2.В

2.D.2. "Програмне забезпечення" для електронних з 8524

[2D002] пристроїв, навіть якщо воно вмонтоване в

електронний пристрій або систему, яке надає

можливість таким пристроям або здатний

одночасно координувати більше 4 осей для

"контурного керування"

Примітка. Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає

"програмне забезпечення", спеціально

розроблене або модифіковане для верстатів,

які не підлягають контролю згідно з

позиціями розділу 2.

2.Е. ТЕХНОЛОГІЯ

2.Е.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705

[2Е001] загальних приміток для "розроблення" 3706,8524,

обладнання або "програмного забезпечення", 4901 99 00 00,

які підлягають контролю згідно з позиціями 4906 00 00 00

2.A, 2.В або 2.D

2.Е.2. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705

[2Е002] загальних приміток для "виробництва" 3706,8524,

обладнання, яке підлягає контролю за 4901 99 00 00,

позиціями 2.A або 2.В 4906 00 00 00

2.Е.3. Інші "технології", наведені нижче: з 3705

[2Е003] 3706,8524,

2Е.3.а. "Технологія" для "розроблення" інтерактивної 4901 99 00 00,

графіки як загальної частини блоків 4906 00 00 00

"числового керування" для підготовки або

модифікації елементів "програм"

2.Е.3.b. "Технологія", наведена нижче, для

виробничих процесів металооброблення:

1) "технологія" проектування верстатів

(інструментів), прес-форм або затискних

пристроїв, спеціально призначених для

будь-якого, наведеного нижче, процесу:

а) "надпластичного формування";

b) "дифузійного зварювання";

с) "безпосереднього гідравлічного

пресування";

2) технічні дані, що включають методи або

параметри реалізації процесу, наведені

нижче, які використовуються для керування:

а) "надпластичним формуванням"

алюмінієвих, титанових сплавів або

"суперсплавів", уключаючи:

1) підготовку поверхні;

2) швидкість відносної деформації;

3) температуру;

4) тиск;

2.Е.3.b.2. b) "дифузійним зварюванням"

"суперсплавів" або титанових сплавів,

уключаючи:

1) підготовку поверхні;

2) температуру;

3) тиск;

с) "безпосереднім гідравлічним

пресуванням" алюмінієвих або

титанових сплавів, уключаючи:

1) тиск;

2) час циклу;

d) "гарячим ізостатичним модифікуванням"

алюмінієвих і титанових сплавів або

"суперсплавів", уключаючи:

1) температуру;

2) тиск;

3) час циклу

2.Е.3.с. "Технологія" для "розроблення" або

"виробництва" гідравлічних витяжних

формувальних машин і відповідних форм для

виготовлення корпусних конструкцій літака

2.Е.3.d. "Технологія" для "розроблення" генераторів

машинних команд (елементів "програм") з

проектних даних, які знаходяться всередині

блоків "числового керування"

2.Е.3.е. "Технологія" для "розроблення" загального

"програмного забезпечення" для об'єднаних

експертних систем, які підвищують у

заводських умовах операційні можливості

блоків "числового керування"

2.Е.3.f "Технологія" використання неорганічних

покриттів або неорганічних покриттів з

модифікацією поверхні (зазначених у графі 3

"Результуюче покриття" таблиці до позиції)

на неелектронних підкладках (зазначених у

графі 2 "Підкладки" таблиці до позиції),

процесів (зазначених у графі 1 "Найменування

процесу нанесення покриття" таблиці до

позиції та визначених приміткою до таблиці)

Особлива Таблицю до позиції 2.Е.3.f слід

примітка. використовувати для контролю технології

особливого процесу нанесення покриттів

тільки у тих випадках, коли "результуюче

покриття" в колонці 3 зазначено

безпосередньо проти відповідної "підкладки"

у колонці 2. Наприклад, технічні дані

процесу осадження для хімічного осадження з

парової фази (CVD) контролюються при

використанні "силіцидів" на "підкладках",

виготовлених "композиційних матеріалів" з

вуглець-вуглецевою, керамічною або металевою

"матрицею", але не контролюються при

використанні "силіцидів" на підкладках,

виготовлених з "цементованого карбіду

вольфраму" (16) та "карбіду кремнію".

У другому випадку "результуюче покриття"

не зазначено у цьому параграфі в колонці 3

безпосередньо напроти параграфу в колонці 2,

де перелічені "цементований карбід

вольфраму" (16) та "карбід кремнію" (18).

---------------------------------------------------------------------

Таблиця до позиції 2.E.3.f. Технічні методи осадження покриття

---------------------------------------------------------------------

1. Найменування |2. Підкладки |3. Результуюче покриття

процесу | |

нанесення | |

покриття (1)* | |

---------------------------------------------------------------------

A. Хімічне осадження Суперсплави Алюмініди для внутрішніх

з газової фази (CVD) каналів

Кераміка (19)* та Силіциди

скло з малим Карбіди

коефіціентом Шари діелектриків (15)

термічного Алмази

розширения (14) Алмазоподібні

вуглеці (17)

Вуглець-вуглець Силіциди

"Композиційні" Карбіди

матеріали Тугоплавкі метали

(композити) з Суміші зазначених

керамічною та матеріалів (4)

металевою Шари діелектриків (15)

"матрицею" Алюмініди

Леговані алюмініди (2)

Нітрид бору

Цементований Карбіди

карбід вольфраму Вольфрам

(16) Суміші зазначених

Карбід матеріалів (4)

кремнію ( 18) Шари діелектриків ( 15)

Молібден та його Шари діелектриків ( 15)

сплави

Берилій та Шари діелектриків (15)

його сплави Алмази

Алмазоподібні

вуглеці (17)

Матеріали вікон Шари діелектриків ( 15)

датчиків (9) Алмази

Алмазоподібні

вуглеці (17)

---------------------------------------------------------------------

В. Фізичне осадження з

парової фази

термовипаровуванням

(TE-PVD)

1. Фізичне осадження з Суперсплави Леговані силіциди

парової фази (PVD Леговані алюмініди (2)

з випаровуванням MCrAIX (5)

електронним Модифіковані види

променем (EB-PVD) діоксиду цирконію (12)

Силіциди

Алюмініди

Суміші зазначених

матеріалів (4)

---------------------------------------------------------------------

B.1. Кераміка (19) та Шари діелектриків (15)

скло з малим

коефіцієнтом

термічного

розширення (14)

Корозійностійка MCrAlX (5)

сталь (криця) (7) Модифіковані види

діоксиду цирконію (12)

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Вуглець-вуглець Силіциди

"Композиційні" Карбіди

матеріали з Тугоплавкі метали

керамічною Суміші зазначених

та металевою матеріалів (4)

"матрицею" Шари діелектриків (15)

Нітрид бору

Цементований карбід Карбіди

вольфраму (16) Вольфрам

Карбід кремнію (18) Суміші зазначених

матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Молібден та його Шари діелектриків (15)

сплави

Берилій та його

сплави Шари діелектриків (15)

Бориди

Берилій

Матеріали вікон Шари діелектриків (15)

датчиків (9)

Титанові Бориди

сплави (13) Нітриди

----------------------------------------------------------------------

B.2. Фізичне осадження Кераміка (19) та Шари діелектриків (15)

з парової фази скло з малим Алмазоподібні

засобом коефіцієнтом вуглеці (17)

резистивного термічного

нагрівання розширення (14)

(іонне осадження) Вуглець-вуглець Шари діелектриків (15)

"Композиційні"

матеріали з

керамічною та

металевою

"матрицею"

Цементований карбід Шари діелектриків (15)

вольфраму (16)

Карбід кремнію

Молібден та його Шари діелектриків (15)

сплави

Берилій та його Шари діелектриків (15)

сплави

Матеріали Шари діелектриків (15)

вікон датчиків (9) Алмазоподібні

вуглеці (17)

---------------------------------------------------------------------

B.3. Фізичне осадження Кераміка (19) та Силіциди

з парової фази: скло з малим Шари діелектриків (15)

випаровування коефіцієнтом Алмазоподібні

"лазерним" термічного вуглеці (17)

променем розширення (14)

Вуглець-вуглець Шари діелектриків (15)

"Композиційні"

матеріали з

керамічною та

металевою

"матрицею"

Цементований карбід Шари діелектриків (15)

вольфраму (16)

Карбід кремнію

Молібден та його Шари діелектриків (15)

сплави

Берилій та його Шари діелектриків (15)

сплави

Матеріали Шари діелектриків (15)

вікон датчиків (9) Алмазоподібний

вуглець (17)

---------------------------------------------------------------------

B.4. Фізичне осадження Суперсплави Леговані силіциди

з парової фази: Леговані алюмініди (2),

катодний дуговий MCrAlX (5)

розряд

Полімери (11) та Бориди

"Композиційні" Карбіди

матеріали з Нітриди

органічною Алмазоподібні

"матрицею" вуглеці (17)

---------------------------------------------------------------------

C. Пакова Вуглець-вуглець Силіциди

цементація (10) Кераміка та Карбіди

(твердофазне "Композиційні" Суміші зазначених

насичення) матеріали з матеріалів (4)

(див."A") металевою

"матрицею"

Сплави титану (13) Силіциди

Алюмініди

Леговані алюмініди (2)

Тугоплавкі метали Силіциди

та сплави (8) Оксиди

---------------------------------------------------------------------

D. Плазмове напилення Суперсплави MCrAlX (5)

Модифікований діоксид

цирконію (12)

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Ерозійностійкий

нікель-графіт

Ерозійностійкий

нікель-хром-алюміній-

бентоніт

Ерозійностійкий

алюміній-кремній-

поліестр

Леговані алюмініди (2)

Сплави алюмінію (6) MCrAlX (5)

Модифікований діоксид

цирконію (12)

Силіциди

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Тугоплавкі метали Алюмініди

та сплави (8) Силіциди

Карбіди

Корозійностійкі MCrAlX (5)

сталі (7) Модифікований діоксид

цирконію (12)

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Титанові Карбіди

сплави (13) Алюмініди

Силіциди

Леговані алюмініди (2)

Ерозійностійкий нікель-

графіт

Ерозійностійкий нікель-

хром-алюміній-бентоніт

діоксиду цирконію

Ерозійностійкий

алюміній-кремній-

поліестр

---------------------------------------------------------------------

E. Шликірні суспензійні Тугоплавкі метали Плавлені силіциди

покриття (осадження) та сплави (8) Плавлені алюмініди (крім

матеріалів для нагрівних

елементів)

Вуглець-вуглець Силіциди

"Композиційні" Карбіди

матеріали: Суміші зазначених

керамічною та матеріалів (4)

металевою

"матрицею"

---------------------------------------------------------------------

F. Нанесення покриттів Суперсплави Леговані силіциди

розпиленням Леговані алюмініди (2)

Алюмініди модифіковані

благородними металами(3)

MCrAlX (5)

Види модифікованого

діоксиду цирконію (12)

Платина

Суміші зазначених

матеріалів (4)

Кераміка та скло з Силіциди

малим коефіцієнтом Платина

розширення (14) Суміші зазначених

матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Алмазоподібний

вуглець (17)

Титанові Бориди

сплави (13) Нітриди

Оксиди

Силіциди

Алюмініди

Леговані алюмініди (2)

Карбіди

Вуглець-вуглець Силіциди

"Композиційні" Карбіди

матеріали з Тугоплавкі метали

керамічною та Суміші зазначених

металевою матеріалів (4)

"матрицею" Шари діелектриків (15)

Нітрид бору

Цементований карбід Карбіди

вольфраму (16) Вольфрам

Карбід кремнію (18) Суміші зазначених

матеріалів (4)

Шари діелектриків (15)

Нітрид бору

Молібден та його Шари діелектриків (15)

сплави

Берилій та його Бориди

сплави Шари діелектриків (15)

Берилій

Матеріали вікон Шари діелектриків (15)

датчиків (9) Алмазоподібний

вуглець (17)

Тугоплавкі метали Алюмініди

та сплави (8) Силіциди

Оксиди

Карбіди

---------------------------------------------------------------------

G. Іонна імплантація Термостійкі Поверхневе легування

шарикопідшипникові хромом, танталом або

сталі ніобієм (коламбієм)

Титанові Бориди

сплави (13) Нітриди

Берилій та його Бориди

сплави

Цементований карбід Карбіди

вольфраму (16) Нітриди

Примітки до таблиці:

Технічні методи осадження покриття

1. Термін "процес покриття" включає як нанесення нового покриття,

так і ремонт та поновлення існуючого.

2. Термін "покриття легованими алюмінідами" включає одностадійний

або багатостадійний процес нанесення покриттів, під час якого

елемент або елементи осаджуються до або під час отримання

алюмінідного покриття, навіть якщо ці елементи додаються за

допомогою іншого процесу. Але він не включає багаторазове

використання одноступеневих процесів пакової цементації для

отримання покриттів на основі легованих алюмінідів.

3. Термін "покриття алюмінідами модифікованими благородними

металами" включає багатоступеневе нанесення покриття, в якому

благородний метал або благородні метали були нанесені раніше

будь-яким іншим способом до отримання покриття легованими

алюмінідами.

4. Термін "їх суміші" включає інфільтруючий матеріал, градієнтні

композиції, присадки та багатошарові матеріали, які

використовуються під час одного або кількох процесів отримання

покриттів, зазначених у таблиці.

5. "MCrAlX" відповідає складному сплаву покриття, де "М" означає

кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X" означає

гафній, ітрій, кремній, тантал у будь-якій кількості, або інші

спеціально внесені додатки у кількості понад 0,01 вагового

відсотка у різноманітних пропорціях та комбінаціях, крім:

a) CoCrAlY - покриття, які мають менше ніж 22 вагових відсотки

хрому, менше ніж 7 вагових відсотків алюмінію та менше ніж

2 вагових відсотки ітрію;

b) CoCrAlY - покриття, які мають 22-24 вагових відсотків

хрому, 10-12 вагових відсотків алюмінію та 0,5-0,7 вагового

відсотка ітрію;

c) NiCrAlY - покриття, які мають 21-23 вагових відсотків

хрому, 10-12 вагових відсотків алюмінію та 0,9-1,1 вагового

відсотка ітрію.

6. Термін "сплави алюмінію" означає сплави з граничним значенням

міцності на розрив 190 МПа або більше, які визначені при

температурі 293 K (20 град. C).

7. Термін "корозійностійка сталь" означає сталі, які

задовольняють вимоги стандарту серії 300 (AISI) Американського

інституту заліза та сталі або вимоги відповідних національних

стандартів.

8. Поняття "тугоплавкі метали та сплави" включає такі метали та

їх сплави: ніобій (коламбій в США), молібден, вольфрам і

тантал.

9. "Матеріали вікон датчиків" - це оксид алюмінію, кремній,

германій, сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію, алмаз,

фосфід галію, сапфір та такі галогеніди металів: фторид

цирконію і фторид гафнію - для вікон датчиків, які мають

діаметр понад 40 мм.

10. На "технологію" для одноступеневих процесів пакової цементації

суцільних лопаток турбін не поширюються обмеження згідно з

розділом 2.

11. "Полімери" включають гюліімід, поліестр, полісульфід,

полікарбонати та поліуретани.

12. До поняття "модифікований діоксид цирконію" належить діоксид

цирконію з додаванням оксидів інших металів (таких як оксиди

кальцію, магнію, ітрію, гафнію, рідкоземельних металів) для

стабілізації відповідних кристалографічних фаз та фаз

зміщення. Термозахисні покриття діоксидом цирконію,

модифіковані оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом

змішування або розплаву, контролю не підлягають.

13. Під поняттям "титанові сплави" розуміються тільки аерокосмічні

сплави з граничним значенням міцності на розрив 900 МПа або

більше, визначеним при температурі 293 K (20 град. C).

14. "Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення" визначається

як скло, що має коефіцієнт температурного розширення

1 х 10 (в ступ. -7) K (в ступ. -1) або менше, визначений при

температурі 293 K (20 град. C).

15. "Діелектричні шарові покриття" належать до багатошарових

ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних

властивостей матеріалів з різноманітними коефіцієнтами

рефракції використовується для відбиття, передачі або

поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До діелектричних

шарових покриттів належать ті, що складаються з чотирьох або

більше шарів діелектрика або шарових "композицій"

діелектрик - метал.

16. До "цементованого карбіду вольфраму" не належать

інструментальні матеріали, які застосовуються для різання та

механічної обробки і які складаються з карбіду

вольфраму/(кобальт-нікель), карбіду титану/(кобальт-нікель),

карбіду хрому/(нікель-хром) і карбіду хрому/(нікель).

17. "Технологія", спеціально розроблена для осадження

алмазоподібного вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не

підлягає контролю: накопичувачі на магнітних дисках і магнітні

головки, окуляри з полікарбонату, обладнання для виробництва

разової тари, обладнання пекарень, клапани для кранів,

акустичні діафрагми для гучномовців, деталі двигунів для

автомобілів, різальний інструмент, матриці для пресування та

вирубні штампи, високоякісні лінзи для фото-, кіноапаратів та

телескопів, офісне автоматизоване обладнання, мікрофони або

медичні пристрої.

18. До "карбіду кремнію" не належать матеріали для виготовлення

різального або формувального інструменту.

19. До поняття "керамічні підкладки", як воно використовується в

цій позиції, не належать керамічні матеріали, що містять

5 відсотків за вагою або більше глини чи цементу, незалежно

від того, чи є вони окремим складовим компонентом, чи входять

у керамічні матеріали в їх комбінації.

Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення

покриття", визначаються таким способом:

a. Хімічне осадження з газової фази (CVD) - це процес

нанесення зовнішнього покриття або покриття з модифікацією

поверхні, що покривається, де метал, сплав, "композиційний"

матеріал, діелектрик або кераміка наносяться на нагріту

підкладку (основу). Газоподібні реагенти розпадаються або

сполучаються на поверхні виробу, унаслідок чого на ній

утворюються бажані елементи, сплави або хімічні сполуки.

Енергія для такого розпаду або хімічної реакції може бути

забезпечена нагріванням підкладки плазмовим розрядом або

променем "лазера".

Особливі 1. Хімічне осадження з газової фази (CVD)

примітки: включає такі процеси: "безпакетне" нанесення

покриття прямим газовим струменем, газоциркуляційне

хімічне осадження, кероване зародження центрів

конденсації при термічному осадженні (CNTD) або

хімічне осадження з газової фази (CVD) з

використанням плазми.

2. Поняття "пакет" означає занурення підкладки (основи)

в суміш з кількох складових.

3. Газоподібні реагенти, що використовуються у

безпакетному процесі, отримуються за такими ж

базовими реакціями та параметрами, як і цементація,

за винятком випадку, коли підкладка, на яку

наноситься покриття, не має контакту із сумішшю

порошків.

b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням

(TE-PVD) - це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі

під тиском менше ніж 0,1 Па, коли джерело теплової енергії

використовується для перетворення на пару матеріалу, що

наноситься, внаслідок чого частки матеріалу, що

випаровується, конденсуються або осаджуються на відповідно

розташовану підкладку.

Напуск газів у вакуумну камеру в процесі осадження для

створення складних покриттів є звичайною модифікацією

процесу.

Використання іонних або електронних променів або плазми

для активації або сприяння нанесенню покриття є також

звичайною модифікацією цієї технології. Використання

моніторів для забезпечення вимірювання оптичних

характеристик або товщини покриття під час процесу може

бути характерною особливістю цих процесів.

Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного нагрівання

полягає у тому, що:

1) при EB-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу,

який формує покриття на виробі, використовується

електронний промінь;

2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне

забезпечити контрольований та рівномірний (однорідний)

потік пари матеріалу покриття, використовується

електричний опір;

3) при випаровуванні "лазером" для випаровування матеріалу,

що формує покриття, використовується імпульсний або

безперервний "лазерний" промінь;

4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги

використовується витрачуваний катод з матеріалу, що

формує покриття та створює розряд дуги на поверхні

катода після миттєвого контакту із заземленим пусковим

пристроєм (тригером). Контрольований рух дуги призводить

до ерозії поверхні катода та виникнення

високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та

розташовуватися по периферії катода через ізолятор або

сама камера може грати роль анода. Для нанесення

покриття на підкладку, що розташована не на лінії,

використовується зміщення напруги;

Особлива Зазначений у підпункті 4 процес не стосується нанесення

примітка. покриття довільною катодною дугою без зміщення напруги.

5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального

TE-PVD процесу, у якому плазмове або іонне джерело

використовується для іонізації часток, що наносяться як

покриття, а негативне зміщення напруги прикладається до

підкладки, що сприяє осадженню складових покриття з

плазми. Введення активних реагентів, випаровування

твердих матеріалів в камері, а також використання

моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі

нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини

покриття, є звичайними модифікаціями процесу.

c. Пакова цементація - це модифікація методу нанесення

покриття на поверхню або процес нанесення виключно

зовнішнього покриття, коли підкладка занурена в суміш

порошків (пак), яка складається з:

1) металевих порошків, які входять до складу покриття

(звичайно алюміній, хром, кремній або їх комбінація);

2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та

3) інертної пудри, найчастіше - оксиду алюмінію.

Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти,

яка нагрівається до температури від 1030 K (757 град. C) до

1375 K (1102 град. C) на час, який достатній для нанесення

покриття.

d. Плазмове напилення - це процес нанесення зовнішнього

покриття, коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій

утворюється і керується плазма, використовує порошок або

дріт з матеріалу покриття, розплавляє їх та спрямовує на

підкладки, де формується інтегрально зв'язане покриття.

Плазмове напилення може ґрунтуватися на напиленні плазмою

низького тиску або високошвидкісною плазмою.

Особливі 1. Низький тиск - це тиск нижче атмосферного.

примітки. 2. Високошвидкісна плазма визначається швидкістю газу на

зрізі сопла, понад 750 м/с, розрахованої при

температурі 293 K (20 град. C) та тиску 0,1 МПа.

e. Осадження із суспензії - це процес нанесення покриття з

модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або

керамічний порошок з органічною сполучною речовиною

суспензовано в рідині та наноситься на підкладку за

допомогою напилення, занурення або фарбування з наступним

повітряним або пічним сушінням та термічною обробкою для

отримання необхідних властивостей покриття.

f. Осадження розпиленням - це процес нанесення зовнішнього

покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості

руху, коли позитивні іони прискорюються в електричному полі

в напрямі до поверхні мішені (підкладки виробу, що

покривається). Кінетична енергія ударів іонів достатня для

визволення атомів на поверхні мішені та їх осадження на

відповідно розташовану підкладку.

Особливі 1. У таблиці наведені відомості тільки щодо тріодного,

примітки. магнетронного або реактивного осадження розпиленням,

які застосовуються для збільшення адгезії матеріалу

покриття та швидкості його нанесення, а також щодо

радіочастотного підсилення напилення, яке

використовується під час нанесення пароутворюючих

неметалевих матеріалів для покриття.

2. Низькоенергетичні іонні промені (менше ніж 5 KeB)

можуть бути використані для прискорення (активації)

процесу нанесення покриття.

g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з

модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент

іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу

та імплантується на поверхню підкладки. До процесів з

іонною імплантацією належать і процеси, де іонна

імплантація здійснюється одночасно під час

електронно-променевого осадження або осадження

розпилюванням.

Технічна термінологія, що використовується в

таблиці технічних засобів осадження

покриття

Технічна інформація стосовно таблиці технічних засобів

осадження покриття використовується у разі потреби.

1. Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях"

для попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці:

a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні,

наведені нижче:

1) склад розчину у ванні:

a) для усунення старого та пошкодженого покриття,

продуктів корозії або сторонніх відкладень;

b) для приготування чистих підкладок;

2) час оброблення у ванні;

3) температура у ванні;

4) кількість та послідовність циклів миття;

b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення ступеня

очищення або повноти очисної дози;

c) параметри циклів термічного оброблення, наведені нижче:

1) атмосферні параметри:

a) склад атмосфери;

b) атмосферний тиск;

2) температура термічної обробки;

3) тривалість термічної обробки;

d) параметри підготовки підкладок, наведені нижче:

1) параметри піскоструминного очищення:

a) склад часток;

b) розмір та форма часток;

c) швидкість подачі часток;

2) час та послідовність циклів очищення після

піскоструминного очищення;

3) параметри кінцевого оброблення поверхні;

4) використання зв'язувальних для посилення адгезії;

e) технічні параметри маскування наведені нижче:

1) матеріал маски;

2) розміщення маски.

2. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",

які забезпечують якість покриття, для засобів, зазначених у

таблиці:

a) атмосферні параметри, наведені нижче:

1) склад атмосфери;

2) атмосферний тиск;

b) часові параметри;

c) температурні параметри;

d) параметри товщини;

e) коефіцієнт параметрів заломлення;

f) контроль складу покриття.

3. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях",

які використовуються після нанесення покриття на підкладку,

зазначену в таблиці:

a) параметри дробоструминної обробки, наведені нижче:

1) склад дробу;

2) розмір дробу;

3) швидкість подавання дробу;

b) параметри очищення після обробки дробом;

c) параметри циклу термічної обробки, наведені нижче:

1) атмосферні параметри:

a) склад атмосфери;

b) атмосферний тиск;

2) температурно-часові цикли;

d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання

покритих підкладок.

4. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" для

визначення технічних засобів, які гарантують якість покриття

підкладок, зазначених у таблиці:

a) критерії статистичного відбіркового контролю;

b) мікроскопічні критерії для:

1) збільшення покриття;

2) рівномірності товщини покриття;

3) цілісності покриття;

4) складу покриття;

5) зчеплення покриття та підкладки;

6) мікроструктури однорідності;

c) критерії для оцінки оптичних властивостей (вимірювані як

функція довжини хвилі):

1) відбивна властивість;

2) прозорість;

3) поглинання;

4) розсіювання.

5. Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" та

параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з процесами

видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці:

a) для хімічного осадження з газової фази (CVD):

1) склад та формування джерела покриття;

2) склад несучого газу;

3) температура підкладки;

4) температурно-часові цикли та цикли тиску;

5) контроль газу та маніпулювання деталями;

b) для термічного випарювання - фізичного осадження з парової

фази (PVD):

1) склад зливка або джерела матеріалу покриття;

2) температура підкладки;

3) склад активного газу;

4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування

матеріалу;

5) температурно-часові цикли та цикли тиску;

6) маніпуляція променем та деталлю;

7) параметри "лазера", наведені нижче:

a) довжина хвилі;

b) щільність потужності;

c) тривалість імпульсу;

d) періодичність імпульсів;

e) джерело;

c) для твердофазного осадження:

1) склад обмазки та формування;

2) склад несучого газу;

3) температурно-часові цикли та цикли тиску;

d) для плазмового напилення:

1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів;

2) склад та параметри газу, що подається;

3) температура підкладки;

4) параметри потужності плазмової гармати;

5) дистанція напилення;

6) кут напилення;

7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку;

8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями;

e) для осадження розпиленням:

1) склад та спосіб виробництва мішені;

2) геометричне регулювання положення деталей та мішені;

3) склад хімічно активного газу;

4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення);

5) температурно-часові цикли та цикли тиску;

6) потужність тріода;

7) маніпулювання деталлю;

f) для іонної імплантації:

1) контроль променя та маніпулювання деталлю;

2) елементи конструкції джерела іонів;

3) техніка контролю за іонним променем та параметрами

швидкості осадження;

4) температурно-часові цикли та цикли тиску;

g) для іонного покриття:

1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю;

2) елементи конструкції джерела іонів;

3) техніка контролю за іонним променем та параметрами

швидкості осадження;

4) температурно-часові цикли та цикли тиску;

5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість

випаровування;

6) температура підкладки;

7) параметри електричного зміщення підкладки.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 3. ЕЛЕКТРОНІКА

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТ ЗЕД

----------------------------------------------------------------------

3. ЕЛЕКТРОНІКА

3.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

Примітки. 1. Статус контролю за обладнанням та

компонентами, зазначеними в позиції 3.A,

що відрізняються від описаних у позиціях

3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12,

які спеціально спроектовані або мають

такі функціональні характеристики, як і

інше обладнання, визначається статусом

контролю за іншим обладнанням.

2. Статус контролю за інтегральними схемами,

зазначеними в позиціях 3.A.1.a.3 -

3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12, програми яких

не можуть бути змінені, або спроектовані

для виконання конкретних функцій для

іншого обладнання, визначається статусом

контролю за іншим обладнанням.

Особлива Якщо виробник або заявник не може визначити

примітка. статус контролю за іншим обладнанням, то цей

статус визначається статусом контролю за

інтегральними схемами, зазначеними в

позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або

3.A.1.a.12.

Якщо ця інтегральна схема є "мікросхемою

мікрокомп'ютера" на кремнієвій основі або

мікросхемою мікроконтролера, зазначеними в

позиції 3.A.1.a.3 і має довжину слова

операнда 8 біт або менше, то тоді її

статус контролю визначається відповідно

до позиції 3.A.1.a.3.

3.A.1. Електронні компоненти, наведені нижче:

[3A001]

3.A.1.a. Інтегральні мікросхеми загального

призначення, наведені нижче:

Примітки. 1. Статус контролю за готовими пластинами

або напівфабрикатами, на яких відтворена

конкретна функція, визначається за

параметрами, зазначеними у позиції

3.A.1.a.

2. Поняття "інтегральні схеми" включає такі

типи:

"монолітні інтегральні схеми";

"гібридні інтегральні схеми";

"багатокристалічні інтегральні схеми";

"плівкові інтегральні схеми", включаючи

інтегральні схеми типу кремній на

сапфірі;

"оптичні інтегральні схеми".

1) інтегральні схеми, спроектовані або з 8542

класифіковані виробником як радіаційно

стійкі для того, щоб витримати будь-що з

наведеного нижче:

a) загальну дозу - 5 х 10 (в ступ. 5) рад

(кремній) або вище;

b) одиночну дозу - 5 х 10 (в ступ. 8) рад

(кремній) або вище;

3.A.1.a. 2) "мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми з 8542

мікрокомп'ютера", мікросхеми

мікроконтролера, інтегральні схеми пам'яті,

виготовлені із складного напівпровідника,

перетворювачі з аналогової форми у цифрову,

перетворювачі з цифрової форми в аналогову,

електрооптичні або "оптичні інтегральні

схеми", призначені для "оброблення

сигналів", логічні пристрої з

експлуатаційним програмуванням, інтегральні

схеми нейронної мережі, інтегральні схеми на

замовлення, для яких або невідома функція,

або стан контролю обладнання, у якому буде

використана інтегральна схема, невідомий,

процесори швидкого перетворення Фур'є (FFT),

програмована постійна пам'ять з електричним

стиранням (EEPROMs), імпульсна пам'ять або

статична пам'ять з довільною вибіркою

(SRAMs), які мають будь-яку з наведених

нижче характеристик:

a) працездатні при температурі навколишнього

природного середовища понад

398 K (+125 град. C);

b) працездатні при температурі навколишнього

природного середовища нижче

218 K (-55 град. C);

c) працездатні за межами діапазону

температур навколишнього природного

середовища від 218 K (-55 град. C) до

398 K (+125 град. C);

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.a.2 контролю не

підлягають інтегральні схеми, що

використовуються в цивільних автомобілях або

залізничних локомотивах.

3.A.1.a. 3) "мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми

мікрокомп'ютера" і мікросхеми

мікроконтролерів, які мають одну з наведених

нижче характеристик:

Примітка. У позиції 3.A.1.a.3 зазначено цифрові

сигнальні процесори, цифрові матричні

процесори і цифрові співпроцесори.

a) "сукупну теоретичну продуктивність" з 8542

("CTP") 6500 мільйонів теоретичних

операцій за секунду (Мегатопсів) або

більше та арифметично-логічні пристрої з

шириною доступу 32 біта або більше;

b) виготовлені з композиційного з 8542

напівпровідника та працюють з тактовою

частотою понад 40 МГц;

c) більше, ніж з однією шиною передачі з 8542

команд або даних або послідовним

комунікаційним портом для безпосереднього

зовнішнього міжсистемного зв'язку між

паралельними "мікросхемами

мікропроцесорів" із швидкістю передачі

понад 150 Мбайт/с;

3.A.1.a. 4) інтегральні схеми пам'яті, виготовлені на

основі напівпровідникових з'єднань;

5) інтегральні схеми аналого-цифрових та з 8542

цифроаналогових перетворювачів наведені

нижче:

а) аналого-цифрові перетворювачі, які мають

одну з таких ознак:

1) роздільна здатність 8 біт або більше,

але менше ніж 12 біт з повним часом

перетворення менше ніж 5 нс;

2) роздільна здатність 12 біт та повний

час перетворення менше ніж 200 нс;

3) роздільна здатність понад 12 біт з

повним часом перетворення менше ніж

2 мкс;

b) цифро-аналогові перетворювачі з

роздільною здатністю 12 біт або більше та

"часом установлювання" менше ніж 10 нс;

Технічні 1. Роздільна здатність розміром n біт

примітки. відповідає квантуванню 2 (в ступ. n)

рівнів.

2. Сумарний час перетворення є величиною

оберненою частоті дискредитації

(виборки).

6) електронно-оптичні або "оптичні

інтегральні схеми" для "оброблення

сигналів", які мають усі наведені нижче

характеристики:

a) один внутрішній "лазерний" діод або з 85421

більше;

b) один внутрішній світлочутливий елемент

або більше;

c) оптичні хвильоводи;

7) програмовані в користувача логічні з 8542

пристрої, які мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) еквівалентна кількість вентилів понад

30000 (в переліку на двовходові);

b) типовий "час затримки розповсюдження

базового логічного елемента" менше ніж

0,4 нс;

с) тактова частота понад 133 МГц;

Примітка. Позиція 3.A.1.a.7 включає:

прості програмовані логічні пристрої (SPLD);

складні програмовані логічні пристрої

(CPLD);

вентильні матриці з експлуатаційним

програмуванням (FPGA);

логічні матриці з експлуатаційним

програмуванням (FPLA);

схеми з'єднань з експлуатаційним

програмуванням (FPIC).

Особлива Логічні пристрої з експлуатаційним

примітка. програмуванням, відомі також як вентильні

або логічні матриці з експлуатаційним

програмуванням.

3.A.1.a. 8) позицію виключено; з 8542

9) інтегральні схеми для нейронних мереж;

10) інтегральні схеми на замовлення, функція з 8542 30

яких не відома, або контрольний статус

обладнання, у якому будуть використовуватися

зазначені інтегральні схеми, не відомі

виробнику, що мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) кількість виводів понад 1000;

b) типовий "час затримки розповсюдження

базового логічного елемента" менше

ніж 0,1 нс; або

c) робоча частота понад 3 ГГц;

11) цифрові інтегральні схеми, що 8542 13 99 00,

відрізняються від зазначених у позиціях 8542 14 99 00,

3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 та 3.A.1.a.12, які 8542 19 98 00,

створені на основі будь-якого складного 8542 12 00 00

напівпровідника і мають одну з наведених

нижче характеристик:

a) еквівалентна кількість вентилів понад

3000 (у перерахунку на двовходові);

b) частота перемикання понад 1,2 ГГц;

12) процесори швидкісного перетворення з 8542, 8543

(FFT), які мають номінальний час виконання

для N-позначкового комплексного швидкісного

перетворення Фур'є менше ніж

(N log(2))/20480 мкс, де N - кількість

позначок

Технічна Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у

примітка. позиції 3.A.1.a.12 визначає час виконання

500 мкс.

3.A.1.b. Прилади мікрохвильового та міліметрового

діапазону, наведені нижче:

1) електронні вакуумні лампи та катоди,

наведені нижче:

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не

підлягають лампи, призначені або нормовані

для роботи у будь-якій смузі частот, яка

відповідає всім наведеним нижче

характеристикам:

a) не перевищує 31 ГГц;

b) є "виділеною Міжнародним союзом

електрозв'язку" (ITU) для надання послуг

радіозв'язку, але не для радіовизначення.

a) лампи біжучої хвилі імпульсної або 8540 79 00 00

безперервної дії, наведені нижче:

1) з робочою частотою понад 31 ГГц;

2) які мають елемент підігрівання катода

з часом від моменту включення до

виходу лампи на номінальну

радіочастотну потужність менше

ніж 3 с;

3) із сполученими резонаторами або їх

модифікаціями з "відносною шириною

смуги частот" понад 7 відсотків або з

піковою потужністю понад 2,5 кВт;

4) із спіраллю або її модифікацією, які

мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) "смуга пропускання" становить понад

1 октаву і добуток номінальної

середньої вихідної потужності (у

кВт) на максимальну робочу частоту

(у ГГц) становить понад 0,5;

b) "смуга пропускання" дорівнює 1

октаві або менше і добуток

номінальної, середньої вихідної

потужності (у кВт) на максимальну

робочу частоту (у ГГц) становить

понад 1;

c) за технічними умовами "придатні для

використання в космосі";

b) НВЧ-прилади - підсилювачі магнетронного 8540 71 00 00

типу з коефіцієнтом підсилення

понад 17 дБ;

c) інтегровані катоди для електронних ламп, 8540 79 00 00

які виробляють густину струму при

безперервній емісії, за штатних умов

експлуатації, понад 5 A/см (в ступ. 2);

2) інтегральні схеми або модулі 8542

мікрохвильового діапазону, що мають наведені

нижче характеристики:

a) містять "монолітні інтегральні схеми", що

мають один або більше активних елементів

схеми;

b) працюють на частотах понад 3 ГГц;

Примітки. 1) Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не

підлягають схеми або модулі для

обладнання, призначеного або нормованого

для роботи у будь-якій смузі частот, що

відповідає наведеним нижче

характеристикам:

a) не перевищує 31 ГГц;

b) є "виділеною Міжнародним союзом

електрозв'язку (ITU)" для надання

послуг радіозв'язку, але не для

радіовизначення.

2) Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не

підлягає обладнання радіомовних

супутників, призначене або нормоване для

роботи в діапазоні частот від 40,5 до

42,5 ГГц.

3.A.1.b. 3) мікрохвильові транзистори, призначені для 8541

роботи на частотах понад 31 ГГц;

4) мікрохвильові твердотільні підсилювачі, 8543

які:

a) працюють на частотах понад 10,5 ГГц і

мають "смугу пропускання" понад

півоктави; або

b) працюють на частотах понад 31 ГГц;

5) смугові або загороджувальні фільтри з 8529

електронним або магнітним налагодженням, які

мають понад 5 налагоджувальних резонаторів,

що забезпечують налагодження в смузі частот,

з відношенням максимальної та мінімальної

частот 1,5:1 менше ніж за 10 мкс і мають

одну з наведених нижче характеристик:

a) смуга частот пропускання становить понад

0,5 відсотка резонансної частоти;

b) смуга заглушення становить менше ніж

0,5 відсотка резонансної частоти;

6) мікрохвильові блоки, здатні працювати на 8529

частотах понад 31 ГГц;

7) змішувачі та перетворювачі, спроектовані

для розширення діапазону частоти обладнання,

зазначеного в позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.e або

3.A.2.f, та не відповідають характеристикам,

що наведені в них;

8) мікрохвильові підсилювачі потужності, які

містять вузли, що підлягають контролю згідно

з позицією 3.A.1.b, і мають наведені нижче

характеристики:

a) операційні частоти понад 3 ГГц;

b) середня щільність вихідної потужності

понад 80 Вт/кг; та

c) об'єм менше ніж 400 см (в ступ. 3)

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не

підлягає обладнання, призначене або

нормоване для роботи у будь-якій смузі

частот, що є "виділеною Міжнародним союзом

електрозв'язку (ITU)" для надання послуг

радіозв'язку, але не для радіовизначення.

3.A.1.c. Прилади на акустичних хвилях, наведені

нижче, та спеціально спроектовані для них

компоненти:

1) прилади на поверхневих акустичних хвилях 8541 60 00 00

і акустичних хвилях у тонкій підкладці

(тобто прилади для "оброблення сигналів", що

використовують пружні хвилі в матеріалі),

які мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) несуча частота понад 2,5 ГГц;

b) несуча частота понад 1 ГГц, але не більше

2,5 ГГц, і мають одну з наведених нижче

характеристик:

1) частотне заглушення бокових пелюстків

діаграми направленості понад 55 дБ;

2) добуток максимального часу затримки (у

мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"

(у МГц) понад 100;

3) "миттєва ширина смуги частот" понад

250 МГц;

4) затримка поширення понад 10 мкс;

c) несуча частота, яка дорівнює 1 ГГц або

менше і має одну з наведених нижче

характеристик:

1) добуток максимального часу затримки (у

мкс) і "миттєвої ширини смуги частот"

(у МГц) понад 100;

2) затримка поширення понад 10 мкс;

3) частотне заглушення бокових пелюстків

діаграми направленості понад 55 дБ та

ширина смуги частот понад 50 МГц;

2) прилади на об'ємних акустичних хвилях 8541 60 00 00

(тобто прилади для "оброблення сигналів",

які використовують пружні хвилі в

матеріалі), що забезпечують безпосереднє

"оброблення сигналів" на частотах

понад 1 ГГц;

3) акустооптичні прилади "оброблення 8541 60 00 00

сигналів", які використовують взаємодію між

акустичними хвилями (об'ємними чи

поверхневими) і світловими хвилями, що

забезпечує безпосереднє "оброблення

сигналів" або зображення, включаючи аналіз

спектра, кореляцію або згортку

3.A.l.d. Електронні прилади або схеми, які містять 8542 50 00 00

елементи, виготовлені з "надпровідних"

матеріалів, спеціально спроектовані для

роботи при температурах нижчих від

"критичної температури" хоча б для однієї з

"надпровідних" складових і мають одну з

наведених нижче характеристик:

1) наявність струмових перемикачів для

цифрових схем, які використовують

"надпровідні" вентилі, де добуток часу

затримки на вентиль (у секундах) і

розсіювання потужності на вентиль (у

ватах) нижче ніж 10 (в ступ. -14) Дж;

2) забезпечення селекції частоти на всіх

діапазонах частот з використанням

резонансних контурів з добротністю

понад 10000

3.A.1.e. Прилади високої енергії, наведені нижче:

1) батареї та фотоелектричні батареї,

наведені нижче:

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.1 контролю не

підлягають батареї об'ємом 27 см (в ступ. 3)

або менше (наприклад, стандартні вугільні

елементи або батареї R14).

a) первинні елементи і батареї із щільністю з 8506 60,

енергії понад 480 Вт х год./кг, які за 8506 80,

технічними умовами придатні для роботи в 8540 10 10 00

діапазоні температур нижчих від

243 K (-30 град. C) і вищих від

343 K (4-70 град. C);

b) підзаряджувальні елементи і батареї із з 8506 60,

щільністю енергії понад 150 Вт х год./кг 8506 80,

після 75 циклів заряду-розряду при струмі 8540 10 10 00

розряду, що дорівнює C/5 год. (де C -

номінальна ємність в а х год.), під час

роботи в діапазоні температур нижчих

від 253 K (-20 град. C) і вищих від

333 K (+60 град. C);

Технічна Щільність енергії розраховується множенням

примітка. середньої потужності у ватах (добуток

середньої напруги у вольтах і середнього

струму в амперах) на тривалість циклу

розрядження в годинах, за якого напруга на

розімкнутих клемах падає до 75 відсотків

номіналу, і діленням цього добутку на

загальну масу елемента (або батареї) в

кілограмах.

с) батареї, за технічними умовами "придатні з 8506 60,

для використання в космосі" та радіаційно 8506 80,

стійкі батареї на фотоелектричних 8540 10 10 00

елементах з питомою потужністю понад

160 Вт/м (в ступ. 2) при робочій

температурі 301 K (+28 град. C) і

вольфрамовому джерелі, яке нагріте

до 2800 K (+2527 град. C) і

створює енергетичну освітленість

1 кВт/м (в ступ. 2);

3.A.1.e. 2) накопичувачі великої енергії, наведені з 8506 60,

нижче: 8506 80,

a) накопичувачі енергії з частотою 8540 10 10 00

повторення менше ніж 10 Гц (одноразові

накопичувачі), що мають усі наведені

нижче характеристики:

1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ;

2) густину енергії не менше ніж

250 Дж/кг; та

3) загальну енергію не менше

ніж 25 кДж;

b) накопичувачі енергії з частотою з 8506 60,

повторення 10 Гц і більше (багаторазові 8506 80,

накопичувачі), які мають усі наведені 8540 10 10 00

нижче характеристики: з 8507 80

1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ,

2) щільність енергії не менше

ніж 50 Дж/кг;

3) загальну енергію не менше

ніж 100 Дж; та

4) кількість циклів заряду-розряду не

менше ніж 10000;

3) "надпровідні" електромагніти та 8505 19 90 00

соленоїди, спеціально спроектовані на повний

заряд або розряд менше ніж за 1 секунду, які

мають усі наведені нижче характеристики:

Примітка. Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не

підлягають "надпровідні" електромагніти або

соленоїди, спеціально спроектовані для

медичної апаратури магніторезонансної

томографії (MRI).

a) максимальну енергію під час розряду понад

10 кДж за першу секунду;

b) внутрішній діаметр струмопровідних

обмоток понад 250 мм; та

c) номінальну магнітну індукцію понад 8 T

або "сумарну густину струму" в обмотці

понад 300 A/мм (в ступ. 2)

3.A.1.f. Обертові перетворювачі абсолютного кутового 9031 80 31 10,

положення вала в код, які мають будь-яку з 9031 80 31 90,

наведених нижче характеристик: 8502 40

1) роздільність краще 1/265000 від повного

діапазону (18 біт);

2) точність краще ніж +(-) 2,5 кут/с

3.A.2. Електронна апаратура загального призначення,

[3A002] наведена нижче:

3.A.2.a. Записуюча апаратура, наведена нижче, і 8520 32 99 00

спеціально призначена для неї вимірювальна

стрічка:

1) накопичувачі на магнітній плівці для

аналогової апаратури, включаючи накопичувачі

з можливістю запису цифрових сигналів

(тобто, що використовують модуль цифрового

запису високої щільності (HDDR)), які мають

одну з наведених нижче характеристик:

a) смуга частот понад 4 МГц на електронний

канал або доріжку;

b) смуга частот понад 2 МГц на електронний

канал або доріжку при кількості доріжок

понад 42; або

c) помилка непогодження змінної шкали,

виміряна із застосуванням документів

Асоціації електронної промисловості

(EIA) або EIRIG, менше ніж +(-) 0,1 мкс;

Примітка. Аналогові магнітофони, спеціально створені

для цілей цивільного відео, не вважаються

накопичувачами на плівці.

2) цифрові відеомагнітофони, які мають з 8521 10,

максимальну роздільну здатність цифрового 8521 90 00 00

інтерфейсу понад 360 Мбіт/с;

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не

підлягають цифрові стрічкові

відеомагнітофони, спеціально спроектовані

для телевізійного запису з використанням

форми сигналу, що може включати форму

стисненого сигналу за стандартами або

рекомендаціями Міжнародного союзу

електрозв'язку (ITU), Міжнародної

електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно-

та телевізійних інженерів (SMPTE),

Європейського союзу радіомовлення (EBU) або

Інституту інженерів-спеціалістів в галузі

електротехніки та електроніки (IEEE), для

цивільного телебачення.

3) накопичувачі на магнітній плівці для з 8521 10

цифрової апаратури, що використовує методи

спірального сканування або фіксованих

магнітних головок, які мають одну з

наведених нижче характеристик:

a) максимальна пропускна здатність цифрового

інтерфейсу понад 175 Мбіт/с;

b) за технічними умовами "придатні для

використання в космосі";

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не

підлягають аналогові накопичувачі на

магнітній плівці, оснащені електронікою для

перетворення в цифровий запис високої

щільності (HDDR) та призначені для запису

тільки цифрових даних.

3.A.2.a. 4) апаратура з максимальною пропускною 8521 90 00 00

здатністю цифрового інтерфейсу понад

175 Мбіт/с, призначена для перетворення

цифрових відеомагнітофонів у пристрої запису

даних цифрової апаратури;

5) цифрові перетворювачі форми хвилі та з 8543

перехідні реєстратори, які мають усі

наведені нижче характеристики:

a) швидкість цифрового перетворення, що

дорівнює або більше ніж 200 млн. операцій

за секунду на розрядність 10 біт або

більше;

b) безперервна пропускна здатність 2 Гбіт/с

і більше

Технічна Для цих приладів з паралельною шиною

примітка. швидкість безперервної пропускної здатності

є добуток найбільшого обсягу слів на

кількість біт у слові.

Безперервна пропускна здатність - це найвища

швидкість, з якою прилад може виводити дані

в накопичувач без втрати інформації та

водночас підтримувати швидкість вимірювання

та функцію аналого-цифрового перетворення.

3.A.2.b. "Електронні збірки" "синтезаторів частоти", з 8543,

які мають "час перемикання частоти" з однієї 8570 10 90 00

на іншу менше ніж 1 мс

3.A.2.c. "Аналізатори сигналів", наведені нижче: з 8543,

1) "аналізатори сигналів", здатні 8570 10 90 00

аналізувати частоти понад 31 ГГц;

2) "динамічні аналізатори сигналів" із

"шириною смуги частот у реальному

масштабі часу" понад 500 кГц

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.c.2 контролю не

підлягають "динамічні аналізатори сигналів",

які використовують тільки фільтри із смугою

пропускання фіксованих частот (відомі також

під назвою октавних або фракційних октавних

фільтрів).

3.A.2.d. Генератори сигналів синтезаторів частот, які 8543 20 00 00

формують вихідні частоти з керуванням за

параметрами точності, короткочасної та

довгочасної стабільності, на основі або за

допомогою внутрішньої еталонної частоти і

мають одну з наведених нижче характеристик:

1) максимальна синтезована частота

понад 31 ГГц;

2) "час перемикання частоти" з однієї

заданої частоти на іншу менше ніж 1 мс;

3) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB)

краще - (126 + 20 log(10) F - 20 log(10) f)

в одиницях дБ/Гц, де F - відхилення робочої

частоти в Гц, а f - робоча частота в МГц

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не

підлягає обладнання, у якому вихідна частота

створюється шляхом додавання або віднімання

частот з двох або більше кварцових

генераторів чи шляхом додавання або

віднімання, з наступним множенням

результуючої частоти.

3.A.2.e. Мережеві аналізатори з максимальною робочою з 8543,

частотою понад 40 ГГц 8470 10 90 00

3.A.2.f. Приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, 8527 90 98 00

які мають усі наведені нижче характеристики:

1) максимальну робочу частоту понад 40 ГГц;

2) здатні одночасно вимірювати амплітуду та

фазу

3.A.2.g. Атомні еталони частоти, які мають одну з 8543 20 00 00

наведених нижче характеристик:

1) довготривала стабільність (старіння)

менше (краще) 1 х 10 (в ступ. -11)/місяць;

2) за технічними умовами "придатні для

використання в космосі"

Примітка. Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не

підлягають рубідієві еталони, не "придатні

для використання в космосі".

3.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА

3.B.1. Обладнання для виробництва

[3B001] напівпровідникових приладів або матеріалів,

наведене нижче, і спеціально створені

компоненти та оснащення для них:

3.B.1.a. Обладнання для епітаксійного вирощування,

наведене нижче, "кероване вмонтованою

програмою":

1) обладнання для епітаксійного вирощування, з 8419 89

здатне витримувати товщину епітаксійного

шару з відхиленням не більше

ніж 2,5 відсотка на відстані вздовж

пластини 75 мм або більше;

2) обладнання хімічного осадження з з 8419 89

металоорганічної парової фази (MOCVD),

спеціально розроблене для вирощування

кристалів складних напівпровідників за

допомогою хімічних реакцій між

матеріалами, зазначених у позиціях 3.C.3

або 3.C.4;

3) молекулярно-променеве обладнання 8417 80 10 00

епітаксійного вирощування, у якому

застосовані газові або твердотільні

джерела

3.B.1.b. Обладнання, "кероване вмонтованою 8456 10 10 00,

програмою", для іонної імплантації, яке має 8456 10 90 00

одну з наведених нижче характеристик:

1) енергетика пучка (прискорювальна напруга)

понад 1 МеВ;

2) спеціально спроектоване та оптимізоване

для функціонування при енергетиці пучка

(прискорювальній напрузі) менше

ніж 2 кеВ;

3) здатне до безпосереднього запису;

4) здатне до високоенергетичної імплантації

кисню в нагріту підкладку

напівпровідникового матеріалу

3.B.1.c. Обладнання, наведене нижче, для сухого з 8456 99,

травлення з використанням анізотропної 8456 91 00 00

плазми, "кероване програмою, що зберігається

в пам'яті":

1) з покасетним обробленням пластин та

завантаженням їх через завантажувальні

шлюзи, які мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) призначене або оптимізоване для

створення критичних розмірів 0,3 мкм

або менше з точністю

+(-) 5 % (3 сигма);

b) призначене для генерації менше ніж

0,04 частки/см (в ступ. 2) з

вимірюваним розміром частки більше ніж

0,1 мм у діаметрі;

2) обладнання, спеціально спроектоване для

устаткування, яке підлягає контролю за

позицією 3.B.1.e та має одну з наведених

нижче характеристик:

a) призначене або оптимізоване для

створення критичних розмірів 0,3 мкм

або менше з точністю

+(-) 5 % (3 сигма);

b) призначене для генерації менше ніж

0,04 частки/см (в ступ. 2) з

вимірюваним розміром частки більше ніж

0,1 мм у діаметрі

3.B.l.d. Обладнання, "кероване вмонтованою з 8456 99,

програмою", для хімічного осадження з 8456 91 00 00

парової фази (CDV) та плазмової стимуляції,

наведене нижче:

1) з покасетним обробленням пластин і

подачею їх через завантажувальні шлюзи,

які мають одну з наведених нижче

характеристик:

a) призначене відповідно до технічних

умов виробника або оптимізоване для

створення критичних розмірів 0,3 мкм

або менше з точністю

+(-) 5% (3 сигма);

b) призначене для генерації менше ніж

0,04 частки/см (в ступ. 2) з

вимірюваним розміром частки більше ніж

0,1 мм у діаметрі;

2) обладнання, що спроектоване для

апаратури, яке підлягає контролю згідно з

позицією 3.B.1.e та має будь-яку з

наведених нижче характеристик:

a) призначене відповідно до технічних

умов виробника або оптимізоване для

створення критичних розмірів 0,3 мкм

або менше з точністю

+(-) 5% (3 сигма);

b) призначене для генерації менше ніж

0,04 частки/см (в ступ. 2) з

вимірюваним розміром частки більше ніж

0,1 мм у діаметрі

3.B.1.e. Багатокамерний центр оброблення 8456 10 10 00,

напівпровідникових пластин з автоматичним 8456 10 90 00,

завантаженням, "керований вмонтованою з 8456 99,

програмою", який має усі наведені нижче 8456 91 00 00

характеристики:

1) інтерфейси для завантаження та

вивантаження пластин, до яких повинно

бути приєднано понад два пристрої

технологічного оброблення

напівпровідників;

2) призначений для комплексної системи

послідовного багатопозиційного оброблення

пластин у вакуумі

Примітка. Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не

підлягають автоматичні робототехнічні

системи завантаження пластин, не призначених

для роботи у вакуумі.

3.B.1.f. Обладнання літографії, "кероване вмонтованою 9009 22 90 00

програмою", наведене нижче:

1) обладнання багаторазового суміщення та

експонування (безпосередньо на підкладці)

або обладнання із крокового сканування

для оброблення пластин методами

фотооптичної або рентгенівської

літографії, яке має будь-яку з наведених

нижче характеристик:

a) наявність джерела освітлення з

довжиною хвилі коротшою ніж 350 нм;

b) спроможність виробляти зразки з

мінімальним визначеним типовим

розміром 0,35 мкм або менше;

Технічна Мінімальний визначений типовий розмір можна

примітка. розрахувати за формулою:

(довжина хвилі випромінювання світла в мк) х (K фактор)

MRF= ---------------------------------------------------------

цифрова апертура

де K фактор = 0,7, a MRF - мінімальний

визначений типовий розмір.

3.B.l.f. 2) обладнання, спеціально призначене для

виробництва шаблонів або оброблення

напівпровідникових приладів з

використанням сфокусованого електронного

пучка, що відхиляється, іонного пучка або

"лазерного" пучка, які мають будь-яку з

наведених нижче характеристик:

a) розмір плями менше ніж 0,2 мкм;

b) здатність виробляти малюнок з

мінімальними дозволеними проектними

нормами менше ніж 1 мкм;

c) точність суміщення краще +(-) 0,2 мкм

(3 сигма)

3.B.l.g. Шаблони (маски) або фотошаблони для 9010 90 10 00,

інтегральних схем, що підлягають контролю 9010 90 90 00

згідно з позицією 3.A.1

3.B.l.h. Багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним 9010 90 10 00,

шаром. 9010 90 90 00

3.B.2. Обладнання для випробувань, "кероване 9031 80 39 10,

[3B002] вмонтованою програмою", спеціально 9031 80 39 90

призначене для випробувань готових

(оброблених) або напівфабрикатних

(необроблених) напівпровідникових приладів,

наведене нижче, і спеціально створені

компоненти та аксесуари до нього:

3.B.2.a. Для вимірювання S-параметрів транзисторних

приладів на частотах понад 31 ГГц

3.B.2.b. Для випробувань інтегральних мікросхем та їх

збірок, здатне виконувати функціональне

тестування (за таблицями істинності) з

частотою тестування рядків понад 333 МГц

Примітка. Згідно з позицією 3.B.2.b контролю не

підлягає апаратура, спеціально призначена

для випробувань:

1) "електронних збірок" або класу

"електронних збірок" для побутової або

ігрової електронної апаратури;

2) електронних компонентів, "електронних

збірок" або інтегральних схем, які не

підлягають експортному контролю;

3) запам'ятовуючі пристрої.

Технічна Для цілей цієї позиції частота тестування

примітка. рядків дорівнює максимальній частоті

цифрового режиму випробувального стенду.

Тому вона є еквівалентом найвищої швидкості

передачі даних, яку може забезпечити стенд у

немультиплексному режимі. Її також називають

швидкістю тестування, максимальною цифровою

частотою або максимальною цифровою

швидкістю.

3.B.2.c. Для випробувань мікрохвильових інтегральних

схем, що контролюються згідно з позицією

3.A.1.b.2.

3.C. МАТЕРІАЛИ

3.C.1 Гетероепітаксійні матеріали, які складаються 3818 00 90 00

[3C001] з підкладки та кількох послідовно нанесених

епітаксійних шарів, які мають будь-яку з

наведених нижче складових:

а) кремній;

b) германій;

c) карбід кремнію;

d) сполуки III/V на основі галію або індію.

Технічна Сполуки III/V - це полікристалічні, подвійні

примітка. або складні монокристалічні продукти,

складені з елементів ПIA (A3) та VA (B5)

груп періодичної системи елементів

Менделєєва (наприклад, арсенід галію,

арсенід галію-алюмінію, фосфід індію тощо).

3.C.2. Матеріали резистів і підкладки, наведені

[3C002] нижче, покриті резистами, що підлягають

контролю:

3.C.2.a. Позитивні резисти, призначені для 8541 40 99 00

напівпровідникової літографії, спеціально

пристосовані для використання з довжиною

хвилі менше ніж 350 нм

3.C.2.b. Усі резисти, призначені для використання під 8541 40 99 00

час експонування електронними та

іонними пучками, з чутливістю

0,01 мкКл/мм (в ступ. 2) або краще

3.C.2.c. Усі резисти, призначені для використання під 8541 40 99 00

час експонування рентгенівськими променями,

з чутливістю 2,5 мДж/мм (в ступ. 2) або

краще

3.C.2.d. Усі резисти, оптимізовані під технології 8541 40 99 00

формування малюнка, уключаючи силіційовані

резисти

Технічна Методи силіціювання - це процеси, які

примітка. включають оксидування поверхні резисту для

підвищення якості мокрого та сухого

проявлення.

3.C.3. Органо-неорганічні сполуки, наведені нижче:

[3C003]

3.C.3.a. Металоорганічні сполуки на основі алюмінію, з 2931 00 95,

галію або індію, які мають чистоту металевої 2931 00 95 00

основи понад 99,999 відсотка

3.C.3.b. Органо-миш'яковисті, органо-сурм'янисті та з 2931 00 95

органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту

основи неорганічного елемента понад 99,999

відсотка

Примітка. Згідно з позицією 3.C.3 підлягають контролю

тільки ті сполуки, металеві, частково

металеві або неметалеві елементи яких

безпосередньо пов'язані з вуглецем

органічної частки молекули.

3.C.4. Гідриди фосфору, миш'яку або сурми, які 2848 00 00 00,

[3C004] мають чистоту понад 99,999 відсотка навіть 2850 00 10 00

після розведення інертними газами або воднем

Примітка. Згідно з позицією 3.C.4 контролю не

підлягають гідриди, що містять 20 відсотків

або більше молей інертних газів чи водню.

3.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

3.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[3D001] створене для "розроблення" або "виробництва"

обладнання, що підлягає контролю згідно з

позиціями 3.A.1.b - 3.A.1.g або 3.B

3.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[3D002] створене для "використання" в обладнанні,

"керованому вмонтованою програмою", що

підлягає контролю згідно з позицією 3.B

3.D.3. "Програмне забезпечення" для систем з 8524

[3D003] автоматизованого проектування (CAD), що має

усі наведені нижче характеристики:

3.D.3.a. Призначене для "розроблення"

напівпровідникових пристроїв або

інтегральних схем

3.D.3.b. Призначене для виконання або використання

будь-чого з наведеного нижче:

1) правил проектування або правил перевірки

(верифікації) схем;

2) моделювання схем за їх фізичною

топологією;

3) імітаторів літографічних процесів для

проектування

Технічна Імітатор літографічних процесів - це пакет

примітка. "програмного забезпечення", який

використовується на етапі проектування для

визначення послідовності операцій

літографії, травлення та осадження з метою

втілення маскувальних шаблонів у конкретні

топологічні малюнки провідників,

діелектриків або напівпровідникового

матеріалу.

Примітки.

1. Згідно з позицією 3.D.3 контролю не

підлягає "програмне забезпечення",

спеціально створене для опису принципових

схем, логічного моделювання, розкладення

або маршрутизації, перевірки топології

або розмноження шаблонів.

2. Бібліотеки, проектні атрибути або супутні

дані для проектування напівпровідникових

приладів або інтегральних схем

розглядаються як "технологія".

3.E. ТЕХНОЛОГІЯ

3.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705,

[3E001] загальних приміток для "розроблення" або 3706, 8524,

"виробництва" обладнання чи матеріалів, що 4901 99 00 00,

підлягають контролю згідно з позиціями 3.A, 4906 00 00 00

3.B або 3.C

3.E.2. "Технологія" відповідно до пункту 3

[3E002] загальних приміток інша, ніж та, що

контролюється згідно з позицією 3.E.1 для

"розроблення" або "виробництва" "мікросхем

мікропроцесорів", "мікросхем

мікрокомп'ютерів" та мікросхем

мікроконтролерів, що мають "сукупну

теоретичну продуктивність" ("CTP"), яка

дорівнює 530 мільйонам теоретичних операцій

за секунду (мегатопсів) або більше, а також

арифметично-логічний пристрій з шириною

доступу 32 біта або більше

Примітка. Згідно з позиціями 3.E.1 та 3.E.2 контролю

не підлягає "технологія" для "розроблення"

або "виробництва":

a) мікрохвильових транзисторів, що працюють

на частотах нижче ніж 31 ГГц;

b) інтегральних схем, що підлягають контролю

згідно з позиціями 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12

і мають усі наведені нижче

характеристики:

1) використовують "технології" 0,5 мкм

або вище;

2) не містять багатошарових структур.

Технічна Термін "багатошарові структури" у підпункті

примітка. b.2 примітки не включає прилади, які містять

максимум два шари металу та два шари

полікремнію.

3.E.3. Інші "технології" для "розроблення" або з 3705,

[3E003] "виробництва": 3706, 8524,

4901 99 00 00,

4906 00 00 00

3.E.3.a. Вакуумних мікроелектронних приладів

3.E.3.b. Напівпровідникових приладів на

гетероструктурах таких, як транзистори з

високою рухомістю електронів (HEMT),

біполярні транзистори на гетероструктурі

(HBT), приладів з квантовими ямами або

приладів на надрешітках

3.E.3.c. "Надпровідних" електронних приладів

3.E.3.d. Підкладки плівок алмазу для електронних

компонентів

3.E.3.e. Підкладки, що мають структуру типу

"кремній-на-діелектрику" (SOI) для

інтегральних схем, у яких ізолятором є

двоокис кремнію

3.E.3.f. Кремній-вуглецеві підкладки для компонентів

електронних схем.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 4. КОМП'ЮТЕРИ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТ ЗЕД

----------------------------------------------------------------------

4. КОМП'ЮТЕРИ

Примітки. 1. Комп'ютери, супутнє обладнання та

"програмне забезпечення", що

використовуються в мережах зв'язку або в

"локальних мережах", підлягають контролю

з урахуванням критеріїв, зазначених у

частині 1 розділу 5 (Зв'язок).

2. Блоки управління, які безпосередньо через

магістралі або канали з'єднуються з

блоками центральних процесорів,

"оперативна пам'ять" або контролери

дисків не розглядаються як

телекомунікаційне обладнання, зазначене в

частині 1 розділу 5 (Зв'язок).

Особлива Статус контролю "програмного забезпечення",

примітка. спеціально призначеного для комутації

пакетів, визначається з урахуванням

критеріїв, зазначених у позиції 5.D.1

частини 1 розділу 5 (Зв'язок).

3. Комп'ютери, супутнє обладнання та

"програмне забезпечення", що виконують

функції криптографії, криптоаналізу або

інших видів захисту інформації у мережах

зв'язку або в обчислювальних мережах, або

такі, що обмежують електромагнітну

сумісність (EMC), підлягають контролю з

урахуванням критеріїв, зазначених у

частині 2 розділу 5 (Захист інформації).

4.A. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ

4.A.1. Електронні комп'ютери і супутнє обладнання, з 8471

[4A001] наведені нижче, та "електронні збірки" і

спеціально призначені для них компоненти:

4.A.1.a. Спеціально призначені і мають будь-яку з

наведених нижче характеристик:

1) розраховані для функціонування при

температурі навколишнього середовища

нижче 228 K (-45 град. C) або понад 358 K

(85 град. C);

Примітка. Згідно з позицією 4.A.1.a.1 контролю не

підлягають комп'ютери, спеціально призначені

для використання в цивільних автомобілях або

поїздах.

2) стійкі до радіації з параметрами, вищими

ніж будь-який з наведених нижче:

a) загальна доза - 5 х 10 (в ступ. 5) рад

(Si);

b) доза випромінювання, що викликає

збій - 5 х 10 (в ступ. 8) рад (Si)/c;

c) одиничний збій - 1 х 10 (в ступ. -7)

похибка/біт/день

4.A.1.b. Мають характеристики або виконують функції,

які перевищують межі, зазначені у частині 2

розділу 5 (Захист інформації)

Примітка. Згідно з позицією 4.A.1.b не підлягають

контролю електронні комп'ютери та пов'язане

з ними обладнання, коли вони супроводжують

їх користувача для персонального

використання користувачем.

4.A.2. "Гібридні комп'ютери", наведені нижче, 8471 10 10 00

[4A002] "електронні збірки" та спеціально призначені

для них компоненти:

4.A.2.a. Що містять "цифрові комп'ютери", які

підлягають контролю згідно з позицією 4.A.3

4.A.2.b. Що містять аналого-цифрові перетворювачі,

які мають усі наведені нижче характеристики:

1) 32 канали або більше;

2) роздільна здатність 14 біт (плюс знаковий

біт) або більше із швидкістю 200000

перетворень за секунду або більше

4.A.3. "Цифрові комп'ютери", "електронні збірки" і

[4A003] супутнє обладнання до них, наведене нижче,

та спеціально призначені для них компоненти:

Примітки. 1. Позиція 4.A.3 включає наведене нижче:

a) векторні процесори;

b) матричні процесори;

c) процесори цифрових сигналів;

d) логічні процесори;

e) обладнання для "поліпшення якості

зображення";

f) обладнання для "оброблення сигналу".

2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" та

супутнього обладнання до них, описаного у

позиції 4.A.3, визначається на підставі

статусу контролю згідно з іншими

системами або обладнанням, якщо:

a) "цифрові комп'ютери" або супутнє

обладнання до них мають істотне

значення для роботи іншого обладнання

або систем;

b) "цифрові комп'ютери" або супутнє

обладнання до них, яке не є "основним

елементом" інших систем або

обладнання;

та

Особливі 1) Статус контролю за обладнанням,

примітки. спеціально призначеним для "оброблення

сигналу" або "поліпшення якості

зображення" або спеціально призначеним

для іншого обладнання з функціями,

обмеженими функціональним призначенням

іншого обладнання, визначається статусом

контролю іншого обладнання, навіть якщо

воно перевищує критерій "основного

елемента".

2) Статус контролю "цифрових комп'ютерів"

або супутнього обладнання для

телекомунікаційних систем визначається з

урахуванням критеріїв, зазначених у

частині 1 розділу 5 (Зв'язок).

c) "технологія" для "цифрових

комп'ютерів" та супутнього обладнання,

що належить до них, регулюється

позицією 4.E.

4.A.3.a. Призначені або модифіковані для забезпечення з 8471 30,

"відмовостійкості" 8471 41 10 00

Примітка. Стосовно позиції 4.A.3.a "цифрові

комп'ютери" та супутнє обладнання не

вважаються призначеними або модифікованими

для забезпечення "відмовостійкості", якщо в

них використовується будь-що з наведеного

нижче:

1) алгоритми виявлення або виправлення

помилок, які зберігаються в "оперативній

пам'яті";

2) взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів"

такий, що у разі відмови активного

центрального процесора очікувальний

процесор (який одночасно стежить за діями

центрального процесора) може забезпечити

продовження функціонування системи;

3) взаємозв'язок двох центральних процесорів

через канали передачі даних або з

використанням пам'яті загального

призначення такий, що забезпечує

можливість одному з них виконувати іншу

роботу, поки другий не відмовить, тоді

перший центральний процесор бере його

роботу на себе, щоб продовжити

функціонування системи;

4) синхронізація двох центральних

процесорів, виконана через "програмне

забезпечення" таким чином, що перший

центральний процесор розпізнає, коли

відмовляє другий центральний процесор, і

бере на себе виконання його завдання.

4.A.3.b. "Цифрові комп'ютери", які мають "сукупну з 8471 30,

теоретичну продуктивність" ("CTP") понад 8471 41 10 00

28000 Мегатопсів

4.A.3.c. "Електронні збірки", спеціально призначені з 8471 30

або модифіковані для підвищення

продуктивності "обчислювальних елементів"

шляхом об'єднання "обчислювальних елементів"

таким чином, що "сукупна теоретична

продуктивність" перевищує межу, зазначену в

позиції 4.A.3.b

Примітки. 1. Згідно з позицією 4.A.3.c підлягають

контролю лише "електронні збірки" та

запрограмовані взаємозв'язки, які не

перевищують меж, зазначених у позиції

4.A.3.b, у разі постачання їх у вигляді

необ'єднаних "електронних збірок".

Контролю не підлягають "електронні

збірки", які за своєю конструкцією

придатні тільки для використання як

супутнє обладнання, яке підлягає контролю

згідно з позицією 4.A.3.d або 4.A.3.e.

2. Згідно з позицією 4.A.3.c контролю не

підлягають "електронні збірки",

спеціально призначені для виробу або

цілого ряду виробів, які у своїй

максимальній конфігурації не перевищують

межу, зазначену в позиції 4.A.3.b.

4.A.3.d. Графічні акселератори або графічні з 8471 30,

співпроцесори, у яких швидкість обчислення 8543 85 95 00

"інтенсивності тривимірних векторів" понад

200 000 000

4.A.3.e. Обладнання, що здійснює аналого-цифрові з 8542

перетворення, які перевищують межі,

зазначені в позиції 3.A.1.a.5

4.A.3.f. Позицію виключено

4.A.3.g. Обладнання, спеціально призначене для 8525 20 91 00,

забезпечення зовнішнього міжсистемного 8525 20 99 00,

зв'язку "цифрових комп'ютерів" або 8543 85 95 00

супутнього обладнання, що дає змогу

здійснити зв'язок із швидкістю передачі

даних понад 1,25 Гбайт/с.

Примітка. Згідно з позицією 4.A.3.g контролю не

підлягає обладнання внутрішнього з'єднання

(наприклад, плати, шини тощо), обладнання

пасивного з'єднання, "контролери доступу до

мережі" або "контролери каналів зв'язку ".

4.A.4. Комп'ютери, наведені нижче, і спеціально з 8471

[4A004] призначене супутнє обладнання до них,

"електронні збірки" та компоненти для них:

4.A.4.a. "Комп'ютери із систолічною матрицею"

4.A.4.b. "Нейронні комп'ютери"

4.A.4.c. "Оптичні комп'ютери"

4.B. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА - відсутнє

4.C. МАТЕРІАЛИ - відсутні

4.D. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

Примітка. Статус контролю за "програмним

забезпеченням" для "розроблення",

"виробництва" або "використання" обладнання,

описаного в інших розділах, визначається

відповідним розділом.

Статус контролю "програмного забезпечення"

для обладнання, описаного в цьому розділі,

пов'язаний з наведеним нижче.

4.D.1. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[4D001] призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання або "програмного

забезпечення", зазначеного в позиціях 4.A

або 4.D

4.D.2. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[4D002] призначене або модифіковане для підтримки

"технології", зазначеної в позиції 4.E

4.D.3. Спеціальне "програмне забезпечення", з 8524

[4D003] наведене нижче:

4.D.3.a. "Програмне забезпечення" операційної

системи, інструментарій для розроблення

"програмного забезпечення", а також

компілятори, спеціально призначені для

обладнання "багатопотокового оброблення

даних" у "початкових кодах"

4.D.3.b. Позицію виключено

4.D.3.c. "Програмне забезпечення", яке має

характеристики або виконує функції, які

перевищують межі, установлені в частині 2

розділу 5 (Захист інформації)

Примітка. Згідно з позицією 4.D.3.c контролю не

підлягає "програмне забезпечення", коли воно

супроводжує свого користувача для

персонального використання користувачем.

4.D.3.d. Операційні системи, спеціально призначені

для обладнання оброблення "в реальному

масштабі часу", які гарантують "час

латентності глобального переривання" менше

ніж 20 мкс

4.E. ТЕХНОЛОГІЯ

4.E.1. "Технологія" відповідно до пункту 3 з 3705, 3706,

[4E001] загальних приміток для "розроблення", з 8524,

"виробництва" або "використання" обладнання 4901 99 00 00,

або "програмного забезпечення", що 4906 00 00 00

підлягають контролю згідно з позиціями 4.A

або 4.D

Примітка. Код технології згідно з УКТ ЗЕД визначається

кодом носія, на якому вона передається.

Технічна примітка

щодо обчислення "сукупної теоретичної продуктивності"

Скорочення, що вживаються в цій технічній примітці

"ОЕ" - "обчислювальний елемент" (типовий арифметично-логічний

пристрій);

ПК - плаваюча кома;

ФК - фіксована кома;

t - час виконання операції;

XOR - операція заперечення еквівалентності;

ЦП - центральний процесор;

ТП - теоретична продуктивність (одного "ОЕ");

"СТП" - "сукупна теоретична продуктивність" (усіх

"обчислювальних елементів");

R - ефективна швидкість обчислень;

ДС - довжина слова (кількість бітів);

L - коригування довжини слова (біта);

АЛП - арифметично-логічний пристрій;

х - знак множення.

Час вирішення "t" вимірюється в мікросекундах, ТП і "СТП" - у

мільйонах теоретичних операцій за секунду (мегатопсах), ДС - у

бітах.

Основний метод обчислення "СТП"

"СТП" - це вимір обчислювальної продуктивності в мегатопсах.

Для обчислення "СТП" конфігурації "обчислювальних елементів"

необхідно:

1) визначити ефективну швидкість обчислень (R)

"обчислювальних елементів";

2) виконати коригування на довжину слова (L) для цієї

швидкості (R) і в результаті отримати теоретичну продуктивність

(ТП) для кожного "ОЕ";

3) об'єднати ТП і одержати сумарну "СТП" для даної

конфігурації, що має понад один "ОЕ".

Докладний опис цих процедур наведено нижче.

Примітки. 1. Для об'єднання в підсистеми "обчислювальних

елементів", що мають загальну пам'ять та пам'ять

кожної підсистеми, обчислення "СТП" проводиться в два

етапи: спочатку "обчислювальні елементи" із загальною

пам'яттю об'єднуються в групи, а потім,

використовуючи запропонований метод, обчислюється

"СТП" груп для всіх "обчислювальних елементів", що не

мають загальної пам'яті.

2. "Обчислювальні елементи", швидкість дії яких обмежена

швидкістю роботи пристрою введення та виведення даних

і периферійних функціональних блоків (наприклад,

дисковода, контролерів системи передачі та дисплея),

не об'єднуються під час обчислення "СТП".

У таблиці демонструється метод обчислення R для кожного "ОЕ":

Етап 1: Ефективна швидкість обчислень

Для "обчислювальних елементів", Ефективна швидкість обчислень, R

що реалізують:

Примітка. Кожний "ОЕ" повинен

оцінюватися

самостійно.

Лише ФК 1

----------------------,

3 х t (ФК додавання)

якщо операції додавання немає,

то через множення:

1

---------------------,

t (ФК множення)

(R (ФК) якщо немає ні операції

додавання, ні операції множення,

R(ФК) обчислюється через

найшвидшу арифметичну операцію,

якою є:

1

------------------

3 х t (ФК)

(див. примітки X та Z)

Лише ПК 1

max -----------------,

t (ПК додавання)

1

---------------

t (ПК множення)

(R (ПК) (див. примітки X та Y)

ФК та ПК обчислюється як R(ФК),

так і R(ПК)

(R)

1

-----------,

3 х t(log)

Для простих логічних процесорів, де t(log) - це час виконання

що не виконують зазначені "операції заперечення

арифметичні операції еквівалентності", а якщо її

немає, враховується найшвидша

проста логічна операція.

(див. примітки X та Z)

Для спеціалізованих логічних R = R" х ДС/64,

процесорів, що не виконують де R" - кількість результатів за

зазначені арифметичні та логічні секунду, ДС - число бітів, над

операції якими виконується логічна

операція, а 64 - коефіцієнт, що

нормалізує під 64-розрядну

операцію

Примітка W. Після повного виконання конвеєрного оброблення даних у

кожному машинному циклі може бути визначена швидкість

оброблення "ОЕ", здатного виконувати одну арифметичну

або логічну операцію. Для таких "обчислювальних

елементів" у разі використання конвеєрного оброблення

даних ефективна швидкість обчислень (R) вища, ніж без

її використання.

Примітка X. Для "ОЕ", який виконує багаторазові арифметичні

операції за один цикл (наприклад, два додавання за

цикл або дві ідентичні логічні операції за цикл), час

обчислення t визначається за формулою:

час циклу

t = -------------------------------------------------.

кількість арифметичних операцій у циклі

"Обчислювальні елементи", що виконують різні типи

арифметично-логічних операцій в одному машинному

циклі, повинні розглядатися, як множина роздільних

"обчислювальних елементів", що працюють одночасно

(наприклад, "ОЕ", що виконує в одному циклі операції

додавання та множення, повинен розглядатися як два

"обчислювальних елементи", один з яких виконує

додавання за один цикл, а другий - множення за один

цикл).

Якщо в одному "ОЕ" реалізуються як скалярні, так і

векторні функції, то використовують значення

найкоротшого часу виконання.

Примітка Y. Якщо в "ОЕ" не реалізується ні додавання ПК, ні

множення ПК, а виконується ділення ПК, то

1

R(ПК) = -----------------------------.

t (ПК ділення)

Якщо в "ОЕ" реалізується обернена величина "ОЕ", але

не додавання ПК, не множення ПК або не ділення ПК,

тоді

1

R(ПК) = -----------------------------.

t (ПК оберненої величини)

Якщо немає і ділення, то виконується еквівалентна

операція. Якщо жодна із зазначених команд не

використовується, то R(ПК) = 0

Примітка Z. Проста логічна операція - операція, у якій в одній

команді виконується одна логічна дія не більше ніж над

двома операндами заданої довжини.

Складна логічна операція - операція, у якій в одній

команді виконуються багаторазові логічні дії над двома

або більше операндами та видається один або кілька

результатів.

Швидкість обчислень розраховується для всіх

апаратно-підтримуваних довжин операндів, при цьому

розглядаються обидві послідовні операції (якщо

підтримуються) та непослідовні операції, що

використовують найкоротші операції для кожної довжини

операнда, з урахуванням:

1) послідовних операцій або операції регістр-регістр.

Виключаються надзвичайно короткі операції, що

генеруються для операції на заздалегідь визначеному

операнді або операндах (наприклад, множення на 0

або 1). Якщо операцій типу регістр-регістр немає,

то слід керуватися пунктом 2;

2) найшвидшої операції регістр-пам'ять або

пам'ять - регістр. Якщо немає і таких, то слід

керуватися пунктом 3;

3) операції пам'ять - пам'ять.

У будь-якому випадку використовуйте найкоротші операції,

зазначені виробником у паспортних даних.

Етап 2: ТП для кожної довжини операнда ДС, що підтримується

Перерахуйте ефективну швидкість обчислень R (або R") з

урахуванням коригування довжини слова L, як наведено нижче:

ТП = R х L,

де L = (1/3 + ДС/96)

Примітка. Довжина слова (ДС), що використовується в цих

розрахунках, - це довжина операнда в бітах. (Якщо в

операції задіяні операнди різної довжини, то

користуйтеся максимальною ДС).

Комбінація мантиси АЛП та експоненти АЛП у процесорі з

плаваючою крапкою або функціональному пристрої

вважається одним "ОЕ" з ДС, що дорівнює кількості бітів

у представленні даних (32 або 64 розряди) під час

обчислення "СТП".

Це перелічення не застосовується до спеціалізованих логічних

процесорів, у яких "операція заперечення еквівалентності" не

використовується. У цьому випадку ТП = R.

Вибір максимального результуючого значення ТП для кожного:

"ОЕ", що використовує лише ФК (R(ФК);

"ОЕ", що використовує лише ПК (R(ПК);

"ОЕ", що використовує комбінацію ПК та ФК ОЕ (R);

простого логічного процесора, що не виконує жодної із

зазначених арифметичних операцій, та

спеціального логічного процесора, що не виконує жодної із

зазначених арифметичних або логічних операцій.

Етап 3: Розрахунок "СТП" для конфігурацій "обчислювальних

елементів", включаючи ЦП

Для ЦП з одним "ОЕ" - "СТП" = ТП (для "обчислювальних

елементів", що виконують операції як з ФК, так і з ПК, ТП = max

(ТП(ФК), ТП(ПК).

Для конфігурацій усіх "обчислювальних елементів", що працюють

одночасно, "СТП" обчислюється так:

Примітки. 1. Для конфігурацій, у яких усі "обчислювальні елементи"

одночасно не працюють, з можливих конфігурацій

"обчислювальних елементів" обирається конфігурація з

найбільшою "СТП". Значення ТП для кожного "ОЕ"

можливої конфігурації, що використовується для

підрахунку "СТП", обирається як максимально можливе

теоретичне значення.

Особлива Можливі конфігурації, у яких "обчислювальні елементи"

примітка. працюють одночасно, визначаються за результатами

роботи всіх "обчислювальних елементів", починаючи із

самого повільного "ОЕ" (він потребує більшої

кількості циклів для завершення операцій) та

закінчуючи найшвидшим "ОЕ". Конфігурація

"обчислювальних елементів", яка встановлюється

протягом обчислювального циклу, є можливою

конфігурацією.

Під час визначення результату повинні братися до

уваги всі технічні засоби та (або) схема обмеження

цілісності операцій, що перекриваються.

2. Один кристал інтегральної схеми або одна друкована

плата може вміщувати множину "обчислювальних

елементів".

3. Виробник обчислювальної системи в інструкції або

брошурі з експлуатації цієї системи оголошує про

наявність суміщених, паралельних або одночасних

операцій або дій.

4. Значення "СТП" не додається для конфігурацій "ОЕ",

взаємно пов'язаних у "локальні мережі", обчислювальні

мережі, об'єднані пристроями та контролерами

введення-виведення та будь-якими іншими

взаємопов'язаними системами передачі, реалізованими

програмними засобами.

5. Значення "СТП" повинні додаватися для множин

"обчислювальних елементів", спеціально призначених

для підвищення їх характеристик за рахунок об'єднання

"обчислювальних елементів", їх одночасної роботи із

загальною або колективною пам'яттю, у разі об'єднання

"обчислювальних елементів" в єдину конфігурацію

шляхом використання спеціально призначених технічних

засобів.

Це не стосується "електронних збірок", описаних у

позиції 4.A.3.d

"СТП" = ТП(1) + С(2) х ТП(2) + ... + С(n) х ТП(n),

де ТП(i) - теоретична продуктивність "обчислювальних

елементів, упорядкована відповідно до їх значень,

починаючи з ТП(1), що має найбільше значення, далі

ТП(2) і, нарешті, ТП(n), що має найменше

значення; i = 1, ..., n.

С(i) - коефіцієнт, що визначається силою

взаємозв'язків між "обчислювальними елементами";

i = 2, ..., n.

У разі множини "обчислювальних елементів", що працюють

одночасно та мають загальну пам'ять:

С(2) = С(3) = С(4) = ... = С(n) = 0,75.

Примітки. 1. Якщо "СТП" обчислена зазначеним методом і значення її

не перевищує 194 Мегатопсів, то С(i) може бути визначено

так:

0,75

С(i) = -------, (i = 22, ..., n),

Кк m

де Кк - корінь квадратний;

m - кількість "обчислювальних елементів" або груп

"обчислювальних елементів" загального доступу.

Умови:

1) ТП(i) кожного "ОЕ" або групи "обчислювальних

елементів" не перевищує 30 Мегатопсів;

2) загальний доступ "обчислювальних елементів" або групи

"обчислювальних елементів" до основної пам'яті

(виключаючи кеш-пам'ять) здійснюється загальним

каналом;

та

3) лише один "ОЕ" або група "обчислювальних елементів"

може використовувати канал у будь-який заданий час.

Особлива Зазначене вище не стосується товарів, що підлягають

примітка. контролю згідно з розділом 3.

2. Вважається, що "обчислювальні елементи" мають

загальну пам'ять, якщо вони адресуються до загального

блока твердотільної пам'яті. Ця пам'ять може включати

кеш-пам'ять, оперативну пам'ять або іншу внутрішню

пам'ять. Зовнішня пам'ять типу дисководів,

стрічкопротягувачів або дисків з довільним доступом

сюди не входить.

Для складних "обчислювальних елементів" або груп

"обчислювальних елементів", що не мають загальної пам'яті і

пов'язані одним або більше каналами передачі даних:

С(i) = 0,75 х k(i), якщо i = 2, ..., 32 (див. примітку нижче)

С(i) = 0,60 х k(i), якщо i = 33, ..., 64

С(i) = 0,45 х k(i), якщо i = 65, ..., 256

С(i) = 0,30 х k(i), якщо i більше 256),

де k(i) - min (S(i)/K(r), 1);

К(r) - нормалізуючий фактор, що дорівнює 20 Мбайт/с;

S(i) - сума максимальних швидкостей передавання даних (у

Мбайт/с) для всіх інформаційних каналів, які пов'язують i-й "ОЕ"

або групу "обчислювальних елементів", що мають загальну пам'ять.

Рівень С(i) базується на номері "ОЕ", але не на номері вузла.

Якщо обчислюється С(i) для групи "обчислювальних елементів",

то номер першого "ОЕ" в групі визначає власну межу для С(i).

Наприклад, у конфігурації груп, що складаються з трьох

"обчислювальних елементів", кожна 22-а група буде містити

"ОЕ"(64), "ОЕ"(65), "ОЕ"(66). Власна межа для С(i) для цих груп

дорівнює 0,60.

Конфігурація "обчислювальних елементів" або груп

"обчислювальних елементів" може бути визначена від найшвидшого до

найповільнішого, тобто:

ТП(1) (> або =) ТП(2) (> або =)...(> або =) ТП(n) та коли

ТП(i) = ТП(i+1), то від найбільшого до найменшого, тобто:

С(i) (> або =) С(i+1).

Примітка. k(i) - фактор не стосується "обчислювальних елементів"

від 2 до 12, якщо ТП(i), СЕ або групи "обчислювальних

елементів" понад 50 Мегатопсів, тобто С(i) для

"обчислювальних елементів" від 2 до 12 дорівнює 0,75.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 1. ЗВ'ЯЗОК

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТ ЗЕД

----------------------------------------------------------------------

5. Частина 1. ЗВ'ЯЗОК

Примітки. 1. У цьому розділі визначається статус

контролю за компонентами, "лазерами",

випробувальним та "виробничим"

обладнанням, "програмним забезпеченням",

спеціально призначеними для використання

в системах та обладнанні зв'язку.

2. "Цифрові комп'ютери", супутнє обладнання

або "програмне забезпечення", яке є

суттєвим для використання і підтримки

засобів зв'язку, зазначених у цьому

розділі, розглядаються як спеціально

призначені компоненти за умови, що вони є

стандартними моделями, які звичайно

постачаються виробником. Це включає

розроблення, управління, використання або

рекламу комп'ютерних засобів або систем.

5.A.1. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

5.A.1.a. Обладнання зв'язку будь-якого типу, що має з 8517

[5A001] будь-яку з наведених нижче характеристик, з 8525

властивостей або функцій: з 8527

1) спеціально призначене для захисту від з 8543

тимчасового електронного ефекту або

електромагнітного імпульсу, що виникають

під час ядерного вибуху;

2) спеціально розроблене з підвищеною

стійкістю до гамма-, нейтронного або

іонного випромінювання;

3) спеціально призначені для функціонування

за межами інтервалу температур від 218 K

(-55 град. C) до 397 K (124 град. C)

Примітки. 1. Згідно з позицією 5.A.1.a.3 підлягає

контролю лише електронне обладнання.

2. Згідно з позиціями 5.A.1.a.2 та 5.A.1.a.3

контролю не підлягає обладнання,

призначене або модифіковане для

використання на супутниках зв'язку.

5.A.1.b. Системи та обладнання зв'язку і спеціально з 8517

призначені компоненти та супутнє обладнання, з 8525

що мають будь-яку з наведених нижче з 8527

характеристик, функцій або особливостей: з 8543

1) системи підводного зв'язку, які мають

будь-яку з наведених нижче характеристик:

a) акустична несуча частота знаходиться 8518 50 90 00

за межами діапазону від 20 кГц

до 60 кГц;

b) з використанням електромагнітної 8525 20 91 00,

несучої частоти менше ніж 30 кГц; 8525 20 99 00

c) з використанням пристроїв керування 8525 20 91 00,

електронним випромінюванням; 8525 20 99 00

5.A.1.b. 2) радіоапаратура, яка функціонує в 8525 20 91 00,

діапазоні частот від 1,5 МГц до 87,5 МГц 8525 20 99 00,

і має будь-яку з наведених нижче з 8543 89,

характеристик:

а) наявність адаптивних пристроїв, що 8470 10 90 00

забезпечують приглушення сигналу

перешкод більше ніж на 15 дБ;

b) має все, наведене нижче:

1) автоматичне прогнозування та вибір

значень частот для оптимізації

"загальної швидкості цифрової

передачі";

2) наявність лінійного підсилювача 8525 10 90 00,

потужності, здатного одночасно 8525 20 91 00,

підтримувати множину сигналів з 8525 20 99 00

вихідною потужністю 1 кВт або

більше в частотному діапазоні від

1,5 МГц до 30 МГц або 250 Вт або

більше в частотному діапазоні від

30 МГц до 87,5 МГц, при "смузі

пропускання" одна октава або більше

і з вмістом гармонік та

спотворювань на виході краще ніж -

80 дБ;

3) радіоапаратура, яка використовує методи

"розширення спектра" (шумоподібні

сигнали) або методи "стрибкоподібного

переналагодження частоти"

(стрибкоподібної перебудови частоти) і

має будь-що з наведеного нижче:

a) наявність кодів розширення, що мають 8525 20 91 00,

можливість програмування користувачем; 8525 20 99 00

b) загальна ширина смуги частот передачі, 8525 20 91 00,

яка в 100 і більше разів перевищує 8525 20 99 00

смугу частот одного інформаційного

каналу і становить понад 50 кГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.b.3.b контролю не

підлягає радіообладнання, спеціально

призначене для стільникових систем

радіозв'язку.

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.b.3 контролю не

підлягає обладнання, призначене для

експлуатації при вихідній потужності 1,0 Вт

або менше.

5.A.1.b. 4) радіоприймачі з цифровим керуванням, які з 8527

мають усі наведені нижче характеристики:

a) кількість каналів понад 1000;

b) мають "час перемикання частоти" менше

ніж 1 мс;

c) здійснюють автоматичний пошук або

сканують частину електромагнітного

спектра;

d) ідентифікують прийнятий сигнал або тип

передавача; або

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.b.4 контролю не

підлягає радіообладнання, спеціально

призначене для використання спільно із

стільниковими системами радіозв'язку.

5.A.1.b. 5) виконують функції цифрового "оброблення 8525 20 91 00,

сигналів", які забезпечують цифрове 8525 20 99 00,

кодування мови із швидкістю менше ніж з 8543 89

2400 біт/с

5.A.1.c. Волоконно-оптичні кабелі зв'язку, оптичні 8544 70 00 10,

волокна і спеціально призначені для них 8544 70 00 90,

компоненти та допоміжне обладнання, наведене 9001 10 10 00,

нижче: 9001 10 90 00,

9001 90 90 00

1) оптичні волокна завдовжки понад 500 м, що

мають міцність на розрив

2 х 10(9) H/м (в ступ. 2) або більше, яка

гарантована виробником;

Технічна Контрольні випробування: перевірка на

примітка. стадіях виготовлення або після виготовлення

полягає у прикладанні заданої напруги до

волокна завдовжки від 0,5 до 3 м на

швидкості ходу від 2 до 5 м/с під час

проходження волокон між провідними валами

приблизно 150 мм у діаметрі. При цьому

зовнішня навколишня температура становить

293 K (20 град. C), відносна вологість -

40 відсотків.

Для виконання контрольних випробувань можуть

застосовуватися інші національні стандарти.

2) волоконно-оптичні кабелі та допоміжне

обладнання, призначені для використання

під водою

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.c.2 контролю не

підлягають стандартні телекомунікаційні

кабелі та аксесуари для громадського

зв'язку.

Особливі 1. Для підводних складених кабелів, а також

примітки. з'єднувачів до них, дивися позицію

8.A.2.a.3.

2. Для волоконно-оптичних приладів

корпусного проникнення і з'єднувачів

дивися позицію 8.A.2.c.

5.A.l.d. "Фазовані антенні ґратки з електронним з 8529 10

керуванням діаграми направленості", які

працюють у діапазоні частот понад 31 ГГц

Примітка. Згідно з позицією 5.A.1.d контролю не

підлягають "фазовані антенні ґратки з

електронним скануванням променя" для систем

посадки, оснащених обладнанням та приладами,

що відповідають вимогам стандартів

Міжнародної організації цивільної авіації

(ICAO) для мікрохвильових систем посадки

(MLS).

5.B.1. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА

5.B.1.a. Обладнання і спеціально призначені з 8543 89

[5B001] компоненти або аксесуари до нього, з 9026 80

спеціально призначені для "розроблення", з 9030 39

"виробництва" або "використання" обладнання, з 9030 89

функцій або ознак, що підлягають контролю з 9031 80

згідно з частиною 1 розділу 5 (Зв'язок)

Примітка. Згідно з позицією 5.B.1.a контролю не

підлягає обладнання для визначення

параметрів оптичних волокон, у якому не

використовуються напівпровідникові "лазери".

5.B.1.b. Обладнання і спеціально призначені

компоненти та аксесуари для нього,

спеціально призначені для "розроблення"

будь-якого з наведеного нижче обладнання

телекомунікаційної передачі або "керованого

програмою, що зберігається в пам'яті"

комутаційного обладнання:

1) обладнання, яке використовує цифрову

техніку, уключаючи "Режим асинхронної

передачі" ("ATM"), призначене для роботи

із "загальною швидкістю цифрової

передачі" понад 1,5 Гбіт/с;

2) обладнання, яке використовує "лазер" і

має будь-яку з наведених нижче

характеристик:

a) довжину хвилі передачі понад 1750 нм;

b) здійснює "оптичне підсилення";

c) використовує когерентну оптичну

передачу або когерентну оптичну

детекторну техніку (так звані оптичні

гетеродини або гомодинну техніку);

d) використовує аналогову техніку і має

смугу пропускання понад 2,5 ГГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.B.1.b.2.d контролю не

підлягає обладнання, спеціально призначене

для "розроблення" систем комерційного

телебачення.

3) обладнання, у якому використовується

"оптична комутація";

4) радіообладнання, яке застосовує техніку

квадратурно-амплітудної модуляції (QAM) з

рівнем вище 128;

5) обладнання з використанням "загальних

сигнальних каналів", які працюють як в

непов'язаному, так і в квазіпов'язаному

режимах

5.C.1. МАТЕРІАЛИ - відсутні

5.D.1. ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ

5.D.1.a. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

[5D001] призначене або модифіковане для

"розроблення", "виробництва" або

"використання" обладнання, функцій або

ознак, зазначених у частині 1 розділу 5

(Зв'язок)

5.D.1.b. "Програмне забезпечення", спеціально з 8524

розроблене або модифіковане для підтримки

"технологій", зазначених у позиції 5.E.1

5.D.1.c. Спеціальне "програмне забезпечення",

наведене нижче:

1) "програмне забезпечення", спеціально

призначене або модифіковане для

забезпечення характеристик, функцій або

ознак обладнання, яке підлягає контролю

згідно з позиціями 5.A.1 або 5.B.1;

2) виключено;

3) "програмне забезпечення" інше, ніж в з 8524

машинних кодах, спеціально призначене для

"динамічної адаптивної маршрутизації"

5.D.1.d. "Програмне забезпечення", спеціально

призначене або модифіковане для

"розроблення" будь-якого з наведеного нижче

обладнання телекомунікаційної передачі або

"керованого програмою, що зберігається в

пам'яті" комутаційного обладнання:

1) обладнання, яке використовує цифрову

техніку, уключаючи "Режим асинхронної

передачі" ("ATM"), призначене для роботи

із "загальною швидкістю цифрової

передачі" понад 1,5 Гбіт/с;

2) обладнання, яке використовує "лазер" і

має такі характеристики:

a) довжину хвилі передачі понад 1750 нм;

або

b) використовує аналогову техніку і має

смугу пропускання понад 2,5 ГГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.D.1.d.2.b не

контролюється "програмне забезпечення",

спеціально призначене або модифіковане для

"розроблення" систем комерційного

телебачення.

3) обладнання, у якому використовується

"оптична комутація";

4) радіообладнання, яке застосовує техніку

квадратурно-амплітудної модуляції (QAM) з

рівнем вище 128

5.E.1. ТЕХНОЛОГІЯ

5.E.1.a. "Технологія" відповідно до загальних з 3705,

[5E001] приміток для "розроблення", "виробництва" з 3706,

або "використання" (за винятком з 8524,

експлуатації) обладнання, функцій, ознак або 4901 99 00 00,

"програмного забезпечення", зазначеного у 4906 00 00 00

частині 1 розділу 5

5.E.1.b. Спеціальні "технології", наведені нижче: з 3705,

1) "технологія", "необхідна" для з 3706,

"розроблення" або "виробництва" з 8524,

обладнання зв'язку, спеціально 4901 99 00 00

призначеного для використання на борту

супутників;

2) "технологія" для "розроблення" або 4906 00 00 00

"використання" комплектів апаратури

"лазерного" зв'язку з можливістю

автоматичного захвату і супроводження

сигналу та підтримки зв'язку через

екзосферу або заглиблене (водне)

середовище;

3) "технологія" "розроблення" цифрових

стільникових систем радіозв'язку;

4) "технологія" для "розроблення" апаратури,

яка використовує методи "розширення

спектра", уключаючи методи

"стрибкоподібної перебудови частоти"

5.E.1.c. "Технологія", відповідно до загальних

приміток, для "розроблення" або

"виробництва" будь-якого з наведеного нижче

обладнання телекомунікаційної передачі або

"керованого програмою, що зберігається в

пам'яті" комутаційного обладнання:

1) обладнання, яке використовує цифрову

техніку, уключаючи "Режим асинхронної

передачі" ("ATM"), із "загальною

швидкістю цифрової передачі"

понад 1,5 Гбіт/с;

2) обладнання, яке використовує "лазер" і

має одну з наведених нижче характеристик:

a) довжину хвилі передачі понад 1750 нм;

b) здійснює "оптичне підсилення" з

використанням фторолегованих

волоконно-оптичних підсилювачів

(PDFFA);

c) використовує когерентну оптичну

передачу або когерентну оптичну

детекторну техніку (так звані оптичні

геретодини або гомодинну техніку);

d) використовує техніку мультиплексного

розподілу спектрального діапазону

(довжини хвилі) не менше ніж на 8

оптичних несучих частот в одному

оптичному вікні;

e) використовує аналогову техніку і має

смугу пропускання понад 2,5 ГГц;

Примітка. Згідно з позицією 5.E.1.c.2.e не

контролюється "технологія" для "розроблення"

або "виробництва" систем комерційного

телебачення.

3) обладнання, у якому використовується

"оптична комутація";

4) радіообладнання, яке має такі

характеристики:

a) застосовує техніку

квадратурно-амплітудної модуляції

(QAM) з рівнем вище 128;

або

b) працює з вхідними або вихідними

частотами понад 31 ГГц;

або

Примітка. Згідно з позицією 5.E.1.c.4.b не

контролюється "технологія" для "розроблення"

або "виробництва" обладнання, призначеного

або модифікованого для роботи в будь-якому

діапазоні частот, "виділеному ITU" для

надання послуг радіозв'язку, але не для

радіовизначення.

5) обладнання з використанням "загальних

сигнальних каналів", які працюють як в

непов'язаному, так і в квазіпов'язаному

режимах.

----------------------------------------------------------------------

Розділ 5. Частина 2. ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ

----------------------------------------------------------------------

Номер | Найменування | Код товару

позиції | | згідно з

| | УКТ ЗЕД

----------------------------------------------------------------------

5. Частина 2. ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ

Примітки. 1. У цьому розділі визначається статус

контролю за засобами "захисту

інформації", "програмним забезпеченням",

системами, "електронними збірками"

спеціального призначення, модулями,

інтегральними схемами, компонентами або

функціями, навіть якщо вони є

компонентами або "електронними збірками"

іншого обладнання.

2. Згідно з частиною 2 розділу 5 не

підлягають контролю вироби, коли вони

використовуються для індивідуальних

потреб.

3. Криптографічна примітка

Згідно з позиціями 5.A.2 і 5.D.2 контролю не

підлягають предмети, які відповідають всім

наведеним нижче параметрам:

a) предмети, які є загальнодоступними для

громадян і призначені для необмеженого

продажу в асортименті в пунктах

роздрібної торгівлі будь-яким з

наведених видів продажу:

1) безпосередній продаж;

2) продаж за поштовими замовленнями;

3) продаж з використанням електронних

засобів зв'язку;

4) продаж за телефонними замовленнями;

b) користувачі не можуть легко змінити

криптографічну функціональність;

c) предмети, призначені для встановлення

користувачем без потреби значної

допомоги з боку постачальника;

d) предмети, які не містять "симетричного

алгоритму", з довжиною ключа

понад 64 біт;

e) детальна інформація щодо предметів є в

наявності і за вимогою, у разі

необхідності, її може бути надано до

відповідного повноважного органу в

країні експортера з метою перевірки на

відповідність до умов, які згадані в

пунктах "a" - "d".

Технічна Згідно з частиною 2 розділу 5 контрольні

примітка. біти не враховуються при визначенні довжини

ключа.

5.A.2.*,**. СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ

5.A.2.a. Системи, обладнання, "електронні збірки" з 8471,

[5A002] спеціального призначення, модулі та з 8542,

інтегральні схеми, призначені для "захисту 8543 89 95 00,

інформації", наведені нижче, та інші з 8543 90

спеціально призначені для цього компоненти:

Особлива Статус контролю приймального обладнання

примітка. глобальних навігаційних супутникових систем,

що містять або використовують пристрої

дешифрування, а саме, глобальної системи

місцевизначення (GPS) або глобальної

навігаційної супутникової системи (GLONASS),

визначається згідно з вимогами позиції

7.A.5.

5.A.2.a. 1) розроблені або модифіковані для

застосування "криптографії" з

використанням цифрових методів, які

виконують будь-які криптографічні

функції, відмінні від аутентифікації або

цифрової сигнатури і які мають одну з

наведених нижче характеристик:

Технічні 1. Аутентифікація та цифрова сигнатура

примітки. поєднується з ключем обслуговування.

2. Аутентифікація включає всі аспекти

контролю доступу, де незакодовані файли

або текст, за винятком тих, що

безпосередньо відносяться до пароля,

персональних ідентифікаційних номерів

(PINs) або звичайних даних для

запобігання від несанкціонованого

доступу.

3. До "криптографії" не відносяться

"фіксоване" ущільнення даних (при

архівації) або кодувальна техніка.

Примітка. Позиція 5.A.2.a.1 включає обладнання,

розроблене або модифіковане для

"криптографії" із застосуванням аналогових

принципів, реалізованих на цифровій техніці.

a) "симетричний алгоритм" з довжиною ключа

більше 56 біт;

b) "асиметричний алгоритм", де алгоритм

засекречування базується на будь-якому з

наведеного нижче:

1) факторизація (розкладання) цілих чисел

розрядністю більше 512 біт (наприклад,

RSA);

2) обчислення дискретних логарифмів в

мультиплікативній групі кінцевого поля

розрядністю більше 512 біт (наприклад,

Diffie-Hellman по Z/pZ);

3) дискретні логарифми з розрядністю

групи більше 112 біт (наприклад,

Diffie-Hellman по еліптичній кривій),

крім тих, що згадані в позиції

5.A.2.a.1.b.2;

5.A.2.a. 2) призначені або модифіковані для виконання

криптоаналітичних функцій;

3) виключено;

4) спеціально розроблені або модифіковані з

метою зменшення витоку інформації, у

формі сигналів-носіїв інформації, до

рівнів, які не шкідливі для здоров'я і

достатні для надійної безпеки або

задовольняють вимогам стандартів на

електромагнітні перешкоди;

5.A.2.a. 5) призначені або модифіковані з метою

використання "криптографічних" методів

генерації коду для "розширення спектра",

уключаючи стрибкоподібний код для систем

"стрибкоподібного переналагодження

частоти";

6) призначені або модифіковані для

проведення сертифікації або

сертифікованого "багаторівневого захисту"

або ізолювання користувача на рівні, який

перевищує клас B2 за критеріями оцінки

надійності комп'ютерних систем (TCSEC)

або на еквівалентному йому рівні;

7) кабельні системи зв'язку, призначені або з 8544

модифіковані з використанням механічних,

електричних або електронних пристроїв для

виявлення спроб та фактів

несанкціонованого доступу до них

Примітка. Згідно з позицією 5.A.2 контролю не

підлягають:

a) "персональні інтелектуальні картки", у

яких криптографічні можливості обмежені

для використання в обладнанні та

системах, за виключенням тих, які

контролюються пунктами від "b" до "f"

цієї примітки. Коли "Персональні

інтелектуальні картки"

багатофункціональні, тоді статус контролю

кожної функції оцінюється окремо;

b) приймальне обладнання для радіомовлення,

комерційного телебачення або подібних

видів радіомовлення та телебачення для

обмеженої аудиторії без цифрового

шифрування крім випадків, коли воно

використовується виключно для зворотньої

передачі телевізійним компаніям рекламної

інформації або інформації, що стосується

телепрограм;

c) обладнання, у якому функції дешифрування

не доступні користувачеві і яке було

спеціально розроблене і обмежене для

надання дозволу на будь-що з наведеного

нижче:

1) користування "програмним

забезпеченням" із захистом від

копіювання;

2) надання доступу до:

a) "програмного забезпечення" із

захистом від запису і копіювання;

або

b) інформації, що зберігається в

зашифрованій формі на носії

(наприклад, у зв'язку із захистом

прав інтелектуальної власності),

коли зазначений носій пропонується

для вільного продажу в ідентичних

комплектах;

3) одноразове копіювання аудіо-, відео

інформації, захищеної авторським

правом;

d) криптографічне обладнання,

спеціально призначене і обмежене

використанням в банківській справі

або для грошових операцій;

Технічна Термін "грошові операції" в примітці d

примітка. позиції 5.A.2 означає розрахункові та

кредитні операції.

e) портативні або мобільні радіотелефони для

цивільного використання (наприклад, для

використання у цивільних стільникових

системах радіозв'язку), які не можуть

здійснювати абонентське шифрування;

f) обладнання для бездротових телефонів, які

не можуть здійснювати абонентське

шифрування і мають, згідно з інструкцією

виробника, максимальний радіус дії без

додаткового посилення (тобто одноразовий

сигнальний імпульс, що надсилається між

терміналом і домашнім базовим блоком)

менше ніж 400 метрів.

5.A.3.*,**. ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ ТА ПРИСТРОЇ ДЛЯ ЗНЯТТЯ

ІНФОРМАЦІЇ З КАНАЛІВ ЗВ'ЯЗКУ ТА ІНШІ

ТЕХНІЧНІ ЗАСОБИ НЕГЛАСНОГО ОТРИМАННЯ

ІНФОРМАЦІЇ

5.A.3.a. Оптико-електронна техніка:

1) мініатюрні фотокамери, замасковані під з 9006

різні предмети;

2) об'єктиви, обладнані винесеною вхідною з 9002

зіницею типу "Pinhole";

3) мініатюрні теле-, відеокамери: з 8521, 8525

a) обладнані об'єктивом з винесеною

вхідною зіницею типу "Pinhole";

b) замасковані під різні предмети;

c) з чутливістю 0,01 лк і вище;

4) прилади нічного бачення з можливістю з 9005

реєстрації зображення;

5) технічні жорсткі та гнучкі ендоскопи з з 9013

каналом освітлення і діаметром меншим

ніж 10 мм

5.A.3.b. Переносні лазерні системи для вимірювання з 9013

малих переміщень та вібрації твердих

поверхонь

5.A.3.c. Мікрофони направленої дії, у тому числі з 8518

такі, що замасковані під різні предмети

5.A.3.d. Малогабаритні технічні засоби або пристрої: з 8525

1) радіомікрофони, замасковані під різні

предмети;

2) засоби зняття інформації з мереж та з 8518, 8520,

систем телекомунікацій, обладнані 8525, 8527,

спеціальними пристроями фіксації, 8543

збереження чи передачі отриманої

інформації, у тому числі з пристроями

дистанційного керування;

3) вібродатчики з пристроями підсилення та з 9031

передачі інформації по радіоканалу

5.A.3.e. Спеціальні засоби відмикання замикаючих 8301 70 00 00

пристроїв для негласного проникнення у

приміщення, сховища, транспортні засоби

тощо:

1) механічні;

2) електронні, у тому числі типу "Linklock" з 8471

5.A.3.f. Переносні рентгенівські системи з 9022

5.A.3.g. Оповіщувачі охоронної сигналізації, оснащені з 8531

вбудованою телекамерою та/або мікрофоном

5.B.2.*, **. ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ

І ВИРОБНИЦТВА

5.B.2.а. Обладнання, спеціально призначене для: з 8471 8543

[5B002] 1) "розроблення" обладнання або функцій, що

підлягають контролю відповідно до частини

2 розділу 5, уключаючи вимірювальне або

випробувальне обладнання;

2) "виробництва" обладнання або функцій, що

підлягають контролю відповідно до частини

2 розділу 5, уключаючи вимірювальне,

випробувальне, ремонтне або виробниче