- Правова система ipLex360
- Законодавство
- Постанова
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 15 жовтня 2004 р. N 1368 Київ |
Про затвердження Державної науково-технічної програми розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки
З метою прискорення розвитку високих наукоємних конкурентоспроможних технологій в галузі мікро- та оптоелектроніки Кабінет Міністрів України
постановляє:
1. Затвердити Державну науково-технічну програму розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки, що додається.
2. Покласти на Національну академію наук функції державного замовника Програми, затвердженої цією постановою.
3. Затвердити керівником Програми генерального директора науково-технологічного комплексу "Інститут монокристалів" Національної академії наук Семиноженка В.П.
Прем'єр-міністр України | В.ЯНУКОВИЧ |
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 15 жовтня 2004 р. N 1368
ДЕРЖАВНА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА
розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки
1. Загальна частина
Ця Програма спрямована на реалізацію державної стратегії відродження і підтримки вітчизняного виробництва та розвитку високих наукоємних конкурентоспроможних технологій у галузях промисловості, зокрема електронній, виробництва транспортних засобів, машино- і приладобудування, засобів систем інформації, енергозберігаючих технологій на основі функціональної силової електроніки тощо як найважливішої умови підвищення добробуту населення та досягнення Україною статусу розвинутої країни відповідно до
Програми діяльності Кабінету Міністрів України, схваленої постановою Верховної Ради України від 17 квітня 2004 р.
N 729.
У сучасній економіці розвинутих країн основоположними є наукоємні виробництва, серед яких провідне місце займає електронна промисловість.
Надвисокочастотна, мікро- та оптоелектроніка має стратегічне значення для економіки України, оскільки вона визначає технічний рівень промислової і побутової продукції, її конкурентоспроможність, стимулює розвиток сучасних інформаційних систем, засобів зв'язку, будівництво цивільних та військових літаків тощо. Обороноздатність країни також потребує високого рівня самозабезпечення електронною елементною базою військової техніки, де використання зарубіжної електроніки неприпустиме. Усе це свідчить про виключну важливість для майбутнього України інтенсифікації процесів розвитку електронної галузі, які за останнє десятиліття уповільнилися, та потребує вирішення завдань прискореного розвитку галузі, зміцнення економічної і технологічної незалежності.
2. Мета і основні завдання
Метою Програми є налагодження вітчизняного виробництва наукоємного електронного технологічного обладнання та сучасної електронної компонентної бази (далі - електронна база), забезпечення пріоритетного розвитку мікроелектроніки, мікромеханізації, квантової, нано-, акусто-, опто-, магнітоелектроніки, надвисокочастотної та інфрачервоної техніки, радіаційно стійкої електронної бази.
Основними завданнями Програми є:
розроблення та прискорене впровадження наукоємних технологій, налагодження на цій основі виробництва конкурентоспроможного електронного технологічного обладнання і сучасної електронної компонентної бази новітнього покоління;
налагодження виробництва високоефективних джерел світла;
забезпечення необхідного функціонального і технологічного рівня електронної бази за рахунок використання прикладних розробок вітчизняної науки;
розроблення мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів для сфери охорони здоров'я, моніторингу навколишнього середовища, запобігання тероризму;
забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону.
З метою виконання Програми розроблено заходи, що додаються.
3. Фінансове забезпечення
Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів державного бюджету, а також інших джерел.
Загальний обсяг коштів на фінансування Програми становить 59,36 млн гривень, з них з державного бюджету - 56,71 млн гривень, зокрема у 2005 році - 21,54 млн гривень, 2006 році - 20,795 млн, 2007 році - 14,375 млн, з інших джерел - 2,65 млн гривень.
4. Організаційне забезпечення
З метою забезпечення ефективного виконання Програми Національна академія наук як державний замовник здійснює такі заходи:
укладає договори з виконавцями, передбаченими Програмою;
здійснює контроль за виконанням заходів Програми в установлені строки, досягненням передбачених цільових показників, використанням фінансових, матеріально-технічних та інших ресурсів за призначенням;
подає щороку до 1 березня Кабінетові Міністрів України інформацію про хід виконання Програми, а після закінчення строку її виконання - заключний звіт про одержані результати.
Виконавцями заходів Програми є інститути Національної академії наук.
5. Очікувані результати
У результаті виконання Програми очікується:
1) розробка мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів для потреб охорони здоров'я, моніторингу зовнішнього середовища, запобігання тероризму, зокрема:
інтегрованих електронних пристроїв для вимірювання потужності дози та інтегральної поглиненої дози ультрафіолетового випромінювання в діапазонах A та B, потужності дози в діапазоні C (стерилізація біопрепаратів і медичного інструменту), а також для визначення сонцезахисного фактора (SPF) різних видів тканин і косметичних засобів;
технологій одержання багатоелементних p- і n- фотодіодів (16-, 32- та 64-канальних) для лінійок детекторів у рентгенівських інспекційних сканерах;
технологій одержання фотодіодних багатоелементних структур з розміром пікселя 200-250 мкм, інтегрованою електронікою і комутатором для лінійок детекторів з поліпшеним просторовим розрізненням;
детекторів радіації на фотодіодних структурах різного призначення, а саме: для використання в діапазонах енергій від 30 кеВ до 10 МеВ, контролю багажу, вантажу, легких і важких автомобілів, морських і авіаційних контейнерів; освоєння дослідно-промислового виробництва таких детекторів з параметрами, що перевищують світовий рівень;
енергоселективних сенсорів для екологічного і промислового моніторингу тритію та сенсорів ультрафіолетової радіації нового покоління з експлуатаційними параметрами, що відповідають сучасному рівню світових досягнень;
технологій одержання p- i n- структури на різних типах кремнієвих кристалів;
організаційних передумов для налагодження промислового виробництва ультрафіолетових дозиметрів для застосування в медичних закладах та населенням;
2) створення електронної бази для інфрачервоної мікрофотоелектроніки, зокрема:
багатоелементних та матричних гібридних інфрачервоних фотоприймальних пристроїв, які складаються з матриць фоточутливих елементів для детектування інфрачервоного випромінювання та кремнієвих фокальних мікропроцесорів, для зчитування та обробки сигналів у фокальній площині;
технологій виготовлення основних функціональних елементів фотоприймальних пристроїв (охолоджуваних фотодіодних та неохолоджуваних мікроболометричних матриць, кремнієвих фокальних процесорів (пристроїв зчитування інформації), допоміжних приладів і пристроїв);
методів аналізу функціонування та побудови багатоелементних і матричних фотоприймальних пристроїв;
приладів та засобів метрології багатоелементних фотоприймальних пристроїв;
3) налагодження виробництва високоефективних напівпровідникових джерел світла, зокрема:
удосконалення технології вирощування сапфіру для потреб оптоелектроніки;
впровадження технологій виготовлення сапфірових підкладок з необхідною якістю поверхні;
розроблення технологій та організація виробництва ефективних світлодіодів;
створення високоефективних інфрачервоних випромінювачів, повністю сумісних з кремнієвою технологією;
4) забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжин хвиль шляхом:
збільшення довговічності приладів у десятки разів, що дозволить збільшити час активної експлуатації штучних супутників Землі;
поліпшення якості спектра генеруючих коливань;
створення єдиної сучасної системи метрології і стандартизації в електроніці;
оснащення підприємств та науково-дослідних установ необхідним фізико-хімічним аналітичним обладнанням, розвитку їхньої діагностичної бази;
створення центрів фізико-хімічних методів діагностики загального користування;
розвитку діагностичних методів, які будуть забезпечувати вимірювання структурних, оптичних та електрофізичних параметрів вихідних матеріалів електронної техніки;
налагодження виробництва надвисокочастотної елементної бази міліметрового діапазону (дискретні елементи) для новітніх малогабаритних і недорогих систем радіолокації, навігації, зв'язку, радарних сенсорів, медичної та наукової апаратури.
6. Контроль за виконанням
Контроль за виконанням Програми здійснює Кабінет Міністрів України шляхом розгляду щорічних і заключного звітів та узагальненого висновку про кінцеві результати виконання Програми.
Безпосередній контроль за виконанням заходів Програми, ефективним та цільовим використанням коштів її виконавцями здійснює Національна академія наук.
Додаток
до Програми
ЗАХОДИ
щодо розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005-2007 роки
(тис. гривень)
------------------------------------------------------------------
Зміст заходу | Виконавці |Обсяг | У тому числі
| |фінан- | з державного
| |сування|бюджету за роками
| | |-----------------
| | | 2005| 2006| 2007
------------------------------------------------------------------
I. Оптоелектронні пристрої для сфери охорони
здоров'я, моніторингу навколишнього середовища
і запобігання тероризму
1. Розробка Інститут 450 200 200
енергоселективних сцинтиля-
сенсорів ційних
ультрафіолетової матеріалів
радіації нового
покоління на сполуках Інститут 420 200 200
A(в ступ. 2)B(в мікроприладів
ступ. 6) з
експлуатаційними
параметрами, що
відповідають сучасному
рівню світових
досягнень
2. Створення інтегрованих -"- 450 100 200 100
електронних пристроїв
для виміру потужності 440 150 100 150
дози та інтегральної
поглиненої дози
ультрафіолетового
випромінювання в
діапазоні A та B,
потужності дози в
діапазоні C
3. Підготовка до -"- 250 100 50 50
організації
промислового 340 150 50 100
виробництва
ультрафіолетових
дозиметрів для
застосування в
медичних закладах і
населенням
4. Відпрацювання -"- 750 400 150 150
технології одержання
p- i n- структур на
основі різних за типом
кремнієвих кристалів
Розроблення технології -"- 750 300 200 200
виробництва p- i n-
фотодіодів з
параметрами, що
не поступаються
зарубіжним аналогам
5. Розроблення технології -"- 750 300 200 200
одержання
багатоелементних p- і n- 750 400 100 200
фотодіодів (16-, 32-
та 64-канальних) для
лінійок детекторів,
придатних до
застосування у
рентгенівських
інспекційних сканерах
6. Розроблення технології -"- 650 200 200 200
одержання фотодіодних
багатоелементних 650 300 200 100
структур із кроком
200-250 мкм
з інтегрованою
електронікою і
комутаторами для
лінійок детекторів
з поліпшеним
просторовим
розрізненням
7. Створення детекторів Інститут 2150 1000 500 500
радіації на сцинтиля-
фотодіодних структурах ційних
у діапазоні енергій матеріалів
від 30 кеВ до 8-10 МеВ
для контролю багажу,
морських та авіаційних
контейнерів, легкових
та вантажних
автомобілів. Освоєння
дослідно-промислового
виробництва детекторів
8. Розробка Інститут 2150 1000 500 500
енергоселективних мікроприладів
сенсорів для
екологічного і
промислового
моніторингу тритію,
що відповідають
сучасному світовому
рівню
II. Інфрачервона мікрофотоелектроніка
1. Створення діодних Інститут 250 80 90 80
p- i n- структур фізики
у вузькозонному напів-
напівпровідниковому провідників
матеріалі
ртуть-кадмій-телур Інститут 450 150 150 150
методом іонної мікроприладів
імплантації
2. Розрахунок профілів Інститут 50 20 15 15
розподілу іонів, фізики
імплантованих у плівки напів-
кадмій-ртуть-телур та провідників
кадмій-телур (аргон,
водень, гелій, бор,
неон)
3. Дослідження процесів -"- 50 20 15 15
аморфізації захисного
шару кадмій-телур та
впливу аморфізації на
характеристики діодів
4. Формування -"- 50 20 15 15
р(в ступ.+)-шарів в
епітаксійних плівках
кадмій-ртуть-телур
шляхом імплантації
іонів B(в ступ. +).
Оптимізація режимів
імплантації та відпалу
5. Дослідження -"- 50 20 15 15
деградаційних процесів
електричних
характеристик структур
у природних умовах та
під дією зовнішнього
впливу акустичних
навантажень у
структурах
кадмій-ртуть-телур,
сформованих шляхом
іонного травлення та
іонної імплантації
6. Відпрацювання Інститут 50 20 15 15
технології нанесення фізики
пасиваційних покриттів напів-
кадмій-телур на провідників
поверхню фотоприймачів
на основі
кадмій-ртуть-телур.
Розробка Інститут 200 60 70 70
апаратно-технічного мікроприладів
рішення введення
ультразвуку в активну
зону установки
"гаряча стінка"
7. Математичне Інститут 50 20 15 15
моделювання росту фізики
пасиваційних покриттів напів-
на епітаксійні провідників
структури для
інфрачервоної
фотоелектроніки
8. Розробка нових бром- -"- 50 20 15 15
та йодвиділяючих
травильних композицій
для хімічного
полірування
напівпровідникових
матеріалів
інфрачервоної техніки
та створення нових
композицій для
пасивації їх поверхні
9. Вибір компонентів -"- 50 20 15 15
травників, підбір їх
співвідношення,
оптимізація складів
селективних травників
та технологічних
режимів травлення,
розроблення методики
визначення густини
дислокацій тонких
шарів твердих розчинів
Cd Hg Te
x 1-x
10. Відпрацювання Інститут 50 20 15 15
методики пасивації фізики
поверхні твердих напів-
розчинів провідників
Cd Hg Te
x 1-x
в різних сульфідних
сумішах
11. Розроблення Інститут 50 20 15 15
технології фізики
виготовлення напів-
неохолоджуваних провідників
фоточутливих
структур - Інститут 150 50 50 50
мікроболометричних мікроприладів
матриць на основі
кремнію
12. Розроблення Інститут 550 180 190 180
архітектури та мікроприладів
елементної бази для
побудови схем
зчитування та
дослідження їх
фізико-технічних
характеристик
13. Розроблення -"- 400 130 130 140
технології
виготовлення схем
зчитування.
Опрацювання
технологічних режимів
та маршруту
виготовлення
кремнієвих фокальних
процесорів на базі
КМОН-технології
з проектними нормами
не гірше 1,6 мкм,
розробка
нестандартного
технологічного
обладнання
14. Виготовлення дослідних -"- 400 130 130 140
зразків кремнієвих
схем зчитування для
матричних та
лінійчастих
багатоелементних
інфрачервоних
фотоприймачів,
виготовлення
нестандартного
технологічного
обладнання.
Розроблення методик
тестування та
обладнання для
тестування параметрів
схем зчитування
15. Виготовлення -"- 350 110 120 120
обладнання для
тестування схем
зчитування та його
метрологічна атестація
16. Дослідження -"- 200 65 70 65
характеристик та
випробування
розроблених схем
зчитування
17. Дослідження Інститут 250 70 80 70
характеристик схем фізики
зчитування при низьких напів-
та наднизьких провідників
температурах
18. Дослідження -"- 300 100 100 100
характеристик та
випробування схем
................Перейти до повного тексту